JPS63270316A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

酸化物超電導体の製造方法

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JPS63270316A
JPS63270316A JP62103058A JP10305887A JPS63270316A JP S63270316 A JPS63270316 A JP S63270316A JP 62103058 A JP62103058 A JP 62103058A JP 10305887 A JP10305887 A JP 10305887A JP S63270316 A JPS63270316 A JP S63270316A
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JP
Japan
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oxide superconductor
sol
oxide
drying
containing elements
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Pending
Application number
JP62103058A
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English (en)
Inventor
Hisami Ochiai
落合 久美
Motomasa Imai
今井 基真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPS63270316A publication Critical patent/JPS63270316A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は酸化物超電導体の製造方法に関する。
(従来の技術) 近年、Ba−La−Cu−0系の層状ペロブスカイト型
酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表
されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行なわれて
いる(Z、Phys、B Condensed Mat
ter 64゜189−193(19f16) 、その
中でもY−Ba−Cu−0系に代表される酸素欠陥を存
する欠陥ペロブスカイト型(AB  CO型)の酸化物
超電導体は、Tc237−δ が90に以上と液体窒素以上の高い温度を示すため非常
に存望な材料である(Phys、Rev、Lett、v
ol、58No、9.p90g−910)。
(発明が解決しようとする問題点) この様にペロブスカイト型の酸化物超電導体は前述の如
く非常にを望な材料であるが、酸化物であるため線状、
大面積化等、所望の形状にのちのを得るのは困難であっ
た。
本発明はこの様な問題点を解決するためになされたもの
であり、所望の形状を有する酸化物超電導体を容易に製
造することができる製造方法を提供することを目的とす
る。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段及び作用)本発明は、酸
化物超電導体を構成する元素を含有する有機金属化合物
を原料とするゾルを乾燥しゲル化したものを焼成するこ
とを特徴とした酸化物超電導体の製造方法である。
酸化物超電導体としては多数のものが知られているが、
臨界温度の高い希土類元素含有のペロブスカイト型の酸
化物超電導体を用いることが実用上好ましい。ここでい
う希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を−Uする
酸化物超電導体は超電導状態を実現しできればよく、酸
素欠陥を有するABa  Cu  O系(AはY、Yb
、Ho、Dy、Eu、Er2 37−δ 、 Ti 、 Lu等の希土類元素)等の欠陥ペロブス
カイ!・型、S r−La−Cu−0系等の層状ペロブ
スカイト型等の広義にペロブスカイト構造をaする酸化
物とする。
また希土類元素も広義の定義とし、Sc、Y及びランタ
ン系を含むものとする。代表的な系としてY−I3a−
Cu−0系のほかにYをYb、Ho、Dy、Eu、Er
、Tm、Lu等の希土類で置換した系、5c−Ba−C
u−0系、5r−La−Cu−0系、更にS「をBa 
、 Caで置換した系等が挙げられる。
本発明で用いる酸化物超電導体を構成する元素を含有す
る有機金属化合物としては金属アルコキシド、金属アセ
チルアセトナト、ナフテン酸金属塩、オクチル酸金属塩
、或いはそれらの誘導体が挙げられる。この中でも分子
中にアルコキシ基を1つ以上含有する有機金属化合物は
、低温でも加水分解あるいは熱分解を起こしやすいため
、均一なゲルを得易く好都合である。得にアルコキシ基
の炭素数が5以下であれば、更に低温、例えば常温にお
いても分解し得るものがあり、有効である。
これらの有機金属化合物は単独でも良いし、複数種混合
して用いても良いことは言うまでもない。
この様な有機金属化合物を用いてY、Ba、Cuなどの
酸化物超電導体の構成元素を所定の比率となるように調
整したゾルを準備する際、基本的に化学量論比の組成と
なるように混合するが、多少製造条件等との関係等でず
れていても構わない。
例えば、Y−Ba−Cu−0系ではYlmolに対しB
a2IIlol、 Cu 3  ff1olが標準組成
であるが、実用上はBa2±0.6molCu 3±0
.2mol程度のずれは問題ない。本発明において所望
の原子組成のすべてを有機金属化合物で供給する場合は
、あらかじめ、−分子中に複数の金属光・素を有する化
合物の形で用いることができる。例えば、2種類以上の
金属アルコキシドを還流して得た複合アルコキシド等が
挙げられる。また有機金属化合物に無機塩を化合させて
用いても良い。例えば硝酸塩、酢酸塩等を金属アルコキ
シドと化合したものが挙げられる。
これらをゾルとして用いると所望の化学量論比通りの原
料ゾルを得ることが容易になる。
この様な有機金属化合物を溶媒に溶解あるいは希釈する
ことによりゾルを得る。このとき加水分解が遅い場合は
水分、ゲル化促進剤等を加えて一部重合化しても良い。
また逆に分解速度が速すぎる場合には安定化剤を加えれ
ば良い。
得られたゾルは溶媒の蒸発・乾燥によってゲル化する。
ゲル化は加熱により行なっても良いが後工程で焼成を行
なうため、特に必要ではない。焼成は酸索含育雰囲気で
行なうことが好ましい。加熱温度は酸化物超電導体の種
類によって異なるが一般的には500−1000℃程度
である。
所望の形状のゲル化した原料を焼成することにより酸化
物超電導体を得ることができるわけであるが、例えば基
板上にスピンコードする、基板をゾル中にディップする
等の方法により基板上にゲル化膜を形成し焼成すること
により、酸化物超電導膜を形成することができる。この
様な方法によれば蒸着法、スパッタ法等に比べ、容易に
大面積の酸化物超電導膜を形成することができる。
第1図に示すようにスリットから噴出されたゾルを連続
的に乾燥・焼成することにより、板状酸化物超電導体を
得ることもできる。またスリット形状を変えて繊維状の
ゲルを得て焼成することにしやすいが、短絡しやすい場
合はゾル中に酸化物微粉末を混入しておくことが好まし
い。この繊維化・焼成を連続して行なうことにより、容
易に酸化物超電導線材を得ることができる。
(実施例) 以下に本発明の詳細な説明する。
実施例−1 Y(OCH)  、Ba (OC2H5)2゜Cu(O
C2H5)2をモル比で1;2:3に溶解したベンゼン
溶液を2時間還流してゾルを得た。
テフロン上にゾルを展開し、得たゲルを大気中、粘体を
得た。得られた焼結体は液体窒素温度で電気抵抗が0で
あることが確認された。
実施例−2 Ti(QCH)  、Li0CH、の工タノール溶液(
モル比1:2)にCH3CO0Hを加えたゾルを加熱還
流した。このゾルを加熱乾燥して800℃で焼成した。
その後600℃で16時間アニールした。得られた焼結
体は液体ヘリウム温度で電気抵抗がOとなることが確認
された。
実施例−3 実施例−1で用いたゾルを用いスピンコードにより基板
上にゲル化膜を得た。この括板を850°Cの炉中で焼
成し厚さ0.5μmのクラックのない良好な薄膜を得た
。この膜にAu電極を付け、液体窒素温度で電気抵抗が
0であることが確認された。
実施例−4 実施例−1で用いたゾルを用い第1図に示すようにして
テープ状の酸化物超電導体を得た。焼成の酸化物超電導
体テープも液体窒素温度で電気抵抗がOであることが確
認された。
実施例−5 成した。酸素中でアニールした線材は夫々液体窒素温度
、液体ヘリウム温度で電気抵抗が0であることが確認さ
れた。
その他の有機金属ゾルを用いた場合でも同様の結果を得
た。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、テープ状、線状な
ど所望の形状の酸化物超電導体を容易に得ることができ
る。従って、酸化物超電導体の実用の面で寄与すること
大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を説明するための装置の概略図。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同        松  山  光  2牧 第1図

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
    属化合物を原料とするゾルを乾燥しゲル化したものを焼
    成することを特徴とした酸化物超電導体の製造方法。
  2. (2)前記酸化物超電導体は希土類元素を含有するペロ
    ブスカイト型の酸化物超電導体であることを特徴とした
    特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法
  3. (3)前記酸化物超電導体はABa_2Cu_3O_7
    _−_δ系の酸化物超電導体(AはY、Yb、Ho、D
    y、Eu、Er、Tm、Lu)であることを特徴とした
    特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法
  4. (4)前記ペロブスカイト型構造を有する酸化物超電導
    体はY−Ba−Cu−O系であることを特徴とした特許
    請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法。
  5. (5)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
    属化合物を原料とするゾルを乾燥しゲル化することによ
    り膜を得た後焼成することを特徴とした特許請求の範囲
    第1項記載の酸化物超電導体の製造方法。
  6. (6)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
    属化合物を原料とするゾルから繊維状ゲルを得た後焼成
    することを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の酸化
    物超電導体の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63310705A (ja) * 1987-05-15 1988-12-19 ピーピージー インダストリーズ,インコーポレーテッド 化学的重合法による超電導性セラミックの製造法
JPS6452644A (en) * 1987-08-24 1989-02-28 Mitsubishi Electric Corp Production of superconducting material of oxide type
JPS6456303A (en) * 1987-07-20 1989-03-03 Philips Nv Manufacture of superconductive oxide composition

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JPS63310705A (ja) * 1987-05-15 1988-12-19 ピーピージー インダストリーズ,インコーポレーテッド 化学的重合法による超電導性セラミックの製造法
JPS6456303A (en) * 1987-07-20 1989-03-03 Philips Nv Manufacture of superconductive oxide composition
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