JPS63270316A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPS63270316A JPS63270316A JP62103058A JP10305887A JPS63270316A JP S63270316 A JPS63270316 A JP S63270316A JP 62103058 A JP62103058 A JP 62103058A JP 10305887 A JP10305887 A JP 10305887A JP S63270316 A JPS63270316 A JP S63270316A
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- UZFMOKQJFYMBGY-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-TEMPO Chemical compound CC1(C)CC(O)CC(C)(C)N1[O] UZFMOKQJFYMBGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は酸化物超電導体の製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、Ba−La−Cu−0系の層状ペロブスカイト型
酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表
されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行なわれて
いる(Z、Phys、B Condensed Mat
ter 64゜189−193(19f16) 、その
中でもY−Ba−Cu−0系に代表される酸素欠陥を存
する欠陥ペロブスカイト型(AB CO型)の酸化物
超電導体は、Tc237−δ が90に以上と液体窒素以上の高い温度を示すため非常
に存望な材料である(Phys、Rev、Lett、v
ol、58No、9.p90g−910)。
酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表
されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行なわれて
いる(Z、Phys、B Condensed Mat
ter 64゜189−193(19f16) 、その
中でもY−Ba−Cu−0系に代表される酸素欠陥を存
する欠陥ペロブスカイト型(AB CO型)の酸化物
超電導体は、Tc237−δ が90に以上と液体窒素以上の高い温度を示すため非常
に存望な材料である(Phys、Rev、Lett、v
ol、58No、9.p90g−910)。
(発明が解決しようとする問題点)
この様にペロブスカイト型の酸化物超電導体は前述の如
く非常にを望な材料であるが、酸化物であるため線状、
大面積化等、所望の形状にのちのを得るのは困難であっ
た。
く非常にを望な材料であるが、酸化物であるため線状、
大面積化等、所望の形状にのちのを得るのは困難であっ
た。
本発明はこの様な問題点を解決するためになされたもの
であり、所望の形状を有する酸化物超電導体を容易に製
造することができる製造方法を提供することを目的とす
る。
であり、所望の形状を有する酸化物超電導体を容易に製
造することができる製造方法を提供することを目的とす
る。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段及び作用)本発明は、酸
化物超電導体を構成する元素を含有する有機金属化合物
を原料とするゾルを乾燥しゲル化したものを焼成するこ
とを特徴とした酸化物超電導体の製造方法である。
化物超電導体を構成する元素を含有する有機金属化合物
を原料とするゾルを乾燥しゲル化したものを焼成するこ
とを特徴とした酸化物超電導体の製造方法である。
酸化物超電導体としては多数のものが知られているが、
臨界温度の高い希土類元素含有のペロブスカイト型の酸
化物超電導体を用いることが実用上好ましい。ここでい
う希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を−Uする
酸化物超電導体は超電導状態を実現しできればよく、酸
素欠陥を有するABa Cu O系(AはY、Yb
、Ho、Dy、Eu、Er2 37−δ 、 Ti 、 Lu等の希土類元素)等の欠陥ペロブス
カイ!・型、S r−La−Cu−0系等の層状ペロブ
スカイト型等の広義にペロブスカイト構造をaする酸化
物とする。
臨界温度の高い希土類元素含有のペロブスカイト型の酸
化物超電導体を用いることが実用上好ましい。ここでい
う希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を−Uする
酸化物超電導体は超電導状態を実現しできればよく、酸
素欠陥を有するABa Cu O系(AはY、Yb
、Ho、Dy、Eu、Er2 37−δ 、 Ti 、 Lu等の希土類元素)等の欠陥ペロブス
カイ!・型、S r−La−Cu−0系等の層状ペロブ
スカイト型等の広義にペロブスカイト構造をaする酸化
物とする。
また希土類元素も広義の定義とし、Sc、Y及びランタ
ン系を含むものとする。代表的な系としてY−I3a−
Cu−0系のほかにYをYb、Ho、Dy、Eu、Er
、Tm、Lu等の希土類で置換した系、5c−Ba−C
u−0系、5r−La−Cu−0系、更にS「をBa
、 Caで置換した系等が挙げられる。
ン系を含むものとする。代表的な系としてY−I3a−
Cu−0系のほかにYをYb、Ho、Dy、Eu、Er
、Tm、Lu等の希土類で置換した系、5c−Ba−C
u−0系、5r−La−Cu−0系、更にS「をBa
、 Caで置換した系等が挙げられる。
本発明で用いる酸化物超電導体を構成する元素を含有す
る有機金属化合物としては金属アルコキシド、金属アセ
チルアセトナト、ナフテン酸金属塩、オクチル酸金属塩
、或いはそれらの誘導体が挙げられる。この中でも分子
中にアルコキシ基を1つ以上含有する有機金属化合物は
、低温でも加水分解あるいは熱分解を起こしやすいため
、均一なゲルを得易く好都合である。得にアルコキシ基
の炭素数が5以下であれば、更に低温、例えば常温にお
いても分解し得るものがあり、有効である。
る有機金属化合物としては金属アルコキシド、金属アセ
チルアセトナト、ナフテン酸金属塩、オクチル酸金属塩
、或いはそれらの誘導体が挙げられる。この中でも分子
中にアルコキシ基を1つ以上含有する有機金属化合物は
、低温でも加水分解あるいは熱分解を起こしやすいため
、均一なゲルを得易く好都合である。得にアルコキシ基
の炭素数が5以下であれば、更に低温、例えば常温にお
いても分解し得るものがあり、有効である。
これらの有機金属化合物は単独でも良いし、複数種混合
して用いても良いことは言うまでもない。
して用いても良いことは言うまでもない。
この様な有機金属化合物を用いてY、Ba、Cuなどの
酸化物超電導体の構成元素を所定の比率となるように調
整したゾルを準備する際、基本的に化学量論比の組成と
なるように混合するが、多少製造条件等との関係等でず
れていても構わない。
酸化物超電導体の構成元素を所定の比率となるように調
整したゾルを準備する際、基本的に化学量論比の組成と
なるように混合するが、多少製造条件等との関係等でず
れていても構わない。
例えば、Y−Ba−Cu−0系ではYlmolに対しB
a2IIlol、 Cu 3 ff1olが標準組成
であるが、実用上はBa2±0.6molCu 3±0
.2mol程度のずれは問題ない。本発明において所望
の原子組成のすべてを有機金属化合物で供給する場合は
、あらかじめ、−分子中に複数の金属光・素を有する化
合物の形で用いることができる。例えば、2種類以上の
金属アルコキシドを還流して得た複合アルコキシド等が
挙げられる。また有機金属化合物に無機塩を化合させて
用いても良い。例えば硝酸塩、酢酸塩等を金属アルコキ
シドと化合したものが挙げられる。
a2IIlol、 Cu 3 ff1olが標準組成
であるが、実用上はBa2±0.6molCu 3±0
.2mol程度のずれは問題ない。本発明において所望
の原子組成のすべてを有機金属化合物で供給する場合は
、あらかじめ、−分子中に複数の金属光・素を有する化
合物の形で用いることができる。例えば、2種類以上の
金属アルコキシドを還流して得た複合アルコキシド等が
挙げられる。また有機金属化合物に無機塩を化合させて
用いても良い。例えば硝酸塩、酢酸塩等を金属アルコキ
シドと化合したものが挙げられる。
これらをゾルとして用いると所望の化学量論比通りの原
料ゾルを得ることが容易になる。
料ゾルを得ることが容易になる。
この様な有機金属化合物を溶媒に溶解あるいは希釈する
ことによりゾルを得る。このとき加水分解が遅い場合は
水分、ゲル化促進剤等を加えて一部重合化しても良い。
ことによりゾルを得る。このとき加水分解が遅い場合は
水分、ゲル化促進剤等を加えて一部重合化しても良い。
また逆に分解速度が速すぎる場合には安定化剤を加えれ
ば良い。
ば良い。
得られたゾルは溶媒の蒸発・乾燥によってゲル化する。
ゲル化は加熱により行なっても良いが後工程で焼成を行
なうため、特に必要ではない。焼成は酸索含育雰囲気で
行なうことが好ましい。加熱温度は酸化物超電導体の種
類によって異なるが一般的には500−1000℃程度
である。
なうため、特に必要ではない。焼成は酸索含育雰囲気で
行なうことが好ましい。加熱温度は酸化物超電導体の種
類によって異なるが一般的には500−1000℃程度
である。
所望の形状のゲル化した原料を焼成することにより酸化
物超電導体を得ることができるわけであるが、例えば基
板上にスピンコードする、基板をゾル中にディップする
等の方法により基板上にゲル化膜を形成し焼成すること
により、酸化物超電導膜を形成することができる。この
様な方法によれば蒸着法、スパッタ法等に比べ、容易に
大面積の酸化物超電導膜を形成することができる。
物超電導体を得ることができるわけであるが、例えば基
板上にスピンコードする、基板をゾル中にディップする
等の方法により基板上にゲル化膜を形成し焼成すること
により、酸化物超電導膜を形成することができる。この
様な方法によれば蒸着法、スパッタ法等に比べ、容易に
大面積の酸化物超電導膜を形成することができる。
第1図に示すようにスリットから噴出されたゾルを連続
的に乾燥・焼成することにより、板状酸化物超電導体を
得ることもできる。またスリット形状を変えて繊維状の
ゲルを得て焼成することにしやすいが、短絡しやすい場
合はゾル中に酸化物微粉末を混入しておくことが好まし
い。この繊維化・焼成を連続して行なうことにより、容
易に酸化物超電導線材を得ることができる。
的に乾燥・焼成することにより、板状酸化物超電導体を
得ることもできる。またスリット形状を変えて繊維状の
ゲルを得て焼成することにしやすいが、短絡しやすい場
合はゾル中に酸化物微粉末を混入しておくことが好まし
い。この繊維化・焼成を連続して行なうことにより、容
易に酸化物超電導線材を得ることができる。
(実施例)
以下に本発明の詳細な説明する。
実施例−1
Y(OCH) 、Ba (OC2H5)2゜Cu(O
C2H5)2をモル比で1;2:3に溶解したベンゼン
溶液を2時間還流してゾルを得た。
C2H5)2をモル比で1;2:3に溶解したベンゼン
溶液を2時間還流してゾルを得た。
テフロン上にゾルを展開し、得たゲルを大気中、粘体を
得た。得られた焼結体は液体窒素温度で電気抵抗が0で
あることが確認された。
得た。得られた焼結体は液体窒素温度で電気抵抗が0で
あることが確認された。
実施例−2
Ti(QCH) 、Li0CH、の工タノール溶液(
モル比1:2)にCH3CO0Hを加えたゾルを加熱還
流した。このゾルを加熱乾燥して800℃で焼成した。
モル比1:2)にCH3CO0Hを加えたゾルを加熱還
流した。このゾルを加熱乾燥して800℃で焼成した。
その後600℃で16時間アニールした。得られた焼結
体は液体ヘリウム温度で電気抵抗がOとなることが確認
された。
体は液体ヘリウム温度で電気抵抗がOとなることが確認
された。
実施例−3
実施例−1で用いたゾルを用いスピンコードにより基板
上にゲル化膜を得た。この括板を850°Cの炉中で焼
成し厚さ0.5μmのクラックのない良好な薄膜を得た
。この膜にAu電極を付け、液体窒素温度で電気抵抗が
0であることが確認された。
上にゲル化膜を得た。この括板を850°Cの炉中で焼
成し厚さ0.5μmのクラックのない良好な薄膜を得た
。この膜にAu電極を付け、液体窒素温度で電気抵抗が
0であることが確認された。
実施例−4
実施例−1で用いたゾルを用い第1図に示すようにして
テープ状の酸化物超電導体を得た。焼成の酸化物超電導
体テープも液体窒素温度で電気抵抗がOであることが確
認された。
テープ状の酸化物超電導体を得た。焼成の酸化物超電導
体テープも液体窒素温度で電気抵抗がOであることが確
認された。
実施例−5
成した。酸素中でアニールした線材は夫々液体窒素温度
、液体ヘリウム温度で電気抵抗が0であることが確認さ
れた。
、液体ヘリウム温度で電気抵抗が0であることが確認さ
れた。
その他の有機金属ゾルを用いた場合でも同様の結果を得
た。
た。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、テープ状、線状な
ど所望の形状の酸化物超電導体を容易に得ることができ
る。従って、酸化物超電導体の実用の面で寄与すること
大である。
ど所望の形状の酸化物超電導体を容易に得ることができ
る。従って、酸化物超電導体の実用の面で寄与すること
大である。
第1図は本発明を説明するための装置の概略図。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 松 山 光 2牧
第1図
Claims (6)
- (1)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
属化合物を原料とするゾルを乾燥しゲル化したものを焼
成することを特徴とした酸化物超電導体の製造方法。 - (2)前記酸化物超電導体は希土類元素を含有するペロ
ブスカイト型の酸化物超電導体であることを特徴とした
特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法
。 - (3)前記酸化物超電導体はABa_2Cu_3O_7
_−_δ系の酸化物超電導体(AはY、Yb、Ho、D
y、Eu、Er、Tm、Lu)であることを特徴とした
特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法
。 - (4)前記ペロブスカイト型構造を有する酸化物超電導
体はY−Ba−Cu−O系であることを特徴とした特許
請求の範囲第1項記載の酸化物超電導体の製造方法。 - (5)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
属化合物を原料とするゾルを乾燥しゲル化することによ
り膜を得た後焼成することを特徴とした特許請求の範囲
第1項記載の酸化物超電導体の製造方法。 - (6)酸化物超電導体を構成する元素を含有する有機金
属化合物を原料とするゾルから繊維状ゲルを得た後焼成
することを特徴とした特許請求の範囲第1項記載の酸化
物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62103058A JPS63270316A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62103058A JPS63270316A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63270316A true JPS63270316A (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=14344075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62103058A Pending JPS63270316A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63270316A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310705A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-12-19 | ピーピージー インダストリーズ,インコーポレーテッド | 化学的重合法による超電導性セラミックの製造法 |
JPS6452644A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | Production of superconducting material of oxide type |
JPS6456303A (en) * | 1987-07-20 | 1989-03-03 | Philips Nv | Manufacture of superconductive oxide composition |
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1987
- 1987-04-28 JP JP62103058A patent/JPS63270316A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310705A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-12-19 | ピーピージー インダストリーズ,インコーポレーテッド | 化学的重合法による超電導性セラミックの製造法 |
JPS6456303A (en) * | 1987-07-20 | 1989-03-03 | Philips Nv | Manufacture of superconductive oxide composition |
JPS6452644A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | Production of superconducting material of oxide type |
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