JPS6326373A - プラズマｃｖｄによる管内面のコ−テイング方法 - Google Patents

プラズマｃｖｄによる管内面のコ−テイング方法

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JPS6326373A
JPS6326373A JP16918586A JP16918586A JPS6326373A JP S6326373 A JPS6326373 A JP S6326373A JP 16918586 A JP16918586 A JP 16918586A JP 16918586 A JP16918586 A JP 16918586A JP S6326373 A JPS6326373 A JP S6326373A
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JP
Japan
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tube
electrode
coated
gas
plasma cvd
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Application number
JP16918586A
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English (en)
Inventor
Yasuyuki Yamada
保之 山田
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Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は管内面のコーティング技術に係り、より詳細に
は、プラズマＣＶＤ法により管内面、特に長尺管の内面
をコーティングする方法に関するものである。
（従来の技術及び解決しようとする問題点）管の内面を
コーティングする方法としては、イオンブレーティング
法など種々の方法が開発されている。
例えば、プラズマＣＶＤ法による場合、コーティングす
べき管の中に被覆材料をおき、外から電子を導入して管
内にグロー放電製発生させ、管内面をコーティングする
方法（例、特開１１Ｊ（５３−］１３９；同５３−１１
４０）、或いは、管内にプラズマ発生装置や蒸発源を移
動可能に設け、これを管軸方向に移動させながら管内面
を均一にコーティングしようとする方法（特開昭４９−
３６５４３；同５３−３１．５８１）などがある。
しかし、前者の方法では管内面に形成される皮膜が均一
になり難く、後者の方法では蒸発源等を管内に設ける必
要があるために装置が複雑となり、特に細径の長尺管の
内面コーティングに限界があり、更には、いずれの方法
でも管内面を均一にコ−ティングすることは困難である
。
本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、簡単な構成に
よって管の内面、特に長尺管、大径管、細径管、長尺管
などの内面のコーティングを均一に行うことができる方
法を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明者は、コーティングす
べき管内に複雑な装置を挿入する必要がない簡易な方策
について研究を重ねた結果、管自体を一方の電極とし、
この管内にガスノズルを非移動式に設け、管内面にホロ
ーカソード放電を生じさせると電子密度が上昇でき、こ
れにより反応ガスのイオン化率が高まることを見出した
。
すなわち、本発明に係るＣＶＤによる管内面のコーティ
ング方法は、コーティングすべき導電性の管自体を第１
電極とし、この管内に反応ガスを導入するため長手方向
にガス噴出口を備えたガスノズルを前記第１電極管内に
配設し、真空引き後、第１電極内に反応ガスを導入し、
第１電極と真空槽を第２電極としてこの間に高電圧を印
加してホローカソード放電を管内に発生させることによ
り、前記管の内面をコーティングすることを特徴とする
ものである。
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置の一
例を示している。
図中、１は排気口２を備えた真空容器で、この容器内に
はヒータ３が設けられている。容器１の一端には支持台
４が気密的に貫通して、かつ、絶縁物を介して固定的に
或いは回転可能に取付けてあり、この支持台４内には反
応ガス導入通路５が設けられている。１０はバルブでこ
の通路を切換え可能にしている。また支持台４と真空容
器１はバイアス直流電源６を介して結線されている。
容器内に突設した支持台部分には、コーティングすべき
管７が載置され、この管内に位置するように管状のガス
ノズル８が載置されている。ガスノズル８はその管壁に
反応ガス噴出口９を多数有し、この噴出ｒｉｌ　９はガ
スノズル長手方向に異なるピッチで配列されている。通
常、噴出口９の配列は、管内面の全長にわたって反応ガ
スの濃度が等しくように構成され、反応ガスの導入端か
ら遠ざかる方向に漸次ピッチが小さくなっている。なお
、噴出口９の内径は適宜状めることができ、異なる内径
にしてもよく、またガスノズル８の先端は閉にするのが
望ましい。
勿論、真空容器を横型にしたり或いは支持台を複数設け
たりするなど、種々の変形態様も可能である。
（実施例） 第１図に示した装置を使用してプラズマＣＶＤ法により
ＳＵＳ製の管（φ１ｏｘ２０Ｃ）ｃ）の内面のコーティ
ングを実施した。
まず、真空容器内をＩ　Ｘ　１０−’Ｔｏｏｒ以下に真
空引きの後、ヒータにより管を３５０〜６００℃、好ま
しくは４．５０℃に加熱し、２０〜３０分間保持する。
次いで、ヒータをオンのまま、ＴｊＣＱ４、Ｈ２、Ｎ２
、Ａｒの混合ガスを管内面に導入し、０．５〜１０Ｔ　
ｏｒｒに圧力を保持する。と同時に、管に−３００〜−
４５０ｖのバイアスを印加する。これにより、管内面に
は非常に明るいグロー放電が発生し、ホローカソード放
電となる。
所定の時間後、全てをオフにし、コーティングが完了す
る。
処理後、管を取りだして調べたところ、内面及び外側に
はＴｉＮ皮膜が形成されており、膜厚分布も非常に均一
であった。
なお、上記実施例では、コーティングすべき管として真
直管を対象としたが、曲管など他の形状の管の内面コー
ティングにも適用可能である。
（発明の効果） 以上詳述したように、本発明のプラズマＣＶＤ法によれ
ば、各種寸法、形状の管の内面を均一にコーティングす
ることができ、しかも装置も簡易であるので、実用的で
、低コスト化を可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施に用いるプラズマＣＶＤ装置の一
例を示す説明断面図である。 １・・・真空容器、２・・排気口、３・・・ヒータ、４
・・支持台、５・・・反応ガス通路、６　・バイアス直
流電源、７・・・コーティングすべき管（第１電極）、
８・・・ガスノズル、９・・ガス噴出口、１０・・・バ
ルブ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　プラズマＣＶＤ法により管内面をコーティングする方
    法において、コーティングすべき導電性の管自体を第１
    電極とし、この管内に反応ガスを導入するため長手方向
    にガス噴出口を備えたガスノズルを前記第１電極管内に
    配設し、真空引き後、第１電極内に反応ガスを導入し、
    第１電極と真空槽を第２電極としてこの間に高電圧を印
    加してホローカソード放電を管内に発生させることによ
    り、前記管の内面をコーティングせしめることを特徴と
    するプラズマＣＶＤによる管内面のコーティング方法。
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