JPS63261875A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63261875A JPS63261875A JP62096757A JP9675787A JPS63261875A JP S63261875 A JPS63261875 A JP S63261875A JP 62096757 A JP62096757 A JP 62096757A JP 9675787 A JP9675787 A JP 9675787A JP S63261875 A JPS63261875 A JP S63261875A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁基板上に薄膜トランジスタ（以下ＴＶ’Ｉ
’と示す）を集積して成る駆動回路、及び光電変換素子
群を形成しく成る固体撮像装置の構造に関する。
’と示す）を集積して成る駆動回路、及び光電変換素子
群を形成しく成る固体撮像装置の構造に関する。
一般的な固体撮像装置の回路図を第２−に示す、同図に
おいて、２０１はシフトレジスタ、２０２乃至２０４は
シフトレジスタ２０１の出力端子で、アナログスイッチ
２０５乃至２０７の開閏制御端子でもある。２０１乃至
２０７により、駆動回路２１５が構成されている。２０
Ｂ乃至２１０は光電変換素子、２１１及び２１２はｔ原
端子で、画像信号出力端子でもある。
おいて、２０１はシフトレジスタ、２０２乃至２０４は
シフトレジスタ２０１の出力端子で、アナログスイッチ
２０５乃至２０７の開閏制御端子でもある。２０１乃至
２０７により、駆動回路２１５が構成されている。２０
Ｂ乃至２１０は光電変換素子、２１１及び２１２はｔ原
端子で、画像信号出力端子でもある。
従来の固体撮像装置は第３図に示す如く、駆動回路部の
配線と光電変換素子の下側電極は同種金４材料で、しか
も同一工程で形成されていた。同図（α）は光電変換素
子上電極（透明電極）形成工程後の断面構造、同図Ｃｂ
）は（α）の状態から更に非晶質シリコン層をパターニ
ング（エツチング）した時の断面構造である。１０１は
絶縁基板、１０２及び１０５はＴＩＰＴのソース・トレ
イン部、１０４はＴＮＴのチャネル部、１０５はＴ７Ｔ
のゲート絶縁膜、１０６はＴＰＴのゲート電極、１０７
は層間絶縁膜、１０９は非晶質シリコン膜、１１０は充
電変換素子の上側の透明電極、１１３は駆動回路部金属
配線、１１４も駆動回路部金属配線で、充電変換素子の
下側に形成される金属電極も兼ねている。１１３及び１
１４には、低抵抗でパターニング性の良いアルミニウム
やアルミニウム合金が用いられる。
配線と光電変換素子の下側電極は同種金４材料で、しか
も同一工程で形成されていた。同図（α）は光電変換素
子上電極（透明電極）形成工程後の断面構造、同図Ｃｂ
）は（α）の状態から更に非晶質シリコン層をパターニ
ング（エツチング）した時の断面構造である。１０１は
絶縁基板、１０２及び１０５はＴＩＰＴのソース・トレ
イン部、１０４はＴＮＴのチャネル部、１０５はＴ７Ｔ
のゲート絶縁膜、１０６はＴＰＴのゲート電極、１０７
は層間絶縁膜、１０９は非晶質シリコン膜、１１０は充
電変換素子の上側の透明電極、１１３は駆動回路部金属
配線、１１４も駆動回路部金属配線で、充電変換素子の
下側に形成される金属電極も兼ねている。１１３及び１
１４には、低抵抗でパターニング性の良いアルミニウム
やアルミニウム合金が用いられる。
従来の固体撮像装置において、駆動回路配線及び光電変
換素子の下部電極を形成した後、非晶質シリコンを堆積
した状態においては、下地段差の大きな部分（第３図（
α）において■、■等の部分）で、非晶質シリコンにク
ラックが生じる。すると、透明電極１１０を形成する除
、エツチング液（１１０が工ＴＯの場合、Ｈ，ＯとＨＣ
ｌとＨＮＯ，の混合液）が非晶質シリコンのクラックを
通じ浸透し、クラック周辺のアルミニウムやアルミニウ
ム合金を浸食する。このため、第５図に示す従来の固体
撮像装置は極端に低歩留）であった、ｔた、非晶質シリ
コン膜自体にフレーク等によるピンホールが多く、この
現象に拍車をかけていた。また、配線１１３や１１−４
にクロム、チタン等の透明電極エツチング液に浸食され
ない材料を用いた場合、バターニング精度、ステップカ
バレッジ、ボンディング性、抵抗率等の問題があり、実
用化されていない、更に第３′図（ｂ）の如き一構造を
形成した後、透明電極１１０からの配線引き出しが困難
であった。
換素子の下部電極を形成した後、非晶質シリコンを堆積
した状態においては、下地段差の大きな部分（第３図（
α）において■、■等の部分）で、非晶質シリコンにク
ラックが生じる。すると、透明電極１１０を形成する除
、エツチング液（１１０が工ＴＯの場合、Ｈ，ＯとＨＣ
ｌとＨＮＯ，の混合液）が非晶質シリコンのクラックを
通じ浸透し、クラック周辺のアルミニウムやアルミニウ
ム合金を浸食する。このため、第５図に示す従来の固体
撮像装置は極端に低歩留）であった、ｔた、非晶質シリ
コン膜自体にフレーク等によるピンホールが多く、この
現象に拍車をかけていた。また、配線１１３や１１−４
にクロム、チタン等の透明電極エツチング液に浸食され
ない材料を用いた場合、バターニング精度、ステップカ
バレッジ、ボンディング性、抵抗率等の問題があり、実
用化されていない、更に第３′図（ｂ）の如き一構造を
形成した後、透明電極１１０からの配線引き出しが困難
であった。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは、光電変換素子下電極にアルミニウムもしく
はアルミニウム合金を用いることが出来、簡単な構造（
少ない工程数）で高歩留シ、高性能の固体撮像装置を実
現することにある。
るところは、光電変換素子下電極にアルミニウムもしく
はアルミニウム合金を用いることが出来、簡単な構造（
少ない工程数）で高歩留シ、高性能の固体撮像装置を実
現することにある。
以上述べた問題点を解決するため、本発明固体撮像装置
は、同−金属の２層配線を行い、第１層目金属配線で光
電変換素子の下側金属電極、第２層目金属配線で駆動回
路部配線及び光電変換素子の上側透明電極よりの引出し
配線を形成することを？！徴とする。
は、同−金属の２層配線を行い、第１層目金属配線で光
電変換素子の下側金属電極、第２層目金属配線で駆動回
路部配線及び光電変換素子の上側透明電極よりの引出し
配線を形成することを？！徴とする。
以下、本発明の実施例を製造工程の一例に従って説明す
る。第１図は本発明の実施例における、第１層目金属配
線と第２層目金属配線とを直接接触させ接続している固
体撮像装置を説明するための図であり、同図（α）は第
１層目金属配線終了時の断面図、同図（ｂ）は光電変換
素子上電極（透明電極）形成工程終了時の断面図、同図
ＣＣ＞はＴＮＴ上の絶縁膜（層間絶縁膜）をバターニン
グし、コンタクトホールな形成する工程終了時の断面図
、同図（ｄ）は第２層目金属配線終了時の断面図、同図
（−）は第２層目金属配線終了時の平面図（同図（ｄ）
に対応）である、同図（α）において、１０１は絶縁基
板、１０２及び１０３はＴＮＴのソース・ドレイン部、
１０４はＴＮＴのチャネル部、１０’５はＴＮＴのゲー
ト絶縁膜、１０６はＴＮＴのゲート電極、１０７はＴＵ
ＦＴ上に堆積する絶縁膜（層間絶縁膜）、１０８は第１
層目金属配線で、光電変換素子の下電極となる。
る。第１図は本発明の実施例における、第１層目金属配
線と第２層目金属配線とを直接接触させ接続している固
体撮像装置を説明するための図であり、同図（α）は第
１層目金属配線終了時の断面図、同図（ｂ）は光電変換
素子上電極（透明電極）形成工程終了時の断面図、同図
ＣＣ＞はＴＮＴ上の絶縁膜（層間絶縁膜）をバターニン
グし、コンタクトホールな形成する工程終了時の断面図
、同図（ｄ）は第２層目金属配線終了時の断面図、同図
（−）は第２層目金属配線終了時の平面図（同図（ｄ）
に対応）である、同図（α）において、１０１は絶縁基
板、１０２及び１０３はＴＮＴのソース・ドレイン部、
１０４はＴＮＴのチャネル部、１０’５はＴＮＴのゲー
ト絶縁膜、１０６はＴＮＴのゲート電極、１０７はＴＵ
ＦＴ上に堆積する絶縁膜（層間絶縁膜）、１０８は第１
層目金属配線で、光電変換素子の下電極となる。
まず絶縁基板１０１上に１０２乃至１０６で構成される
ＴＰＴを形成する。そして眉間絶縁膜１０７を堆積した
後、第１層目金属配線１０８で光電変換素子の下電極を
形成する。第１図（，６）において、１０９は非晶質シ
リコン膜、１１０は光電変換素子の透明電極で、工ＴＯ
等の透明導電膜が用いられる。第１図（α）の構造を形
成した後、非晶質シリコン膜１０９を堆積し、透明電極
１１０を形成する。透明電極１１０に工Ｔｏを用いる場
合、パターニングする際のエツチング液はＨ，０とＨＯ
ｌとＨＮＯ８の混合液が用いられるが、駆動回路部配線
は未完了であるため、第１層目配線領域の占有する面積
は小さく、更に第１層目配線１０日の下地に段差は存在
しない為、１０８上の非晶質シリコン層にクラックが生
じる確率は小さく、従ってエツチング液が第１層目配線
１０日に到達する確率も小さい、このため、第１層目配
線１０Ｂにアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用
いても工ＴＯエツチング液に浸食される確率も小さくな
り、高歩留シで第１図（ｂ）に示す構造が実現出来る。
ＴＰＴを形成する。そして眉間絶縁膜１０７を堆積した
後、第１層目金属配線１０８で光電変換素子の下電極を
形成する。第１図（，６）において、１０９は非晶質シ
リコン膜、１１０は光電変換素子の透明電極で、工ＴＯ
等の透明導電膜が用いられる。第１図（α）の構造を形
成した後、非晶質シリコン膜１０９を堆積し、透明電極
１１０を形成する。透明電極１１０に工Ｔｏを用いる場
合、パターニングする際のエツチング液はＨ，０とＨＯ
ｌとＨＮＯ８の混合液が用いられるが、駆動回路部配線
は未完了であるため、第１層目配線領域の占有する面積
は小さく、更に第１層目配線１０日の下地に段差は存在
しない為、１０８上の非晶質シリコン層にクラックが生
じる確率は小さく、従ってエツチング液が第１層目配線
１０日に到達する確率も小さい、このため、第１層目配
線１０Ｂにアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用
いても工ＴＯエツチング液に浸食される確率も小さくな
り、高歩留シで第１図（ｂ）に示す構造が実現出来る。
同図ＣＣ）において、１１１及び１１２はコンタクトホ
ールである。同図（ｂ）の構造を形成した後、非晶質シ
リコン′Ｉ０９のパターニングを行い、駆動回路部（Ｔ
ＩＦＴが存在する部分）上の非晶質シリコンを取シ除く
、そして眉間絶縁膜１０７をパターニングし、コンタク
トホール１１１．及び１１２を形成する。第１図（ｄ）
におい℃、１１３乃至１１５は第２層目金属配線であり
、第１層目金属配線と同様アルミニウムや、アルミニウ
ム合金を用いれば良い、同図（−）において、１１６は
Ｔ？ｍのソース・ドレイン部１０２及び１０３と、ＴＩ
ＦＴのチャネル部１０４とで構成される薄膜のパターン
である。同図（Ｃ）の構造を形成した後、第２層目金属
配線１１６乃至１１５を形成する。この時、同図（ｇ）
に示す如く、第１層目金属配線１０８が非晶質シリコン
１０９より突き出している部分を全て第２層目金属配線
１１４で覆う構成にすれば、第２Ｎ目金属配線１１３乃
至１１５のパターニングの際第１層目金属配線１０８が
エツチングされる事なく、第１図（ｄ）に示す構造が実
現できる。第２層目金属配線１１３乃至１１５にアルミ
ニウムもしくはアル＜ ニラ五合金を用いた場合は、抵
抗率が小さく、またパターニング性が良好なため、膜厚
を１μ扉以上に厚くしても情度良くパターニングする事
が出来る。このため、段差の大きな部分もステップカバ
レッジは良好となり、光電変換素子と駆動回路を接続す
る配線１１４や、透明電極１１０からの引き出し配Ｉｖ
Ｉ！１１５等は断線しない、更に本実施例においては、
駆動回路部配線と同一工程で透明電極からの引き出し配
線が、アルミニウム等のボンディング性の良い材料で実
現可能な利点がある。ｔた本実施例は従来例第３図（ｂ
）に比べ、第１層目金属配線１０Ｂを形成する工程欠余
分に有するが、高歩留シであり、かつ透明電極１１０か
らの低抵抗な引き出し配線１１５の形成が簡単に可能と
なり、結果的に低価格で高性能な固体撮像装置が実現さ
れた。
ールである。同図（ｂ）の構造を形成した後、非晶質シ
リコン′Ｉ０９のパターニングを行い、駆動回路部（Ｔ
ＩＦＴが存在する部分）上の非晶質シリコンを取シ除く
、そして眉間絶縁膜１０７をパターニングし、コンタク
トホール１１１．及び１１２を形成する。第１図（ｄ）
におい℃、１１３乃至１１５は第２層目金属配線であり
、第１層目金属配線と同様アルミニウムや、アルミニウ
ム合金を用いれば良い、同図（−）において、１１６は
Ｔ？ｍのソース・ドレイン部１０２及び１０３と、ＴＩ
ＦＴのチャネル部１０４とで構成される薄膜のパターン
である。同図（Ｃ）の構造を形成した後、第２層目金属
配線１１６乃至１１５を形成する。この時、同図（ｇ）
に示す如く、第１層目金属配線１０８が非晶質シリコン
１０９より突き出している部分を全て第２層目金属配線
１１４で覆う構成にすれば、第２Ｎ目金属配線１１３乃
至１１５のパターニングの際第１層目金属配線１０８が
エツチングされる事なく、第１図（ｄ）に示す構造が実
現できる。第２層目金属配線１１３乃至１１５にアルミ
ニウムもしくはアル＜ ニラ五合金を用いた場合は、抵
抗率が小さく、またパターニング性が良好なため、膜厚
を１μ扉以上に厚くしても情度良くパターニングする事
が出来る。このため、段差の大きな部分もステップカバ
レッジは良好となり、光電変換素子と駆動回路を接続す
る配線１１４や、透明電極１１０からの引き出し配Ｉｖ
Ｉ！１１５等は断線しない、更に本実施例においては、
駆動回路部配線と同一工程で透明電極からの引き出し配
線が、アルミニウム等のボンディング性の良い材料で実
現可能な利点がある。ｔた本実施例は従来例第３図（ｂ
）に比べ、第１層目金属配線１０Ｂを形成する工程欠余
分に有するが、高歩留シであり、かつ透明電極１１０か
らの低抵抗な引き出し配線１１５の形成が簡単に可能と
なり、結果的に低価格で高性能な固体撮像装置が実現さ
れた。
第４図も本発明の実施例で、光電変換素子の下側金属電
極とＴ７Ｔを接触させ接続している固体撮像装置の断面
図である。同図において、第１図と同一の記号は第１図
と同一のものを表わす１本実施例の構造を形成する際の
工程の一例を以下に示す、まず１０２乃至１０６で構成
されるＴＵＦＴを形成し、上から層間絶縁膜１０７を堆
積し、層間絶縁膜１０７のパターニングを行い、コンタ
クトホールな形成する。（第４図において、ＴＮＴのソ
ース・ドレイン部１０３上の層間絶縁膜にのみコンタク
トホールを形成、）そして第１層目金属配線１０Ｂで光
電変換素子の下側金属電極を形成、非晶質シリコン１０
９を堆積、透明電極１１０を形成、非晶質シリコン１０
９のパターニング゛ を行い、更に眉間絶縁膜１０７を
パターニングし、コンタクトホールな形成、第２層目金
属配線１１３及び１１５を形成する１本実施例において
は、第１図実施例に比べ層間絶縁膜１０７のパターニン
グ工程を一回余分に有するが、光電変換素子の下電極用
金属の表面に形成される酸化膜等を気にする事なく、駆
動回路部と光電変換素子が接続出来る利点がある。
極とＴ７Ｔを接触させ接続している固体撮像装置の断面
図である。同図において、第１図と同一の記号は第１図
と同一のものを表わす１本実施例の構造を形成する際の
工程の一例を以下に示す、まず１０２乃至１０６で構成
されるＴＵＦＴを形成し、上から層間絶縁膜１０７を堆
積し、層間絶縁膜１０７のパターニングを行い、コンタ
クトホールな形成する。（第４図において、ＴＮＴのソ
ース・ドレイン部１０３上の層間絶縁膜にのみコンタク
トホールを形成、）そして第１層目金属配線１０Ｂで光
電変換素子の下側金属電極を形成、非晶質シリコン１０
９を堆積、透明電極１１０を形成、非晶質シリコン１０
９のパターニング゛ を行い、更に眉間絶縁膜１０７を
パターニングし、コンタクトホールな形成、第２層目金
属配線１１３及び１１５を形成する１本実施例において
は、第１図実施例に比べ層間絶縁膜１０７のパターニン
グ工程を一回余分に有するが、光電変換素子の下電極用
金属の表面に形成される酸化膜等を気にする事なく、駆
動回路部と光電変換素子が接続出来る利点がある。
第５図も本発明の実施例で、駆動回路部配線（第２層目
金属配線）と光電変換素子下電極（第１層目金属配線）
をそれぞれＴＮＴのゲート電極材料と接触させ接続して
いる固体撮像装置の断面図である。同図において、第１
図と同一の記号は第１図と同一のものを表わす、５０１
は、駆動回路配線用金属１１４と光電変換素子の下電極
用金属１０８とを接続する為の、ＴＩＦＴのゲート電極
材料であり、Ｔ７Ｔのゲート電極１０６を形成する工程
と同一工程で形成される０本実施例の製造工程は第４図
実施例の製造工程に準じ、工程数も同一である。光電変
換素子の下電極用金属１０８とＴＮＴのソース−ドレイ
ン部１０３等との間にオーミックなコンタクトが形成出
来ない場合には、第５図の如き実施例を用いれば良い。
金属配線）と光電変換素子下電極（第１層目金属配線）
をそれぞれＴＮＴのゲート電極材料と接触させ接続して
いる固体撮像装置の断面図である。同図において、第１
図と同一の記号は第１図と同一のものを表わす、５０１
は、駆動回路配線用金属１１４と光電変換素子の下電極
用金属１０８とを接続する為の、ＴＩＦＴのゲート電極
材料であり、Ｔ７Ｔのゲート電極１０６を形成する工程
と同一工程で形成される０本実施例の製造工程は第４図
実施例の製造工程に準じ、工程数も同一である。光電変
換素子の下電極用金属１０８とＴＮＴのソース−ドレイ
ン部１０３等との間にオーミックなコンタクトが形成出
来ない場合には、第５図の如き実施例を用いれば良い。
第６図も本発明の実施例で、第１層目金属配線上に絶縁
層を形成している例の断面図で、同図（α）は非晶質シ
リコンのパターニング工程終了時の断面図、同図＜ｂ＞
は第２層目金回配線終了時の断面図、である、第１図と
同一の記号は第１図と同一のものを表わす。６０１は絶
縁層で、有機薄膜（例えばポリイミド樹脂等）や、無機
薄膜（例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等）を用
いれば良い。本実施例の構造を形成する際の工程の一例
を以下に示す、まず絶縁基板１０１上に１０２乃至１０
６で構成されるＴＰＴを形成し、上から層間絶縁膜１０
７を堆積し、パターニングを行い、ＴＮＴのソース・ド
レイン部１０３上の層間絶縁膜１０７にのみコンタクト
ホールな形成する。そして第１層目金属配線１０８を形
成し、更に絶縁層６０１を形成する。その後非晶質シリ
コン１０９を堆積、透明電極１１０を形成、非晶質シリ
コン１０９をパターニングし、第６図（α）に示す構造
が形成される。絶縁ノ侵６０１は透明電ｉ１１０のパタ
ーニングを行う際、エツチング液が第１層目金属配線１
０８に浸透するのを防ぐ役割を持っている。その後層間
絶縁膜１０７のパターニングを行い、コンタクトホール
な形成し、第２層目金属配線１１３及び１１５を形成し
て第６図（ｂ）に示す構造が形成される。絶縁層６０１
は第２層目金属配線１１３及び１１５のパターニングを
行う際、エツチング液やエツチングガスが第１層目金属
配線１０８に到達するのを防ぐ役割もしている１本実施
例においては、非晶質シリコン１０９のパターニング前
に透明電極１１０のパターニングを行っているが、もち
ろん非晶質シリコン１０９のパターニング後に透明電極
１１０を形成しても良い。
層を形成している例の断面図で、同図（α）は非晶質シ
リコンのパターニング工程終了時の断面図、同図＜ｂ＞
は第２層目金回配線終了時の断面図、である、第１図と
同一の記号は第１図と同一のものを表わす。６０１は絶
縁層で、有機薄膜（例えばポリイミド樹脂等）や、無機
薄膜（例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等）を用
いれば良い。本実施例の構造を形成する際の工程の一例
を以下に示す、まず絶縁基板１０１上に１０２乃至１０
６で構成されるＴＰＴを形成し、上から層間絶縁膜１０
７を堆積し、パターニングを行い、ＴＮＴのソース・ド
レイン部１０３上の層間絶縁膜１０７にのみコンタクト
ホールな形成する。そして第１層目金属配線１０８を形
成し、更に絶縁層６０１を形成する。その後非晶質シリ
コン１０９を堆積、透明電極１１０を形成、非晶質シリ
コン１０９をパターニングし、第６図（α）に示す構造
が形成される。絶縁ノ侵６０１は透明電ｉ１１０のパタ
ーニングを行う際、エツチング液が第１層目金属配線１
０８に浸透するのを防ぐ役割を持っている。その後層間
絶縁膜１０７のパターニングを行い、コンタクトホール
な形成し、第２層目金属配線１１３及び１１５を形成し
て第６図（ｂ）に示す構造が形成される。絶縁層６０１
は第２層目金属配線１１３及び１１５のパターニングを
行う際、エツチング液やエツチングガスが第１層目金属
配線１０８に到達するのを防ぐ役割もしている１本実施
例においては、非晶質シリコン１０９のパターニング前
に透明電極１１０のパターニングを行っているが、もち
ろん非晶質シリコン１０９のパターニング後に透明電極
１１０を形成しても良い。
以上述べた如く本発明を用いる事により、光電変換素子
下電極にアルミニウムやアルミニウム合金を用いた、簡
単な構造（少ない工固数）で高歩留シの固体撮像装置が
実現された。ｔた本発明により、光電変換素子上の透明
電極からの低抵抗な引き田し配線も簡単に可能となり、
固体撮像装置の高性能化も実現された。
下電極にアルミニウムやアルミニウム合金を用いた、簡
単な構造（少ない工固数）で高歩留シの固体撮像装置が
実現された。ｔた本発明により、光電変換素子上の透明
電極からの低抵抗な引き田し配線も簡単に可能となり、
固体撮像装置の高性能化も実現された。
第１図（α）〜（１）は本発明の実施例における、第１
層目金属配線と第２層目金属配線とを直接接触させ接続
している固体撮像装置を説明するための図で、（α）は
第１層目金属配線終了時の断面図、（邊）は光電変換素
子上電極（透明電極）形成工程終了時の断面図、（Ｃ）
はＴＮＴ上の絶縁膜（層゛聞納縁膜〕をパターニングし
、コンタクトホールな形成する工程終了時の断面図、（
ｄ）は第２層目金属配線終了時の断面図、（１）は第２
層目金属配線終了時の平面図。 第２図は一般的な固体撮像装置の回路図。 第３図Ｃ（Ｌ〕Ｃｂ）は従来の固体撮像装置の断面図で
（α）は光電変換素子の上′這極形成工程終了時、同図
（ｂ）は非晶質シリコンのパターニング工程終了時の断
面図。 第４図は本発明の実施例における、光電変換素子の下側
金属電極（第１層目金属配線）とＴＮＴを接触させ接−
続している固体撮像装置の断面図。 第５図は本発明の実施例における、駆動回路部配線（第
２層目金属配線）と、光電変換素子下電極（第１層目金
属配線）をそれぞれ、でＩＦＴのゲート電極材料を介し
て接続している固体撮像装置の断面図。 第６図（α）（ｂ）は本発明の実施例における、第１層
目金間配線正に絶縁層を形成している例の断面図で（α
）は非晶質シリコンのバターニング工程終了時、同図Ｃ
ｂ’ｌは第２層目金属配線終了時の断面図、・ １０１・・・・・・絶縁基板 １０２．１０５・・・・・・ＴＮＴのソースψドレイン
部 １０４・・・・・・Ｔ］ＦＴのチャネル部１０５・・・
・・・ＴＰＴのゲート絶縁膜１０６・・・・・・ＴｆＴ
のゲート電極１０７・・・・・・絶縁膜（層間絶縁膜）
１０８・・・・・・第１層目金属配線 １０９・・・・・・非晶質シリコン膜 １１０・・・・・・光電変換素子の透明電極１１１，１
１２・・・・・・コンタクトホール１１３〜１１５・・
・・・・第２層目金属配線１１６・・・・・・１０２〜
１０４で構成される薄膜板 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋（他１名） ■ （ｅ） 第１図 一−−−−−−−−−プーーーーーーー−一第２図 ＜ａ＞ 第４図
層目金属配線と第２層目金属配線とを直接接触させ接続
している固体撮像装置を説明するための図で、（α）は
第１層目金属配線終了時の断面図、（邊）は光電変換素
子上電極（透明電極）形成工程終了時の断面図、（Ｃ）
はＴＮＴ上の絶縁膜（層゛聞納縁膜〕をパターニングし
、コンタクトホールな形成する工程終了時の断面図、（
ｄ）は第２層目金属配線終了時の断面図、（１）は第２
層目金属配線終了時の平面図。 第２図は一般的な固体撮像装置の回路図。 第３図Ｃ（Ｌ〕Ｃｂ）は従来の固体撮像装置の断面図で
（α）は光電変換素子の上′這極形成工程終了時、同図
（ｂ）は非晶質シリコンのパターニング工程終了時の断
面図。 第４図は本発明の実施例における、光電変換素子の下側
金属電極（第１層目金属配線）とＴＮＴを接触させ接−
続している固体撮像装置の断面図。 第５図は本発明の実施例における、駆動回路部配線（第
２層目金属配線）と、光電変換素子下電極（第１層目金
属配線）をそれぞれ、でＩＦＴのゲート電極材料を介し
て接続している固体撮像装置の断面図。 第６図（α）（ｂ）は本発明の実施例における、第１層
目金間配線正に絶縁層を形成している例の断面図で（α
）は非晶質シリコンのバターニング工程終了時、同図Ｃ
ｂ’ｌは第２層目金属配線終了時の断面図、・ １０１・・・・・・絶縁基板 １０２．１０５・・・・・・ＴＮＴのソースψドレイン
部 １０４・・・・・・Ｔ］ＦＴのチャネル部１０５・・・
・・・ＴＰＴのゲート絶縁膜１０６・・・・・・ＴｆＴ
のゲート電極１０７・・・・・・絶縁膜（層間絶縁膜）
１０８・・・・・・第１層目金属配線 １０９・・・・・・非晶質シリコン膜 １１０・・・・・・光電変換素子の透明電極１１１，１
１２・・・・・・コンタクトホール１１３〜１１５・・
・・・・第２層目金属配線１１６・・・・・・１０２〜
１０４で構成される薄膜板 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋（他１名） ■ （ｅ） 第１図 一−−−−−−−−−プーーーーーーー−一第２図 ＜ａ＞ 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上に薄膜トランジスタを集積して成る駆動回路
、及び非晶質シリコン、前記非晶質シリコンの上側に形
成される透明電極、下側に形成される金属電極より成る
光電変換素子群を形成して成る固体撮像装置において、
同一金属の２層配線を行い、第１層目金属配線で光電変
換素子の下側金属電極、第２層目金属配線で駆動回路部
配線及び光電変換素子の上側透明電極よりの引出し配線
を形成することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096757A JPS63261875A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096757A JPS63261875A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261875A true JPS63261875A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14173527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096757A Pending JPS63261875A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261875A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004831A (en) * | 1991-09-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film semiconductor device |
| US6236064B1 (en) * | 1991-03-15 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
| CN102420237A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 株式会社日立显示器 | 光传感器和光传感器阵列 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096757A patent/JPS63261875A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236064B1 (en) * | 1991-03-15 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
| US6004831A (en) * | 1991-09-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film semiconductor device |
| US6979840B1 (en) | 1991-09-25 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring |
| US7642584B2 (en) * | 1991-09-25 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
| CN102420237A (zh) * | 2010-09-28 | 2012-04-18 | 株式会社日立显示器 | 光传感器和光传感器阵列 |
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