JPS63260155A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63260155A
JPS63260155A JP9309187A JP9309187A JPS63260155A JP S63260155 A JPS63260155 A JP S63260155A JP 9309187 A JP9309187 A JP 9309187A JP 9309187 A JP9309187 A JP 9309187A JP S63260155 A JPS63260155 A JP S63260155A
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JP
Japan
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tabs
tab
sides
pellet
approximately
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JP9309187A
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English (en)
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Shigeki Zaima
財満 茂樹
Keiji Oguri
小栗 啓志
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止形半導体装置のパッケージ構造に適
用して有効な技術に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置のパフケージング技術については、株式会社
工業調査会、1980年1月15日発行rIC化実装技
術J  (135頁〜156頁)に詳細な記載がある。
ところで、半導体装置のパッケージ構造としては、樹脂
封止形、セラミック封止形あるいはガラス封止形など各
種のものがあるが、それらのうち、樹脂封止形のパッケ
ージ構造はその材料が安価であり、かつ量産性も高いこ
とから、各種の半導体装置に採用されている。
この樹脂封止形パッケージは、例えばダイオードの場合
には、対向する一対のリードの先端にタブを形成してそ
の一方に半導体ペレットを接合し、この半導体ペレット
と他方のタブ間に金などのワイヤをボンディングしてこ
れらをエポキシ樹脂などで封止した構造になっている。
しかし、比誘電率が高い材料である合成樹脂をパッケー
ジ材料に用いると、パッケージの浮遊容量が増大するた
め、半導体装置の高周波特性などが劣化することが指摘
されている。
とりわけ、近年のパッケージの小形化に伴ってパッケー
ジ内のタブ間隔も狭くなり、タブ間の浮遊容量を低減す
る対策が必要になる。
そこで、ダイオードなどの半導体装置では、パッケージ
内のタブ間隔をできるだけ広くとることによって、タブ
間の浮遊容量の低減を図っているのが現状である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、パッケージ内のタブの間隔を広げてタブ間の
浮遊容量を低減させようとすると、下記のような問題が
生ずる。
すなわち、一定容積のパッケージ内でタブの間隔を広げ
ようとすれば、タブの一方に接合された半導体ペレット
(以下、単にペレットという。)は、パッケージ内の周
辺部に配置されるようになる。すると、ペレット周囲の
樹脂の肉厚が薄くなって耐湿性が低下するため、ペレッ
トとワイヤとの接続不良などの不具合が生じて半導体装
置の信頼性が低下することになる。
このように、パッケージを小形化しようとすると、タブ
間の浮遊容量の低減と、パッケージの耐湿性の維持とい
う要請を同時に満たすことが困難になり、これが樹脂封
止形半導体装置の小形化の妨げとなることを本発明者は
見出した。
本発明の目的は、樹脂封止形パッケージの耐湿性を損な
うことなく、タブ間の浮遊容量を低減させる技術を提供
することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、対向する一対のタブの先端をその二辺のなす
角度がほぼ90度となるように突設するとともに、一方
のタブに取り付けられた半導体ペレットの隣接する二辺
を前記タブの先端の二辺とほぼ平行となるように配向さ
せた半導体装置とするものである。
〔作用〕
タブ間の浮遊容量は、その対向面積に比例し、かつその
距離に反比例して増大する。
従って、上記した手段により、一対のタブの先端どうし
が接近してもタブ間の距離は全体としては狭くならない
ため、タブ間の浮遊容量が相対的に低減される。これに
より、ペレットをパッケージの中央に配置したままで、
タブ間の浮遊容量の低減を図ることができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す概略
平面図、第2図はこの半導体装置の断面図、第3図はこ
の半導体装置におけるタブを示す拡大平面図である。
本実施例の半導体装置は、樹脂封止形バリキャップダイ
オードであり、その外観は、はぼ四角形をした薄肉のパ
ッケージlの両側から一対のり一ド2a、2bを突出形
成したものである。
上記パッケージlは、例えばフィラーが混入されたエポ
キシ樹脂をトランスファーモールドしてなり、その内部
のほぼ中央には、42アロイなどからなるリード2a”
、2bに一体形成された一対のタブ3a、3bが所定の
間隔を置いて対向配置されている。
上記タブ3a、3bの形状は、はぼ五角形をなし、それ
らの先端は、その二辺のなす角度が90度となるように
突設され、一方のタブ3aには、PN接合層が形成され
たシリコンなどのペレット4が金/シリコン共品などか
らなるペースト(図示しない)を介して接合されている
上記ペレット4の形状は、はぼ四角形をなし、タブ3a
の先端側の隣接する二辺がこのタブ3aの先端の二辺と
ほぼ平行となるように配向されている。また、このペレ
ット4と他方のタブ3bとの間には、金などからなるワ
イヤ5がボンディングされ、タブ3aとタブ3bとが電
気的に接続されるようになっている。
以上説明したように、本実施例によれば以下の効果を得
ることができる。
(1)、対向する一対のタブ3a、3bの先端をその二
辺のなす角度が90度となるように突設するとともに、
一方のタブ3aに取り付けられたペレット4の隣接する
二辺を前記タブ3aの先端の二辺とほぼ平行となるよう
に配向したダイオードとすることにより、タブ3a、3
bの先端どうしが接近しても、タブ3a、3b間の距離
は全体としては狭くならないため、ペレット4をパッケ
ージ1の中央に配置したままで、タブ3a、3bの間の
浮遊容量を相対的に低減することが可能となる。
(2)、前記〔1)により、ペレット4の周囲の耐湿性
の低下が防止され、ひいては、ペレット4とワイヤ5と
の接続不良などの不具合が防止されることから、ダイオ
ードの信頼性が向上する。
(3)、前記(1)により、ダイオードの信頼性を低下
させることなく、パッケージ1の小形化が達成できる。
(4)、前記(1)により、高周波特性に優れたダイオ
ードが得られる。
(5)、前記(1)により、高価な金などからなるワイ
ヤ5を短くすることができるため、タブ間の電気抵抗が
減少するとともに、ダイオードの製造コストを低減する
ことができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、タブ先端の二辺のなす角度は、90度より多少
増減しても本発明の目的はほぼ達成できる。
また、タブの形状は、例えば第4図に示すように、四角
形とすることも可能であり、その先端の二辺のなす角度
がほぼ90度になっていれば、他の部分の形状は適宜変
更してもよい。
さらに、バリキャップダイオードのみならず、ガリウム
・ヒ素ショットキダイオードなど、他の樹脂封止形ダイ
オードに適用することもできる。
以上の説明では本発明者によってなされた発明を、主と
してその背景となった利用分野である樹脂封止形ダイオ
ードに適用した場合について説明したが、本発明はこれ
に限定して適用されるものではなく、他の樹脂封止形半
導体装置に適用することもできる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
すなわち、対向する一対のリードのタブの先端をその二
辺のなす角度がほぼ90度となるように突設するととも
に、一方のタブに取り付けられた半導体ペレットの隣接
する二辺を前記タブの先端の二辺とほぼ平行となるよう
に配向させた半導体装置とするものであり、これにより
、一対のタブの先端どうしが接近してもタブ間の距離は
全体としては狭くならないため、ペレットの耐湿性を低
下させることなく、タブ間の浮遊容量を低減することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す概略
平面図、 第2図はこの半導体装置の断面図、 第3図はこの半導体装置におけるタブを示す拡大平面図
、 第4図は本発明の他の実施例におけるタブを示す拡大平
面図である。 1 ・ ・ ・パッケージ、2a、2b・ ・ ・リー
ド、3a、3’b・・・タブ、4・・・半導体ペレット
、5・・・ワイヤ。 第  1vA 13.。 第  2  図 / −バ・ソ デー ジ゛。 第  3  図 第  4  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、対向する一対のリードのタブに取り付けられた半導
    体ペレットを樹脂封止してなる半導体装置であって、前
    記各タブの先端をその二辺のなす角度がほぼ90度とな
    るように突設するとともに、一方のタブに取り付けられ
    た半導体ペレットの隣接する二辺を前記タブの先端の二
    辺とほぼ平行となるように配向させたことを特徴とする
    半導体装置。 2、前記半導体装置がダイオードであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP9309187A 1987-04-17 1987-04-17 半導体装置 Pending JPS63260155A (ja)

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JP9309187A JPS63260155A (ja) 1987-04-17 1987-04-17 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1207554A1 (en) * 1999-07-02 2002-05-22 Rohm Co., Ltd. Electronic part

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1207554A1 (en) * 1999-07-02 2002-05-22 Rohm Co., Ltd. Electronic part
US6538306B1 (en) * 1999-07-02 2003-03-25 Rohm Co., Ltd. Electronic part
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