JPS6379353A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS6379353A JPS6379353A JP61223536A JP22353686A JPS6379353A JP S6379353 A JPS6379353 A JP S6379353A JP 61223536 A JP61223536 A JP 61223536A JP 22353686 A JP22353686 A JP 22353686A JP S6379353 A JPS6379353 A JP S6379353A
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-
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型の半導体装置、とりわけ高周波用
ないしは超高周波用の樹脂封止型半導体装置に適用して
有効な技術に関するものである。
ないしは超高周波用の樹脂封止型半導体装置に適用して
有効な技術に関するものである。
半導体装置のパッケージング技術についての文献として
は、株式会社工業調査会、１９８０年１月１５日発行［
ＩＣ化実装技技術 （１３５頁〜１５６頁）がある。
は、株式会社工業調査会、１９８０年１月１５日発行［
ＩＣ化実装技技術 （１３５頁〜１５６頁）がある。
ところで、超高周波用半導体装置の代表例として、ガリ
ウム・ヒ素（以下、ＧａＡＳという。）を用いたショッ
トキダイオードが知られている。
ウム・ヒ素（以下、ＧａＡＳという。）を用いたショッ
トキダイオードが知られている。
本発明者らは、上記ＧａＡｓショットキダイオードのパ
ッケージ構造について検討した。以下は本発胡者らによ
って検討された技術であり、その概要は次の通りである
。
ッケージ構造について検討した。以下は本発胡者らによ
って検討された技術であり、その概要は次の通りである
。
すなわち、上記ＧａΔＳショットキダイオートノパッケ
ージ材料としては、一般にセラミックが使用されている
っこれは、セラミックパンケージ内にＧ ａ Ａ、 Ｓ
ペレットを取付け、さらに金（＾Ｕ）などからなるボン
ディングワイヤをボンディングした後、窒素などの不活
性ガスを充填してコバールなどの金属で気密封止したも
のである。
ージ材料としては、一般にセラミックが使用されている
っこれは、セラミックパンケージ内にＧ ａ Ａ、 Ｓ
ペレットを取付け、さらに金（＾Ｕ）などからなるボン
ディングワイヤをボンディングした後、窒素などの不活
性ガスを充填してコバールなどの金属で気密封止したも
のである。
しかし、上記セラミックパッケージ構造を有する半導体
装置の場合、パッケージが高価であり、かつパッケージ
内のペレットにボンディングワイヤを接続するのに時間
がかかるという問題があり、これらの要因が半導体装置
の低価格化の妨げになっている。
装置の場合、パッケージが高価であり、かつパッケージ
内のペレットにボンディングワイヤを接続するのに時間
がかかるという問題があり、これらの要因が半導体装置
の低価格化の妨げになっている。
そのため、ＧａＡｓショットキダイオードに関しても、
パッケージ、組立工程などのコストが安価で、かつワイ
ヤをペレットに接続し易い樹脂封止型パッケージ構造の
ものが考えられる。
パッケージ、組立工程などのコストが安価で、かつワイ
ヤをペレットに接続し易い樹脂封止型パッケージ構造の
ものが考えられる。
ところが、上記ＧａＡｓショットキダイオードに樹脂封
止型パッケージ構造を採用しようとしても、樹脂は前記
窒素ガスなどの不活性ガスと比較するとその比誘電率が
大きいため、パッケージの浮遊容量が増大し、ひいては
装置の高周波特性が大幅に劣化するという問題があるこ
とを本発明者らは見出した。
止型パッケージ構造を採用しようとしても、樹脂は前記
窒素ガスなどの不活性ガスと比較するとその比誘電率が
大きいため、パッケージの浮遊容量が増大し、ひいては
装置の高周波特性が大幅に劣化するという問題があるこ
とを本発明者らは見出した。
本発明は上記問題点に着目してなされたものであって、
その目的はパッケージの浮遊容量を低減し、優れた高周
波特性を示す樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
その目的はパッケージの浮遊容量を低減し、優れた高周
波特性を示す樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リードフレームなどの取付基体に取り付けら
れたペレットを封止する樹脂の少なくとも一部に多数の
微小中空体を混入した樹脂封止型半導体装置とするもの
である。
れたペレットを封止する樹脂の少なくとも一部に多数の
微小中空体を混入した樹脂封止型半導体装置とするもの
である。
上記した手段により、封止樹脂の密度が大幅に小さくな
るため、その比誘電率が実効的に低減する。
るため、その比誘電率が実効的に低減する。
従って、パッケージの浮遊容量が低減し、高周波特性の
良好な樹脂封止型半導体装置が得られる。
良好な樹脂封止型半導体装置が得られる。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
本実施例の半導体装置はＧａＡｓショットキダイオード
であり、銅（Ｃｕ） 合金などからなるリードフレー
ム２の一方のリードに取付けられたＧａＡｓからなる半
導体基板に半導体素子が形成されているペレット１と、
このペレット１と他方のリードとを接続するボンディン
グワイヤである金（Ａｕ） ワイヤ３と、これらを封
止するための樹脂パッケージ４とから構成される。
であり、銅（Ｃｕ） 合金などからなるリードフレー
ム２の一方のリードに取付けられたＧａＡｓからなる半
導体基板に半導体素子が形成されているペレット１と、
このペレット１と他方のリードとを接続するボンディン
グワイヤである金（Ａｕ） ワイヤ３と、これらを封
止するための樹脂パッケージ４とから構成される。
上記パッケージ４は例えばエポキン樹脂からなり、半導
体ペレット１やワイヤ３の周囲には径の異なる多数のガ
ラス微小中空球５ （球径−約１０〜１００μｍ）が、
はぼ均一に混入されている。
体ペレット１やワイヤ３の周囲には径の異なる多数のガ
ラス微小中空球５ （球径−約１０〜１００μｍ）が、
はぼ均一に混入されている。
従って、この部分における上記樹脂の密度は非常に小さ
いものになっている。なお、ガラス微小中空球５として
は、径の等しいものを使用してもよいが、樹脂の密度を
小さくするためには、大小異なった径のものを混合して
使用する方が有効である。
いものになっている。なお、ガラス微小中空球５として
は、径の等しいものを使用してもよいが、樹脂の密度を
小さくするためには、大小異なった径のものを混合して
使用する方が有効である。
上述した構成からなるＧａＡｓショットキダイオードの
製法を簡単に説明すれば、下記の通りである。
製法を簡単に説明すれば、下記の通りである。
まず、へｇペーストなどの接着剤を使用してリードフレ
ーム２の一方のリードにペレット１を取付け、次いで、
このペレット１と他方のリードとの間にＡｕワイヤ３を
ボンディングする。
ーム２の一方のリードにペレット１を取付け、次いで、
このペレット１と他方のリードとの間にＡｕワイヤ３を
ボンディングする。
その後、あらかじめ前記ガラス微小中空球５を混入させ
たエポシキ樹脂をディスペンサなどでポツティングし、
これを加熱・硬化することにより、半導体ペレット１や
ワイヤ３の封止を行う。
たエポシキ樹脂をディスペンサなどでポツティングし、
これを加熱・硬化することにより、半導体ペレット１や
ワイヤ３の封止を行う。
次に、トランスファモールド法によりエボキン樹脂から
なる矩形のパッケージ４を形成し、最後にリードフレー
ム２のリードを所定の長さに切断して外部リード成形を
行えば、半導体装置の製造は完了する。
なる矩形のパッケージ４を形成し、最後にリードフレー
ム２のリードを所定の長さに切断して外部リード成形を
行えば、半導体装置の製造は完了する。
上記した本実施例によれば以下の効果を得ることができ
る。
る。
（１）、ボッティング樹脂中に絶縁物であるガラスを成
形加工した多数のガラス微小中空球が混入されているこ
とにより、樹脂の密度が大幅に小さくなるため、その比
誘電率が実効的に低減する。従って、パッケージの浮遊
容量が低減し、高周波特性の良好な樹脂封止型ＧａＡｓ
ショットキダイオードが得られる。
形加工した多数のガラス微小中空球が混入されているこ
とにより、樹脂の密度が大幅に小さくなるため、その比
誘電率が実効的に低減する。従って、パッケージの浮遊
容量が低減し、高周波特性の良好な樹脂封止型ＧａＡｓ
ショットキダイオードが得られる。
（２）、セラミックパッケージ構造とは異なり、樹脂封
止構造のものを採用していることより、パッケージ成形
前に半導体ペレットへのワイヤボンディングを行うこと
ができるため、作業性が著しく向上する。
止構造のものを採用していることより、パッケージ成形
前に半導体ペレットへのワイヤボンディングを行うこと
ができるため、作業性が著しく向上する。
（３）、セラミックなどに比較して安価な樹脂をパッケ
ージ材料として使用しているため、製造原価を大幅に低
減させることができる。
ージ材料として使用しているため、製造原価を大幅に低
減させることができる。
（４）、上記（１）〜（３）により、高周波特性が良好
で、しかも安価なＧａＡｓショットキダイオードが得ら
れる。
で、しかも安価なＧａＡｓショットキダイオードが得ら
れる。
〔実施例２〕
第２図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す概
略断面図である。
略断面図である。
本実施例２０半導体装置もまた、ＧａＡｓショットキダ
イオードであるが、前記実施例１とは以下の点で異なっ
ている。
イオードであるが、前記実施例１とは以下の点で異なっ
ている。
すなわち、このＧａＡＳショットキダイオードにおいて
は、リードフレーム２に３本のリードが形成され、その
中の２本に半導体ペレット１とワイヤ３とがそれぞれシ
リーズで接続されている。
は、リードフレーム２に３本のリードが形成され、その
中の２本に半導体ペレット１とワイヤ３とがそれぞれシ
リーズで接続されている。
また、ポツティングされている樹脂のみならず、パッケ
ージ４内の全体に径の異なる多数のガラス微小中空球６
（球径−約１０〜１００μｍ）が均一に混入されてい
る。なお、強度や耐湿性などの観点から、このパッケー
ジ４の外周部におけるガラス微小中空球６の混入量は、
中心部（ボッティングされている樹脂部分）における混
入量よりは少なくしである。
ージ４内の全体に径の異なる多数のガラス微小中空球６
（球径−約１０〜１００μｍ）が均一に混入されてい
る。なお、強度や耐湿性などの観点から、このパッケー
ジ４の外周部におけるガラス微小中空球６の混入量は、
中心部（ボッティングされている樹脂部分）における混
入量よりは少なくしである。
また、パッケージ４、リードフレーム２およびワイヤ３
などの材質は前記実施例１のものと同一である。従って
、本実施例のＧａＡＳショｙ）キダイオードの製造は、
前述した実施例１の製法に準じて行えばよい。
などの材質は前記実施例１のものと同一である。従って
、本実施例のＧａＡＳショｙ）キダイオードの製造は、
前述した実施例１の製法に準じて行えばよい。
以上の構成からなる本実施例２の場合においても前記実
施例１と同様の効果が得られるが、とりわけ、パッケー
ジ内の全体に絶縁物からなる微小中空球を混入したこと
により、その浮遊容量が一層低減し、より優れた高周波
特性が得られるようになっている。
施例１と同様の効果が得られるが、とりわけ、パッケー
ジ内の全体に絶縁物からなる微小中空球を混入したこと
により、その浮遊容量が一層低減し、より優れた高周波
特性が得られるようになっている。
以上、本発明者らによってなされた発明を実施例に基づ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、微小中空体
はガラスの中空球に限定されない。それらの材質、形状
、大きさ、混入量などはパッケージの強度、耐湿性、外
観などを考慮して適宜に選択することができる。また、
半導体ペレットの取付基体はリードフレーム以外のもの
を使用することもできる。
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、微小中空体
はガラスの中空球に限定されない。それらの材質、形状
、大きさ、混入量などはパッケージの強度、耐湿性、外
観などを考慮して適宜に選択することができる。また、
半導体ペレットの取付基体はリードフレーム以外のもの
を使用することもできる。
さらに、シリコンを使用した高周波用ショットキダイオ
ードなどに具体化することもできる。
ードなどに具体化することもできる。
なお、上記説明では本発明者らによってなされた発明を
、主としてその背景となった利用分野である高周波用な
いしは超高周波ショットキダイオードに適用した場合に
ついて説明したが、本発明はこれらに限定して適用され
るものではなく、高周波用ないしは超高周波用の半導体
装置全般に適用して有効な技術である。
、主としてその背景となった利用分野である高周波用な
いしは超高周波ショットキダイオードに適用した場合に
ついて説明したが、本発明はこれらに限定して適用され
るものではなく、高周波用ないしは超高周波用の半導体
装置全般に適用して有効な技術である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、取付基体に取り付けられたペレットを樹脂封
止してなる半導体装置における前記樹脂の少なくとも一
部に多数の微小中空体を混入することにより、ＩＮ脂の
比誘電率が実効的に低減する。
止してなる半導体装置における前記樹脂の少なくとも一
部に多数の微小中空体を混入することにより、ＩＮ脂の
比誘電率が実効的に低減する。
従って、パッケージの浮遊容量が低減し、高周波特性の
良好な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
良好な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す概略
断面図、 第２図は本発明の他の実施例である半導体装着を示す概
略断面図である。 ■・・・ＧａＡｓペレット （半導にペレット）、２・
・・リードフレーム（取付基体）、３・・・ワイヤ、４
・・・樹脂パッケージ、５・・・ガラス微小中空球（微
小中空体）、６・・・ガラス微小中空球（微小中空体）
。 第 １ 図 第 ２ 図 δ、６−＃ニｉ小＊ ９ Ｊ＄
断面図、 第２図は本発明の他の実施例である半導体装着を示す概
略断面図である。 ■・・・ＧａＡｓペレット （半導にペレット）、２・
・・リードフレーム（取付基体）、３・・・ワイヤ、４
・・・樹脂パッケージ、５・・・ガラス微小中空球（微
小中空体）、６・・・ガラス微小中空球（微小中空体）
。 第 １ 図 第 ２ 図 δ、６−＃ニｉ小＊ ９ Ｊ＄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、取付基体に取り付けられたペレットを樹脂封止して
なる半導体装置であって、前記樹脂の少なくとも一部に
多数の微小中空体を混入したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 ２、前記半導体装置がガリウム・ヒ素ショットキダイオ
ードであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の樹脂封止型半導体装置。 ３、前記多数の微小中空体は大きさが異なる二種以上の
中空球であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223536A JPS6379353A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223536A JPS6379353A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379353A true JPS6379353A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16799691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223536A Pending JPS6379353A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379353A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212949A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体チップを含む回路装置 |
| US5889232A (en) * | 1996-05-14 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Ultrahigh-frequency electronic component |
| JPH11138585A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-05-25 | Denso Corp | ゴム組成物による封止方法 |
| US6087200A (en) * | 1998-08-13 | 2000-07-11 | Clear Logic, Inc. | Using microspheres as a stress buffer for integrated circuit prototypes |
| JP2009513019A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | パッケージのクロストークおよび損失を低減した半導体装置 |
| JP2013089895A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Kyocera Chemical Corp | フィルムコンデンサ及びその製造方法 |
| WO2017051919A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223536A patent/JPS6379353A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212949A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 半導体チップを含む回路装置 |
| KR100291227B1 (ko) * | 1996-05-14 | 2001-07-12 | 가네꼬 히사시 | 고주파전자부품및그제조방법 |
| EP0807971A3 (en) * | 1996-05-14 | 1999-07-28 | Nec Corporation | Ultrahigh-frequency electronic component and method of manufacturing the same |
| US5970322A (en) * | 1996-05-14 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Ultrahigh-frequency electronic component and method of manufacturing the same |
| US5889232A (en) * | 1996-05-14 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Ultrahigh-frequency electronic component |
| JPH11138585A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-05-25 | Denso Corp | ゴム組成物による封止方法 |
| US6087200A (en) * | 1998-08-13 | 2000-07-11 | Clear Logic, Inc. | Using microspheres as a stress buffer for integrated circuit prototypes |
| JP2009513019A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | パッケージのクロストークおよび損失を低減した半導体装置 |
| TWI414046B (zh) * | 2005-10-24 | 2013-11-01 | Freescale Semiconductor Inc | 降低封裝串擾及損耗之半導體裝置 |
| JP2013089895A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Kyocera Chemical Corp | フィルムコンデンサ及びその製造方法 |
| WO2017051919A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| CN108025559A (zh) * | 2015-09-26 | 2018-05-11 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及热敏式打印机 |
| US10279596B2 (en) | 2015-09-26 | 2019-05-07 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer |
| CN108025559B (zh) * | 2015-09-26 | 2019-09-27 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及热敏式打印机 |
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