JPS63256354A - 複合材の高精度研磨方法 - Google Patents
複合材の高精度研磨方法Info
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- JPS63256354A JPS63256354A JP62092720A JP9272087A JPS63256354A JP S63256354 A JPS63256354 A JP S63256354A JP 62092720 A JP62092720 A JP 62092720A JP 9272087 A JP9272087 A JP 9272087A JP S63256354 A JPS63256354 A JP S63256354A
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
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- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の材料からなる被加工物の研磨に係り、
特に高い形状精度が得られる研磨方法に関するものであ
る。
特に高い形状精度が得られる研磨方法に関するものであ
る。
近年の電子部品、光学部品には高い形状精度を要する物
が多い。例えばVTRヘッドのギャップ長精度は非常に
高いものが要求されるため、ギャップ面は高精度に研磨
する必要がある。
が多い。例えばVTRヘッドのギャップ長精度は非常に
高いものが要求されるため、ギャップ面は高精度に研磨
する必要がある。
従来、VTRへッドブ四ツクのギャップ面研磨は、第3
図〜第4図に示すような一般的な方法、若しくは特開昭
52−144900号公報中にあるような復雑な工程を
とる方法が行なわれていた。図において、(1)は被加
工物、(la)は被加工物(1)のフェライト部、(1
b)は被加工物(1)のガラス部、(2)は貼付定盤、
(東は熱軟化性接着剤である。
図〜第4図に示すような一般的な方法、若しくは特開昭
52−144900号公報中にあるような復雑な工程を
とる方法が行なわれていた。図において、(1)は被加
工物、(la)は被加工物(1)のフェライト部、(1
b)は被加工物(1)のガラス部、(2)は貼付定盤、
(東は熱軟化性接着剤である。
従来の研磨方法においては、第3図のような複合材被加
工物を第4図に示すような方法で貼付定盤(2)に接着
した上で研磨を行なってきた。
工物を第4図に示すような方法で貼付定盤(2)に接着
した上で研磨を行なってきた。
すなわち、貼付定盤(り上に被加工物(1)をエレクト
ロンワックス等の熱軟化性接着剤(功を介して、可能な
限り接着剤が薄く均一となるように手で押えつけたり、
場合によっては重なり等で加圧したりして接着を行なっ
てきた。
ロンワックス等の熱軟化性接着剤(功を介して、可能な
限り接着剤が薄く均一となるように手で押えつけたり、
場合によっては重なり等で加圧したりして接着を行なっ
てきた。
しかしながら上記の場合、被加工物が線膨張係数の異な
る複数の材料からなる複合材であれば、貼付定盤に接着
する際、接着温度と室温との温度差によってバイメタル
のような熱歪が生じるため、第4図に示したように被加
工物は湾曲して貼付定盤に固定されてしまう。このそり
量は大きいもので約0.3μmもあり、研磨終了後、被
加工物を貼付定盤より取りはずした時の形状精度に影響
を及ぼしていた。しかもこの値はヘッドギャップ長(約
065μ?FL)に匹敵する値で、場合によってはギャ
ップ長のバラツキに影響を与えかねないという問題点が
あった。
る複数の材料からなる複合材であれば、貼付定盤に接着
する際、接着温度と室温との温度差によってバイメタル
のような熱歪が生じるため、第4図に示したように被加
工物は湾曲して貼付定盤に固定されてしまう。このそり
量は大きいもので約0.3μmもあり、研磨終了後、被
加工物を貼付定盤より取りはずした時の形状精度に影響
を及ぼしていた。しかもこの値はヘッドギャップ長(約
065μ?FL)に匹敵する値で、場合によってはギャ
ップ長のバラツキに影響を与えかねないという問題点が
あった。
本発明は上述のような問題点を除去し、高い形状精度が
得られる研磨方法を提供することを目的としている。
得られる研磨方法を提供することを目的としている。
この発明の研磨方法は、線膨張係数の異なる複数の材料
からなる被加工物を熱軟化性接着剤を介して貼付定盤に
接着する際、被加工物表面を赤外線ヒータなどで加熱し
ながら徐冷接着を行ない、その後研磨するという方法で
ある。
からなる被加工物を熱軟化性接着剤を介して貼付定盤に
接着する際、被加工物表面を赤外線ヒータなどで加熱し
ながら徐冷接着を行ない、その後研磨するという方法で
ある。
この発明の研磨方法においては、被加工物を熱軟化性接
着剤を介して貼付定盤に接着する際、被加工物表面を赤
外線ヒータなどで加熱しながら徐冷接着する。このとき
、被加工物は赤外線により室温と接着温度との差による
そりが矯正されて室温時の形状を保った状態で貼付定盤
に接着される。これにより研磨終了後、被加工物を取り
はずした時、高い仕上形状精度を確保することができる
。
着剤を介して貼付定盤に接着する際、被加工物表面を赤
外線ヒータなどで加熱しながら徐冷接着する。このとき
、被加工物は赤外線により室温と接着温度との差による
そりが矯正されて室温時の形状を保った状態で貼付定盤
に接着される。これにより研磨終了後、被加工物を取り
はずした時、高い仕上形状精度を確保することができる
。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、本発明の接着方法を示す図であり、図におい
て第4図と同一または相当部分には同一符号を付してい
る。(4は赤外線ヒータである。
て第4図と同一または相当部分には同一符号を付してい
る。(4は赤外線ヒータである。
さて、その接着方法を説明する。貼付定盤(2)上にエ
レクトロンワックス等の熱軟化性接着剤(3)を薄く均
一に塗布し、その上に被加工物(1)を載せ、接着が均
一となるように被加工物(1)を手で押えつけて延ばす
。その後、赤外線ヒータ(4で被加工物表面を加熱しな
がら徐冷接着を行なう。その後の研磨方法は従来と同様
である。
レクトロンワックス等の熱軟化性接着剤(3)を薄く均
一に塗布し、その上に被加工物(1)を載せ、接着が均
一となるように被加工物(1)を手で押えつけて延ばす
。その後、赤外線ヒータ(4で被加工物表面を加熱しな
がら徐冷接着を行なう。その後の研磨方法は従来と同様
である。
なお被加工物から赤外線ヒータまでの距離と接着後の被
加工物の平面度変化量との関係を第2図に示す。図にお
いて、横軸は被加工物と赤外線ヒータとの距離の2乗で
、縦軸は被加工物の平面度変化量である。被加工物数は
7個で、平均値を○で、そのばらつきをIで示した。図
中の右端に赤外線ヒータを使わず徐冷接着した従来法の
結果を参考として示した。図より、従来0.1〜0.3
μm凹に変化して接着されていたものが、最適条件(h
=280m近傍)を選べば平面度変化が±0.1μ毎以
内での接着も可能であることがわかる。更に距隅の2乗
と平面度の直線性が良いことより、平面に限らず凹でも
凸でも任意に変化させて接着することが可能である。
加工物の平面度変化量との関係を第2図に示す。図にお
いて、横軸は被加工物と赤外線ヒータとの距離の2乗で
、縦軸は被加工物の平面度変化量である。被加工物数は
7個で、平均値を○で、そのばらつきをIで示した。図
中の右端に赤外線ヒータを使わず徐冷接着した従来法の
結果を参考として示した。図より、従来0.1〜0.3
μm凹に変化して接着されていたものが、最適条件(h
=280m近傍)を選べば平面度変化が±0.1μ毎以
内での接着も可能であることがわかる。更に距隅の2乗
と平面度の直線性が良いことより、平面に限らず凹でも
凸でも任意に変化させて接着することが可能である。
なお、上記実施例ではエレクトロンワックスを使用した
が、熱軟化性接着剤であれば何であってもよく、赤外線
ヒータも被加工物表面の加熱法であれば何であってもか
まわない。また、参考として研削加工においても同様の
処理を施すことによって同様の効果を期待できる。
が、熱軟化性接着剤であれば何であってもよく、赤外線
ヒータも被加工物表面の加熱法であれば何であってもか
まわない。また、参考として研削加工においても同様の
処理を施すことによって同様の効果を期待できる。
以上説明したように本発明によれば、被加工物の接着時
に赤外線ヒータで加熱しながら徐冷接着することにより
、高精度な接着が可能であり、高い形状精度の研磨を行
なうことができる効果がある。
に赤外線ヒータで加熱しながら徐冷接着することにより
、高精度な接着が可能であり、高い形状精度の研磨を行
なうことができる効果がある。
第1図は本発明の実施例による被加工物の接着方法を示
す図、第2図はその実験結果を示す図、第3図は線膨張
係数の異なる複数の材料からなる被加工物を示す図、第
4図は従来の被加工物の接着状態を示す図である。 図において(1)は被加工物、(1&)は被加工物(1
)のフェライト部、(1’b)は被加工物(1)のガラ
ス部、(2)は貼付定盤、(3)は熱軟化性接着剤、(
4)は赤外線ヒータである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第1図 第 2 図
す図、第2図はその実験結果を示す図、第3図は線膨張
係数の異なる複数の材料からなる被加工物を示す図、第
4図は従来の被加工物の接着状態を示す図である。 図において(1)は被加工物、(1&)は被加工物(1
)のフェライト部、(1’b)は被加工物(1)のガラ
ス部、(2)は貼付定盤、(3)は熱軟化性接着剤、(
4)は赤外線ヒータである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄第1図 第 2 図
Claims (3)
- (1)線膨張係数の異なる複数の材料からなる被加工物
を貼付定盤に熱軟化性接着剤を介して接着した後かかる
被加工物を研磨する方法であって、前記接着に際して接
着温度と室温との温度差による熱歪量を極力抑えるため
に、上記被加工物表面を加熱しながら徐冷接着を行なう
ことにより、被加工物の接着精度を高め、その後、被加
工物を研磨し、かくして高い仕上形状精度を得ることを
特徴とする複合材の高精度研磨方法。 - (2)被加工物表面の加熱は赤外線ヒータで行なう特許
請求の範囲第1項記載の複合材の高精度研磨方法。 - (3)被加工物表面からの赤外線ヒータの距離を、被加
工物の平面度変化量が零であるように、選定して加熱す
る特許請求の範囲第2項記載の複合材の高精度研磨方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62092720A JPS63256354A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 複合材の高精度研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62092720A JPS63256354A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 複合材の高精度研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63256354A true JPS63256354A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14062286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62092720A Pending JPS63256354A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 複合材の高精度研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63256354A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62092720A patent/JPS63256354A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
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