JPS63253690A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS63253690A JPS63253690A JP8800587A JP8800587A JPS63253690A JP S63253690 A JPS63253690 A JP S63253690A JP 8800587 A JP8800587 A JP 8800587A JP 8800587 A JP8800587 A JP 8800587A JP S63253690 A JPS63253690 A JP S63253690A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- temperature
- detected
- optical semiconductor
- ohmic electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体素子をヒートシンクに装着した光半導
体装置、特にヒートシンクの構造に関する。
体装置、特にヒートシンクの構造に関する。
光半導体素子、特に半導体レーザは周囲温度の変化によ
り出力状態が大きく変動し、また周囲温度の変化により
寿命が大きく左右されるため、光半導体素子は大きな放
熱板を設けたり、温度制御装置を必要とする。しかるに
従来は温度制御装置の温度検出器を光半導体素子容器の
外部に設けていた。
り出力状態が大きく変動し、また周囲温度の変化により
寿命が大きく左右されるため、光半導体素子は大きな放
熱板を設けたり、温度制御装置を必要とする。しかるに
従来は温度制御装置の温度検出器を光半導体素子容器の
外部に設けていた。
上述のように従来の半導体装置においては、温度制御装
置の温度検出器を光半導体素子容器の外部に設けていた
ため、温度検出器及び温度制御装置が大きくなる。また
容器の外部に温度検出器があるため、光半導体素子の温
度上昇を敏速に感知し、応答よく制御することが出来な
い等の欠点があった。
置の温度検出器を光半導体素子容器の外部に設けていた
ため、温度検出器及び温度制御装置が大きくなる。また
容器の外部に温度検出器があるため、光半導体素子の温
度上昇を敏速に感知し、応答よく制御することが出来な
い等の欠点があった。
本発明は光半導体素子を放熱用の半導体製ヒートシンク
に装着した光半導体装置において、前記ヒートシンクの
少なくとも一部にｐｎ接合が形成されていること°を特
徴とし、ヒートシンクのｐｎ接合の温度変化に対するリ
ーク電流の変化を検知することにより、温度検出器とし
ての機能をもたせたものである。
に装着した光半導体装置において、前記ヒートシンクの
少なくとも一部にｐｎ接合が形成されていること°を特
徴とし、ヒートシンクのｐｎ接合の温度変化に対するリ
ーク電流の変化を検知することにより、温度検出器とし
ての機能をもたせたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式的斜視図で、
光半導体素子としてＧａＡｓ−ＧａＡｅＡｓダブルへテ
ロ接合構造の半導体レーザ素子を用い、ヒートシンクと
してシリコンを用いた場合について説明する。ヒートシ
ンク１にはｐｎ接合面４が形成されており、ｎ側オーミ
ック電極５は全面に設けられ、このｎ側オーミック電極
５を下にして素子容器基台３にマウントされている。こ
のヒートシンク１のｐ側のオーミック電極６はｐ層表面
全面に設けられ、このｎ側オーミック電極６の上に半導
体レーザ素子２がマウントされている。そして、ヒート
シンク１のｎ側オーミック電極６から半導体レーザ素子
２及びヒートシンク１の共通のボンディングワイヤ線７
を取り出し、半導体レーザ素子２からボンディングワイ
ヤ線８を取り出している。このようにヒートシンク１と
半導体レーザ素子２は一体化されている。
光半導体素子としてＧａＡｓ−ＧａＡｅＡｓダブルへテ
ロ接合構造の半導体レーザ素子を用い、ヒートシンクと
してシリコンを用いた場合について説明する。ヒートシ
ンク１にはｐｎ接合面４が形成されており、ｎ側オーミ
ック電極５は全面に設けられ、このｎ側オーミック電極
５を下にして素子容器基台３にマウントされている。こ
のヒートシンク１のｐ側のオーミック電極６はｐ層表面
全面に設けられ、このｎ側オーミック電極６の上に半導
体レーザ素子２がマウントされている。そして、ヒート
シンク１のｎ側オーミック電極６から半導体レーザ素子
２及びヒートシンク１の共通のボンディングワイヤ線７
を取り出し、半導体レーザ素子２からボンディングワイ
ヤ線８を取り出している。このようにヒートシンク１と
半導体レーザ素子２は一体化されている。
かかる構成において、素子容器基台３とボンディングワ
イヤ線７の間に適当なバイアスを印加し、ヒートシンク
１のｐｎ接合面４でのリーク電流を検出し、そのリーク
電流の温度に対する変動を検知することにより、一体化
されたヒートシフ１と半導体レーザ素子２の温度変動を
検出することができる。このようにヒートシンク１のリ
ーク電流を検出することによって外部回路により素子容
器をベルチェ素子等の外部制御装置（図示していない）
で制御することができる。
イヤ線７の間に適当なバイアスを印加し、ヒートシンク
１のｐｎ接合面４でのリーク電流を検出し、そのリーク
電流の温度に対する変動を検知することにより、一体化
されたヒートシフ１と半導体レーザ素子２の温度変動を
検出することができる。このようにヒートシンク１のリ
ーク電流を検出することによって外部回路により素子容
器をベルチェ素子等の外部制御装置（図示していない）
で制御することができる。
第２図は本発明の第２の実施例の模式的斜視図である。
ヒートシンク１１の温度検出用のｐｎ接合面１４とは別
に、半導体レーザ素子１２から放射されなレーザ光を受
光面２０で受光するようｐｎ接合ホトダイオードのｐｎ
接合面１９を形成している。互いの９層は絶縁層２１で
電気的に絶縁されている。ｎ側オーミック電極１５は共
通化し、温度検出用ｐｎ接合１４のｎ側オーミック電極
１６とｐｎ接合ホトダイオードのｎ側オーミック電極２
２は分離されている。そして各電極よりボンディングワ
イヤ線１７，１８．２３を取り出している。この実施例
では一つのシリコンヒートシンクで温度検出とモニター
光検出の２つの機能を共有することができ、小型で安価
な光半導体装置が実現できる。
に、半導体レーザ素子１２から放射されなレーザ光を受
光面２０で受光するようｐｎ接合ホトダイオードのｐｎ
接合面１９を形成している。互いの９層は絶縁層２１で
電気的に絶縁されている。ｎ側オーミック電極１５は共
通化し、温度検出用ｐｎ接合１４のｎ側オーミック電極
１６とｐｎ接合ホトダイオードのｎ側オーミック電極２
２は分離されている。そして各電極よりボンディングワ
イヤ線１７，１８．２３を取り出している。この実施例
では一つのシリコンヒートシンクで温度検出とモニター
光検出の２つの機能を共有することができ、小型で安価
な光半導体装置が実現できる。
なお、上記実施例では光半導体素子として半導体レーザ
素子、ヒートシンクとしてシリコンを用いた場合を示し
たがこれに限定されるものではない。
素子、ヒートシンクとしてシリコンを用いた場合を示し
たがこれに限定されるものではない。
以上説明したように本発明は放熱及びマウント歪軽減の
目的の半導体製のヒートシンクにｐｎ接合を形成するこ
とにより、ヒートシンクに本来の機能のほかに温度検出
機能をも具備することができる。また半導体素子の直下
の温度検出が出来るため応答性よく温度制御することが
可能となり、小型で安価な光半導体装置が実現できる。
目的の半導体製のヒートシンクにｐｎ接合を形成するこ
とにより、ヒートシンクに本来の機能のほかに温度検出
機能をも具備することができる。また半導体素子の直下
の温度検出が出来るため応答性よく温度制御することが
可能となり、小型で安価な光半導体装置が実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例の模式的斜視図、第２図
は本発明の第２の実施例の模式的斜視図である。 １．１１・・・ヒートシンク、２，１２・・・半導体レ
ーザ素子、３，１３・・・素子容器基台、４，１４゜１
９・・・ｐｎ接合面、５．１５・・・ｎ側オーミック電
極、６，１６．２２・・・ｐ側オーミック電極、７゜８
．１７，１８．２３・・・ボンディングワイヤ線、２０
・・・受光面、２１・・・絶縁層。
は本発明の第２の実施例の模式的斜視図である。 １．１１・・・ヒートシンク、２，１２・・・半導体レ
ーザ素子、３，１３・・・素子容器基台、４，１４゜１
９・・・ｐｎ接合面、５．１５・・・ｎ側オーミック電
極、６，１６．２２・・・ｐ側オーミック電極、７゜８
．１７，１８．２３・・・ボンディングワイヤ線、２０
・・・受光面、２１・・・絶縁層。
Claims (1)
- 光半導体素子を放熱用の半導体製ヒートシンクに装着し
た光半導体装置において、前記ヒートシンクの少なくと
も一部にｐｎ接合が形成されていることを特徴とする光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8800587A JPS63253690A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8800587A JPS63253690A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253690A true JPS63253690A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13930684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8800587A Pending JPS63253690A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8800587A patent/JPS63253690A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029904A1 (fr) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Systeme optique de reception et dispositif optique a semiconducteur equipe de ce dernier |
| US7777234B2 (en) | 2000-09-29 | 2010-08-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith |
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