JPS63253651A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS63253651A JPS63253651A JP8679087A JP8679087A JPS63253651A JP S63253651 A JPS63253651 A JP S63253651A JP 8679087 A JP8679087 A JP 8679087A JP 8679087 A JP8679087 A JP 8679087A JP S63253651 A JPS63253651 A JP S63253651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum wiring
- integrated circuit
- semiconductor substrate
- aluminum
- cut
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路に損傷を与えず容易なレーザ
ーカッティングを可能とする半導体集積回路に関する。
ーカッティングを可能とする半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路のアルミ配線パターン部゛は第２
図の斜視図に示される様な構成となっている。
図の斜視図に示される様な構成となっている。
すなわち、１はアルミ配線、２は第１絶縁膜、３は第２
絶縁膜、４は半導体基板であり、半導体基板４上に回路
素子（図示せず）を形成し、前記回路素子上に絶縁膜２
．３を形成した後、アルミ配線１によって内部接続及び
外部接続を行うようにしている。
絶縁膜、４は半導体基板であり、半導体基板４上に回路
素子（図示せず）を形成し、前記回路素子上に絶縁膜２
．３を形成した後、アルミ配線１によって内部接続及び
外部接続を行うようにしている。
そして、前記半導体集積回路は、製造過程に於いて、不
良解析等の目的で、レーザー光７を用いて、アルミ配線
１の切断を行う必要がある。
良解析等の目的で、レーザー光７を用いて、アルミ配線
１の切断を行う必要がある。
しかしながら、従来の半導体集積回路は、製造後アルミ
配線を切断することを前提としていないため、オプショ
ン回路切断時、不良解析時等、レーザーカッタ等を使用
してアルミ配線を切断する際、該アルミ配線下の素子パ
ターン及び基板に損傷を与えてしまう恐れがあった。
配線を切断することを前提としていないため、オプショ
ン回路切断時、不良解析時等、レーザーカッタ等を使用
してアルミ配線を切断する際、該アルミ配線下の素子パ
ターン及び基板に損傷を与えてしまう恐れがあった。
即ち、第２図′の斜視図に示す従来のアルミ配線パター
ンに於いて、レーザー光７によりアルミ配線１の切断の
際、アルミ配線幅が細い場合、小パワーのレーザー光で
切断可能なため、下の第１絶縁膜２及び第２絶縁膜乙の
損傷も少なくアルミ配線１と半導体基板４とのショート
は起こらないが幅の広いアルミ配線を切断する場合、大
パワーのレーザー光を必要とするため、アルミ配線１の
下部を損傷する可能性が極めて高く、第２図に示す様に
第１絶縁膜２及び第２絶縁膜６が破壊され、アルミの残
骸５と半導体基板４とが高熱により溶は合い、ショート
してしまう可能性が高かった。
ンに於いて、レーザー光７によりアルミ配線１の切断の
際、アルミ配線幅が細い場合、小パワーのレーザー光で
切断可能なため、下の第１絶縁膜２及び第２絶縁膜乙の
損傷も少なくアルミ配線１と半導体基板４とのショート
は起こらないが幅の広いアルミ配線を切断する場合、大
パワーのレーザー光を必要とするため、アルミ配線１の
下部を損傷する可能性が極めて高く、第２図に示す様に
第１絶縁膜２及び第２絶縁膜６が破壊され、アルミの残
骸５と半導体基板４とが高熱により溶は合い、ショート
してしまう可能性が高かった。
本発明の目的は、容易にアルミ配線の切断を可能とする
半導体集積回路を提供するものである。
半導体集積回路を提供するものである。
上記目的を達成するための本発明の構成は、半導体基板
上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線パターンを
有する集積回路に於て、前記アルミ配線パターンと半導
体基板間に、アルミ配線切断時に半導体基板を保護する
ためのポリシリコン層を形成したことを特徴とする。
上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線パターンを
有する集積回路に於て、前記アルミ配線パターンと半導
体基板間に、アルミ配線切断時に半導体基板を保護する
ためのポリシリコン層を形成したことを特徴とする。
即ち、本発明によるポリシリコンのガードは、集積回路
内アルミ配線のレーザーカッティング時の集積回路損傷
を防ぎ、作業の容易性を実現するものである。
内アルミ配線のレーザーカッティング時の集積回路損傷
を防ぎ、作業の容易性を実現するものである。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳述する。
第１図は本発明による半導体集積回路のアルミ配線パタ
ーンの斜視図であり、６は高抵抗のポリシリコンのガー
ドである。尚、第１図と第２図の共通部分には同一番号
を付し説明を省略する。
ーンの斜視図であり、６は高抵抗のポリシリコンのガー
ドである。尚、第１図と第２図の共通部分には同一番号
を付し説明を省略する。
第１図に於いて、レーザー光７はアルミ配線１を切断後
、下のポリシリコンガード６にくい止められ、下の第２
絶縁膜３及び半導体基板４が損傷を免れていることを示
している。又、ポリシリコンガード６は不純物濃度が極
めて低い高抵抗であるため、万が−、レーザー熱により
アルミの残骸５と溶は合った場合も、切断したアルミ間
のショートは極めて少なくて済む。
、下のポリシリコンガード６にくい止められ、下の第２
絶縁膜３及び半導体基板４が損傷を免れていることを示
している。又、ポリシリコンガード６は不純物濃度が極
めて低い高抵抗であるため、万が−、レーザー熱により
アルミの残骸５と溶は合った場合も、切断したアルミ間
のショートは極めて少なくて済む。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば予め切断
することが予想されるアルミ配線下にポリシリコンガー
ドを設けることにより、レーザーカッティングの際の半
導体集積回路の損傷を防ぎ、作業の容易性を実現してい
る。尚、実施例で述べたポリシリコンガード６は特別な
工程を必要とせず、通常プロセスにより形成可能である
。
することが予想されるアルミ配線下にポリシリコンガー
ドを設けることにより、レーザーカッティングの際の半
導体集積回路の損傷を防ぎ、作業の容易性を実現してい
る。尚、実施例で述べたポリシリコンガード６は特別な
工程を必要とせず、通常プロセスにより形成可能である
。
第１図は本発明による半導体集積回路のアルミ配線パタ
ーン部の斜視図、第２図は従来の半導体集積回路のアル
ミ配線パターン部の斜視図である。 １・・・・・・アルミ配線パターン、 ４・・・・・・半導体基板、 ６・・・・・・ポリシリコンガード。
ーン部の斜視図、第２図は従来の半導体集積回路のアル
ミ配線パターン部の斜視図である。 １・・・・・・アルミ配線パターン、 ４・・・・・・半導体基板、 ６・・・・・・ポリシリコンガード。
Claims (1)
- 半導体基板上に回路素子を形成すると共に、アルミ配線
パターンを有する集積回路に於て、前記アルミ配線パタ
ーンと半導体基板間に、アルミ配線切断時に半導体基板
を保護するためのポリシリコン層を形成したことを特徴
とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8679087A JPS63253651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8679087A JPS63253651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253651A true JPS63253651A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13896566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8679087A Pending JPS63253651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63253651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106187A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 财团法人工业技术研究院 | 太阳能电池 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8679087A patent/JPS63253651A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106187A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-05-05 | 财团法人工业技术研究院 | 太阳能电池 |
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