KR940007564A - 전자 장치 제조방법 - Google Patents

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KR940007564A
KR940007564A KR1019930019194A KR930019194A KR940007564A KR 940007564 A KR940007564 A KR 940007564A KR 1019930019194 A KR1019930019194 A KR 1019930019194A KR 930019194 A KR930019194 A KR 930019194A KR 940007564 A KR940007564 A KR 940007564A
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데이비드 영 니겔
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프레데릭 얀 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

절연기판위에 있는 표시장치 또는 다른 광역 전자장치의 박막 접속 트랙 및 회로 성분은, 이온주입 및/또는 다른 제조단계 동안, 서로 분리된 박막 트랙들(4)사이에 전도성 박막 링크(6)을 포함하는 ESD경로를 제공하는 것에 의해서 ESD(정전 방전)손상으로 부터 보호된다.
트랙(4) 및 링크(6)은, 예를 들면, 알루미늄 또는 금속 규소화물로 구성될 수 있다. 상기 ESD경로는 후에 링크된 트랙(4)들 사이에 펄스(8)를 인가하여 충분히 큰 전류를 흘려보내, 주울열에 의해 링크(6)가 증발되어 결단되게 함으로써 제거한다.

Description

전자 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 ESD방지 링크를 가진 전자 장치로서, 본 발명에 따른 방법에 의한 최종 제조단계의 전자장치에 대한 평면도,
제2도는 최종 제조단계에서 제1도의 장치와 같은 장치의 링크된 연결 트랙들의 한 그룹에 대한 확대평면도,
제3도는 앞선 이온 주입 단계에서 제1 및 2도의 장치 부분의 단면도,
제4도는 제3도의 Ⅳ-Ⅳ라인을 따라 자른 제3도 장치 부분의 단면도로서 주입 단계 동안 가능한 변형예를 도시한 단면도,
제5도는 제2도의 장치와 같은 링크된 연결 트랙들의 한 구룹에 대한 평면도로서 링크 형상의 변형예를 도시한 평면도.

Claims (7)

  1. 절연기판상에 다수의 박막회로 요소를 박막접속 트랙과 함께 형성하되, 상기 박막접속 트랙을 파괴적인 정전 방전으로부터 보호하기 위해 제거가능한 정전 방전경로에 접속하는 전자장치 제조방법에 있어서, 상기 제거가능 정전 방전 경로가 서로 분리된 박막트랙들간의 전도성 박막 링크를 포함케하고, 상기 링크에 의해 연결된 트랙들간에 전기 펄스를 인가하여 주울열에 의해 상기 박막 링크가 증발되어 전단될 수 있을 정도로 충분히 큰 전류를 상기 박막 링크에 흐르게 함으로써 상기 방전 경로를 제거하는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 공통적인 막을 패턴화하여 상기 트랙 및 상기 링크를 형성하고 상기 링크의 폭을 상기트랙의 폭보다 좁게 한 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랙 및 링크를 알루미늄으로 구성하고, 상기 링크가 최소한 상기 링크 길이의 일부분에 걸쳐 기껏해야 약2㎛의 폭을 갖게 하며, 상기 트랙이 최소한 5㎛의 폭을 갖게 한 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  4. 제2 또는 3항에 있어서, 상기 링크가 트랙에 인접할수록 증가하는 폭을 갖게 한 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  5. 선행할 들중의 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 회로요소는 최소한 국부적으로 이온이 주입된 실리콘막영역을 포함하고, 상기 이온 주입은 상기 박막트랙 및 상기링크의 제공후에 실행되고, 상기 이온주입 동안 상기 기판위의 박막 부분들에 의해 축척된 전하는 상기 링크와 상기 트랙을 경유하여, 이온 주입장비내의 접지점으로 방전되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 트랙 및 상기 링크는 상기 이온의 주입된 상기 실리콘 막의 부분인 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 최소한 상기 트랙 및 상기 링크 영역내의 상기 실리콘 막은 상기 링크의 절단을 위한 상기펄스의 인가 전에 금속으로 규소화되는 것을 특징으로 하는 전자장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930019194A 1992-09-24 1993-09-21 전자 장치 제조방법 KR940007564A (ko)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9416899D0 (en) * 1994-08-20 1994-10-12 Philips Electronics Uk Ltd Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuitry
US5650343A (en) * 1995-06-07 1997-07-22 Advanced Micro Devices, Inc. Self-aligned implant energy modulation for shallow source drain extension formation
WO2000021132A1 (en) * 1998-10-05 2000-04-13 Intersil Corporation Semiconductor integrated circuit with temporarily interconnected bond pads
US6327125B1 (en) 1999-12-22 2001-12-04 Philips Electronics North America Corporation Integrated circuit with removable ESD protection
US6538857B1 (en) * 2000-09-14 2003-03-25 International Business Machines Corporation Read head with N-cycle switch for electrostatic discharge (ESD) protection
FR2815143B1 (fr) * 2000-10-11 2005-11-18 Lg Philips Lcd Co Ltd Substrat reseau pour un affichage a cristaux liquides et methode de fabrication de celui-ci
CN100349038C (zh) * 2003-04-25 2007-11-14 胜华科技股份有限公司 具尖端放电的显示面板传导金属线布局方法及装置
CN105848394B (zh) * 2016-05-18 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制作方法

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