JPH0563076A - 半導体ウエーハの切断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエーハを半導体チップに切断分離す
る半導体ウエーハの切断方法の改良に関し、一種類のみ
のブレードを用い、半導体チップにチッピングによる障
害が発生するのを防止することを目的とする。 【構成】 固定テープ２に貼付した半導体ウエーハ１に
形成した半導体チップ1aの間の不活性領域1bに、ブレー
ド３の幅の切断溝を形成してこの半導体チップ1aに分離
する半導体ウエーハの切断方法において、このブレード
３をこの切断溝1bの位置から一方向に移動してこの半導
体ウエーハ１の表面に溝1dを形成する工程と、このブレ
ード13をこの切断溝1bの位置からこの移動方向と逆方向
に移動してこの半導体ウエーハ１の表面にこの溝1dと同
じ深さの溝1eを形成する工程と、この切断溝1bの位置に
おいて、この半導体ウエーハ１の全部及びこの固定テー
プ２の表面部分とをこのブレード３により切削する工程
とを含むように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエーハを半導
体チップに切断分離する半導体ウエーハの切断方法の改
良に関するものである。

【０００２】半導体ウエーハを半導体チップに切断分離
するには、半導体ウエーハを固定テープに貼付し、ブレ
ードにより半導体ウエーハの全部と固定テープの表面部
分とを切削して半導体ウエーハを半導体チップに分離し
ているが、高速回転しているブレードで半導体ウエーハ
を切断する際、半導体チップの表面の隅部が欠けるチッ
ピングと称する障害が発生している。

【０００３】以上のような状況から、半導体ウエーハを
半導体チップに切断分離する際に生じるチッピングの発
生を防止することが可能な半導体ウエーハの切断方法が
要望されている。

【０００４】

【従来の技術】従来の半導体ウエーハの切断方法につい
て図３，図５により詳細に説明する。図３は従来の半導
体ウエーハの切断方法を示す図、図５は従来の半導体ウ
エーハの他の切断方法を示す図である。

【０００５】従来は半導体ウエーハを切断する場合に
は、図に示すように半導体ウエーハ11を固定テープ12に
貼付し、周辺部にダイヤモンドの微粒子を付着したブレ
ード13を用いて図示するような切断溝11cを不活性領域1
1bに形成して半導体チップ11aに分離しているが、高速
回転しているブレード13で半導体ウエーハ11を切断する
ので、切断抵抗により半導体チップ11a の表面の隅部が
欠けるチッピングが発生して半導体チップ11a の品質を
低下させている。

【０００６】このチッピングの発生による障害を防止す
るため、特に必要な場合にのみ図５(a) に示すように所
望の切断溝の幅よりも広い幅のブレード14を用いて半導
体ウエーハ11の不活性領域11b に浅いカット溝11d を形
成した後、図５(b) に示すように所望の切断溝11c の幅
のブレード13を用いて半導体ウエーハ11の残部と固定テ
ープ12の表面部とを切削して切断している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体ウエーハの切断方法においては、一枚のブレードの
みを用いて高速回転しているブレードで半導体ウエーハ
を切断すると、切断抵抗により図４に示すように半導体
チップ11aの表面の隅部に欠け11dが生じて半導体チップ
11a に障害を及ぼすチッピングが発生するという問題点
があり、特に必要な場合には二枚のブレードを用い、ま
ず図５(a) に示すように所望の切断溝の幅よりも広い幅
のブレード14を用いて半導体ウエーハ11の不活性領域11
b に浅いカット溝11d を形成した後、図５(b) に示すよ
うに所望の切断溝11c の幅のブレード13を用いて半導体
ウエーハ11の残部と固定テープ12の表面部とを切断して
いるが、二種類のブレードが必要であり、１ヘッドのダ
イシング装置を用いる場合には装置を二台使用するか或
いは一台の装置のみを用いる場合には二種類のブレード
13と14とを交換して二工程で切断しなければならないと
いう問題点があった。

【０００８】本発明は以上のような状況から、一種類の
みのブレードを用い、半導体チップにチッピングによる
障害が発生するのを防止することが可能となる半導体ウ
エーハの切断方法の提供を目的としたものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエーハ
の切断方法は、固定テープに貼付した半導体ウエーハに
形成した半導体チップの間の不活性領域に、ブレードを
用いてこのブレードの幅の切断溝を形成してこの半導体
チップに分離する半導体ウエーハの切断方法において、
このブレードをこの切断溝の中心線上から一方向に移動
した後この半導体ウエーハの表面に第１次カット溝を形
成する工程と、このブレードをこの切断溝の中心線上か
らこの移動方向と逆方向に移動した後この半導体ウエー
ハの表面にこの溝と同じ深さの第２次カット溝を形成
し、この二つの溝からなり各溝より幅広な一体化した第
１の溝を形成する工程と、この切断溝の中心線上におい
て、この第１の溝内にそれより幅の狭い第２の溝を形成
する工程とを含むように構成する。

【００１０】

【作用】即ち本発明においては、図１に示すように１枚
のブレード３を用い、まず半導体ウエーハ１の不活性領
域1bに形成する切断溝のダイシング中心をずらせて第１
次カット中心にブレード３を移動して第１次カット溝1d
を形成し、つぎにダイシング中心を逆方向にずらせて第
２次カット中心にブレード３を移動して第２次カット溝
1eを形成した後、ブレード３をダイシング中心に移動し
て切断溝を半導体ウエーハ１の残部及び固定テープ２の
表面部に形成して半導体チップ1aに分割するので、この
切断溝の形成時に仮に半導体ウエーハ１に欠けが生じて
も、半導体チップ1aの表面に障害が及ぶのを防止するこ
とが可能となる。

【００１１】

【実施例】以下図１〜図２により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１及び図２は本発明による一実
施例の半導体ウエーハの切断方法を工程順に示す図であ
る。

【００１２】まず図１(a) に示すように、厚さ60μm の
ブレード３の中心をダイシング中心から20μm ずれた第
１次カット中心に合わせて深さ20μm の第１次カット溝
1dを形成する。

【００１３】つぎに図１(b)に示すように、ブレード３
の中心をダイシング中心から図１(a)とは逆方向に20μm
ずれた第２次カット中心に合わせて深さ20μm の第２
次カット溝1eを形成する。

【００１４】ついで図２(a) に示すように、ブレード３
の中心をダイシング中心に合わせ、半導体ウエーハ１の
残部と固定テープ２の表面部とを切削して半導体チップ
1aに分割する。

【００１５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な工程の変更により、唯一つのブレ
ードを用いて半導体ウエーハに形成した半導体チップに
分割し、切断溝の表面部にカット溝を形成しているので
半導体チップの表面の隅部に形成される欠けに起因する
障害の発生を防止することが可能となる利点があり、著
しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体
ウエーハの切断方法の提供が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による一実施例の半導体ウエーハの切
断方法を工程順に示す図(1) 、

【図２】 本発明による一実施例の半導体ウエーハの切
断方法を工程順に示す図(2) 、

【図３】 従来の半導体ウエーハの切断方法を示す図、

【図４】 従来の半導体ウエーハの切断方法の一つの問
題点を示す図、

【図5 】 従来の半導体ウエーハの他の切断方法を示す
図、

【符号の説明】

１は半導体ウエーハ、1aは半導体チップ、1bは不活性領
域、1cは切断溝、1dは第１次カット溝、1eは第２次カッ
ト溝、２は固定テープ、３はブレード、

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 固定テープ(2) に貼付した半導体ウエー
   ハ(1) に形成した半導体チップ(1a)の間の不活性領域(1
   b)に、ブレード(3)を用いて前記ブレード(3)の幅の切断
   溝(1c)を形成して前記半導体チップ(1a)に分離する半導
   体ウエーハの切断方法において、 前記ブレード(3) を前記切断溝(1c)の中心線上から一方
   向に移動した後、前記半導体ウエーハ(1) の表面に第１
   次カット溝(1d)を形成する工程と、 前記ブレード(3) を前記切断溝(1c)の中心線上から前記
   移動方向と逆方向に移動した後前記半導体ウエーハ(1)
   の表面に前記溝(1d)と同じ深さの第２次カット溝(1e)を
   形成し、前記二つの溝(1d,1e) からなり各溝(1d),(1e)
   より幅広な一体化した第１の溝を形成する工程と、 前記切断溝(1c)の中心線上において、前記第１の溝内に
   それより幅の狭い第２の溝を形成する工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウエーハの切断方法。