JPS6325276A - 窒化けい素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化けい素焼結体の製造方法Info
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- JPS6325276A JPS6325276A JP61162943A JP16294386A JPS6325276A JP S6325276 A JPS6325276 A JP S6325276A JP 61162943 A JP61162943 A JP 61162943A JP 16294386 A JP16294386 A JP 16294386A JP S6325276 A JPS6325276 A JP S6325276A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は耐熱性、耐食性などに優れたファインセラミッ
クスであるSi3N、焼結体の製造方法に関するもので
ある。
クスであるSi3N、焼結体の製造方法に関するもので
ある。
[従来の技術]
Si、N、焼結体を得る方法として、反応焼結法、常圧
焼結法、雰囲気焼結法等が行われている。
焼結法、雰囲気焼結法等が行われている。
反応焼結法は、Si粉末成形体を窒素雰囲気中1250
℃以上で窒化し、SL、N、焼結体を得る方法である。
℃以上で窒化し、SL、N、焼結体を得る方法である。
Siは約1420℃で溶融するため、焼結は数段に分け
て行う。即ち先ず1250℃以上、融点以下の温度で硬
く緻密なα−8i、N、骨格を形成させ、その後融点よ
りわずかに低いか、又は高い温度で残りのSiを窒化さ
せる。
て行う。即ち先ず1250℃以上、融点以下の温度で硬
く緻密なα−8i、N、骨格を形成させ、その後融点よ
りわずかに低いか、又は高い温度で残りのSiを窒化さ
せる。
常圧焼結法は、513N4粉体を焼結するが、SL、N
、自体は難焼結性であり、かつ焼結温度を高くすると、
SiとN2に解離するため、AQ20.。
、自体は難焼結性であり、かつ焼結温度を高くすると、
SiとN2に解離するため、AQ20.。
MgOなどの酸化物を焼結助剤として数%以上添加し、
Si、N4と焼結助剤から液相を生成させることにより
、1650℃〜1700℃の比較的低温度で焼結させる
方法である。しかしこの焼結温度でも、なお解離が起き
るため、緻密化が阻害される。この解離を少なくするた
め、Si、N4詰め粉中で焼結する方法がとられている
。これは詰め粉の解順によるN2ガスによって、成形体
のSi。
Si、N4と焼結助剤から液相を生成させることにより
、1650℃〜1700℃の比較的低温度で焼結させる
方法である。しかしこの焼結温度でも、なお解離が起き
るため、緻密化が阻害される。この解離を少なくするた
め、Si、N4詰め粉中で焼結する方法がとられている
。これは詰め粉の解順によるN2ガスによって、成形体
のSi。
N4の解離を抑えようとするものである。
雰囲気加圧焼結法は、雰囲気N2の圧力を高めてSi、
N4の解離を抑えるもので、焼結温度を高めることがで
きるので、焼結助剤を少なくでき、緻密で高温強度の高
い焼結体を得ることができる。
N4の解離を抑えるもので、焼結温度を高めることがで
きるので、焼結助剤を少なくでき、緻密で高温強度の高
い焼結体を得ることができる。
例えば、N、 10atm、焼結温度1800℃では、
理論密度の90数%のSi3N、焼結体を得ることがで
きる。
理論密度の90数%のSi3N、焼結体を得ることがで
きる。
しかしながら従来技術の問題点として反応焼結法は、N
2を固体又は融体のSiの内部まで拡散させ、反応させ
る必要があるため、焼結時間が長くかかる。また焼結に
よる収縮が殆どないため、焼結体中に15vo1%以上
の気孔が残り、強度や耐酸化性を高めるのが難しい。常
圧焼結法は反応焼結法に較べて、焼結時間は短縮できる
が、焼結助剤を添加するため、高温での機械的強度、例
えば曲げ強度が低下する。また成形体から、焼結体への
焼締り時の体積収縮率は、後述するように30〜50v
o1%にも達するため、焼結中に割れ、亀裂を生じたり
、或は歪を生じたりして、複雑な形状のものについては
、健全で高寸法精度の焼結体を得ることは困難である0
次に、雰囲気加圧焼結法は、N2加圧によってSi、N
4の解離反応を抑えるので、焼結温度を高くすることが
出来、また焼結助剤も低減できるので、高温強度のより
大きな焼結体を得ることが出来るが、成形体から焼結体
への体積の収縮は避けることができないので、常圧成形
法と同様30〜50%の焼成収縮が生じ。
2を固体又は融体のSiの内部まで拡散させ、反応させ
る必要があるため、焼結時間が長くかかる。また焼結に
よる収縮が殆どないため、焼結体中に15vo1%以上
の気孔が残り、強度や耐酸化性を高めるのが難しい。常
圧焼結法は反応焼結法に較べて、焼結時間は短縮できる
が、焼結助剤を添加するため、高温での機械的強度、例
えば曲げ強度が低下する。また成形体から、焼結体への
焼締り時の体積収縮率は、後述するように30〜50v
o1%にも達するため、焼結中に割れ、亀裂を生じたり
、或は歪を生じたりして、複雑な形状のものについては
、健全で高寸法精度の焼結体を得ることは困難である0
次に、雰囲気加圧焼結法は、N2加圧によってSi、N
4の解離反応を抑えるので、焼結温度を高くすることが
出来、また焼結助剤も低減できるので、高温強度のより
大きな焼結体を得ることが出来るが、成形体から焼結体
への体積の収縮は避けることができないので、常圧成形
法と同様30〜50%の焼成収縮が生じ。
高寸法精度の焼結体を得るには問題である。
[発明が解決しようとする問題点コ
本発明者らは、焼結時の収縮が少なく、かつ高密度のS
L、N4焼結体を得る方法について鋭意検討を行った。
L、N4焼結体を得る方法について鋭意検討を行った。
一般に高温構造部材として用いられる高品質のセラミッ
クスを得るためには、気孔が出来るだけ少ないこと、結
晶粒度が小さくそろっていることが必要である。そのた
め、これらの原料として粒度は0.1〜1μmの範囲内
で、できるたけ揃えて使用している。計算によれば、均
一の大きさの球の最密充填密度は約70%であるが、粒
子が10μm以下、特にサブミクロンになると粒子表面
の電荷の影響を受け、凝集を起すようになり、その粒度
および粒度分布から期待される最密充填度から大きく離
れてくる。例えば100kg/dの一軸プレスでの充填
率は50〜55%で、それにつづき7000kg/aJ
の静水圧プレスを用いても、充填率は60〜65%にと
どまり、理論最密充填までもっていくことは極めて困難
である。
クスを得るためには、気孔が出来るだけ少ないこと、結
晶粒度が小さくそろっていることが必要である。そのた
め、これらの原料として粒度は0.1〜1μmの範囲内
で、できるたけ揃えて使用している。計算によれば、均
一の大きさの球の最密充填密度は約70%であるが、粒
子が10μm以下、特にサブミクロンになると粒子表面
の電荷の影響を受け、凝集を起すようになり、その粒度
および粒度分布から期待される最密充填度から大きく離
れてくる。例えば100kg/dの一軸プレスでの充填
率は50〜55%で、それにつづき7000kg/aJ
の静水圧プレスを用いても、充填率は60〜65%にと
どまり、理論最密充填までもっていくことは極めて困難
である。
この計算は、球を用いた場合であるが、実際の粒子は多
角形、場合によっては針状をも含む。形状が球形から離
れるにしたがって、充填率が低下することは経験的に知
られている。一般に、セラミックスの成形体の密度は5
0〜70%程度である。
角形、場合によっては針状をも含む。形状が球形から離
れるにしたがって、充填率が低下することは経験的に知
られている。一般に、セラミックスの成形体の密度は5
0〜70%程度である。
SL、N、の焼結に際しても、上述のように焼成収縮が
50〜3Qvo1%生じるため、焼成体に割れを生じた
り、歪みを生じたりして、高寸法精度の焼結体を得るこ
とは困難である。
50〜3Qvo1%生じるため、焼成体に割れを生じた
り、歪みを生じたりして、高寸法精度の焼結体を得るこ
とは困難である。
本発明は、ポリサイラゼン(P olysilazan
e)を成形体のSi、N、粒子間に充填し、かつN2加
圧下で焼成することにより焼成収縮を少なくして、高密
度、高寸法精度のSL、N4焼結体を得る方法を達成し
たものである。
e)を成形体のSi、N、粒子間に充填し、かつN2加
圧下で焼成することにより焼成収縮を少なくして、高密
度、高寸法精度のSL、N4焼結体を得る方法を達成し
たものである。
ポリサイラゼンは、N2加圧下で焼成するとSi。
N4を生成するが室温近辺では、有機溶媒に可溶であり
、また加熱軟化するなど、有機高分子の性質を有してい
る。そこでこれを利用してSi、N4成形体粒子間隙に
充填させるものである(第1図)。
、また加熱軟化するなど、有機高分子の性質を有してい
る。そこでこれを利用してSi、N4成形体粒子間隙に
充填させるものである(第1図)。
加熱時のポリサイラゼンからのSi、N4の収率は約8
0%であるので、ポリサイラゼンの密度1゜0g/cx
1.生成するSi、N、の密度3.20g/adとする
と、成形体の30〜50vo1%を占めててた空隙部は
、ポリサイラゼンの充填によって、22゜5〜37.5
vo1%に減少する。
0%であるので、ポリサイラゼンの密度1゜0g/cx
1.生成するSi、N、の密度3.20g/adとする
と、成形体の30〜50vo1%を占めててた空隙部は
、ポリサイラゼンの充填によって、22゜5〜37.5
vo1%に減少する。
なお、熱間押出し、射出成形などの場合は、従来用いら
れている有機高分子例えばエチルビニルアセテートを混
合して併用することも可能であるが、この場合は、その
有機高分子を添加した分だけセラミックス化する址が減
じるので、成形体の実質的充填度は低下する。
れている有機高分子例えばエチルビニルアセテートを混
合して併用することも可能であるが、この場合は、その
有機高分子を添加した分だけセラミックス化する址が減
じるので、成形体の実質的充填度は低下する。
本発明はこの様に、ポリサイラゼンの空隙充填機能、及
びセラミックス化する性質を利用して。
びセラミックス化する性質を利用して。
高寸法精度、高密度なSL、N、焼結体を得る方法を達
成したものである。
成したものである。
[問題点を解決するための手段、作用]゛本発明は、5
13N4粉末と焼結助剤およびポリサイラゼンから成る
成形体を、Si、N4の解離を防止し、かつSiCの生
成を抑制するためN2加圧下で、1650℃〜2200
℃で焼結する窒化けい素焼粘体の製造方法である。
13N4粉末と焼結助剤およびポリサイラゼンから成る
成形体を、Si、N4の解離を防止し、かつSiCの生
成を抑制するためN2加圧下で、1650℃〜2200
℃で焼結する窒化けい素焼粘体の製造方法である。
以下に詳細に説明する。
SL、N4粉末は、従来使用しているものでよいが、粒
が小さく、粒径がそろっているものが好ましい。粒は1
μm以下がより好ましい。焼結助剤はBe、 Mg、
A Q 、 Yおよび希土類元素の酸化物や窒化物であ
る。添加量は10重量%以下で、焼結可能な範囲で少な
い方がよい。好ましくは5重量%以下である。
が小さく、粒径がそろっているものが好ましい。粒は1
μm以下がより好ましい。焼結助剤はBe、 Mg、
A Q 、 Yおよび希土類元素の酸化物や窒化物であ
る。添加量は10重量%以下で、焼結可能な範囲で少な
い方がよい。好ましくは5重量%以下である。
ポリサイラゼンはシランとアンモニアの主原料から合成
される有機金属ポリマーであり、分子式あるいは分子構
造は製造方法により異なり一定していない、しかしいず
れも不活性雰囲気中で焼成すると一般的にSi、N4お
よびCがセラミックス化し残る。Cは原料として用いる
シラン、例えばRS iHCQ t (ここにR=アル
キル基又はアリル基)からくるがSiH,CQ、を用い
ればCを含まないポリサイラゼンが得られる。しかしこ
の場合のポリサイラゼンのセラミックス収率は非常に低
くなす、本発明に用いるポリサイラゼンとしては好まし
くない、上に述べたようにポリサイラゼンのセラミック
ス収率はいろいろ異なり10数%から80数%におよぶ
。
される有機金属ポリマーであり、分子式あるいは分子構
造は製造方法により異なり一定していない、しかしいず
れも不活性雰囲気中で焼成すると一般的にSi、N4お
よびCがセラミックス化し残る。Cは原料として用いる
シラン、例えばRS iHCQ t (ここにR=アル
キル基又はアリル基)からくるがSiH,CQ、を用い
ればCを含まないポリサイラゼンが得られる。しかしこ
の場合のポリサイラゼンのセラミックス収率は非常に低
くなす、本発明に用いるポリサイラゼンとしては好まし
くない、上に述べたようにポリサイラゼンのセラミック
ス収率はいろいろ異なり10数%から80数%におよぶ
。
本発明にはセラミックス収率の高いものが望ましく、具
体的には米国特許4482669号明細書により合成さ
れたものが望ましく、そのセラミックス収率は70〜8
5%を有しており、その分子式の一例として(CH,5
iHNH)。−4−(CH3SiHNCHi)o−oi
(CH3SIN)a−szがある。
体的には米国特許4482669号明細書により合成さ
れたものが望ましく、そのセラミックス収率は70〜8
5%を有しており、その分子式の一例として(CH,5
iHNH)。−4−(CH3SiHNCHi)o−oi
(CH3SIN)a−szがある。
添加量は圧粉成形体の粒子間隙を充填する量であるが、
概略50〜3Qvo1%である。
概略50〜3Qvo1%である。
焼結温度は1650℃〜22oo℃である。1650℃
より低い温度では焼結所要時間が長くなり。
より低い温度では焼結所要時間が長くなり。
焼結助剤の量も増すことになるので好ましくない。
焼結温度が高いと、結晶粒が粗大化して、強度の低下を
招くが、本杭ではポリサイラゼンから生成する513N
4が結晶粒粗大化抑制作用があるので、2200℃でも
余り結晶粒は大きくならず緻密な焼結体が得られる。し
かし高温物性の優れた焼結体を得るためには、焼結助剤
を少なくし、かつ結晶粒度を微細に維持する必要があり
、この点からは1800℃〜21oo℃が好まシイ。
招くが、本杭ではポリサイラゼンから生成する513N
4が結晶粒粗大化抑制作用があるので、2200℃でも
余り結晶粒は大きくならず緻密な焼結体が得られる。し
かし高温物性の優れた焼結体を得るためには、焼結助剤
を少なくし、かつ結晶粒度を微細に維持する必要があり
、この点からは1800℃〜21oo℃が好まシイ。
N2圧は、Si、N、が解離を生じず、かつポリサイラ
ゼンから生成するSL、N4とCからSiCが生成しな
いN2圧を選択する。ポリサイラゼンの熱分解挙動につ
いては1次に詳細に説明する。
ゼンから生成するSL、N4とCからSiCが生成しな
いN2圧を選択する。ポリサイラゼンの熱分解挙動につ
いては1次に詳細に説明する。
ポリサイラゼンは大気雰囲気下で徐々に加熱していくと
、150〜200℃付近から分解が起りはシメ、主にH
,、CH,が発生し、7oo℃付近まで続<、700”
C以上では、黒いセラミック体が得られ、その後の重量
減少は殆どない。黒色となるのはポリサイラゼンから生
成した遊離Cによるものである。セラミックとしての収
量は用いるポリサイラゼンの70〜80%である。さら
に加熱するとα−813N4の結晶相が析出する。そこ
でさらにN2雰囲気中で加熱すると、徐々にα−5i3
N4の結晶相が増加し、1500℃付近よりα−8i。
、150〜200℃付近から分解が起りはシメ、主にH
,、CH,が発生し、7oo℃付近まで続<、700”
C以上では、黒いセラミック体が得られ、その後の重量
減少は殆どない。黒色となるのはポリサイラゼンから生
成した遊離Cによるものである。セラミックとしての収
量は用いるポリサイラゼンの70〜80%である。さら
に加熱するとα−813N4の結晶相が析出する。そこ
でさらにN2雰囲気中で加熱すると、徐々にα−5i3
N4の結晶相が増加し、1500℃付近よりα−8i。
N4相は減少しはじめ、β−3iC相が生成、増加しは
じめる。1500℃以上でも雰囲気のN2圧を高めたと
ころ、SiCの生成を抑制出来ることが判明した。しか
しながら更に温度を高めたところ、再びSiCが生成し
たので、更にN2圧を高めたところ再びSiCの生成を
抑制することができた。即ちN2圧が高い程、より高臥
までSiCを生成させずに昇温できることが判明した。
じめる。1500℃以上でも雰囲気のN2圧を高めたと
ころ、SiCの生成を抑制出来ることが判明した。しか
しながら更に温度を高めたところ、再びSiCが生成し
たので、更にN2圧を高めたところ再びSiCの生成を
抑制することができた。即ちN2圧が高い程、より高臥
までSiCを生成させずに昇温できることが判明した。
このことは1次の熱力学計算によってもその正当性が裏
付けられた。ポリサイラゼンの熱分解生成物は、主にS
i、N、、SiC,Cであるので、次の反応式からN2
圧と温度との関係を計算した。
付けられた。ポリサイラゼンの熱分解生成物は、主にS
i、N、、SiC,Cであるので、次の反応式からN2
圧と温度との関係を計算した。
Si3N、+3G=38iC+2N。
QnPN2=1/2QnK=ΔGo/RTKは反応の平
衡定数、ΔGOは反応の自由エネルギー、P ’N 2
はN2圧力、Tは絶対温度、Rは気体定数である。平衡
定数に文献に記載されている値を用いて計算した結果、
焼結温度を高くする場合は、N2分圧を高めると、Si
Cの生成を抑制できることが判明した。
衡定数、ΔGOは反応の自由エネルギー、P ’N 2
はN2圧力、Tは絶対温度、Rは気体定数である。平衡
定数に文献に記載されている値を用いて計算した結果、
焼結温度を高くする場合は、N2分圧を高めると、Si
Cの生成を抑制できることが判明した。
本発明はこのように、ポリサイラゼンを使用することに
よって、成形体の空隙を充填して、焼結時の体積収縮を
軽減し、N2加圧することによって、ポリサイラゼンか
ら生成するSi、N4のSiCへの転換を防止するとと
もに、ポリサイラゼンから生成するSi、N、によって
結晶粒の粗大化が防止できるため、Si、N4のより高
温焼結体の製造を可能としたものである。
よって、成形体の空隙を充填して、焼結時の体積収縮を
軽減し、N2加圧することによって、ポリサイラゼンか
ら生成するSi、N4のSiCへの転換を防止するとと
もに、ポリサイラゼンから生成するSi、N、によって
結晶粒の粗大化が防止できるため、Si、N4のより高
温焼結体の製造を可能としたものである。
[実施例コ
(1)α−3i、N、粉末(東洋曹達工業社製平均粒度
0.6 p+) 71.4重量%、MgO粉末(岩谷化
学工業製、平均粒度0.8μm)4.8重量%に23.
8重量%のポリサイラゼンをTHF (テトラヒドロフ
ラン)溶液で加え混練し真空乾燥してα−5i、N4粉
末とMgO粉末およびポリサイラゼンの均一に分散した
粉末を得た。その粉末を140℃に加熱した断面積5Q
X5Q+n+aの鉄製の金型に入れ真空に脱気した後1
000kg/cdで一軸加圧成形し緻密な50X50X
7mmの成形体を得た。
0.6 p+) 71.4重量%、MgO粉末(岩谷化
学工業製、平均粒度0.8μm)4.8重量%に23.
8重量%のポリサイラゼンをTHF (テトラヒドロフ
ラン)溶液で加え混練し真空乾燥してα−5i、N4粉
末とMgO粉末およびポリサイラゼンの均一に分散した
粉末を得た。その粉末を140℃に加熱した断面積5Q
X5Q+n+aの鉄製の金型に入れ真空に脱気した後1
000kg/cdで一軸加圧成形し緻密な50X50X
7mmの成形体を得た。
その成形体をBNを塗布した黒鉛るつぼに入れSi3N
4の詰め粉をした。焼成は1気圧窒素雰囲気で5℃/h
rで700”Cまで昇温しポリサイラゼンからの揮発分
を除去しその後10 ℃/ minで1650℃まで昇
温した。1650℃で窒素の圧力を65気圧に昇圧した
。その後圧力を65気圧に保ちながら10℃/lll1
nで1900℃まで昇温、1時間保持し、20℃/mi
nで室温まで冷却した。
4の詰め粉をした。焼成は1気圧窒素雰囲気で5℃/h
rで700”Cまで昇温しポリサイラゼンからの揮発分
を除去しその後10 ℃/ minで1650℃まで昇
温した。1650℃で窒素の圧力を65気圧に昇圧した
。その後圧力を65気圧に保ちながら10℃/lll1
nで1900℃まで昇温、1時間保持し、20℃/mi
nで室温まで冷却した。
焼成体の密度は99%TD (真比重)で常温での曲げ
強度は78 kg f /mm”であった。
強度は78 kg f /mm”であった。
(2)実施例1の要領で作成した成形体を実施例1の要
領で1650℃まで昇温しだのも窒素雰囲気の圧力を3
0気圧に昇圧した。その後圧力を30気圧に保ちながら
10℃/minで1700 ℃まで昇温し、2時間保持
し、20℃/ll1inで置皿まで冷却した。焼成体の
密度は94%TDで常温での曲げ強度は65 kg f
/mm”であった・(3)実施例1の要領で作成した
成形体を実施例1の要領で1650℃まで昇温したのち
窒素雰囲気の圧力100気圧まで昇温した。その後圧力
を100気圧に保ちながら10℃/minで2150℃
まで昇温し30分間保持したのち20℃/minで室温
まで冷却した。焼成体の密度は96%TDで常温での曲
げ強度は65 kg f /in”であった。
領で1650℃まで昇温しだのも窒素雰囲気の圧力を3
0気圧に昇圧した。その後圧力を30気圧に保ちながら
10℃/minで1700 ℃まで昇温し、2時間保持
し、20℃/ll1inで置皿まで冷却した。焼成体の
密度は94%TDで常温での曲げ強度は65 kg f
/mm”であった・(3)実施例1の要領で作成した
成形体を実施例1の要領で1650℃まで昇温したのち
窒素雰囲気の圧力100気圧まで昇温した。その後圧力
を100気圧に保ちながら10℃/minで2150℃
まで昇温し30分間保持したのち20℃/minで室温
まで冷却した。焼成体の密度は96%TDで常温での曲
げ強度は65 kg f /in”であった。
なお、実施例1,2,3.の焼結体をX線分析したとこ
ろ、いづれもβ−5i、N、のみが検出され、SiCは
検出されなかった。
ろ、いづれもβ−5i、N、のみが検出され、SiCは
検出されなかった。
(4)実施例1の要領で作成した成形体を実施例1の要
領で1650℃まで昇温したのち窒素雰囲気の圧力を1
0気圧に昇圧した。その後圧力を10気圧に保ったまま
10℃/minで1800℃まで昇温し2時間保持した
のち20 ℃/ minで室温まで冷却した。焼成体の
密度は89%で常温での曲げ強度は50 kg f /
winで良好な焼結体は得られなかった。
領で1650℃まで昇温したのち窒素雰囲気の圧力を1
0気圧に昇圧した。その後圧力を10気圧に保ったまま
10℃/minで1800℃まで昇温し2時間保持した
のち20 ℃/ minで室温まで冷却した。焼成体の
密度は89%で常温での曲げ強度は50 kg f /
winで良好な焼結体は得られなかった。
(5)実施例1と同じα−3i、N4粉末およびMgO
をそれぞれ95重量%、5重量%配合し混練した。
をそれぞれ95重量%、5重量%配合し混練した。
断面vt50X50mmの鉄製の金型に入れ100kg
/m、2で一軸加圧成形し、その後7000kg/al
tの静水圧プレスをして密度62%TDの成形体を得た
。その成形体をBNを塗布した黒鉛るつぼに入れSi、
N4の詰め粉をした。焼成は1気圧窒素雰囲気で10℃
/winで1650℃まで昇温した。
/m、2で一軸加圧成形し、その後7000kg/al
tの静水圧プレスをして密度62%TDの成形体を得た
。その成形体をBNを塗布した黒鉛るつぼに入れSi、
N4の詰め粉をした。焼成は1気圧窒素雰囲気で10℃
/winで1650℃まで昇温した。
1650℃に2時間保持し、20 ”C/ winで室
温まで冷却した。焼成体の密度は80%TDで常温での
曲げ強度は40 kg f /minであった。
温まで冷却した。焼成体の密度は80%TDで常温での
曲げ強度は40 kg f /minであった。
[発明の効果]
本発明は焼成によって高収率でセラミックス化するポリ
サイラゼンをSL、N、粒子間隙に充填することによっ
て成形体の密度を高めることができること、ポリサイラ
ゼンから生成されるSi、N4が結晶粒の成長を抑制す
る作用のあること、および雰囲気加圧焼結法を用いてい
ることにより、■焼成収縮が少なくなり、亀裂、欠損の
ない高密度焼成体が得られる。■歪みがなく寸法精度が
高い。
サイラゼンをSL、N、粒子間隙に充填することによっ
て成形体の密度を高めることができること、ポリサイラ
ゼンから生成されるSi、N4が結晶粒の成長を抑制す
る作用のあること、および雰囲気加圧焼結法を用いてい
ることにより、■焼成収縮が少なくなり、亀裂、欠損の
ない高密度焼成体が得られる。■歪みがなく寸法精度が
高い。
■焼結助剤の量を減らせるので高温強度が高い。
■高温で焼結できるので焼結時間が短い、等の特徴を有
する。
する。
第1図は成形体の模式図である。
Claims (1)
- 窒化けい素粉末と窒化けい素の焼結助剤およびポリサ
イラゼンからなる成形体をN_2加圧下で1650℃〜
2200℃で焼結する窒化けい素焼結体の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162943A JPS6325276A (ja) | 1986-07-12 | 1986-07-12 | 窒化けい素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61162943A JPS6325276A (ja) | 1986-07-12 | 1986-07-12 | 窒化けい素焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6325276A true JPS6325276A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15764202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61162943A Pending JPS6325276A (ja) | 1986-07-12 | 1986-07-12 | 窒化けい素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6325276A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02102171A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Nichias Corp | セラミックス焼成補助具および耐火物 |
EP0372382A2 (de) * | 1988-12-03 | 1990-06-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Sinterfähiges Keramikpulver, Verfahren zu seiner Herstellung, daraus hergestellte Siliziumnitridkeramik, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
-
1986
- 1986-07-12 JP JP61162943A patent/JPS6325276A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02102171A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Nichias Corp | セラミックス焼成補助具および耐火物 |
JPH0543660B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1993-07-02 | Nichias Corp | |
EP0372382A2 (de) * | 1988-12-03 | 1990-06-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Sinterfähiges Keramikpulver, Verfahren zu seiner Herstellung, daraus hergestellte Siliziumnitridkeramik, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung |
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