JPH09227233A - 炭化けい素焼結体の製造方法 - Google Patents
炭化けい素焼結体の製造方法Info
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- JPH09227233A JPH09227233A JP8052552A JP5255296A JPH09227233A JP H09227233 A JPH09227233 A JP H09227233A JP 8052552 A JP8052552 A JP 8052552A JP 5255296 A JP5255296 A JP 5255296A JP H09227233 A JPH09227233 A JP H09227233A
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 48
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011271 tar pitch Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼結助材を添加し焼成する炭化けい素焼結体
の製造方法では、充分緻密に焼結できないこと。 【解決手段】 ＳｉＣ粉末に焼結助材であるＭｇＡｌ2
Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末を添加して成形し、その成形体を常
圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい素焼結体の
製造方法にあって、該不活性ガス中で焼成する方法を、
ＳｉＣ粉末又はＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ
2Ｏ3粉末を添加した粉末にＳｉＣ成形体を埋設して、あ
るいはＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ2Ｏ3粉末
を添加した粉末をＳｉＣ成形体の周囲に配設して焼成す
る方法とした炭化けい素焼結体の製造方法。
の製造方法では、充分緻密に焼結できないこと。 【解決手段】 ＳｉＣ粉末に焼結助材であるＭｇＡｌ2
Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末を添加して成形し、その成形体を常
圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい素焼結体の
製造方法にあって、該不活性ガス中で焼成する方法を、
ＳｉＣ粉末又はＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ
2Ｏ3粉末を添加した粉末にＳｉＣ成形体を埋設して、あ
るいはＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ2Ｏ3粉末
を添加した粉末をＳｉＣ成形体の周囲に配設して焼成す
る方法とした炭化けい素焼結体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化けい素焼結体
の製造方法に関し、特に常圧又は加圧不活性ガス中で焼
成する炭化けい素焼結体の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に常圧又は加圧不活性ガス中で焼
成する炭化けい素焼結体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化けい素（ＳｉＣ）セラミックスは、
熱伝導性、耐酸化性、耐薬品性に優れているため、種々
の用途に応用されている。このＳｉＣセラミックスは、
難焼結性であるため、一般に、焼結助材としてＢ、Ｃ等
を添加し２０００℃以上の極めて高い温度で焼成されて
作製されている。そのため、焼成温度を下げるべく、比
較的低温で焼結できるＭｇＡｌ2Ｏ4、Ｙ2Ｏ3等を焼結助
材として添加し焼成する方法が提案されている。
熱伝導性、耐酸化性、耐薬品性に優れているため、種々
の用途に応用されている。このＳｉＣセラミックスは、
難焼結性であるため、一般に、焼結助材としてＢ、Ｃ等
を添加し２０００℃以上の極めて高い温度で焼成されて
作製されている。そのため、焼成温度を下げるべく、比
較的低温で焼結できるＭｇＡｌ2Ｏ4、Ｙ2Ｏ3等を焼結助
材として添加し焼成する方法が提案されている。
【０００３】しかし、この方法は、従来より低温で焼成
できるメリットはあるが、添加した焼結助材がＳｉＣと
一部反応してＡｌ、Ｍｇ等の分解ガスが発生し成形体外
へ揮散するため、焼結助材としての機能を減ぜられ、焼
結体を充分に緻密化するには至らなかった。
できるメリットはあるが、添加した焼結助材がＳｉＣと
一部反応してＡｌ、Ｍｇ等の分解ガスが発生し成形体外
へ揮散するため、焼結助材としての機能を減ぜられ、焼
結体を充分に緻密化するには至らなかった。
【０００４】一方、上記用途の内半導体分野の用途にお
いては、最近半導体の高純度化により製造設備に組み込
まれている各種部品に脱着するパーティクル、水分等に
よる汚染を防ぐため、より緻密なＳｉＣセラミックスが
要求されている。
いては、最近半導体の高純度化により製造設備に組み込
まれている各種部品に脱着するパーティクル、水分等に
よる汚染を防ぐため、より緻密なＳｉＣセラミックスが
要求されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た焼結助材を添加し焼成するＳｉＣセラミックスでは、
いずれもこの要求に応えられるほど緻密化が充分でない
という問題があった。そのため、ＣＶＤ等を利用し焼結
体表面にＳｉＣ膜を形成して表面だけを緻密化するコー
ティング法や、あるいは高温にさらに高圧を加えて緻密
化する熱間静水圧（ＨＩＰ）処理する方法が採られてい
るが、これらの方法では非常に高価なものとなってい
る。
た焼結助材を添加し焼成するＳｉＣセラミックスでは、
いずれもこの要求に応えられるほど緻密化が充分でない
という問題があった。そのため、ＣＶＤ等を利用し焼結
体表面にＳｉＣ膜を形成して表面だけを緻密化するコー
ティング法や、あるいは高温にさらに高圧を加えて緻密
化する熱間静水圧（ＨＩＰ）処理する方法が採られてい
るが、これらの方法では非常に高価なものとなってい
る。
【０００６】本発明は、上述した従来の炭化けい素焼結
体の製造方法が有する課題に鑑みなされたものであっ
て、その目的は、焼結助材を添加し焼成する製造方法
で、しかもその焼結助材がＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3であ
っても充分緻密に焼結できる炭化けい素焼結体の製造方
法を提供することにある。
体の製造方法が有する課題に鑑みなされたものであっ
て、その目的は、焼結助材を添加し焼成する製造方法
で、しかもその焼結助材がＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3であ
っても充分緻密に焼結できる炭化けい素焼結体の製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するため鋭意研究した結果、ＳｉＣ粉末又はＳｉ
Ｃ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ2Ｏ3粉末を添加した
粉末を雰囲気粉末として用いて焼成すれば、充分に緻密
な炭化けい素焼結体が得られるとの知見を得て本発明を
完成した。
を達成するため鋭意研究した結果、ＳｉＣ粉末又はＳｉ
Ｃ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ2Ｏ3粉末を添加した
粉末を雰囲気粉末として用いて焼成すれば、充分に緻密
な炭化けい素焼結体が得られるとの知見を得て本発明を
完成した。
【０００８】即ち本発明は、ＳｉＣ粉末に焼結助材であ
るＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末を添加して成形し、その
成形体を常圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい
素焼結体の製造方法において、該不活性ガス中で焼成す
る方法が、ＳｉＣ粉末又はＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及
び／又はＹ2Ｏ3粉末を添加した粉末にＳｉＣ成形体を埋
設して、あるいはＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又は
Ｙ2Ｏ3粉末を添加した粉末をＳｉＣ成形体の周囲に配設
して焼成する方法であることを特徴とする炭化けい素焼
結体の製造方法とすることを要旨とする。以下、さらに
詳細に説明する。
るＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末を添加して成形し、その
成形体を常圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい
素焼結体の製造方法において、該不活性ガス中で焼成す
る方法が、ＳｉＣ粉末又はＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及
び／又はＹ2Ｏ3粉末を添加した粉末にＳｉＣ成形体を埋
設して、あるいはＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又は
Ｙ2Ｏ3粉末を添加した粉末をＳｉＣ成形体の周囲に配設
して焼成する方法であることを特徴とする炭化けい素焼
結体の製造方法とすることを要旨とする。以下、さらに
詳細に説明する。
【０００９】焼結助材を加えたＳｉＣ粉末を雰囲気粉末
として用いるのは、この雰囲気粉末からも前記したと同
様にＡｌ、Ｍｇ等の分解ガスが発生することを利用し
て、粉末から発生したガスによって成形体周囲に存在す
る分解ガスの蒸気圧を高めることにあり、それによって
成形体からの分解ガスの揮散を抑え、緻密に焼結できる
ようにしたものである。この雰囲気粉末の配置について
は、成形体を埋設して配置してもよいのは勿論のこと、
この粉末を成形体の周りに配設しても充分効果がみられ
る。
として用いるのは、この雰囲気粉末からも前記したと同
様にＡｌ、Ｍｇ等の分解ガスが発生することを利用し
て、粉末から発生したガスによって成形体周囲に存在す
る分解ガスの蒸気圧を高めることにあり、それによって
成形体からの分解ガスの揮散を抑え、緻密に焼結できる
ようにしたものである。この雰囲気粉末の配置について
は、成形体を埋設して配置してもよいのは勿論のこと、
この粉末を成形体の周りに配設しても充分効果がみられ
る。
【００１０】一方、焼結助材を含まないＳｉＣ粉末が雰
囲気粉末として用いることができるのは、成形体を埋設
して用いる場合、成形体から発生した分解ガスが成形体
の周りを覆っているＳｉＣ粉末に保持されると同時に、
ＳｉＣ粉末によって粉末の外に逃げるのが抑えられるこ
とにより、成形体周囲の分解ガスの蒸気圧が高まり、上
述と同様に成形体からの分解ガスの揮散が抑えられるも
のと思われる。従って、成形体周囲に配設するだけでは
充分な効果が発揮できず、また、砥粒のような粗い粉末
では埋設しても成形体から発生する分解ガスを閉じこめ
ることができないため、これも充分な効果は発揮できな
い。
囲気粉末として用いることができるのは、成形体を埋設
して用いる場合、成形体から発生した分解ガスが成形体
の周りを覆っているＳｉＣ粉末に保持されると同時に、
ＳｉＣ粉末によって粉末の外に逃げるのが抑えられるこ
とにより、成形体周囲の分解ガスの蒸気圧が高まり、上
述と同様に成形体からの分解ガスの揮散が抑えられるも
のと思われる。従って、成形体周囲に配設するだけでは
充分な効果が発揮できず、また、砥粒のような粗い粉末
では埋設しても成形体から発生する分解ガスを閉じこめ
ることができないため、これも充分な効果は発揮できな
い。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明をさらに詳細に述べると、
先ずＳｉＣ粉末に焼結助材であるＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2
Ｏ3粉末を所要量添加した原料粉末を慣用の方法、例え
ばボールミル、アトリッション型ミル等で湿式混合して
乾燥する。ＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末の添加量は、そ
れぞれ２〜１５ｗｔ％の範囲が適当であり、少なすぎて
は焼結助材としての効果は少なく、多すぎてもＳｉＣと
しての性状が悪くなる。
先ずＳｉＣ粉末に焼結助材であるＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2
Ｏ3粉末を所要量添加した原料粉末を慣用の方法、例え
ばボールミル、アトリッション型ミル等で湿式混合して
乾燥する。ＭｇＡｌ2Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末の添加量は、そ
れぞれ２〜１５ｗｔ％の範囲が適当であり、少なすぎて
は焼結助材としての効果は少なく、多すぎてもＳｉＣと
しての性状が悪くなる。
【００１２】次いで、乾燥した原料粉末を慣用の方法、
例えばＣＩＰ成形、射出成形、押出成形法等により成形
する。用いる雰囲気粉末は、特別に調製する必要はな
く、ＳｉＣ粉末、あるいはＳｉＣ粉末に焼結助材を添加
した原料粉末をそのまま用いればよいので、その雰囲気
粉末をカーボン製等のルツボ内に入れてＳｉＣ成形体を
埋設、あるいは成形体の周囲に配設した後、常圧又は加
圧したＡｒなどの不活性ガス中で１７００〜２０００℃
の温度で焼成する。焼成温度は、１７００℃より低い温
度では、緻密化が充分でなく、２０００℃を超えると分
解ガスの揮散が激しくなり緻密化が妨げられる。
例えばＣＩＰ成形、射出成形、押出成形法等により成形
する。用いる雰囲気粉末は、特別に調製する必要はな
く、ＳｉＣ粉末、あるいはＳｉＣ粉末に焼結助材を添加
した原料粉末をそのまま用いればよいので、その雰囲気
粉末をカーボン製等のルツボ内に入れてＳｉＣ成形体を
埋設、あるいは成形体の周囲に配設した後、常圧又は加
圧したＡｒなどの不活性ガス中で１７００〜２０００℃
の温度で焼成する。焼成温度は、１７００℃より低い温
度では、緻密化が充分でなく、２０００℃を超えると分
解ガスの揮散が激しくなり緻密化が妨げられる。
【００１３】以上の方法で炭化けい素焼結体を製造すれ
ば、密度の高い緻密な焼結体を得ることができる。
ば、密度の高い緻密な焼結体を得ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
【００１５】（実施例１〜７） （１）炭化けい素成形体の作製 ＳｉＣ粉末（シュタルク社製、平均粒径０．４μｍ）
に、Ｙ2Ｏ3粉末（信越化学工業社製、スタンダードタイ
プ、平均粒径３．０μｍ）及びＭｇＡｌ2Ｏ4粉末（岩谷
社製、ＳＰ−１２、平均粒径２．０μｍ）を表１に示す
割合で添加し、ＳｉＣ製ボールを充填した樹脂製ポット
ミルでメタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥し
た後乳鉢で解碎して原料粉末を作製した。この原料粉末
をφ５０×ｔ１０にプレス成形した後、１５０ＭＰａの
圧力でＣＩＰ成形した。
に、Ｙ2Ｏ3粉末（信越化学工業社製、スタンダードタイ
プ、平均粒径３．０μｍ）及びＭｇＡｌ2Ｏ4粉末（岩谷
社製、ＳＰ−１２、平均粒径２．０μｍ）を表１に示す
割合で添加し、ＳｉＣ製ボールを充填した樹脂製ポット
ミルでメタノールを溶媒として２４時間混合し、乾燥し
た後乳鉢で解碎して原料粉末を作製した。この原料粉末
をφ５０×ｔ１０にプレス成形した後、１５０ＭＰａの
圧力でＣＩＰ成形した。
【００１６】（２）雰囲気粉末の作製 前記した原料粉末及びＳｉＣ単味の粉末を雰囲気粉末と
して用いる他に、雰囲気粉末の効果を確かめるため、特
別にＹ2Ｏ3粉末又はＭｇＡｌ2Ｏ4粉末を表１に示す割合
で添加し混合、乾燥して雰囲気粉末を作製した。
して用いる他に、雰囲気粉末の効果を確かめるため、特
別にＹ2Ｏ3粉末又はＭｇＡｌ2Ｏ4粉末を表１に示す割合
で添加し混合、乾燥して雰囲気粉末を作製した。
【００１７】（３）炭化けい素焼結体の作製 作製したＳｉＣ成形体をカーボン製のルツボ内に入れ、
そのルツボ内に表１に示す雰囲気粉末を表１に示す配置
で入れて常圧のＡｒ中で表１に示す焼成温度で３時間保
持して焼結した。
そのルツボ内に表１に示す雰囲気粉末を表１に示す配置
で入れて常圧のＡｒ中で表１に示す焼成温度で３時間保
持して焼結した。
【００１８】（４）評価 得られた焼結体を＃６００のダイヤモンド砥石で研削
し、これよりＪＩＳ曲げ試験片を切り出した後、１／２
μｍのダイヤモンド砥粒で研磨し、アルキメデス法によ
り嵩密度を測定して相対密度を求めた。それらの結果を
表１に示す。
し、これよりＪＩＳ曲げ試験片を切り出した後、１／２
μｍのダイヤモンド砥粒で研磨し、アルキメデス法によ
り嵩密度を測定して相対密度を求めた。それらの結果を
表１に示す。
【００１９】（比較例１〜３）比較のために、比較例１
では雰囲気粉末を用いない他は、比較例２では雰囲気粉
末としてＳｉＣ単味の粉末を配設して用いる他は実施例
と同じく焼結体を作製し、評価した。また、比較例３で
は実施例で用いたＳｉＣ粉末に、Ｂ4Ｃ粉末及び溶解し
たタールピッチをＣ換算で表１に示す量だけ添加した他
は実施例と同様に焼結体を作製し、評価した。それらの
結果を表１に示す。
では雰囲気粉末を用いない他は、比較例２では雰囲気粉
末としてＳｉＣ単味の粉末を配設して用いる他は実施例
と同じく焼結体を作製し、評価した。また、比較例３で
は実施例で用いたＳｉＣ粉末に、Ｂ4Ｃ粉末及び溶解し
たタールピッチをＣ換算で表１に示す量だけ添加した他
は実施例と同様に焼結体を作製し、評価した。それらの
結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１〜７に
おいては、相対密度がいずれも９８．０％以上の緻密な
焼結体となっている。
おいては、相対密度がいずれも９８．０％以上の緻密な
焼結体となっている。
【００２２】これに対して比較例１では、雰囲気粉末を
用いていないので、相対密度が大きく低下している。ま
た、比較例２では雰囲気粉末を用いているが、その粉末
がＳｉＣ単味で、かつ成形体を埋設していないので、相
対密度が実施例より低下している。さらに、従来の焼結
助材を用いた比較例３では、２０００℃以上の高温でな
いと焼結できなく、相対密度も実施例に及ばなかった。
用いていないので、相対密度が大きく低下している。ま
た、比較例２では雰囲気粉末を用いているが、その粉末
がＳｉＣ単味で、かつ成形体を埋設していないので、相
対密度が実施例より低下している。さらに、従来の焼結
助材を用いた比較例３では、２０００℃以上の高温でな
いと焼結できなく、相対密度も実施例に及ばなかった。
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法で炭化けい素焼結体を製造
することにより、高い相対密度を有する緻密な焼結体を
得ることができた。これにより、ＨＩＰ処理しないで
も、しかも比較的低温で充分緻密に焼結できる炭化けい
素焼結体の製造方法を提供できるようになった。
することにより、高い相対密度を有する緻密な焼結体を
得ることができた。これにより、ＨＩＰ処理しないで
も、しかも比較的低温で充分緻密に焼結できる炭化けい
素焼結体の製造方法を提供できるようになった。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｉＣ粉末に焼結助材であるＭｇＡｌ2
Ｏ4及びＹ2Ｏ3粉末を添加して成形し、その成形体を常
圧又は加圧不活性ガス中で焼成する炭化けい素焼結体の
製造方法において、該不活性ガス中で焼成する方法が、
ＳｉＣ粉末又はＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ
2Ｏ3粉末を添加した粉末にＳｉＣ成形体を埋設して、あ
るいはＳｉＣ粉末にＭｇＡｌ2Ｏ4及び／又はＹ2Ｏ3粉末
を添加した粉末をＳｉＣ成形体の周囲に配設して焼成す
る方法であることを特徴とする炭化けい素焼結体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8052552A JPH09227233A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 炭化けい素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8052552A JPH09227233A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 炭化けい素焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227233A true JPH09227233A (ja) | 1997-09-02 |
Family
ID=12917980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8052552A Pending JPH09227233A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 炭化けい素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09227233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017926B1 (ko) * | 2010-12-01 | 2011-03-04 | (주) 화인테크 | 실리콘 카바이드 소결체의 제조방법 |
| WO2016186365A1 (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | 주식회사 원익큐엔씨 | 상압소결방식을 이용한 저저항 탄화규소 세라믹 소재 및 그의 제조 방법 |
| CN110818437A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-02-21 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅-氧化物复合耐火制品的制备方法 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP8052552A patent/JPH09227233A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017926B1 (ko) * | 2010-12-01 | 2011-03-04 | (주) 화인테크 | 실리콘 카바이드 소결체의 제조방법 |
| WO2016186365A1 (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | 주식회사 원익큐엔씨 | 상압소결방식을 이용한 저저항 탄화규소 세라믹 소재 및 그의 제조 방법 |
| CN110818437A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-02-21 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅-氧化物复合耐火制品的制备方法 |
| CN110818437B (zh) * | 2019-12-11 | 2021-05-25 | 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 | 一种碳化硅-氧化物复合耐火制品的制备方法 |
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|
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