JPS63251915A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
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- JPS63251915A JPS63251915A JP8575387A JP8575387A JPS63251915A JP S63251915 A JPS63251915 A JP S63251915A JP 8575387 A JP8575387 A JP 8575387A JP 8575387 A JP8575387 A JP 8575387A JP S63251915 A JPS63251915 A JP S63251915A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク、特に磁気特性が従来のものと
同様もしくはそれ以上で、耐食性を一段と向上させた磁
気ディスクに関するものである。
同様もしくはそれ以上で、耐食性を一段と向上させた磁
気ディスクに関するものである。
フロッピーディスク、ハードディスク等の磁気ディスク
には、7−Fe、O,やFeなどの磁性粉末と合成樹脂
バインダーとを混練して得られる混練物を非磁性基板上
に塗布したものが使用されている。
には、7−Fe、O,やFeなどの磁性粉末と合成樹脂
バインダーとを混練して得られる混練物を非磁性基板上
に塗布したものが使用されている。
しかし、このような磁気ディスクの磁性層は、その中に
占める磁性粉末の割合が30〜40容景%と少ないため
、磁気記録媒体として飽和磁束密度が不十分で、高密度
記録の磁気ディスクという点では支障がある。
占める磁性粉末の割合が30〜40容景%と少ないため
、磁気記録媒体として飽和磁束密度が不十分で、高密度
記録の磁気ディスクという点では支障がある。
この種の塗布型の磁気記録媒体に対して非磁性基板上に
金属磁性薄膜を形成した高密度記録の可能な磁気記録媒
体が開発されている。
金属磁性薄膜を形成した高密度記録の可能な磁気記録媒
体が開発されている。
この金属薄膜タイプの磁気記録媒体を形成する方法とし
ては、(a)湿式法としての化学メッキ法、(b)乾式
法としてのスパッタリング法、イオンブレーティング法
、真空蒸着法などが採用されている。
ては、(a)湿式法としての化学メッキ法、(b)乾式
法としてのスパッタリング法、イオンブレーティング法
、真空蒸着法などが採用されている。
(a)の化学メッキ法によるものは、例えば、COP%
Co−Ni−Pなどの金属薄膜媒体が提案されているが
、膜の積層構造の複雑さ、ヘッドに対する耐クラツシユ
性およびエラー特性などの信頬性、膜形成の際の安定性
などに問題を抱えている。一方、(ト))の乾式法は、
これらの問題を解消するものであり、これによるものと
して、例えば、Go、 Co−Niが知られており、ま
た、これらにN(特開昭57−72307)、Cr(昭
和60年応用物理学関係連合講演会予稿集29頁G−1
〜4、石川、谷等)、W(R,D、Fisher et
al : IEEn Trans、 Magn、、M
AG−17+3190(1981))、Pt(J、A、
Aboaf et al : ll1EE Trans
。
Co−Ni−Pなどの金属薄膜媒体が提案されているが
、膜の積層構造の複雑さ、ヘッドに対する耐クラツシユ
性およびエラー特性などの信頬性、膜形成の際の安定性
などに問題を抱えている。一方、(ト))の乾式法は、
これらの問題を解消するものであり、これによるものと
して、例えば、Go、 Co−Niが知られており、ま
た、これらにN(特開昭57−72307)、Cr(昭
和60年応用物理学関係連合講演会予稿集29頁G−1
〜4、石川、谷等)、W(R,D、Fisher et
al : IEEn Trans、 Magn、、M
AG−17+3190(1981))、Pt(J、A、
Aboaf et al : ll1EE Trans
。
Magn、、MAG−19,1514(1983))な
どの他元素を添加したものも提案されている。しかしな
がら、これらの合金薄膜媒体は、耐食性に乏しく、腐食
作用により表面性の劣化、飽和磁束密度の減少およびむ
らが生じ、実用化の上で大きな問題となっている。
どの他元素を添加したものも提案されている。しかしな
がら、これらの合金薄膜媒体は、耐食性に乏しく、腐食
作用により表面性の劣化、飽和磁束密度の減少およびむ
らが生じ、実用化の上で大きな問題となっている。
従来、これらの合金薄膜媒体の耐食性を向上させる磁気
ディスクとして、この媒体上に、Sin、、飽和脂肪酸
などの保護膜を積層、形成してなるものが提案されてい
る。しかしながら、これらの磁気ディスクは、保護膜が
厚すぎて、スペーシング損失が大きく、高密度記録の際
には再生出力の低下を招いたり、保護膜が薄すぎて、ピ
ンホールのない緻密な膜が得られず、耐食性が十分でな
かったりする。
ディスクとして、この媒体上に、Sin、、飽和脂肪酸
などの保護膜を積層、形成してなるものが提案されてい
る。しかしながら、これらの磁気ディスクは、保護膜が
厚すぎて、スペーシング損失が大きく、高密度記録の際
には再生出力の低下を招いたり、保護膜が薄すぎて、ピ
ンホールのない緻密な膜が得られず、耐食性が十分でな
かったりする。
本発明の目的は、これらの問題点を解消し、従来のもの
に対して磁気特性を低下させることなく、耐食性を一段
と向上させた磁気ディスクを提供することにある。
に対して磁気特性を低下させることなく、耐食性を一段
と向上させた磁気ディスクを提供することにある。
本発明は、前記目的を達成するものとして、非磁性基板
上に、第1層として30重量%以下のNiを含有するN
i−Co系もしくはCo系磁気記録媒体膜および第2層
として3〜20重量%の酸素を含有するNi−Co系も
しくはCo系強磁性膜が形成されてなる磁気ディスクで
ある。
上に、第1層として30重量%以下のNiを含有するN
i−Co系もしくはCo系磁気記録媒体膜および第2層
として3〜20重量%の酸素を含有するNi−Co系も
しくはCo系強磁性膜が形成されてなる磁気ディスクで
ある。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の磁気ディスクは、非磁性基板上に第1層として
Ni−Co系もしくはCo系磁気記録媒体膜および第2
層としてNi−Co系もしくはCo系強磁性膜が形成さ
れてなるものである。
Ni−Co系もしくはCo系磁気記録媒体膜および第2
層としてNi−Co系もしくはCo系強磁性膜が形成さ
れてなるものである。
まず、前記非磁性基板としては、陽極酸化処理されたア
ルミニウム、Cr下地が施されたアルミニウム、Al1
z(h、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる
。
ルミニウム、Cr下地が施されたアルミニウム、Al1
z(h、耐熱性プラスチック、ガラスなどが使用できる
。
次に、この非磁性基板上に第1Nとして形成される磁気
記録媒体膜はNi−Co系もしくはCo系であり、公知
の組成のものを使用することができるが、好ましくは、
0〜30重量%のNi、およびY+La+Ce+Pr、
Nd 、 Sm+Gd+Dyのうちの1種以上R15重
量%以下、残部Coからなるものである。Rが15重量
%を超えると、膜の保磁力や飽和磁化が減少し、耐食性
も低下する傾向が生ずる。このような磁気記録媒体膜中
のNi量は、0〜30重量%にする必要がある。30重
量%を超えると、膜の残留磁化が大幅に低下し、電磁変
換特性が劣化する。この膜の膜厚は、0.02〜0.1
5μmに形成されるのが望ましい、膜厚が0.02μm
未満では、十分な再生出力が得られず、一方、膜厚が0
.15μmを超えると、保磁力の減少が著しくなる。
記録媒体膜はNi−Co系もしくはCo系であり、公知
の組成のものを使用することができるが、好ましくは、
0〜30重量%のNi、およびY+La+Ce+Pr、
Nd 、 Sm+Gd+Dyのうちの1種以上R15重
量%以下、残部Coからなるものである。Rが15重量
%を超えると、膜の保磁力や飽和磁化が減少し、耐食性
も低下する傾向が生ずる。このような磁気記録媒体膜中
のNi量は、0〜30重量%にする必要がある。30重
量%を超えると、膜の残留磁化が大幅に低下し、電磁変
換特性が劣化する。この膜の膜厚は、0.02〜0.1
5μmに形成されるのが望ましい、膜厚が0.02μm
未満では、十分な再生出力が得られず、一方、膜厚が0
.15μmを超えると、保磁力の減少が著しくなる。
更に、前記磁気記録媒体膜上に第2Nとして形成される
膜は、3〜20M量%の酸素を含有するNi−Co系も
しくはCo系強磁性膜である。この強磁性膜は、前記第
1層としての磁気記録媒体膜を腐食から保護してその磁
気特性を長期間維持発揮せしめるために、また、スペー
シング損失を小さく、再生出力を損わせな、いために、
形成され、好ましくは、酸素以外の組成が旧0〜30重
量%、Y、La。
膜は、3〜20M量%の酸素を含有するNi−Co系も
しくはCo系強磁性膜である。この強磁性膜は、前記第
1層としての磁気記録媒体膜を腐食から保護してその磁
気特性を長期間維持発揮せしめるために、また、スペー
シング損失を小さく、再生出力を損わせな、いために、
形成され、好ましくは、酸素以外の組成が旧0〜30重
量%、Y、La。
Ce、Pr、 Nd、Sm、Gd、Dyのうちの1種以
上のR15重量%以下、残部Coであるもの、また、酸
素以外の組成がNi0〜30重量%、B、A 1 、S
i+P、Ge、Sn+Sb+ Set Te、、P b
、 ai、 Cu + Tt lV+ Cr、 Zr+
Nbl Mo、 W+ Ta のうちの1種以上のM
1〜10重量%、残部Coであるものなどが挙げられる
。Rが15重量%を超えると、この膜の保磁力、飽和磁
化が減少すると共に耐食性も低下し易い。また、Mが1
重量%未満では、十分緻密な膜が得られず、10重量%
を超えると飽和磁化が減少する傾向が生ずる。これらの
うち、酸素以外は第1層の磁気記録媒体と同様の成分、
組成のものが好ましい。それは、膜形成の際、第1層に
引続いて酸素を導入するのみで筒便に第2層の形成を行
なうことができるからである。この膜中の酸素量が3重
量%未満では、前記この第2層は緻密化せず、この層形
成による耐食性向上の効果が十分得られず、一方、20
重量%を超えると、磁気特性、特に飽和磁化の減少が著
しくなる。この膜の膜厚は、0.02〜0.10μmに
形成されるのが望ましい。膜厚が0.02μm未満では
、緻密で均質な膜が得られ難く、一方、0.10μmを
超えると、スペーシング損失が著しくなる。
上のR15重量%以下、残部Coであるもの、また、酸
素以外の組成がNi0〜30重量%、B、A 1 、S
i+P、Ge、Sn+Sb+ Set Te、、P b
、 ai、 Cu + Tt lV+ Cr、 Zr+
Nbl Mo、 W+ Ta のうちの1種以上のM
1〜10重量%、残部Coであるものなどが挙げられる
。Rが15重量%を超えると、この膜の保磁力、飽和磁
化が減少すると共に耐食性も低下し易い。また、Mが1
重量%未満では、十分緻密な膜が得られず、10重量%
を超えると飽和磁化が減少する傾向が生ずる。これらの
うち、酸素以外は第1層の磁気記録媒体と同様の成分、
組成のものが好ましい。それは、膜形成の際、第1層に
引続いて酸素を導入するのみで筒便に第2層の形成を行
なうことができるからである。この膜中の酸素量が3重
量%未満では、前記この第2層は緻密化せず、この層形
成による耐食性向上の効果が十分得られず、一方、20
重量%を超えると、磁気特性、特に飽和磁化の減少が著
しくなる。この膜の膜厚は、0.02〜0.10μmに
形成されるのが望ましい。膜厚が0.02μm未満では
、緻密で均質な膜が得られ難く、一方、0.10μmを
超えると、スペーシング損失が著しくなる。
本発明の第1層、第2層の膜は、スパッタリング法、イ
オンブレーティング法、真空薄着法などにより形成する
ことができる。
オンブレーティング法、真空薄着法などにより形成する
ことができる。
以下、本発明の実施例を比較例、従来例と共に説明する
。
。
厚さ1.5龍の、Cr下地が膜厚3000人で施された
アルミニウム基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用
いて第1層として磁気記録媒体膜、第2層として強磁性
膜を形成した。この際の成膜条件はいずれの試験におい
ても次の通りであった。
アルミニウム基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用
いて第1層として磁気記録媒体膜、第2層として強磁性
膜を形成した。この際の成膜条件はいずれの試験におい
ても次の通りであった。
到達真空度 8 XIO”’ Paスパッタガ
ス圧 1〜6×10伺Paスパツタ電力
200〜600Wターゲツト直径 15cm ターゲット基板間距離 15(hl 磁気記録媒体膜膜厚 0.03〜0.10μm強磁性
膜膜厚 0.03〜0.05μm得られた磁気
ディスクは切断し、各々、組成分析と磁気特性および耐
食性の評価に供した。組成分析は、EPMA分析と化学
分析とを併用し、また磁気特性は、試料振動型磁力計に
より測定した。耐食性の評価は、磁気ディスクの飽和磁
化と該ディスクを温度50℃、湿度90%の腐食雰囲気
下で100時間保持した後の飽和磁化との比を求めるこ
とにより行なった。
ス圧 1〜6×10伺Paスパツタ電力
200〜600Wターゲツト直径 15cm ターゲット基板間距離 15(hl 磁気記録媒体膜膜厚 0.03〜0.10μm強磁性
膜膜厚 0.03〜0.05μm得られた磁気
ディスクは切断し、各々、組成分析と磁気特性および耐
食性の評価に供した。組成分析は、EPMA分析と化学
分析とを併用し、また磁気特性は、試料振動型磁力計に
より測定した。耐食性の評価は、磁気ディスクの飽和磁
化と該ディスクを温度50℃、湿度90%の腐食雰囲気
下で100時間保持した後の飽和磁化との比を求めるこ
とにより行なった。
得られた結果を第1表に示す。
第1表から次のことが判る。即ち、従来何階1−1は、
第2層としての強磁性膜が形成されていす、また、比較
例階2−1.2−3.3−3.4−1.6−3は第2層
としての強磁性膜中の酸素が、同!11116−2.7
−1.7−2.7−3は第1層としての磁気記録媒体膜
中の添加元素DyまたはCeが本発明の組成範囲から外
れたものであり、耐食性または耐食性と磁気特性が劣っ
ていることを示しているが、一方、実施例11h2−2
.3−1゜3−2.4−2.4−3.4−4.5−1.
5−2.5−3.5−4.6−1は、磁気特性および耐
食性が優れていることを示している。
第2層としての強磁性膜が形成されていす、また、比較
例階2−1.2−3.3−3.4−1.6−3は第2層
としての強磁性膜中の酸素が、同!11116−2.7
−1.7−2.7−3は第1層としての磁気記録媒体膜
中の添加元素DyまたはCeが本発明の組成範囲から外
れたものであり、耐食性または耐食性と磁気特性が劣っ
ていることを示しているが、一方、実施例11h2−2
.3−1゜3−2.4−2.4−3.4−4.5−1.
5−2.5−3.5−4.6−1は、磁気特性および耐
食性が優れていることを示している。
本発明は、以上説明した各側の構成に限るものでなく、
例えば、第3層として、ヘッドに対する耐摩耗性を向上
させるため、5iOz、カーボンなどを被覆した構成の
ものなどが実現可能である。
例えば、第3層として、ヘッドに対する耐摩耗性を向上
させるため、5iOz、カーボンなどを被覆した構成の
ものなどが実現可能である。
以上から明らかなように、本発明は、従来のCo・−N
i系磁気ディスクに比較して、磁気特性を低下させるこ
となく、耐食性を大幅に向上させたものを堤供すること
ができる。
i系磁気ディスクに比較して、磁気特性を低下させるこ
となく、耐食性を大幅に向上させたものを堤供すること
ができる。
Claims (3)
- (1)非磁性基板上に、第1層として30重量%以下の
Niを含有するNi−Co系もしくはCo系磁気記録媒
体膜および第2層として3〜20重量%の酸素を含有す
るNi−Co系もしくはCo系強磁性膜が形成されてな
る磁気ディスク。 - (2)Ni−Co系もしくはCo系磁気記録媒体は、そ
の組成がNi0〜30重量%、Y、La、Ce、Pr、
Nd、Sm、Gd、Dyのうちの1種以上0〜15重量
%、残部Coであり、かつ、Ni−Co系もしくはCo
系強磁性膜は、その組成が酸素以外は前記磁気記録媒体
の組成と実質的に同一である特許請求の範囲第1項記載
の磁気ディスク。 - (3)Ni−Co系もしくはCo系磁気記録媒体は、そ
の組成がNi0〜30重量%、残部Coであり、かつ、
Ni−Co系もしくはCo系強磁性膜は、その組成が酸
素以外はNi0〜30重量%、Y、La、Ce、Pr、
Nd、Sm、Gd、Dyのうちの1種以上15重量%以
下、残部Coである特許請求の範囲第1項記載の磁気デ
ィスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8575387A JPS63251915A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8575387A JPS63251915A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63251915A true JPS63251915A (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=13867618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8575387A Pending JPS63251915A (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63251915A (ja) |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP8575387A patent/JPS63251915A/ja active Pending
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