JPS63241739A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS63241739A JPS63241739A JP7503687A JP7503687A JPS63241739A JP S63241739 A JPS63241739 A JP S63241739A JP 7503687 A JP7503687 A JP 7503687A JP 7503687 A JP7503687 A JP 7503687A JP S63241739 A JPS63241739 A JP S63241739A
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- Japan
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- film
- layer
- magneto
- optical disk
- recording
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
め
補償温度が室温以上に布り、オーバーライド・可能な光
磁気媒体の表面層に面内磁化層を設ける。
磁気媒体の表面層に面内磁化層を設ける。
面内磁化層がプロッホラインの発生を抑制して記録ビッ
トの完全な消去を可能にする。
トの完全な消去を可能にする。
本発明は光記録担体およびその製造方法に係り、より詳
しく述べると、外部磁場を用いることなく直接オーバー
ライドを可能にする光磁気記録担体の消去特性を改良し
た光磁気記録担体に関する。
しく述べると、外部磁場を用いることなく直接オーバー
ライドを可能にする光磁気記録担体の消去特性を改良し
た光磁気記録担体に関する。
光磁気ディスクは書換え可能な光ディスクとして期待さ
れているが、磁気ディスクのように直接オーバーライド
ができないとされていた。
れているが、磁気ディスクのように直接オーバーライド
ができないとされていた。
現状は、記録すべきセクターやトラックをあらかじめ消
去し、次に外部磁場を反転して、書込みを行なっている
。このため−同書込むのに磁場反転に要する時間を含め
ると３周待ちが必要である。
去し、次に外部磁場を反転して、書込みを行なっている
。このため−同書込むのに磁場反転に要する時間を含め
ると３周待ちが必要である。
一方直接オーバーライトを可能にするアイデアも提案さ
れている。その一つはＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ、 ４９巻１９８６年Ｐ４７３の
論文である。その概要を以下に説明する。記録膜は補償
温度が室温より数１０度高い組成をもつＧｄＴｂＣｏ、
’ ＴｂＦｅＣｏなどの希土類一遷移金属合金を用い
る。書込み・消去はレーンク異なるパルス時間幅照射す
ることにより外部磁場なしで行う。記録膜に７ｍＷのレ
ーへ３００ ｎｓ外部磁場なしで照射して書込みを行な
い、消去には１００−２００ ｎｓの同じパワーを照射
することで行なっている。この記録、消去の原理を第４
図を用いて説明する。第４図（ａｌ、 （ｂ）において
室温で上向きの磁化はレーザービームを照射して加熱す
ると加熱された領域（Ｂ）の（１）は補償温度をこえる
ので磁化が下にむ＜（Ｂ）。この時中心部は最も温度が
高いので保磁力は最も小さい。そこでまわりの磁化から
の反磁場により中心部の磁化は反転して上向になる（Ｂ
）。この時反転したビットと、もとの磁化領域との間に
磁壁２が生じる（Ｃ）。レーザーの照射が停止して温度
が下がると磁壁２が移動して適当な大きさの記録ビット
３が形成されるＣＤ）。
れている。その一つはＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ、 ４９巻１９８６年Ｐ４７３の
論文である。その概要を以下に説明する。記録膜は補償
温度が室温より数１０度高い組成をもつＧｄＴｂＣｏ、
’ ＴｂＦｅＣｏなどの希土類一遷移金属合金を用い
る。書込み・消去はレーンク異なるパルス時間幅照射す
ることにより外部磁場なしで行う。記録膜に７ｍＷのレ
ーへ３００ ｎｓ外部磁場なしで照射して書込みを行な
い、消去には１００−２００ ｎｓの同じパワーを照射
することで行なっている。この記録、消去の原理を第４
図を用いて説明する。第４図（ａｌ、 （ｂ）において
室温で上向きの磁化はレーザービームを照射して加熱す
ると加熱された領域（Ｂ）の（１）は補償温度をこえる
ので磁化が下にむ＜（Ｂ）。この時中心部は最も温度が
高いので保磁力は最も小さい。そこでまわりの磁化から
の反磁場により中心部の磁化は反転して上向になる（Ｂ
）。この時反転したビットと、もとの磁化領域との間に
磁壁２が生じる（Ｃ）。レーザーの照射が停止して温度
が下がると磁壁２が移動して適当な大きさの記録ビット
３が形成されるＣＤ）。
消去は、室温で下向きの中心部の磁化はレーザービーム
照射による加熱で加熱された領域（Ｅ）の４は補償温度
をこえるので磁化が上に向＜（Ｅ）この時中心部は最も
温度が高いので保磁力は最も小さい。そこでまわりの磁
化からの反磁場により中心部の磁化が、記録時と同じよ
うに反転し下向きになる（Ｅ）。その時磁壁５が生じる
。この状態では上からみるとビット形状はリング状に２
つの磁壁２，５が存在することになる（Ｐ）。温度が下
がるにしたがって、新たに生じた磁壁５は外側に移動し
て、外側の磁壁２に合体消滅する（Ｇ）。そしてさらに
温度が下がって補償温度をこえると元の記録ビットは上
向きの消去状態になる（Ｈ）。以上が上述論文による記
録８消去の原理である。この方法は磁壁２．５の移動を
伴なう。
照射による加熱で加熱された領域（Ｅ）の４は補償温度
をこえるので磁化が上に向＜（Ｅ）この時中心部は最も
温度が高いので保磁力は最も小さい。そこでまわりの磁
化からの反磁場により中心部の磁化が、記録時と同じよ
うに反転し下向きになる（Ｅ）。その時磁壁５が生じる
。この状態では上からみるとビット形状はリング状に２
つの磁壁２，５が存在することになる（Ｐ）。温度が下
がるにしたがって、新たに生じた磁壁５は外側に移動し
て、外側の磁壁２に合体消滅する（Ｇ）。そしてさらに
温度が下がって補償温度をこえると元の記録ビットは上
向きの消去状態になる（Ｈ）。以上が上述論文による記
録８消去の原理である。この方法は磁壁２．５の移動を
伴なう。
なお磁壁とは垂直磁化膜を考えると、磁化が上を向いて
いる磁区と磁化が下を向いている磁区との境界であり、
そこでは磁化は上向きから下向きへ磁気異方性エネルギ
と交換相互作用エネルギとを等しく保ちながら徐々に回
転している。（第６図（ｂｌ参照）磁化は磁壁法線を軸
に磁壁面に平行な面内で回転している。
いる磁区と磁化が下を向いている磁区との境界であり、
そこでは磁化は上向きから下向きへ磁気異方性エネルギ
と交換相互作用エネルギとを等しく保ちながら徐々に回
転している。（第６図（ｂｌ参照）磁化は磁壁法線を軸
に磁壁面に平行な面内で回転している。
生じやすい。これは第６図（ａｌに示すように磁壁２の
中央部の磁化は本来一方向に揃っているべきであるが、
場所によって磁化のねじれが生じる第６図Ｃ０多数のプ
ロッホラインＢＬがあると磁壁移動がスムーズにいかな
いことが知られている。そのため消去時の磁壁５と、記
録時の磁壁２がうまく合体しない第５図ｂＨということ
がおこる。また合体してもプロッホラインのところで磁
化がねオーバーライドする方法は解決すべき問題点を有
している。
中央部の磁化は本来一方向に揃っているべきであるが、
場所によって磁化のねじれが生じる第６図Ｃ０多数のプ
ロッホラインＢＬがあると磁壁移動がスムーズにいかな
いことが知られている。そのため消去時の磁壁５と、記
録時の磁壁２がうまく合体しない第５図ｂＨということ
がおこる。また合体してもプロッホラインのところで磁
化がねオーバーライドする方法は解決すべき問題点を有
している。
なお第５図（ａ）は磁壁２，５に各々２本のプロッホラ
インが生じた場合、第５図（ｂ）は磁壁２，５に多数の
プロッホラインが生じた場合、第５図（Ｃ）はプロッホ
ラインが生じなかった場合の第４図に対応する図を示す
。なおプロッホラインについては日経エレクトロニクス
１９８３．４．２５．第８２〜８８頁、日経エレクトロ
ニクス１９Ｂ３．８．１５第１４１〜１６７頁を参照さ
れたい。
インが生じた場合、第５図（ｂ）は磁壁２，５に多数の
プロッホラインが生じた場合、第５図（Ｃ）はプロッホ
ラインが生じなかった場合の第４図に対応する図を示す
。なおプロッホラインについては日経エレクトロニクス
１９８３．４．２５．第８２〜８８頁、日経エレクトロ
ニクス１９Ｂ３．８．１５第１４１〜１６７頁を参照さ
れたい。
一方Ｂ、 Ｓ、 Ｔ、Ｊ ｖｏｌ ５１．Ｎａ６． Ｐ
Ｐ１４２７〜１４４４゜１９７２にはガーネット磁性膜
を用いる磁気バルブメモリ素子の動作障害となるハード
バブル抑制法が記載される。
Ｐ１４２７〜１４４４゜１９７２にはガーネット磁性膜
を用いる磁気バルブメモリ素子の動作障害となるハード
バブル抑制法が記載される。
磁気バブルメモリはガーネッ）［性膜にバブル磁区を生
じさせ、バブル磁区のを無を情報（１゜０）に対応させ
る。かかる磁気バブルメモリ素子には 磁壁に、２ｎ＝０．２ｎ＝２．２ｎ＝４以上の偶数、等
の異なる数のプロッホライン（もしくはＮｅｅｌ Ｓｅ
ｇｍｅｎｔ第７図（Ａ））を持つバブルが生ずる。即ち
、２ｎ＝０のノーマル・バブル、２ｎ＝２のノーマル・
バブルに静的・動的特性が類似するバブル、２ｎ＝４以
上のノーマル・バブルに比較し、低いモビリティ、かつ
、駆動磁場勾配の方向に平行でなく角度を有して動く傾
向を有するハード・バブルが生ずる。
じさせ、バブル磁区のを無を情報（１゜０）に対応させ
る。かかる磁気バブルメモリ素子には 磁壁に、２ｎ＝０．２ｎ＝２．２ｎ＝４以上の偶数、等
の異なる数のプロッホライン（もしくはＮｅｅｌ Ｓｅ
ｇｍｅｎｔ第７図（Ａ））を持つバブルが生ずる。即ち
、２ｎ＝０のノーマル・バブル、２ｎ＝２のノーマル・
バブルに静的・動的特性が類似するバブル、２ｎ＝４以
上のノーマル・バブルに比較し、低いモビリティ、かつ
、駆動磁場勾配の方向に平行でなく角度を有して動く傾
向を有するハード・バブルが生ずる。
ハード・バブルは、バイアス磁界勾配に対し、角度をな
して移動する、その速度が正常のバブルに比較し遅い、
バブルをコラプス（つぶす）のにノーマル・バブルに比
較し高いバイアス磁界を必要とする等、磁気バブルメモ
リ素子の動作障害になる為ハードバブルを抑制する方法
として上記文献は ＋１１ 多層エピタキシャルガーネット膜を用いる。
して移動する、その速度が正常のバブルに比較し遅い、
バブルをコラプス（つぶす）のにノーマル・バブルに比
較し高いバイアス磁界を必要とする等、磁気バブルメモ
リ素子の動作障害になる為ハードバブルを抑制する方法
として上記文献は ＋１１ 多層エピタキシャルガーネット膜を用いる。
（２）磁性ガーネット膜にイオン注入する。
（３）第２の磁性層を設ける。
方法を記載する。
しかし、上記文献は（イ＞ｍ気バブルメモリ素子を対象
とする。（ロ）磁性膜が、 （ＩＩＩ） ＧｄｚＧａｓＯｒｚ基板上のＹＧｄＴｍＧ
ａｏ、ｓＦ ｅａ、ｔ ＯＩｚエピタキシ中ルガルガー
ネット磁性層 （ＩＩり右ｄｚＧａｓＯＩ！基板上のＧｄｔ、 ｚａ
Ｔｂｏ、 ６６１”ｅ５ｃ）Ｂエピタキシャルガーネッ
ト磁性層、（ＩＩＩ） Ｇｄ５ＧａｓＯｒｚ基板上の６
μｍのＥｒ、、１ｔ４ ＝８．、、Ｆｅ、、、、 Ｇａ、、、、 Ｏ，！エピタ
キシャルガーネット上Ｎ磁性層、８μｍのＥｒ１，１Ｅ
ｕ１．ｚＦｅｇ、＋ｎＧａｏ、＊６０＋ｔエピタキシャ
ルガーネット上層磁性層の多層エピタキシャルガーネッ
トを設けたもの、基板上５μｍのＴｍｏ、ｚａ Ｙｔ、
５ｏＧｄ１．ｚｉ Ｇａａ、ｔｉＡＩｏ、３６ Ｆｅｚ
、ｓｓ Ｏ＋ｘエピタキシャルガーネット下層磁性層、
Ｔａ１ｏ、ｉｓ Ｙｔ、５ｖＧｄｔ、ｏｉ Ｇａｏ、ｈ
ｔＡｌｌｌ、４３ Ｆｅｘ、ｑｓ Ｏ。エピタキシャル
ガーネット上Ｎ磁性層、 （ＩＩＩ） （ＹＧｄ Ｔｍ ）：Ｉ （Ｆｅ Ｇａ）
ｓ Ｏ＋ｚバプルガーネント液相エピタキシャル磁性層
、（ＩＩＩ） （ＹＣ；ｄ Ｙｂ ）３ （Ｆｅ Ｇａ
）ｓ Ｏ＋ｚ−（ＩＩＩ） （Ｇ ｄ Ｅ ｒ）ｚ （
Ｆｅ Ｇａ）ｓ Ｏ＋ｚ、（ＩＩＩ） （ＹＥｕ Ｙｂ
）＋ （Ｆｅ Ｇａ）ｓ Ｏ＋ｚガーネット磁性層等
基板上にエピタキシャル成長・形成されたガーネット磁
性層である。
とする。（ロ）磁性膜が、 （ＩＩＩ） ＧｄｚＧａｓＯｒｚ基板上のＹＧｄＴｍＧ
ａｏ、ｓＦ ｅａ、ｔ ＯＩｚエピタキシ中ルガルガー
ネット磁性層 （ＩＩり右ｄｚＧａｓＯＩ！基板上のＧｄｔ、 ｚａ
Ｔｂｏ、 ６６１”ｅ５ｃ）Ｂエピタキシャルガーネッ
ト磁性層、（ＩＩＩ） Ｇｄ５ＧａｓＯｒｚ基板上の６
μｍのＥｒ、、１ｔ４ ＝８．、、Ｆｅ、、、、 Ｇａ、、、、 Ｏ，！エピタ
キシャルガーネット上Ｎ磁性層、８μｍのＥｒ１，１Ｅ
ｕ１．ｚＦｅｇ、＋ｎＧａｏ、＊６０＋ｔエピタキシャ
ルガーネット上層磁性層の多層エピタキシャルガーネッ
トを設けたもの、基板上５μｍのＴｍｏ、ｚａ Ｙｔ、
５ｏＧｄ１．ｚｉ Ｇａａ、ｔｉＡＩｏ、３６ Ｆｅｚ
、ｓｓ Ｏ＋ｘエピタキシャルガーネット下層磁性層、
Ｔａ１ｏ、ｉｓ Ｙｔ、５ｖＧｄｔ、ｏｉ Ｇａｏ、ｈ
ｔＡｌｌｌ、４３ Ｆｅｘ、ｑｓ Ｏ。エピタキシャル
ガーネット上Ｎ磁性層、 （ＩＩＩ） （ＹＧｄ Ｔｍ ）：Ｉ （Ｆｅ Ｇａ）
ｓ Ｏ＋ｚバプルガーネント液相エピタキシャル磁性層
、（ＩＩＩ） （ＹＣ；ｄ Ｙｂ ）３ （Ｆｅ Ｇａ
）ｓ Ｏ＋ｚ−（ＩＩＩ） （Ｇ ｄ Ｅ ｒ）ｚ （
Ｆｅ Ｇａ）ｓ Ｏ＋ｚ、（ＩＩＩ） （ＹＥｕ Ｙｂ
）＋ （Ｆｅ Ｇａ）ｓ Ｏ＋ｚガーネット磁性層等
基板上にエピタキシャル成長・形成されたガーネット磁
性層である。
ハ
は廿） Ｇ ｄ ３ Ｇ ａ ｓ Ｏ＋□基板上液相エ
ピ形成されたＥｒ＋、８Ｅｕ１．ｚＦｅｘ、、ｑ Ｇａ
１．ｚ＋ ＯＩｔ下層下層−モーメントガーネット磁性
層＋ＩＪｍ）Ｅｒ、、ｓ Ｅｕ＋、ｔＦｅａ、３４Ｇａ
ｏ、ｂｂｏ＋を上層高モーメントガーネット磁性層（８
μｍ）の多層エピタキシャルガーネット膜では２０−４
μｍの表面バブル（バイアス磁界３８〜６３０ｅ）と、
２０−１０μｍの複合バブル（バイアス磁界４８〜６３
０ｅ）が共存することが記載されるも、バブル径が大で
ある。
ピ形成されたＥｒ＋、８Ｅｕ１．ｚＦｅｘ、、ｑ Ｇａ
１．ｚ＋ ＯＩｔ下層下層−モーメントガーネット磁性
層＋ＩＪｍ）Ｅｒ、、ｓ Ｅｕ＋、ｔＦｅａ、３４Ｇａ
ｏ、ｂｂｏ＋を上層高モーメントガーネット磁性層（８
μｍ）の多層エピタキシャルガーネット膜では２０−４
μｍの表面バブル（バイアス磁界３８〜６３０ｅ）と、
２０−１０μｍの複合バブル（バイアス磁界４８〜６３
０ｅ）が共存することが記載されるも、バブル径が大で
ある。
又、基板上液相エピ形成されたＴｍｏ、 ２４ Ｙ １
． ｓ。
． ｓ。
Ｇｄ１．ｚｈ Ｇａｏ、７６Ａｌｏ、：ｕ＋ Ｆｅｚ、
ａｉ Ｏ＋ｚ下層下層−モーメントガーネット磁性層μ
ｍ） 、 Ｔｍｏ、：＋ｓＹｒ、５ｑＧｄｒ、ｏｂ
Ｇａｏ、ｈｚ Ａ１６．４３ Ｆｅｓ、ｗｓ Ｏ＋ｚ上
層上層−モーメントガーネット磁性層μｍ）では下層磁
性層は補償温度＋２７℃を有し、上層磁性層は補償温度
−１８℃であり、室温近傍に補償温度を有する。
ａｉ Ｏ＋ｚ下層下層−モーメントガーネット磁性層μ
ｍ） 、 Ｔｍｏ、：＋ｓＹｒ、５ｑＧｄｒ、ｏｂ
Ｇａｏ、ｈｚ Ａ１６．４３ Ｆｅｓ、ｗｓ Ｏ＋ｚ上
層上層−モーメントガーネット磁性層μｍ）では下層磁
性層は補償温度＋２７℃を有し、上層磁性層は補償温度
−１８℃であり、室温近傍に補償温度を有する。
第７図は上記Ｂ、 Ｓ、Ｔ、 Ｊに記載された説明図で
あり、 （Ａ）はバードバブルの説明図（Ｎｅｅｌ ｓｅｇｍｅ
ｎｔにＢｌｏｃＦ １ｉｎｅが生じている） （Ｂ）は２層磁性層構造における周辺磁壁と平面磁壁を
示す図、 （Ｃ）は第２の磁性層を設けることにより生ずる平面磁
壁との相互作用により（Ｐｅｒｉｍｅｔｅｒ ｗａｌｌ
）周辺磁壁のスピンが影響され、２ｎ＝２のバブルが生
ずることを説明する図、 （Ｄ） 、 （Ｅ）は２層エピタキシャルガーネット膜
構造での異なるタイプのバブルを説明する図である。
あり、 （Ａ）はバードバブルの説明図（Ｎｅｅｌ ｓｅｇｍｅ
ｎｔにＢｌｏｃＦ １ｉｎｅが生じている） （Ｂ）は２層磁性層構造における周辺磁壁と平面磁壁を
示す図、 （Ｃ）は第２の磁性層を設けることにより生ずる平面磁
壁との相互作用により（Ｐｅｒｉｍｅｔｅｒ ｗａｌｌ
）周辺磁壁のスピンが影響され、２ｎ＝２のバブルが生
ずることを説明する図、 （Ｄ） 、 （Ｅ）は２層エピタキシャルガーネット膜
構造での異なるタイプのバブルを説明する図である。
又、液相エビ成長した（ＹＧｄ Ｔｍ）＊ （Ｆｅ
Ｇａ）ｓＯ３２にガーネット層上に５０Å以上のパーマ
ロイ磁性層を形成したハード・バブル・フリーの、ガ−
ネット・パーマロイ複合構造がＪ、 Ｐｈｙｓ、 Ｓｏ
ｃ。
Ｇａ）ｓＯ３２にガーネット層上に５０Å以上のパーマ
ロイ磁性層を形成したハード・バブル・フリーの、ガ−
ネット・パーマロイ複合構造がＪ、 Ｐｈｙｓ、 Ｓｏ
ｃ。
Ｊａｐａｎ ３４（１９７３Ｈ４１６に記載される。
上記２つの文献はいずれも、ガーネット膜を用いた磁気
バブルメモリを対象とし、磁気バブル素子の動作障害に
なるハードバブルの抑制の為に（１）イオン注入法（２
）多層ガーネット膜エピタキシャル法（３）パーマロイ
膜被着法を提案するものであるが、本発明のレーザー光
照射により、記録・消去をな表面層に面内磁化層１４を
設ける事によりプロッホラインＢ、Ｌ、の発生を抑えよ
うとするものである。
バブルメモリを対象とし、磁気バブル素子の動作障害に
なるハードバブルの抑制の為に（１）イオン注入法（２
）多層ガーネット膜エピタキシャル法（３）パーマロイ
膜被着法を提案するものであるが、本発明のレーザー光
照射により、記録・消去をな表面層に面内磁化層１４を
設ける事によりプロッホラインＢ、Ｌ、の発生を抑えよ
うとするものである。
即ち、光磁気垂直磁化記録膜における記録・消去の際問
題となることが予想される磁壁番こおける多数のプロッ
ホライン発生を抑制するものである。
題となることが予想される磁壁番こおける多数のプロッ
ホライン発生を抑制するものである。
本発明は補償温度が室温以上にあるフェリ磁性体薄膜か
らなる光磁気ディスクにおいて、記録膜の表面に面内磁
化層を設けた事を特徴とする光磁気ディスク媒体により
達成される。
らなる光磁気ディスクにおいて、記録膜の表面に面内磁
化層を設けた事を特徴とする光磁気ディスク媒体により
達成される。
第２図（ｂ）の本発明原理図に示すように、面内磁化層
重４と垂直磁化膜１３の間に磁壁１６が生じこの磁壁１
６がビットの磁壁２と交換相互作用で結合し、磁壁２内
の磁化のむきを強制的にそろえ、磁壁に多数のプロッホ
ラインが生ずるのを抑制し、記録ビットの完全な消去を
可能にする。
重４と垂直磁化膜１３の間に磁壁１６が生じこの磁壁１
６がビットの磁壁２と交換相互作用で結合し、磁壁２内
の磁化のむきを強制的にそろえ、磁壁に多数のプロッホ
ラインが生ずるのを抑制し、記録ビットの完全な消去を
可能にする。
本発明による希土類（Ｄｙ 、 Ｔｂ 、 Ｇｄ ）遷
移金属（Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ）の組み合せか
らなるＴｂ Ｆｅ Ｃｏ 、Ｇｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ、
Ｔｂ Ｃｏ等のフェリ磁性体薄膜からなる記録膜表面に
設ける面内磁化層としては （１）パーマロイ （Ｎｉ −Ｆｅ）合金Ｆｅ、Ｆｅ
Ｃｏ、Ｎｉ 、Ｃｏ Ｎｉ 、等の材料の強磁性薄膜、 （２）上記フェリ磁性体薄膜にＨイオン、 Ｎｅ 、
Ｈｅ等をイオン注入し形成したイオン注入層、（３）
上記フェリ磁性体薄膜の表面を部分的に酸化させた表面
酸化層、 （４）上記フェリ磁性体薄膜の表面を結晶させた表面結
晶化層等を適宜用いることが出来る。
移金属（Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ）の組み合せか
らなるＴｂ Ｆｅ Ｃｏ 、Ｇｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ、
Ｔｂ Ｃｏ等のフェリ磁性体薄膜からなる記録膜表面に
設ける面内磁化層としては （１）パーマロイ （Ｎｉ −Ｆｅ）合金Ｆｅ、Ｆｅ
Ｃｏ、Ｎｉ 、Ｃｏ Ｎｉ 、等の材料の強磁性薄膜、 （２）上記フェリ磁性体薄膜にＨイオン、 Ｎｅ 、
Ｈｅ等をイオン注入し形成したイオン注入層、（３）
上記フェリ磁性体薄膜の表面を部分的に酸化させた表面
酸化層、 （４）上記フェリ磁性体薄膜の表面を結晶させた表面結
晶化層等を適宜用いることが出来る。
面内磁化層としては２０人〜３００人程度好ましくは５
０人〜２００人程度の厚さに設ける。
０人〜２００人程度の厚さに設ける。
以下本発明につき実施例を参照して詳細に説明する。
実施例１．）
第１図は本発明の光磁気記録担体の断面図である。
光ディスクに用いられる透明基板は光案内溝を有するア
クリル樹脂（ＰＭＭＡ） 、エポキシ樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、およびガラスなどである。
クリル樹脂（ＰＭＭＡ） 、エポキシ樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、およびガラスなどである。
基板表面にエツチングして直接トラッキング用案内溝を
形成してもよいが、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキン
グ用案内溝を形成されることが多い。
形成してもよいが、紫外線硬化樹脂を用いてトラッキン
グ用案内溝を形成されることが多い。
トラッキング用案内溝を形成した基板を真空蒸着装置内
にセットし、蒸着室内を５Ｘ１０−’Ｐａ以下に排気後
、基板を回転しながら保護膜を形成した。この例では、
２つのハースにそれぞれ金属としてＴｂ、金属酸化物と
してＳｉ Ｏ□を用意し、電子ビームにより加熱し同時
蒸着した。蒸着速度は（１１Ｔｂ２人／ ｓ ＋ Ｓ
ｉＯｚ ５ 人／Ｓと、（２）Ｔｂ１人／ｓ、Ｓ ｉ
ＯＸ ５ 人／Ｓとし、膜厚は１０００人になるまで蒸
着した。蒸着中の真空度は、７〜８ＸＩＯ−’Ｐａであ
った。
にセットし、蒸着室内を５Ｘ１０−’Ｐａ以下に排気後
、基板を回転しながら保護膜を形成した。この例では、
２つのハースにそれぞれ金属としてＴｂ、金属酸化物と
してＳｉ Ｏ□を用意し、電子ビームにより加熱し同時
蒸着した。蒸着速度は（１１Ｔｂ２人／ ｓ ＋ Ｓ
ｉＯｚ ５ 人／Ｓと、（２）Ｔｂ１人／ｓ、Ｓ ｉ
ＯＸ ５ 人／Ｓとし、膜厚は１０００人になるまで蒸
着した。蒸着中の真空度は、７〜８ＸＩＯ−’Ｐａであ
った。
第１図（ａ）を参照すると、基板１１上に下地保護膜１
２を成膜した後に、記録膜として光磁気記録媒体である
ＴｂＦｅＣｏ膜１３の成膜を行った。
２を成膜した後に、記録膜として光磁気記録媒体である
ＴｂＦｅＣｏ膜１３の成膜を行った。
成膜の方法はＴｂとＦｅＣｏの同時蒸着により行い、所
定の膜組成となるように各々の蒸着速度を制御した。膜
厚は１０００人とした。基板は特に加熱していない。Ｔ
ｂＦｅＣ０膜１３を成膜した後に。
定の膜組成となるように各々の蒸着速度を制御した。膜
厚は１０００人とした。基板は特に加熱していない。Ｔ
ｂＦｅＣ０膜１３を成膜した後に。
の蒸着により行った。
膜厚は５０〜１００人とした。
本実施例では光磁気ディスクの記録膜の上にパーマロイ
（ＮｉＦｅ）膜を１００人設けた。プロッホラインを
抑制するには１００人で十分であり厚すぎると記録感度
が低下する。
（ＮｉＦｅ）膜を１００人設けた。プロッホラインを
抑制するには１００人で十分であり厚すぎると記録感度
が低下する。
次に上地保護膜１５の成膜を行った。上地保護膜１５の
条件は下地保護膜と同様に行った。比較のために、面内
磁化層１４を設けない従来法による光磁気ディスクを作
成した。
条件は下地保護膜と同様に行った。比較のために、面内
磁化層１４を設けない従来法による光磁気ディスクを作
成した。
こうして作成した光磁気ディスクの書込・消去特性は下
記の通りであった。
記の通りであった。
光源 レーザー λ＝０．８３μｍ書込 ７
ｍＷ ３００ｎｓパルス消去 ７ ｍ Ｗ
１００〜２００ｎｓパルス第３図はプロッホライ
ン抑制の為の面内磁化層のパーマロイ層膜厚と記録感度
特性の結果を示す。
ｍＷ ３００ｎｓパルス消去 ７ ｍ Ｗ
１００〜２００ｎｓパルス第３図はプロッホライ
ン抑制の為の面内磁化層のパーマロイ層膜厚と記録感度
特性の結果を示す。
第３図よりプロッホライン抑制には１００人程度で十分
であることが判る。なお２０Å以下ではプロッホライン
抑制に効果がなり、２００ Å以上では記録感度が低下
する。
であることが判る。なお２０Å以下ではプロッホライン
抑制に効果がなり、２００ Å以上では記録感度が低下
する。
実施例２）
面内磁化層としてパーマロイ層を設ける代りに記録膜で
あるＴｂＦｅＣｏに２０ＫｅＶ、 ドース量２Ｘ１０
”イオン／ｄでＨイオンを注入して表面から２００人程
度の膜表面に圧縮応力を与え面内磁化層を設けたこと以
外は実施例１と同様に光磁気ディスクを作成した。
あるＴｂＦｅＣｏに２０ＫｅＶ、 ドース量２Ｘ１０
”イオン／ｄでＨイオンを注入して表面から２００人程
度の膜表面に圧縮応力を与え面内磁化層を設けたこと以
外は実施例１と同様に光磁気ディスクを作成した。
実施例３）
ＴｂＦｅＣｏ膜を成膜後ＴｂＦｅＣｏ膜を１５０℃１ｈ
大気中でベークして表面に２００人程度の酸化層を設は
面内磁化膜としたこと以外は実施例１と同様に光磁気デ
ィスクを作成した。
大気中でベークして表面に２００人程度の酸化層を設は
面内磁化膜としたこと以外は実施例１と同様に光磁気デ
ィスクを作成した。
実施例４）
ＴｂＦｅＣｏ膜にキセノンランプを０．１秒照射し瞬間
的に加熱して表面から１００人程度の表面を結晶化して
表面結晶化層を設は面内磁化膜にしたこと以外は実施例
１と同様に光磁気ディスクを作成した。
的に加熱して表面から１００人程度の表面を結晶化して
表面結晶化層を設は面内磁化膜にしたこと以外は実施例
１と同様に光磁気ディスクを作成した。
実施例２〜４に於ても、実施例１と同様の記録・消去特
性が得られた。
性が得られた。
本発明では補償温度が室温より数十度高いフェリ磁性体
薄膜からなる光磁気記録担体面に接し面内磁化層を設け
ることにより、フェリ磁性体薄膜中の磁壁と、面内磁化
層との相互作用により、磁壁内に多数のプロッホライン
の発生が抑制できて、記録ビットの完全な消去ができる
。
薄膜からなる光磁気記録担体面に接し面内磁化層を設け
ることにより、フェリ磁性体薄膜中の磁壁と、面内磁化
層との相互作用により、磁壁内に多数のプロッホライン
の発生が抑制できて、記録ビットの完全な消去ができる
。
第１図は本発明の光磁気記録担体の模式断面図、第２図
は本発明の原理説明図、 第３図は本発明の実施例における書込特性を示す図、 第４図は従来技術による直接オーバーライド可能な光磁
気ディスクの動作原理説明図、第５図は第４図の問題点
を説明する図、第６図は上向きの磁化領域と下向きの磁
化領域との磁壁におけるスピンを説明する図、第７図は
従来技術としての磁気バブルメモリに於るハードバブル
抑制を説明する図である。 １．３，４：磁区、２，５：磁壁、１６：磁壁、１１：
基板、１２：下地保護層、１３：フェリ磁性体記録層、
１４：面内磁化層、１５：上地保護層。 σ １０６ １００
ｊ！１ＯＮ：ｆｅ 月択厚 茅 ３ 図 （ＩＩ （Ｆ）
（Ｆ’） （＃Ｊ（ｉｆ
（ＩＦ ａＦ’ ａ
ＨｂＦ ｂＦ ｂＰ’
ｂＮ予 ５ 図 ＜ａ＋ Ｌ （Ｃ） 第 乙 トＪ
は本発明の原理説明図、 第３図は本発明の実施例における書込特性を示す図、 第４図は従来技術による直接オーバーライド可能な光磁
気ディスクの動作原理説明図、第５図は第４図の問題点
を説明する図、第６図は上向きの磁化領域と下向きの磁
化領域との磁壁におけるスピンを説明する図、第７図は
従来技術としての磁気バブルメモリに於るハードバブル
抑制を説明する図である。 １．３，４：磁区、２，５：磁壁、１６：磁壁、１１：
基板、１２：下地保護層、１３：フェリ磁性体記録層、
１４：面内磁化層、１５：上地保護層。 σ １０６ １００
ｊ！１ＯＮ：ｆｅ 月択厚 茅 ３ 図 （ＩＩ （Ｆ）
（Ｆ’） （＃Ｊ（ｉｆ
（ＩＦ ａＦ’ ａ
ＨｂＦ ｂＦ ｂＰ’
ｂＮ予 ５ 図 ＜ａ＋ Ｌ （Ｃ） 第 乙 トＪ
Claims (8)
- （１）補償温度が室温以上にあるフェリ磁性体薄膜から
なる光磁気ディスクにおいて、記録膜の表面に面内磁化
層を設けた事を特徴とする光磁気ディスク媒体。 - （２）上記面内磁化層の厚さが１０ｎｍ以下であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディス
ク媒体。 - （３）上記面内磁化層として強磁性薄膜を用いた事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク媒
体。 - （４）上記面内磁化層としてイオン注入層を用いた事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク
媒体。 - （５）上記面内磁化層として記録媒体を部分的に酸化さ
せた層を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光磁気ディスク媒体。 - （６）上記面内磁化層として記録媒体を部分的に結晶化
させた層を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光磁気ディスク媒体。 - （７）上記フェリ磁性体が補償温度が室温より数十度高
い組成を持つ希土類一遷移金属合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光磁気ディスク媒体。 - （８）上記強磁性体がパーマロイ、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、Ｎ
ｉ、ＣｏＮｉであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光磁気ディスク媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7503687A JPS63241739A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7503687A JPS63241739A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241739A true JPS63241739A (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=13564570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7503687A Pending JPS63241739A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63241739A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02247846A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0632437A2 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-04 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| US5965286A (en) * | 1990-08-07 | 1999-10-12 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070542A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | 光磁気記憶媒体 |
| JPS60119649A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS60212850A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS60231935A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6122451A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7503687A patent/JPS63241739A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070542A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Fujitsu Ltd | 光磁気記憶媒体 |
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| US5965286A (en) * | 1990-08-07 | 1999-10-12 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| EP0632437A2 (en) * | 1993-07-02 | 1995-01-04 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
| EP0632437A3 (en) * | 1993-07-02 | 1995-04-26 | Teijin Ltd | Magneto-optical recording medium. |
| US5665468A (en) * | 1993-07-02 | 1997-09-09 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
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