JPS6070542A - 光磁気記憶媒体 - Google Patents

光磁気記憶媒体

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Publication number
JPS6070542A
JPS6070542A JP17691283A JP17691283A JPS6070542A JP S6070542 A JPS6070542 A JP S6070542A JP 17691283 A JP17691283 A JP 17691283A JP 17691283 A JP17691283 A JP 17691283A JP S6070542 A JPS6070542 A JP S6070542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
layer
ion
thin film
implanted
Prior art date
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Pending
Application number
JP17691283A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Inoue
博史 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP17691283A priority Critical patent/JPS6070542A/ja
Publication of JPS6070542A publication Critical patent/JPS6070542A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 ゛本発明は光ｌＩ＆気Ｂｅ憶装置に関し、特にその記憶
媒体に関するものである。
従来技術と問題点 従来の光磁気記憶装置は、記憶媒体Ｖこレーザ光等全照
射し、その光熱ＶＣより照射部分の磁気特性を変化させ
て情報を記録し、その軌み取りはケル効果又はファラテ
ィ効果會利用して読み取るようになっている。このよう
な光磁気記憶装置の記憶媒体は、レーザ光等の照射によ
る磁気特性の変化全利用するため、材料の熱磁気特性が
重要である。
そのため従来の記憶媒体としては、キュリ一点の低いも
の、あるいは補償温度が室温より少し高いものなどが使
用さハ、ているがその材料の熱的安定性および組成の均
一性に問題がめった。
発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、５ｊ（的に安定なか
つ均一な光磁気記憶媒体を提供すること全目的とするも
のである。
発明の構成 そしてこの目的は本発明にＪ：れば、膜面に垂直な異方
性磁界を有する磁性薄膜にＮｅ＋あるいは１１＋等全イ
オン注入した材ＰＩを１史用し、その表面に部分的に光
が照射さｉ″Ｌ′ｆ′ｃとき、該部分の磁気特性が変化
することりこよって情報を、＋１シ憶すること全特徴と
する光磁気記憶媒体全提供することによって達成される
。
発明の実施例 以下１本発明実ｂｆ！ｉ例を図面に工って詳述ラーる。
第１図は垂ｉＭ低気異方性ケ有する磁性膜をｎ（ａ明す
るための図であり、ａはイオン注入前の状態。
■）はイオン注入後の状態をそれぞれ示す。同図におい
てｌは基板、２は１Ｉｆｉ性薄膜、３はイオン注入層、
４は非イオン注入心金それぞれ示す。
一般に垂直１１θ気異方性を有する磁性薄膜２はａ図の
如く矢印へで示す方向、す々わち膜面に垂直に磁化され
ている。この表面にイオンを注入し。
ｂ図の如くイオン注入層３を形成すると、磁歪憲政が負
の材料しておいては磁化が矢印Ｂで示す如く膜面に平行
ｔ／ｉｌ：　；４’、る。
第２図は本発明による光磁気記憶媒体を説明する゛ため
の図であり、ａね：断面図、ｂは断面における注入イオ
ンの分布を示す図である。同図において第１図と同一部
分に１同一部号を付して示した。
本実施１９１１に垂直１１Δ気異方性を有する磁性薄＠
２に例えばガーイ・ット膜あるいはアモルファス材料を
用い、その衣１１１ｊにＮｅ“、［ｆ’４のイオン全注
入してそのイオン分布がｂ図の如き分布５となるように
イオン注入層３を形成し、膜の表面近傍は非磁性的な層
６が形成されるようにしたものである。
このように形成された本実施例は、第３図の如く、その
表面會レーザ光７等で局所的に照射し加′熱すると、そ
の部分８の注入イオンの分布が変化し、その部分の非磁
性的な層が照くなる。従ってレーザ光等を照射し力かつ
７４部分と磁気的性質が異なった状態となり、この違い
はケル効果又はファラディ効果を利用した・演出器で検
出することができる。
このような光＃；ｉ〜（妊気効果を利用１〜て（Ｑｉ！
、報を′ｉｌ己憶する本実施例は従来のキュリ一温度、
補イ１＜温度を利用する記’ｌ？ｒ；媒体よりも熱的に
安定であり、且つ容易に均一な媒体と作製することがで
きる。
発明の効果 以上、詳細に酸、明したように本発明の光１直気記憶媒
体は垂直磁気異方性を有する６好性薄膜にイオンを注入
（−たイオン注入層の光熱磁気効果全利用しｌこもので
あり、熱的に安定で赴つ容易に作製することができると
いった効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は手直１１Δ気異方性ケ有する１社性薄膜葡説明
するための図、第２図は本発明による光磁気記憶媒体を
説明￥るための１菌、第３図はその熱印加後の磁化状頭
金５（？明するための図である。 図面において、１は基板、２は磁性薄膜、３はイオン注
入層、４は非イオン注入層、５はイオン注入層のイオン
分布曲線、６は非磁性的な層、７（づこレーザ光、８は
レーザ光照射部分をそれぞれ示す。 ’Ｌ：ｆ　ｉ打出ム；０人 畠士１ｍ株式会社 特許出；如代理人 弁理士　青　木　朗 弁１２１士　西　舘　和　之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、膜面に垂直な異方性磁界を有する磁性薄膜にＮｅ＋
    あるいはＩけ等をイオン注入した材料全使用し、その表
    面に部分的に光が照射されたとき。 該１■分の磁気特性が変化することによって情報を記憶
    することを特徴とする光磁気記憶媒体。
JP17691283A 1983-09-27 1983-09-27 光磁気記憶媒体 Pending JPS6070542A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63241739A (ja) * 1987-03-27 1988-10-07 Fujitsu Ltd 光磁気デイスク
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