JPS61104442A - 光磁気記録媒体と光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体と光磁気記録方法Info
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- JPS61104442A JPS61104442A JP59223238A JP22323884A JPS61104442A JP S61104442 A JPS61104442 A JP S61104442A JP 59223238 A JP59223238 A JP 59223238A JP 22323884 A JP22323884 A JP 22323884A JP S61104442 A JPS61104442 A JP S61104442A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
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- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
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- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光照射と外部磁界印加によって情報の記
録をおこなう光磁気記録媒体及びその記録方式に関する
。
録をおこなう光磁気記録媒体及びその記録方式に関する
。
（従来技術とその問題点）
光磁気記録は高密度・大容量記録が可能でかつ非接触・
高速アクセスもできる大容量ファイルメモリの一つであ
シ、記録情報の書き替えが可能であるという利点を持っ
ていることから近年注目を集め、各所で盛んに研究開発
がおこなわれている。
高速アクセスもできる大容量ファイルメモリの一つであ
シ、記録情報の書き替えが可能であるという利点を持っ
ていることから近年注目を集め、各所で盛んに研究開発
がおこなわれている。
従来、公知の光磁気記録方式としては、たとえば桜井長
文、爺岡靜夫監修「光メモリー光磁気メモリー総合技術
集成」サイエンスフォーラム社発行 ２３９ページから
２４１ページに示されているように「キュリ一点書き込
み」 「補償点書き込み」方式がある。「キュリ一点書
き込み」の原理は第４図に示されている。第４図（ａ）
に示すように記録前の膜の磁化状態は一方向に揃ってい
る。集光されたレーザ光を用いて膜の温度をキュリ一温
度以上に上げると膜の磁化は消失しく第４図（ｂ））、
冷却後の磁化は外部磁界ＨａＯ印加方向に反転する。
文、爺岡靜夫監修「光メモリー光磁気メモリー総合技術
集成」サイエンスフォーラム社発行 ２３９ページから
２４１ページに示されているように「キュリ一点書き込
み」 「補償点書き込み」方式がある。「キュリ一点書
き込み」の原理は第４図に示されている。第４図（ａ）
に示すように記録前の膜の磁化状態は一方向に揃ってい
る。集光されたレーザ光を用いて膜の温度をキュリ一温
度以上に上げると膜の磁化は消失しく第４図（ｂ））、
冷却後の磁化は外部磁界ＨａＯ印加方向に反転する。
レーザ光のＯＮ＃ＯＦＦに応じた磁化パターンを記録媒
体に形成できる。（第ゲ図（Ｃ））この方式を用いて光
磁気記録をおこなう記録媒体としては、結晶性磁性薄膜
であるＭｎＢ１あるいは希土類遷移金属合金の非晶質磁
性薄膜であるＴｂＦｅ ｐ ＤｙＦｅなどがある。
体に形成できる。（第ゲ図（Ｃ））この方式を用いて光
磁気記録をおこなう記録媒体としては、結晶性磁性薄膜
であるＭｎＢ１あるいは希土類遷移金属合金の非晶質磁
性薄膜であるＴｂＦｅ ｐ ＤｙＦｅなどがある。
一方、「補償点誉き込み」とはフェリ磁性体を媒体とす
る方式であシ、飽和磁化Ｍｓがキュリ一温度Ｔｃよシ低
温において一旦消失する温度すなわち補償湿層Ｔｃｏｍ
ｐカニ室温にある媒体を用い、補償温度Ｔｃｏｍｐよシ
高温での急峻な保＠ ７’７． Ｈｃの減少を利用して
記録をおこなう方式である。ここで用いられる７工リ磁
性体の飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの温度変化は第５図の
ようになっている。この方式が適用できる記録媒体とし
ては希土類遷移金属合金の非晶質磁性薄膜であるＧｂＣ
ｏ ＃ ＧｄＦａなどがある。
る方式であシ、飽和磁化Ｍｓがキュリ一温度Ｔｃよシ低
温において一旦消失する温度すなわち補償湿層Ｔｃｏｍ
ｐカニ室温にある媒体を用い、補償温度Ｔｃｏｍｐよシ
高温での急峻な保＠ ７’７． Ｈｃの減少を利用して
記録をおこなう方式である。ここで用いられる７工リ磁
性体の飽和磁化Ｍｓと保磁力Ｈｃの温度変化は第５図の
ようになっている。この方式が適用できる記録媒体とし
ては希土類遷移金属合金の非晶質磁性薄膜であるＧｂＣ
ｏ ＃ ＧｄＦａなどがある。
しかしながら前述の２つの記録方式に採用されている記
録媒体においては、次のような欠点がある。すなわち、
「キュリ一点書き込み」に用いられるＭｎＢ１ではキュ
リ一温度が３６０℃ と相当高温であるため大きな記録
パワーが必要であるとともに結晶性のノイズが生じる、
−次相転移があるという欠点を有する。また希土類遷移
金属合金のアモルファス磁性薄膜を用馳る場合には、酸
化による特性劣化と経時変化が生じやすいために十分な
保護膜を付加する必要があシ、さらには「補償点書き込
み」に用いる時には補償温度が室温になるように作成時
の組成制御を十分にしなければならないという欠点があ
る。
録媒体においては、次のような欠点がある。すなわち、
「キュリ一点書き込み」に用いられるＭｎＢ１ではキュ
リ一温度が３６０℃ と相当高温であるため大きな記録
パワーが必要であるとともに結晶性のノイズが生じる、
−次相転移があるという欠点を有する。また希土類遷移
金属合金のアモルファス磁性薄膜を用馳る場合には、酸
化による特性劣化と経時変化が生じやすいために十分な
保護膜を付加する必要があシ、さらには「補償点書き込
み」に用いる時には補償温度が室温になるように作成時
の組成制御を十分にしなければならないという欠点があ
る。
（発明の目的）
本発明の目的は前記従来の光磁気記録方式の欠点を解決
し、強磁性体と反強磁性体とを含む多層膜からなる光磁
気記録媒体と、新規な光磁気記録方式を提供することに
ある。
し、強磁性体と反強磁性体とを含む多層膜からなる光磁
気記録媒体と、新規な光磁気記録方式を提供することに
ある。
（発明の構成）
本発明によれば、強磁性体層と反強磁性体層とがそれぞ
れ少なくとも一層以上交互に積層された構造を含むこと
を特徴とする光磁気記録媒体と、レーザ光照射と外部磁
界印加によって情報の記録をおこなう光磁気記録方式に
おいて、強磁性体と反強磁性体とがそれぞれ少なくとも
一層以上交互に積層された多層膜を記録媒体とし、レー
ザ光照射によって前記記録媒体を構成する反強磁性体の
ネール点以上に記録媒体を昇温させ、外部磁界を印加し
レーザ光照射部の磁化を外部磁界の向きに揃えることに
より記録情報に対応した磁化分布を前記記録媒体に形成
することを特徴とする光磁気記録方式が得られる。
れ少なくとも一層以上交互に積層された構造を含むこと
を特徴とする光磁気記録媒体と、レーザ光照射と外部磁
界印加によって情報の記録をおこなう光磁気記録方式に
おいて、強磁性体と反強磁性体とがそれぞれ少なくとも
一層以上交互に積層された多層膜を記録媒体とし、レー
ザ光照射によって前記記録媒体を構成する反強磁性体の
ネール点以上に記録媒体を昇温させ、外部磁界を印加し
レーザ光照射部の磁化を外部磁界の向きに揃えることに
より記録情報に対応した磁化分布を前記記録媒体に形成
することを特徴とする光磁気記録方式が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は上述の構成をとるととＫよシ、従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
本発明においては、記録媒体として強磁性体と反強磁性
体の多層膜を用いる。ここで言う多層膜とは２層以上の
層携成を持つ膜であシ、第１図（ａ）ν（ｂ）に示した
ような強磁性体と反強磁性体をそれぞれ１層積層した２
層膜はもちろん、第２図（ａ） ＝ （ｂ）に示したよ
うに強磁性体と反強磁性体を交互に繰シ返して重ねた周
期多層膜も含まれる。必要に応じて保護膜を形成しても
よい。このような多層膜では強磁性体と反強磁性体は磁
気的に結合しておシ、室温ではこの多層膜は一方向異方
性を示した。
体の多層膜を用いる。ここで言う多層膜とは２層以上の
層携成を持つ膜であシ、第１図（ａ）ν（ｂ）に示した
ような強磁性体と反強磁性体をそれぞれ１層積層した２
層膜はもちろん、第２図（ａ） ＝ （ｂ）に示したよ
うに強磁性体と反強磁性体を交互に繰シ返して重ねた周
期多層膜も含まれる。必要に応じて保護膜を形成しても
よい。このような多層膜では強磁性体と反強磁性体は磁
気的に結合しておシ、室温ではこの多層膜は一方向異方
性を示した。
ここでは、簡単のため第１図に示したような強磁性体と
反強磁性体とから成る２層構成の記録媒体を考える。今
、室温においては強磁性体と反強磁性体は磁気的に結合
しているために、２層媒体のみかけ上の保磁力ＨＣＲは
強磁性体単層のときの保磁力に比べてかなシ大きくなる
。
反強磁性体とから成る２層構成の記録媒体を考える。今
、室温においては強磁性体と反強磁性体は磁気的に結合
しているために、２層媒体のみかけ上の保磁力ＨＣＲは
強磁性体単層のときの保磁力に比べてかなシ大きくなる
。
反強磁性体は、ネール点（ＴＮ）以上ではスビ／の秩序
配列がこわれるために常磁性的振子舞いを示す。そのた
めに記録媒体では強磁性体と反強磁性体間の磁気的結合
がなくなシ、みかけ上の媒体の保磁力は強磁性体の保磁
力１（ｃｐと等しくなる。
配列がこわれるために常磁性的振子舞いを示す。そのた
めに記録媒体では強磁性体と反強磁性体間の磁気的結合
がなくなシ、みかけ上の媒体の保磁力は強磁性体の保磁
力１（ｃｐと等しくなる。
本発明はこうしたネール点を境にした強磁性体と反強磁
性体間の磁気的結合の変化に起因しだ保磁力の変化を有
効に利用するものである。
性体間の磁気的結合の変化に起因しだ保磁力の変化を有
効に利用するものである。
本発明に係る光磁気記録方式について第３図の動作モー
ド図に従って説明する。まず、記録媒体向きとする。こ
のときの外部磁界の大きさＨＷは室温での記録媒体の保
磁力ＨＣ几よシも小さくかつネール点以上の温度で強磁
性体が示す保磁力ＨＣＦよシも大きい値に設定される。
ド図に従って説明する。まず、記録媒体向きとする。こ
のときの外部磁界の大きさＨＷは室温での記録媒体の保
磁力ＨＣ几よシも小さくかつネール点以上の温度で強磁
性体が示す保磁力ＨＣＦよシも大きい値に設定される。
次に記録データ（８３図（ｂ））に応じてレーザ光を変
調しレーザ光（パワーＰｗ）によ少記録媒体を局所的に
加熱する（第３図（Ｃ））。媒体温度をネール点以上に
上昇させると、記録媒体の強磁性体と反強磁性体間の磁
気的結合がなくなシ保磁力がＨＣ１％からＨＣＰに低下
する（第３図（ｄ））。レーザによりて加熱された領域
は外部磁界の影響を受けるので、加熱領域の強磁性体の
磁化方向は外部磁界の方向に揃う。冷却過程において強
磁性体の磁化は固定され、レーザ光照射部のみ磁化方向
が反転し、記録が達成される（第３図（ｅ））。
調しレーザ光（パワーＰｗ）によ少記録媒体を局所的に
加熱する（第３図（Ｃ））。媒体温度をネール点以上に
上昇させると、記録媒体の強磁性体と反強磁性体間の磁
気的結合がなくなシ保磁力がＨＣ１％からＨＣＰに低下
する（第３図（ｄ））。レーザによりて加熱された領域
は外部磁界の影響を受けるので、加熱領域の強磁性体の
磁化方向は外部磁界の方向に揃う。冷却過程において強
磁性体の磁化は固定され、レーザ光照射部のみ磁化方向
が反転し、記録が達成される（第３図（ｅ））。
（実施例１）
強磁性体としてマグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）、反強磁性
体として酸化コバル） （Ｃｏｏ ）を用いた記録媒体
を作成した。厚さ１．２１１１のガラス基板上に抵抗加
熱の真空蒸着法でＦｅ３Ｏ４とＣｏＯの周期多層膜を形
成した。２個の蒸発源にそれぞれＦｅとＣＯを入れ、真
空チャンバーを５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下に排気
後、０２ガスを導入し０２雰囲気中でそれぞれの蒸発源
に通電してＦｅとＣｏを交互に蒸発させた。
体として酸化コバル） （Ｃｏｏ ）を用いた記録媒体
を作成した。厚さ１．２１１１のガラス基板上に抵抗加
熱の真空蒸着法でＦｅ３Ｏ４とＣｏＯの周期多層膜を形
成した。２個の蒸発源にそれぞれＦｅとＣＯを入れ、真
空チャンバーを５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ以下に排気
後、０２ガスを導入し０２雰囲気中でそれぞれの蒸発源
に通電してＦｅとＣｏを交互に蒸発させた。
蒸発したＦ＠とＣｏはともに真空チャンバー内に導入し
た０２と反応し、基板上ではそれぞれＦｅ３Ｏ４とＣｏ
Ｏとなって積層した。それぞれの蒸発源の上には独立に
駆動し得るシャッターが設けられておシ、ＦｅとＣｏは
独立に蒸着できる。膜厚は水晶振動式膜厚計で監視して
所定の膜厚になればシャッターを閉じて他方のシャッタ
ーを開けるという操作によシ制御した。蒸着速度は膜厚
の制御を容易にするために約Ｉ Ｘ ／ ｓｅｃ、とし
た。
た０２と反応し、基板上ではそれぞれＦｅ３Ｏ４とＣｏ
Ｏとなって積層した。それぞれの蒸発源の上には独立に
駆動し得るシャッターが設けられておシ、ＦｅとＣｏは
独立に蒸着できる。膜厚は水晶振動式膜厚計で監視して
所定の膜厚になればシャッターを閉じて他方のシャッタ
ーを開けるという操作によシ制御した。蒸着速度は膜厚
の制御を容易にするために約Ｉ Ｘ ／ ｓｅｃ、とし
た。
上記の方法をとカ、ガラス基板上にｌ Ｏｎｍ厚のＦｅ
３Ｏ４層と２．５ｎｍ厚のＣｏ０層をこの順序で１０周
期分蒸着した。
３Ｏ４層と２．５ｎｍ厚のＣｏ０層をこの順序で１０周
期分蒸着した。
作成した記録媒体のＣＯＯのネール点は約１００℃であ
った。ＣｏＯのネール点は本来的１０〜２０℃程度であ
るが前記作製方法によシ約１００℃に変化した。室温で
の記録媒体の保磁力は約Ｉ ＫＱｅであるのに対し、ネ
ール点以上では保磁力は１０００ｅ以下に低下した。
った。ＣｏＯのネール点は本来的１０〜２０℃程度であ
るが前記作製方法によシ約１００℃に変化した。室温で
の記録媒体の保磁力は約Ｉ ＫＱｅであるのに対し、ネ
ール点以上では保磁力は１０００ｅ以下に低下した。
Ｃｏｏのネール点は本来約１０〜２０℃であるがこのよ
うな薄膜多層構造にすることによシネール点を約１００
℃に変化させられることを確認した。
うな薄膜多層構造にすることによシネール点を約１００
℃に変化させられることを確認した。
ここでＦｅ３Ｏ４とＣｏｏは前記の値の約数倍程度厚く
でもよい。
でもよい。
作成した記録媒体を用いて光磁気記録をおこなった。記
録媒体は記録前に１０ ＫＧａｕｓｓの磁場中で一力向
に着磁された。次に記録媒体の着磁の向きと逆向きに５
０００．ｅの磁界を電磁石を用いて印加し、線速２．５
ｍ／ｓｅｃで移動する記録媒体に半導体レーザ（波長８
３０ ｎｍ ）を用いた光ヘッドによ少記録をおこなっ
た。記録媒体面上５ ｍＷ１パルス幅５ Ｑ Ｑ ｎ５
ｅｃのレーザ光照射によって記録ができ、Ｆｅ３Ｏ４層
の磁化方向が反転した。磁気光学効果を用いた再生をお
こなったところ、良好な再生信号が得られた。
録媒体は記録前に１０ ＫＧａｕｓｓの磁場中で一力向
に着磁された。次に記録媒体の着磁の向きと逆向きに５
０００．ｅの磁界を電磁石を用いて印加し、線速２．５
ｍ／ｓｅｃで移動する記録媒体に半導体レーザ（波長８
３０ ｎｍ ）を用いた光ヘッドによ少記録をおこなっ
た。記録媒体面上５ ｍＷ１パルス幅５ Ｑ Ｑ ｎ５
ｅｃのレーザ光照射によって記録ができ、Ｆｅ３Ｏ４層
の磁化方向が反転した。磁気光学効果を用いた再生をお
こなったところ、良好な再生信号が得られた。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば従来例と比較して次
のような効果がある。
のような効果がある。
■ 反強磁性体層のネール点以上に昇温すれば記録が可
能であるため、高感度記録ｐ高速記録ができる。
能であるため、高感度記録ｐ高速記録ができる。
■ 本方式は実施例に示したように酸化物磁性体に適用
できるので、耐候性に優れた媒体が使用できる。
できるので、耐候性に優れた媒体が使用できる。
また本発明は実施例に示したＦｅ３Ｏ４／ ＣｏＯ多層
膜に限られるものではなく、前述の条件に適合する種々
の強磁性体と反強磁性体の組み合わせも適用できる。
膜に限られるものではなく、前述の条件に適合する種々
の強磁性体と反強磁性体の組み合わせも適用できる。
第１図（ａ） ｊ （ｂ）、第２図（ａ） ｊ （ｂ）
は本発明に用いられる光磁気記録媒体の一例を示す構成
図、第３図（ａ）％ （１５）は本発明に係る光磁気記
録方式の動作モードを示す図、第４図は従、来の光磁気
記録方式の原理図、第５図は従来の光磁気記録方式に用
いる記録媒体の特性を示す図である。 図中 １０は強磁性体層、２０は反強磁性体層、３０は
基板である。 ７１ 図 （ｂ） １０−−−−−一強磁性体層 ２０−−−−−・反強磁性体層 ３０−−−−一基 板 ７１−２ 図 ＋０．− 強磁性体層 ２０−−・−反強磁性体層 ３０−一一一一基板 ７１−３ 図 （０）外部磁界 （Ｃ）レーザバワー ７４ 図 （０）記録前 （Ｃ）冷却後 ；ｉ？５ 図 Ｔｃｏｍｐ ：補償温度 ＴＣ： キュリ一温度 ９ｑ３
は本発明に用いられる光磁気記録媒体の一例を示す構成
図、第３図（ａ）％ （１５）は本発明に係る光磁気記
録方式の動作モードを示す図、第４図は従、来の光磁気
記録方式の原理図、第５図は従来の光磁気記録方式に用
いる記録媒体の特性を示す図である。 図中 １０は強磁性体層、２０は反強磁性体層、３０は
基板である。 ７１ 図 （ｂ） １０−−−−−一強磁性体層 ２０−−−−−・反強磁性体層 ３０−−−−一基 板 ７１−２ 図 ＋０．− 強磁性体層 ２０−−・−反強磁性体層 ３０−一一一一基板 ７１−３ 図 （０）外部磁界 （Ｃ）レーザバワー ７４ 図 （０）記録前 （Ｃ）冷却後 ；ｉ？５ 図 Ｔｃｏｍｐ ：補償温度 ＴＣ： キュリ一温度 ９ｑ３
Claims (3)
- （１）強磁性体層と反強磁性体層とがそれぞれ少なくと
も一層以上交互に積層されてなる構造を含むことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - （２）強磁性体と反強磁性体のうち少なくとも一方が酸
化物である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体
。 - （３）レーザ光照射と外部磁界印加によって情報の記録
をおこなう光磁気記録方式において、強磁性体と反強磁
性体とがそれぞれ少なくとも一層以上交互に積層された
多層膜を記録媒体とし、レーザ光照射によって前記記録
媒体を構成する反強磁性体のネール点以上に記録媒体を
昇温させ、外部磁界を印加しレーザ光照射部の磁化を外
部磁界の向きに揃えることにより記録情報に対応した磁
化分布を前記記録媒体に形成することを特徴とする光磁
気記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223238A JPS61104442A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 光磁気記録媒体と光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223238A JPS61104442A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 光磁気記録媒体と光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104442A true JPS61104442A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0559497B2 JPH0559497B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=16794961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223238A Granted JPS61104442A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 光磁気記録媒体と光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184644A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Canon Inc | 光磁気メモリ用媒体及び該媒体を使用した記録方法 |
| JP2008507076A (ja) * | 2004-07-13 | 2008-03-06 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ カリフォルニア | 交換バイアス（ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｂｉａｓ）に基づく多状態（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｔｅ）磁気メモリおよび論理装置、および磁気的に安定な磁気記憶 |
| CN111902867A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-06 | 国立大学法人东京大学 | 记录方法、记录装置、再生方法、再生装置、以及高速响应元件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154339A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP59223238A patent/JPS61104442A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154339A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184644A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Canon Inc | 光磁気メモリ用媒体及び該媒体を使用した記録方法 |
| JP2008507076A (ja) * | 2004-07-13 | 2008-03-06 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ カリフォルニア | 交換バイアス（ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｂｉａｓ）に基づく多状態（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｔｅ）磁気メモリおよび論理装置、および磁気的に安定な磁気記憶 |
| US7764454B2 (en) | 2004-07-13 | 2010-07-27 | The Regents Of The University Of California | Exchange-bias based multi-state magnetic memory and logic devices and magnetically stabilized magnetic storage |
| CN111902867A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-06 | 国立大学法人东京大学 | 记录方法、记录装置、再生方法、再生装置、以及高速响应元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559497B2 (ja) | 1993-08-31 |
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