JPS632398A - 金属原型を形成する方法 - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
-
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-
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- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
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-
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、金属原型例えば印刷回路およびその類似物を
形成する方法に関する。
形成する方法に関する。
(従来の技術)
印刷回路板の製造のために使用される様々な方法がある
が、使用されている工程のいくつかに1種々の方法に共
通している。
が、使用されている工程のいくつかに1種々の方法に共
通している。
片面印刷回路板の場合には、板は銅張り積層基板から成
り、所望の場所にあけられた穴を有し、まずある部分に
おいてむき出しの銅および残りの部分においてレジスト
により被覆てれた銅を有する板を得るために、スクリー
ン印刷法または光画像法を利用して、予め決められた原
型にレジストを鋼上に被覆する。次にむき出しの銅を錫
−鉛合金でめっきし、次いでレジストを除去し、それに
よって露出された銅を、錫−鉛合金を除去しないエツチ
ング剤を使用してエツチングし、錫−鉛合金を最後に錫
−鉛合金ストリッパーを使用して除去する。
り、所望の場所にあけられた穴を有し、まずある部分に
おいてむき出しの銅および残りの部分においてレジスト
により被覆てれた銅を有する板を得るために、スクリー
ン印刷法または光画像法を利用して、予め決められた原
型にレジストを鋼上に被覆する。次にむき出しの銅を錫
−鉛合金でめっきし、次いでレジストを除去し、それに
よって露出された銅を、錫−鉛合金を除去しないエツチ
ング剤を使用してエツチングし、錫−鉛合金を最後に錫
−鉛合金ストリッパーを使用して除去する。
両面、めっきスルーホール印刷回路板の場合には、方法
は同様であるが、下記の付加的な工程を有する: 穴があけられた後、穴の表面に(全体の銅と同様に)銅
をめっきするために、板を無電解鋼めっきに晒す;予め
決められた原型にレジストを塗布した後に、穴の表面も
含めてむき出しの銅部分上に銅をめっきするために、板
を銅電気めっきに晒す。
は同様であるが、下記の付加的な工程を有する: 穴があけられた後、穴の表面に(全体の銅と同様に)銅
をめっきするために、板を無電解鋼めっきに晒す;予め
決められた原型にレジストを塗布した後に、穴の表面も
含めてむき出しの銅部分上に銅をめっきするために、板
を銅電気めっきに晒す。
(発明が解決しようとする問題点)
性である;そして錫−鉛ス) IJツバ−(通常過酸化
水素と硫酸の混合物)に、板自身を侵し、そして剥離を
行なっている人や装置を侵す。
水素と硫酸の混合物)に、板自身を侵し、そして剥離を
行なっている人や装置を侵す。
本発明者らは、レジストを塗布後のむき出しのままにさ
れている銅が、レジストを剥離するために使用されるも
のとは異なる溶媒により剥離可能であり、そして鋼エツ
チング剤により除去されない電着され得る樹脂の電着に
より保護され得ることを令兄い出した。
れている銅が、レジストを剥離するために使用されるも
のとは異なる溶媒により剥離可能であり、そして鋼エツ
チング剤により除去されない電着され得る樹脂の電着に
より保護され得ることを令兄い出した。
電着され得る樹脂は、長年の間公矧であり、金属輿品、
例えば車体やアクセサリ−1鋼製の桁および家庭用品例
えば洗たく機の塗装のために慣用である。これらの利用
において、樹脂を電着し、そして次に硬化させる。印刷
回路板の製造中に、露出された銅を保護するために電着
され得る樹脂を使用することが、ソビエト国特許第29
5512号明細書に提案されているが、しかし再度、電
着の後に、樹脂は熱的に硬化される。このことは、除去
を困難にし、印刷回路の積層基板に損傷を与え得る70
ないし80℃でアルカリ溶液での処理条件が必要とされ
る。
例えば車体やアクセサリ−1鋼製の桁および家庭用品例
えば洗たく機の塗装のために慣用である。これらの利用
において、樹脂を電着し、そして次に硬化させる。印刷
回路板の製造中に、露出された銅を保護するために電着
され得る樹脂を使用することが、ソビエト国特許第29
5512号明細書に提案されているが、しかし再度、電
着の後に、樹脂は熱的に硬化される。このことは、除去
を困難にし、印刷回路の積層基板に損傷を与え得る70
ないし80℃でアルカリ溶液での処理条件が必要とされ
る。
本発明者らは、電着された樹脂を実質的に硬化させるこ
となしに、十分な保護が得られるこにおいてむき出しの
金属および残りの部分においてレジストにより被覆され
た金属から成る基材に、金属原型を形成する方法におい
て、(1)むき出しの金属上に樹脂を電着することによ
り該むき出しの金属を保護し、 (1i)電着された樹脂を実質的に未硬化のままにして
おき、一方電着された樹脂を除去しない溶媒を使用して
、前記残りの部分からレジストを除去し、それにより該
残りの部分の金属を露出し、 (iii) 電着された樹脂を除去しない工;ンチン
グ剤を使用して、(11)で露出された金属をエツチン
グし、そしてOVI 適当な溶媒で電着された樹÷ 脂を除去することか成る金属原型を形成する方法を提供
する。
となしに、十分な保護が得られるこにおいてむき出しの
金属および残りの部分においてレジストにより被覆され
た金属から成る基材に、金属原型を形成する方法におい
て、(1)むき出しの金属上に樹脂を電着することによ
り該むき出しの金属を保護し、 (1i)電着された樹脂を実質的に未硬化のままにして
おき、一方電着された樹脂を除去しない溶媒を使用して
、前記残りの部分からレジストを除去し、それにより該
残りの部分の金属を露出し、 (iii) 電着された樹脂を除去しない工;ンチン
グ剤を使用して、(11)で露出された金属をエツチン
グし、そしてOVI 適当な溶媒で電着された樹÷ 脂を除去することか成る金属原型を形成する方法を提供
する。
レジストは、スクリーン印刷法により塗布されるエポキ
シド樹脂であって良く、そして後に硬化させても良い。
シド樹脂であって良く、そして後に硬化させても良い。
好ましくは、レジストハ、通常銅張り積層板である基材
に一様に塗布し、予め決められた原型に化学線を当て、
そしてフォトレジストがポジであるかネガであるかに従
って、露出されたまたは露出されていない部分を除去す
ることより、選択された部分く被覆されたフォトレジス
トである。印刷回路板を製造するために使用されるポジ
およびネガフォトレジストは、十分に公知の材料であり
、そしてそれらのいずれでも使用され得る。それらは水
性条件下または有機溶媒によって除去され得る。
に一様に塗布し、予め決められた原型に化学線を当て、
そしてフォトレジストがポジであるかネガであるかに従
って、露出されたまたは露出されていない部分を除去す
ることより、選択された部分く被覆されたフォトレジス
トである。印刷回路板を製造するために使用されるポジ
およびネガフォトレジストは、十分に公知の材料であり
、そしてそれらのいずれでも使用され得る。それらは水
性条件下または有機溶媒によって除去され得る。
別の金属層例えばニッケルを、樹脂の電着前に、むき出
しの銅部分上に付着しても良い。
しの銅部分上に付着しても良い。
電着され得る樹脂は、各々塩基−剥離性および酸−剥離
性である陽極付着性または陰極付着性であって良い。酸
性エツチング剤が使用される場合、陽極付着性樹脂が好
ましく、そして銅のためのアルカIJ aエツチング剤
が使用される場合、陰極型のものが好ましい。
性である陽極付着性または陰極付着性であって良い。酸
性エツチング剤が使用される場合、陽極付着性樹脂が好
ましく、そして銅のためのアルカIJ aエツチング剤
が使用される場合、陰極型のものが好ましい。
特別な組合せに、水性条件下で剥離可能であるフォトレ
ジストおよび有機溶媒によって剥離可能である電着さル
得る樹脂の使用である。
ジストおよび有機溶媒によって剥離可能である電着さル
得る樹脂の使用である。
アクリル樹脂;エポキシド樹脂のアミンまたはポリカル
ボン酸、アミノ酸またはメルカプト酸との付加物;ポリ
ウレタン;ポリエステル;およびフェノール性ヒドロキ
シル基を含有する樹脂のアルデヒドおよびアミンまたは
アミノ−またはメルカプト−カルボン酸との反応生成物
を含む多数の電着性樹脂のいずれでも使用され得る。適
当なアクリル樹脂は、少なくとも1種のアクリル酸エス
テル例えばアルキルまたはヒドロキシアルキルアクリレ
ートまたはメタクリレートと、塩形成基を含有するエチ
レン性不飽キ 和モノマー例えばカルボキシ基または第三アミノ基を含
有するアクリル酸モノマー、およヒ所望により別のエチ
レン性不飽和モノマーとのコポリマーを含有する。適当
なエポキシド樹脂付加物は、二価アルコールまたはビス
フェノールのジグリシジルエーテルと化学量論的に過剰
な第一または第二モノアミンまたはポリアミン例えばエ
タノールアミン、ジェタノールアミンまたはエチレンジ
アミン、ポリカルボン酸例えばグルタル酸またはアジピ
ン酸、ポリカルボン酸無水物例えばマレイン酸ま次はコ
ハク酸無水物、アミノカルボン酸例えば0−lm−また
は−?−アミノ安息香酸またはメルカプトカルボン酸と
の付加物を含有する。適当なポリウレタンは、ヒドロキ
シル基末熾のポリウレタンとポリカルボン酸無水物との
付加物を含有する。適当なポリエステルは、多価アルコ
ール例えばエチレングリコール、1.2−プロピレング
リコール、1.3−プロピレングリコールまたはブタン
−1,4−ジオールとポリカルボン酸例えばグルタル酸
、アジピン酸、マレイン酸、テトラヒドロフタル酸およ
びフタル#lまたはそれらのエステル化誘導体とから誘
導されるカルボキシル基末端のポリエステルヲ含む。フ
ェノール性ヒドロキシル基を含有する樹脂の適当な反応
生成物は、ビスフェノールジグリシジルエーテルとアル
デヒド例えばホルムアルデヒドまたはベンズアルデヒド
とノフェノール末端付加物とアミン例えばエタノールア
ミン、ジェタノールアミンまたにエチレンジアミン、ア
ミノカルボン酸例えばグリシン、サルコシンまたにアス
パラギン酸、またはメルカプトカルボン酸例えばチオグ
リコール酸または6−メルカプトプロピオン酸との反応
生成物を含む。
ボン酸、アミノ酸またはメルカプト酸との付加物;ポリ
ウレタン;ポリエステル;およびフェノール性ヒドロキ
シル基を含有する樹脂のアルデヒドおよびアミンまたは
アミノ−またはメルカプト−カルボン酸との反応生成物
を含む多数の電着性樹脂のいずれでも使用され得る。適
当なアクリル樹脂は、少なくとも1種のアクリル酸エス
テル例えばアルキルまたはヒドロキシアルキルアクリレ
ートまたはメタクリレートと、塩形成基を含有するエチ
レン性不飽キ 和モノマー例えばカルボキシ基または第三アミノ基を含
有するアクリル酸モノマー、およヒ所望により別のエチ
レン性不飽和モノマーとのコポリマーを含有する。適当
なエポキシド樹脂付加物は、二価アルコールまたはビス
フェノールのジグリシジルエーテルと化学量論的に過剰
な第一または第二モノアミンまたはポリアミン例えばエ
タノールアミン、ジェタノールアミンまたはエチレンジ
アミン、ポリカルボン酸例えばグルタル酸またはアジピ
ン酸、ポリカルボン酸無水物例えばマレイン酸ま次はコ
ハク酸無水物、アミノカルボン酸例えば0−lm−また
は−?−アミノ安息香酸またはメルカプトカルボン酸と
の付加物を含有する。適当なポリウレタンは、ヒドロキ
シル基末熾のポリウレタンとポリカルボン酸無水物との
付加物を含有する。適当なポリエステルは、多価アルコ
ール例えばエチレングリコール、1.2−プロピレング
リコール、1.3−プロピレングリコールまたはブタン
−1,4−ジオールとポリカルボン酸例えばグルタル酸
、アジピン酸、マレイン酸、テトラヒドロフタル酸およ
びフタル#lまたはそれらのエステル化誘導体とから誘
導されるカルボキシル基末端のポリエステルヲ含む。フ
ェノール性ヒドロキシル基を含有する樹脂の適当な反応
生成物は、ビスフェノールジグリシジルエーテルとアル
デヒド例えばホルムアルデヒドまたはベンズアルデヒド
とノフェノール末端付加物とアミン例えばエタノールア
ミン、ジェタノールアミンまたにエチレンジアミン、ア
ミノカルボン酸例えばグリシン、サルコシンまたにアス
パラギン酸、またはメルカプトカルボン酸例えばチオグ
リコール酸または6−メルカプトプロピオン酸との反応
生成物を含む。
好ましい電着され得る樹脂は、少なくとも1種のモノア
クリル酸エステル、特にメチルアクリレート、エチルア
クリレート、2−ヒドロキシルアクリレート、2−ヒド
ロキシプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、エ
チルへキシルアクリレートおよび相当するメタクリレー
トから選択されるものと、カルボキシル基または第三ア
ミノ基を含有する少なくとも1種のモノアクリル酸モノ
マー、特にアクリル酸、メタクリル酸またはジメチルア
ミンエチルメタクリレートおよび所望により別のとニル
モノマm個エバスチレンとのコポリマーである。その他
の好ましい電着され得る樹脂は、先駆されていても良い
ビスフェノール、特にビスフェノールAのモノアミン、
特にジェタノールアミンとの付加物である。
クリル酸エステル、特にメチルアクリレート、エチルア
クリレート、2−ヒドロキシルアクリレート、2−ヒド
ロキシプロピルアクリレート、ブチルアクリレート、エ
チルへキシルアクリレートおよび相当するメタクリレー
トから選択されるものと、カルボキシル基または第三ア
ミノ基を含有する少なくとも1種のモノアクリル酸モノ
マー、特にアクリル酸、メタクリル酸またはジメチルア
ミンエチルメタクリレートおよび所望により別のとニル
モノマm個エバスチレンとのコポリマーである。その他
の好ましい電着され得る樹脂は、先駆されていても良い
ビスフェノール、特にビスフェノールAのモノアミン、
特にジェタノールアミンとの付加物である。
付着される樹脂のfiは、露出された金属を完全に被覆
するのに十分で、かつフォトレジストの除去の間および
それによって露出される金属のエツチングの間に露出さ
れた金属を保護するのに十分であることが必要とされる
。
するのに十分で、かつフォトレジストの除去の間および
それによって露出される金属のエツチングの間に露出さ
れた金属を保護するのに十分であることが必要とされる
。
200ボルトまでの電圧で、わずかに数分間の、通常1
分間の電着で、はとんどの場合十分である。2ボルトと
低い電圧もある場合に使用され得、特に樹脂が付着され
る電極の大きさが。
分間の電着で、はとんどの場合十分である。2ボルトと
低い電圧もある場合に使用され得、特に樹脂が付着され
る電極の大きさが。
その他の電極に比較して小さい場合に使用される。例え
ば、陰極付着性樹脂は、タンク全体が陽極でろるタンク
内の小さな陰極上に、2ボルトまたは5ボルトの電圧で
付着されうる。
ば、陰極付着性樹脂は、タンク全体が陽極でろるタンク
内の小さな陰極上に、2ボルトまたは5ボルトの電圧で
付着されうる。
本発明者らは、まず最初に低い電圧でそして次にわずか
に高い電圧でと2段階で付着させた場合に、塗膜の付着
が改善されることを見い出した。例えば2ボルトで2分
間樹脂を電着させ、次に5ボルトで最高5分間性着させ
ることによυ良好な塗膜が得られる。
に高い電圧でと2段階で付着させた場合に、塗膜の付着
が改善されることを見い出した。例えば2ボルトで2分
間樹脂を電着させ、次に5ボルトで最高5分間性着させ
ることによυ良好な塗膜が得られる。
電着された樹脂を除去するために必要とさj。
るよりもおだやかな条件下で(例えば塩基または酸のよ
り希薄な溶液中)、フォトレジストが剥離される得ると
いう場合には、両方が塩基性または両方が酸性剥離性で
あるフォトレジストおよびf着きれ得る樹脂の組合せを
使用することも可能である。
り希薄な溶液中)、フォトレジストが剥離される得ると
いう場合には、両方が塩基性または両方が酸性剥離性で
あるフォトレジストおよびf着きれ得る樹脂の組合せを
使用することも可能である。
エツチング工程(iii)を行う前に、より好ましくは
工程(11)においてレジストを除去する前に、電着さ
れた樹脂は、それを硬化させることなしに例えば100
℃までの温式に加熱することにより、好1しくに乾燥さ
せる。
工程(11)においてレジストを除去する前に、電着さ
れた樹脂は、それを硬化させることなしに例えば100
℃までの温式に加熱することにより、好1しくに乾燥さ
せる。
有機溶媒が、レジストを除去するために使用される場合
、電着された樹脂を溶解しない適当な溶媒は、常用の実
験によって見い出され得る。
、電着された樹脂を溶解しない適当な溶媒は、常用の実
験によって見い出され得る。
この溶媒と電着された樹脂を除去するために使用される
溶媒の両方は、ハロ炭化水素例えば1.1.1−トリク
ロロエタンおよびジクロロメタン、ヒドロキシル溶媒例
えば2−n−ブトキシェタノールおよび2−エトキシエ
タノール、エステル例えば2−エトキシエチルアセテー
ト、ケトン例えばアセトンおよびメチルエチルケトンお
よびエーテル例えばテトラヒドロフランから選択され得
る。例えば、電着された樹脂をエポキシ樹脂から誘導し
、そしてレジストがアクリル材料ケトンを使用して除去
し得る。
溶媒の両方は、ハロ炭化水素例えば1.1.1−トリク
ロロエタンおよびジクロロメタン、ヒドロキシル溶媒例
えば2−n−ブトキシェタノールおよび2−エトキシエ
タノール、エステル例えば2−エトキシエチルアセテー
ト、ケトン例えばアセトンおよびメチルエチルケトンお
よびエーテル例えばテトラヒドロフランから選択され得
る。例えば、電着された樹脂をエポキシ樹脂から誘導し
、そしてレジストがアクリル材料ケトンを使用して除去
し得る。
レジストの除去により露出された金属、通常鋼は、よく
矧られているエツチング剤例えば塩化第二鉄、過酸化水
素/燐酸、過硫酸アンモニウムまたに塩化カプリン酸に
より除去され得る。
矧られているエツチング剤例えば塩化第二鉄、過酸化水
素/燐酸、過硫酸アンモニウムまたに塩化カプリン酸に
より除去され得る。
本発明は、多層の回路板への使用にもまた非常に有用で
あり、特にピアホール(via hole)オヨびスル
ーコンタクト(throogh contact )が
存在する場合に有用である。
あり、特にピアホール(via hole)オヨびスル
ーコンタクト(throogh contact )が
存在する場合に有用である。
(実施例および発明の効果)
本発明を下記の実施例により説明するが、ここで部は重
量部である。実施例において使用される樹脂は、以下の
通りである。
量部である。実施例において使用される樹脂は、以下の
通りである。
樹脂1
メチルメタクリレート(55部)、メタクリル酸(5部
)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(40部)お
よび第三ドデシルメルカプタン(0,03部)を、テト
ラヒドロフラン(THF)(350部)中で還流するた
めに加熱する。アゾビス(インブチロニトリル)(tS
部)を添加し、そして混合物を窒素雰囲気下5時間還流
下に保持する。反応混合物を室温まで冷却し、そして攪
拌したヘキサン(900部)Kゆっくり添加する。沈殿
が形成され、これを濾過し、そしてさらにヘキサンで洗
浄する。生成物を真空オーブン中40℃で乾燥させ、コ
ポリマー−9価1156坐量/Kp、分子量(数平均)
7206を87部得る。
)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(40部)お
よび第三ドデシルメルカプタン(0,03部)を、テト
ラヒドロフラン(THF)(350部)中で還流するた
めに加熱する。アゾビス(インブチロニトリル)(tS
部)を添加し、そして混合物を窒素雰囲気下5時間還流
下に保持する。反応混合物を室温まで冷却し、そして攪
拌したヘキサン(900部)Kゆっくり添加する。沈殿
が形成され、これを濾過し、そしてさらにヘキサンで洗
浄する。生成物を真空オーブン中40℃で乾燥させ、コ
ポリマー−9価1156坐量/Kp、分子量(数平均)
7206を87部得る。
樹脂2
スチレン(50部)、ジメチルアミンエチルメタクリレ
ート(10部)、エチルへキシルメタクリレート(20
部)、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート(20部
)および第三ドデシA/メルカプタン(cL05部)を
THF(34部部)中に溶解させる。THF(1部部)
中の°アゾビス(イソブチロニトリル)(tS部)を添
加し、混合物を窒素雰囲気下5時間還流下に保持する。
ート(10部)、エチルへキシルメタクリレート(20
部)、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート(20部
)および第三ドデシA/メルカプタン(cL05部)を
THF(34部部)中に溶解させる。THF(1部部)
中の°アゾビス(イソブチロニトリル)(tS部)を添
加し、混合物を窒素雰囲気下5時間還流下に保持する。
箱t ni固体を得るために、真空下で反応混合物を除
去し、キ引能固体を真空オープン中40℃でさらに乾燥
する。得られた固体コポリマーは、アミン価α22当量
/緑および分子量(数平均)14.538を有する。
去し、キ引能固体を真空オープン中40℃でさらに乾燥
する。得られた固体コポリマーは、アミン価α22当量
/緑および分子量(数平均)14.538を有する。
樹脂3
スチレン(25L25部)、エチルへキシルアクリレー
ト(10部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(
1部部)およびジメチルアミノエチルメタクリレート(
675部)からなるモノマー混合物をアゾビス(インブ
チロニトリル)(α75部)と共に、100℃で窒素雰
囲気下、攪拌したブトキシェタノール(25部)に2時
間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間100℃
に保ち、そして別量のアゾビス(イソブチロニトリル)
(α25部)およびブトキシェタノール(5NO部)を
添加する。この手順をもう2回繰り返す。固体を約50
%に減らすために、反応混合物をブトキシェタノール(
1部部)で希釈し、そして依然として残っているモノマ
ーを除去するために真空下、回転エバポレーターで除去
する。得られた溶液のアミン価は125当量/縁であり
、そしてコポリマーの分子量(数平均)は9410であ
る。
ト(10部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(
1部部)およびジメチルアミノエチルメタクリレート(
675部)からなるモノマー混合物をアゾビス(インブ
チロニトリル)(α75部)と共に、100℃で窒素雰
囲気下、攪拌したブトキシェタノール(25部)に2時
間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間100℃
に保ち、そして別量のアゾビス(イソブチロニトリル)
(α25部)およびブトキシェタノール(5NO部)を
添加する。この手順をもう2回繰り返す。固体を約50
%に減らすために、反応混合物をブトキシェタノール(
1部部)で希釈し、そして依然として残っているモノマ
ーを除去するために真空下、回転エバポレーターで除去
する。得られた溶液のアミン価は125当量/縁であり
、そしてコポリマーの分子量(数平均)は9410であ
る。
樹脂4
メチルメタクリレート(46部)、ブチルアクリレート
(50部)、メタクリル酸(4部)からなるモノマー混
合物をアゾビス(インブチロニトリル)(tS部)と共
に、100℃で窒素雰囲気下攪拌したブトキシェタノー
ル(25部)K2時間かけて滴下する。反応混合物をさ
らに1時間100℃に保ち、そしてブトキシェタノール
(10部)中の別量のアゾビス(イソプチロニ) IJ
ル)(1,5部)を添加する。この手順をもう2回繰り
返す。固体成分を約50%に減らすために、反応混合物
をブトキシェタノール(20部)で希釈し、そして依然
として残っているモノマーを除去するために真空下、回
転エバポレーターで除去する。得られた溶液の酸価はC
L23当量/当量子あり、そしてコポリマーの分子量は
1へ276である。
(50部)、メタクリル酸(4部)からなるモノマー混
合物をアゾビス(インブチロニトリル)(tS部)と共
に、100℃で窒素雰囲気下攪拌したブトキシェタノー
ル(25部)K2時間かけて滴下する。反応混合物をさ
らに1時間100℃に保ち、そしてブトキシェタノール
(10部)中の別量のアゾビス(イソプチロニ) IJ
ル)(1,5部)を添加する。この手順をもう2回繰り
返す。固体成分を約50%に減らすために、反応混合物
をブトキシェタノール(20部)で希釈し、そして依然
として残っているモノマーを除去するために真空下、回
転エバポレーターで除去する。得られた溶液の酸価はC
L23当量/当量子あり、そしてコポリマーの分子量は
1へ276である。
樹脂5
ビスフェノールAとの反応によりビスフェノールAのジ
グリシジルエーテルを先駆させることにより製造したエ
ポキシド樹脂(エポキシ価0、9 q mo−e/に9
.100/)を、溶液形成のためにブトキシェタノール
(60りと共に140℃に加熱する。これにブトキシェ
タノール(1i8p)中のジェタノールアミン(1α7
1)の溶液を添加し、そして混合物の温度をさらに4時
間140℃に保ち、その後冷却する。得られた溶液は0
55 mO,、e/ Kpのアミン価およびゼロのエポ
キシ価を有する。
グリシジルエーテルを先駆させることにより製造したエ
ポキシド樹脂(エポキシ価0、9 q mo−e/に9
.100/)を、溶液形成のためにブトキシェタノール
(60りと共に140℃に加熱する。これにブトキシェ
タノール(1i8p)中のジェタノールアミン(1α7
1)の溶液を添加し、そして混合物の温度をさらに4時
間140℃に保ち、その後冷却する。得られた溶液は0
55 mO,、e/ Kpのアミン価およびゼロのエポ
キシ価を有する。
樹脂6
スチレン(47,5部)、エチルへキシルアクリレ−)
(25部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(1
0部)およびジメチルアミノエチルメタクリレ−)(7
,5部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イソブチ
ロニトリル)(1,5部)と共に、100℃で窒素雰囲
気下撹拌したブトキシェタノール(57,5部)に2時
間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間100℃
に保ち、そして別量のアゾビス(インブチロニトリル)
((15部)およびブトキシェタノールを添加する。
(25部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(1
0部)およびジメチルアミノエチルメタクリレ−)(7
,5部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イソブチ
ロニトリル)(1,5部)と共に、100℃で窒素雰囲
気下撹拌したブトキシェタノール(57,5部)に2時
間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間100℃
に保ち、そして別量のアゾビス(インブチロニトリル)
((15部)およびブトキシェタノールを添加する。
この手順をもう2回繰り返し、そして反応混合物をさら
に1時間100℃に保ち、そして次に冷却する。得られ
た溶液のアミン価は[128当量/Lyであり、そして
コポリマーの分子量は1へ416である。
に1時間100℃に保ち、そして次に冷却する。得られ
た溶液のアミン価は[128当量/Lyであり、そして
コポリマーの分子量は1へ416である。
樹脂7
スチレン(40部)、エチルへキシルアクリL/−)
(52,5部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート
(20部)およびジメチルアミノエチルメタクリレート
(7,5部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イン
ブチロニドlジル)(1,5部)と共に、100℃で窒
素雰囲気下撹拌したブトキシェタノール(57,5部)
K2時間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間1
00℃に保ち、そして別量のアゾビス(インブチロニト
リル) (cLs部)およびブトキシェタノールを添加
する。この手順をもう2回繰り返し、そして反応混合物
をさらに1時間ioo℃に保ち、そして次に冷却する。
(52,5部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート
(20部)およびジメチルアミノエチルメタクリレート
(7,5部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イン
ブチロニドlジル)(1,5部)と共に、100℃で窒
素雰囲気下撹拌したブトキシェタノール(57,5部)
K2時間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間1
00℃に保ち、そして別量のアゾビス(インブチロニト
リル) (cLs部)およびブトキシェタノールを添加
する。この手順をもう2回繰り返し、そして反応混合物
をさらに1時間ioo℃に保ち、そして次に冷却する。
得られた溶液のアミン価は、CL28当量/障であり、
そしてコポリマーの分子量は10,307である。
そしてコポリマーの分子量は10,307である。
樹脂8
スチレン(55部)、エチルへキシルアクリレート(2
0部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(20部
)およびジメチルアミノエチルメタクリレート(5部)
からなるモノマー混合物をアゾビス(インブチロニトリ
ル)(1,s部)と共に、100℃で窒素雰囲気下撹拌
したブトキシェタノール(50部)K2時間かげて滴下
する。反応混合物をさらに1時間100℃に保ち、そし
てブトキシェタノール(10部)中の別量のアゾビス(
インブチロニトリル)((15部)を添加する。この手
IIをもう2回繰り返す。固体成分を約50%に減らす
ため罠、反応混合物をブトキシェタノール(20部)で
希釈し、そして依然として残っているモノマーを除去す
るために真空下、回転エバポレーターで除去する。
0部)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(20部
)およびジメチルアミノエチルメタクリレート(5部)
からなるモノマー混合物をアゾビス(インブチロニトリ
ル)(1,s部)と共に、100℃で窒素雰囲気下撹拌
したブトキシェタノール(50部)K2時間かげて滴下
する。反応混合物をさらに1時間100℃に保ち、そし
てブトキシェタノール(10部)中の別量のアゾビス(
インブチロニトリル)((15部)を添加する。この手
IIをもう2回繰り返す。固体成分を約50%に減らす
ため罠、反応混合物をブトキシェタノール(20部)で
希釈し、そして依然として残っているモノマーを除去す
るために真空下、回転エバポレーターで除去する。
得られた溶液のアミン価はcL15当量/匂である。
樹脂9
スチレン(35部)、ブチルアクリレート(35部)、
2−ヒドロキシエチルメタクリレ−)(15部)および
ジメチルアミノエチルメタクリレート(15部)からな
るモノマーをアゾビス(イソブチロニトリル)(tS部
)と共に、100℃で窒素雰囲気下撹拌したブトキシェ
タノール(50部)に2時間かけて滴下する。
2−ヒドロキシエチルメタクリレ−)(15部)および
ジメチルアミノエチルメタクリレート(15部)からな
るモノマーをアゾビス(イソブチロニトリル)(tS部
)と共に、100℃で窒素雰囲気下撹拌したブトキシェ
タノール(50部)に2時間かけて滴下する。
反応混合物をさらに1時間100℃に保ち、モしてブト
キ、ジェタノール(10部)中の別量のアゾビス(イソ
ブチロニトリル) ((15部)を添加する。この手順
をもう2回繰り返す。固体成分を約50%に減らすため
に1反応混合物をブトキシェタノール(20部)で希釈
し、そして依然として残っているモノマーを除去するた
めに真空下、回転エバポレーターで除去する。得られた
溶液のアミン価はQ、45当量/Kyである。
キ、ジェタノール(10部)中の別量のアゾビス(イソ
ブチロニトリル) ((15部)を添加する。この手順
をもう2回繰り返す。固体成分を約50%に減らすため
に1反応混合物をブトキシェタノール(20部)で希釈
し、そして依然として残っているモノマーを除去するた
めに真空下、回転エバポレーターで除去する。得られた
溶液のアミン価はQ、45当量/Kyである。
樹脂10
メチルメタクリレート(66部)、ブチルアクリレート
(242部)およびジメチルアミノエチルメタクリレ−
)(7,8部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イ
ンブチロニトリル)(1,0部)と共に、105℃でブ
トキシェタノール(60部)KA5時間かけて滴下する
。反応混合物をさらに1時間100℃に保ち、そしてブ
トキシェタノール(4部)中の別量のアゾビス(イソブ
チロニ) IJル)(α1部)を添加する。
(242部)およびジメチルアミノエチルメタクリレ−
)(7,8部)からなるモノマー混合物をアゾビス(イ
ンブチロニトリル)(1,0部)と共に、105℃でブ
トキシェタノール(60部)KA5時間かけて滴下する
。反応混合物をさらに1時間100℃に保ち、そしてブ
トキシェタノール(4部)中の別量のアゾビス(イソブ
チロニ) IJル)(α1部)を添加する。
105℃でさらに1時間保持後、依然残っているモノマ
ーを除去するために、真空下回転エバポレーターで除去
する。得られた溶液のアミン価は、α30当量/ Kf
である。
ーを除去するために、真空下回転エバポレーターで除去
する。得られた溶液のアミン価は、α30当量/ Kf
である。
樹脂11
スチレン(15部)、メチルメタクリレート(27,5
部)、エチルへキシルアクリレ−)(30部)、2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート(20部)およびジメチ
ルアミンエチルメタクリレート(7,5部)からなるモ
ノマー混合物をアゾビス(イソブチロニトリル)(1,
5部)と共K、100℃でブトキシェタノール(50部
)に2時間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間
100℃に保ち、セしてブトキシェタノール(5,,5
部)中の別置のアゾビス(インブチロニトリル)(05
部)を添加する。さらに100℃で1時間保持後、混合
物を冷却する。得られた溶液のアミン価はα28当量/
縁であり、そしてコポリマーの分子量はIQ、348で
ある。
部)、エチルへキシルアクリレ−)(30部)、2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート(20部)およびジメチ
ルアミンエチルメタクリレート(7,5部)からなるモ
ノマー混合物をアゾビス(イソブチロニトリル)(1,
5部)と共K、100℃でブトキシェタノール(50部
)に2時間かけて滴下する。反応混合物をさらに1時間
100℃に保ち、セしてブトキシェタノール(5,,5
部)中の別置のアゾビス(インブチロニトリル)(05
部)を添加する。さらに100℃で1時間保持後、混合
物を冷却する。得られた溶液のアミン価はα28当量/
縁であり、そしてコポリマーの分子量はIQ、348で
ある。
実施例1
水性の現像可能なネガ常用フォトレジスト組成物は、下
記の組成ニ トリエチレングリコールジメタクリレート 20部
ベンゾフェノン 4部ミヒラーケト
ン 1部スチレン/ブチルマレエー
トコポリマー 75部〔スフリップセット(Sc
ripset )s4oとしてモンサント(Monsa
nto)から入手できる〕メチルエチルケトン
200部から調製する。
記の組成ニ トリエチレングリコールジメタクリレート 20部
ベンゾフェノン 4部ミヒラーケト
ン 1部スチレン/ブチルマレエー
トコポリマー 75部〔スフリップセット(Sc
ripset )s4oとしてモンサント(Monsa
nto)から入手できる〕メチルエチルケトン
200部から調製する。
線巻ロッドを使用して、銅張り積層板に上記組成物を被
覆し、そして厚さ8μmのフィルムを製造するために、
90℃で5分間乾燥する。このフィルムに、sooow
中庄ハロ中ソハロゲン化水銀ランプて、756nの距離
で30秒間、画像を有する透明体を通して照射する。2
5℃の(15%水酸化ナトリウム溶液中に浸漬して、フ
ォ)L/シストを未照射部分から除去し、その結果それ
らの部分に銅を露出し、透明体のはりきりしたネガ画像
を形成する。
覆し、そして厚さ8μmのフィルムを製造するために、
90℃で5分間乾燥する。このフィルムに、sooow
中庄ハロ中ソハロゲン化水銀ランプて、756nの距離
で30秒間、画像を有する透明体を通して照射する。2
5℃の(15%水酸化ナトリウム溶液中に浸漬して、フ
ォ)L/シストを未照射部分から除去し、その結果それ
らの部分に銅を露出し、透明体のはりきりしたネガ画像
を形成する。
画像形成銅張り積層板を、次にこれを陽極として、ステ
ンレス鋼の陰極を備え、そして下記の溶液: 樹脂1 50部ブトキシェタ
ノール 50部水酸化カリウム(20チ
溶液)7.9部水
3921部を含有する電着浴中に浸漬する
。
ンレス鋼の陰極を備え、そして下記の溶液: 樹脂1 50部ブトキシェタ
ノール 50部水酸化カリウム(20チ
溶液)7.9部水
3921部を含有する電着浴中に浸漬する
。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、1.5%水酸化ナトリウム溶液の攪
拌された浴に25℃で浸漬する。この処理は、フォトレ
ジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、1.5%水酸化ナトリウム溶液の攪
拌された浴に25℃で浸漬する。この処理は、フォトレ
ジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
露出された銅を、40%塩化第二鉄溶液中に30℃で浸
漬することにより、エツチングし、その後板を水中で洗
浄し、そして乾燥させる。
漬することにより、エツチングし、その後板を水中で洗
浄し、そして乾燥させる。
5%水酸化ナトリウム溶液中に5分間の浸漬は、積層基
板上の銅において、残っている樹脂を完全に除去し、は
っきりした原型を残す。
板上の銅において、残っている樹脂を完全に除去し、は
っきりした原型を残す。
実施例2:
水性の現像可能なりストン(RISTON) ネガフ
ォトレジストで被覆された銅張り積層板を、リストンフ
ォトレジストに原型を形成するために画像形成および現
像し、これを陰極として、ステンレス鋼の陽極を備えた
電着浴中に使用する。電着浴は下記の溶液: 樹脂2 40部ブトキシェタノ
ール 30部乳酸(15%溶液)
13部水
317部を含む。
ォトレジストで被覆された銅張り積層板を、リストンフ
ォトレジストに原型を形成するために画像形成および現
像し、これを陰極として、ステンレス鋼の陽極を備えた
電着浴中に使用する。電着浴は下記の溶液: 樹脂2 40部ブトキシェタノ
ール 30部乳酸(15%溶液)
13部水
317部を含む。
40ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、3%水酸カリウム溶液の撹拌された
浴に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを
除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、3%水酸カリウム溶液の撹拌された
浴に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを
除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
露出された鋼を、40%塩化第二鉄溶液中に30℃で浸
漬することにより、エツチングし、その後板を水中で洗
浄し、そして乾燥させる。
漬することにより、エツチングし、その後板を水中で洗
浄し、そして乾燥させる。
アセトン浴中に浸漬は積層板上の銅において、残ってい
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例3:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂3 100部乳酸(20
%溶液) べろ細氷
39五4部を含む。
%溶液) べろ細氷
39五4部を含む。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
積層板を次に、3チ水酸化カリウム溶液の攪拌された浴
に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを除
去し、電着された樹脂をそのまま残す。
に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを除
去し、電着された樹脂をそのまま残す。
露出された銅を、過硫酸アンモニウム(12!M)、燐
酸(75%−25−)を含み、水で500mとされたエ
ツチングj合中忙、40℃で浸漬することによねエツチ
ングする。水中ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中へ
の浸漬は、積層基板上の銅において残っている樹脂を完
全に除去し、はっきりした原型を残す。
酸(75%−25−)を含み、水で500mとされたエ
ツチングj合中忙、40℃で浸漬することによねエツチ
ングする。水中ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中へ
の浸漬は、積層基板上の銅において残っている樹脂を完
全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例4:
実施例3の手順に従って、リストン被覆積層板を、電着
された樹脂3に原フォトレジストの画像を得るために使
用する。露出された銅を、過酸化水素(30%−200
2)、燐酸(75%−2009)および過マンガン酸カ
リウム(11006f)を含み、水で1tとされた浴中
K、70℃で浸漬することによりエツチングする。水中
ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中への浸漬は、積層
基板上の銅において残っている樹脂を完全に除去し、け
っきシした原型を残す。
された樹脂3に原フォトレジストの画像を得るために使
用する。露出された銅を、過酸化水素(30%−200
2)、燐酸(75%−2009)および過マンガン酸カ
リウム(11006f)を含み、水で1tとされた浴中
K、70℃で浸漬することによりエツチングする。水中
ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中への浸漬は、積層
基板上の銅において残っている樹脂を完全に除去し、け
っきシした原型を残す。
実施例5:
実施例3の手順に従って、リストン被覆積層板を、原フ
ォトレジストの電着された樹脂3に画像を得るために使
用する。露出された銅を、塩化アンモニウム(21,4
Sl)、アンモニア(25チー12p)、過酸化水素(
30%−12−)および水(150y) を含有する浴
中に25℃で浸漬することにより、エツチングする。水
中ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中への浸漬は、積
層基板上の銅において、残っている樹脂を完全忙除去し
、はっきりした原型を残す。
ォトレジストの電着された樹脂3に画像を得るために使
用する。露出された銅を、塩化アンモニウム(21,4
Sl)、アンモニア(25チー12p)、過酸化水素(
30%−12−)および水(150y) を含有する浴
中に25℃で浸漬することにより、エツチングする。水
中ですすぎ、乾燥した後、アセトン浴中への浸漬は、積
層基板上の銅において、残っている樹脂を完全忙除去し
、はっきりした原型を残す。
実施例6:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陽極とし
て、ステンレス鋼の陰極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陽極とし
て、ステンレス鋼の陰極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂4 100部水酸化カリ
ウム(20%溶液) 52部水
39歳8部を含む。
ウム(20%溶液) 52部水
39歳8部を含む。
80ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
積層板を次に、3チ水酸化カリウム水溶液の攪拌された
浴に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを
除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
浴に40℃で浸漬する。この処理は、フォトレジストを
除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
露出された銅を、40%塩化第二鉄水溶液中に30℃で
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
アセトン浴中への浸漬は、積層基板上の銅において、残
っている樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す
。
っている樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す
。
実施例7:
リストンネガフォトレジストで被覆された銅張す積層板
を、リストンフォトレジストに原型を形成するために画
像形成および現像し、これを陰極として、ステンレス鋼
の陽極を備えた電着浴中に使用する。電着浴は下記の浴
液:樹脂5 60 部ブトキシ
ェタノール 50 部乳酸(20%溶液
) 15.8部水
474.2部を含む。
を、リストンフォトレジストに原型を形成するために画
像形成および現像し、これを陰極として、ステンレス鋼
の陽極を備えた電着浴中に使用する。電着浴は下記の浴
液:樹脂5 60 部ブトキシ
ェタノール 50 部乳酸(20%溶液
) 15.8部水
474.2部を含む。
30ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出された部分を覆う。
積層板を次に、1゜1.1−1’Jクロロエタン:ジク
ロロメタン(=80:20 )からなる溶媒混合物を含
有する攪拌された浴中に浸漬する。この処理は、フォト
レジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
ロロメタン(=80:20 )からなる溶媒混合物を含
有する攪拌された浴中に浸漬する。この処理は、フォト
レジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す。
露出された銅を、40%塩化第二鉄水溶液中に30℃で
浸漬することKより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
浸漬することKより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
アセトン浴中への浸漬は、積層基板上の銅において、残
っている樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す
。
っている樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す
。
実施例8二
1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
クロリドと2.3.4− )リヒドロキシベンゾフェノ
ンーエステル化度2.5モルとの反応生成物とp−第三
ブチルフェノール、フェノールノボラック(モル比α2
5 : (L75 )とをノボラック:増感剤が5:1
の比になるように混合することによりポジ常用フォトレ
ジスト組成物を調製する。40重量%固体の溶液を得る
ために、混合物を、2−エトキシエタノール、2−エト
キシエタノールアセテートおよびメチルエチルケトン(
体積比2:2:1)の溶媒混合液中に溶解する。溶液を
線巻ロッドにより銅張り積層板に塗布し、そして積層板
を90℃で5分間乾燥し、淳さ30岡の樹脂フィルムを
得る。次にこのフィルムに、sooow中圧ハロ中圧ハ
ロゲン化水金ランプて、75備の距離で、画像を有する
透明体を通して60秒間照射する。
クロリドと2.3.4− )リヒドロキシベンゾフェノ
ンーエステル化度2.5モルとの反応生成物とp−第三
ブチルフェノール、フェノールノボラック(モル比α2
5 : (L75 )とをノボラック:増感剤が5:1
の比になるように混合することによりポジ常用フォトレ
ジスト組成物を調製する。40重量%固体の溶液を得る
ために、混合物を、2−エトキシエタノール、2−エト
キシエタノールアセテートおよびメチルエチルケトン(
体積比2:2:1)の溶媒混合液中に溶解する。溶液を
線巻ロッドにより銅張り積層板に塗布し、そして積層板
を90℃で5分間乾燥し、淳さ30岡の樹脂フィルムを
得る。次にこのフィルムに、sooow中圧ハロ中圧ハ
ロゲン化水金ランプて、75備の距離で、画像を有する
透明体を通して60秒間照射する。
積層板をCL5%水酸化ナトリウム溶液を含有する浴に
1分間浸漬し、その後ポジ画像を現像する。
1分間浸漬し、その後ポジ画像を現像する。
画像形成鋼張シ積層板を、次にこれを陰極としてステン
レス鋼の陽極を備え、そして下記の溶液: 樹脂3 100 部乳酸(20
チ溶液)6−6部 水 59
54部を含有する電着浴中に浸漬する。
レス鋼の陽極を備え、そして下記の溶液: 樹脂3 100 部乳酸(20
チ溶液)6−6部 水 59
54部を含有する電着浴中に浸漬する。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、で浸漬する。この処理は、フ
ォトレジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す
。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、で浸漬する。この処理は、フ
ォトレジストを除去し、電着された樹脂をそのまま残す
。
露出された銅を、40%塩化第二鉄水溶液を含むエツチ
ング浴中に30℃で浸漬することによシ、エツチングし
、その後板を水中で洗浄し、そして乾燥させる。アセト
ン浴中の浸漬は積層板上の銅において、残っている樹脂
を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
ング浴中に30℃で浸漬することによシ、エツチングし
、その後板を水中で洗浄し、そして乾燥させる。アセト
ン浴中の浸漬は積層板上の銅において、残っている樹脂
を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例9:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するだめに画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するだめに画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂3 100 部乳酸(20
%) &6部水
39!t、4部を含む。
%) &6部水
39!t、4部を含む。
50ボルトの電圧を50秒間印加し、銅張り積層板を浴
から屯り出し、水ですすぐ。電着さされた浴に40℃で
浸漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着
された樹脂をそのまま残す。この積層板を90℃で5分
間乾燥する。露出された銅を、40チ塩化第二鉄水溶液
中に30℃で浸漬することにより、エツチングし、その
後板を水中で洗浄する。アセトン浴中への浸漬は積層板
上の銅において、残っている樹脂を完全に除去し、はっ
きりした原型を残す。
から屯り出し、水ですすぐ。電着さされた浴に40℃で
浸漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着
された樹脂をそのまま残す。この積層板を90℃で5分
間乾燥する。露出された銅を、40チ塩化第二鉄水溶液
中に30℃で浸漬することにより、エツチングし、その
後板を水中で洗浄する。アセトン浴中への浸漬は積層板
上の銅において、残っている樹脂を完全に除去し、はっ
きりした原型を残す。
実施例10:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するだめに画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するだめに画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂3 100 部乳酸(20%
) 66部水
39五4部を含む。
) 66部水
39五4部を含む。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張す積層板を浴
から取り出し、水ですすぐ。電着さされた浴に40℃で
浸漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着
された樹脂をそのまま残す。露出された銅を、40%塩
化第二鉄水溶液中に30℃で浸漬することにより、エラ
いる樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
から取り出し、水ですすぐ。電着さされた浴に40℃で
浸漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着
された樹脂をそのまま残す。露出された銅を、40%塩
化第二鉄水溶液中に30℃で浸漬することにより、エラ
いる樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例11:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張シ積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張シ積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂6 100 部乳酸(20
%溶液) 1&8部水
48五2部を含む。
%溶液) 1&8部水
48五2部を含む。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取シ出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に1票 3%水酸カリウム水溶液の攪拌された浴に40℃で浸漬
する。この処理は、フォトレジストヲ除去し、電着され
たフィルムをそのまま残す。
から取シ出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に1票 3%水酸カリウム水溶液の攪拌された浴に40℃で浸漬
する。この処理は、フォトレジストヲ除去し、電着され
たフィルムをそのまま残す。
露出された銅を、40%塩化第二鉄水溶液中に30℃で
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
■
アセトン浴中の浸漬は積層板上の銅において、残ってい
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例12:
印加する電圧が20ボルトで60秒間である他は実施例
11を繰返す。はっきりした原型が積層基板上に再び得
られる。
11を繰返す。はっきりした原型が積層基板上に再び得
られる。
印加する電圧が120ボルトで60秒間である他は実施
例11を繰返す。はっきシした原型が積層基板上に再び
得られる。
例11を繰返す。はっきシした原型が積層基板上に再び
得られる。
実施例14:
水性の現像可能なリストンフォトレジストで被覆され、
スルーホールを有する両面鋼張り積層板の両面を画像形
成および現像したものを使用する他は実施例11を繰返
す。積層基板上の両面およびスルーホールの銅に、はっ
きりした原型が得られる。
スルーホールを有する両面鋼張り積層板の両面を画像形
成および現像したものを使用する他は実施例11を繰返
す。積層基板上の両面およびスルーホールの銅に、はっ
きりした原型が得られる。
実施例15:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
れた銅張り積層板を、リストンフォトレジストに原型を
形成するために画像形成および現像し、これを陰極とし
て、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する。
電着浴は下記の溶液:
樹脂7 100 部乳酸(20%
溶液) 1&8部水
48五2部を含む。
溶液) 1&8部水
48五2部を含む。
50ボルトの電圧を60秒間印加し、銅張り積層板を浴
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、ξ。
から取り出し、水ですすぎ、そして90℃で5分間乾燥
する。電着された樹脂は、銅が露出されている部分を覆
う。積層板を次に、ξ。
3%水酸カリウム水溶液の攪拌された浴に40゛℃で浸
漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着さ
れたフィルムをそのまま残す。
漬する。この処理は、フォトレジストを除去し、電着さ
れたフィルムをそのまま残す。
露出された銅を、40%塩化第二鉄水溶液中に30℃で
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
アセトン浴中の浸漬は、積層板上の銅において、残って
いる樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
いる樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
実施例16二
電着浴が下記の溶液:
樹脂8 100 部乳酸(20%溶
液) 46部水
59二4部を含み、30ボルトの電圧を
60秒間印加する他は、実施例15を繰返す。積層基板
上の銅にはっきりした原型が得られる。
液) 46部水
59二4部を含み、30ボルトの電圧を
60秒間印加する他は、実施例15を繰返す。積層基板
上の銅にはっきりした原型が得られる。
実施例17:
電着浴が下記の溶液:
樹脂9 100 部乳酸(20%溶
液) 1工8部水
38二2部を含み、40ボルトの電圧
を60秒間印加する他は、実施例15を繰返す。積層基
板上の銅にはっきりした原型が得られる。
液) 1工8部水
38二2部を含み、40ボルトの電圧
を60秒間印加する他は、実施例15を繰返す。積層基
板上の銅にはっきりした原型が得られる。
実施例18:
電着浴が下記の溶液:
樹脂j O100部
乳酸(20チ溶液) 9 細氷
391 部を含む他は、
実施例15を繰返す。積層板上の銅にはっきりした原型
が得られる。
391 部を含む他は、
実施例15を繰返す。積層板上の銅にはっきりした原型
が得られる。
実施例19:
電着浴が下記の溶液:
樹脂11 1QQ 部乳酸(20
%溶液) 67部水
49五3部を含む他は、実施例1
5を繰返す。積層板上の銅に、はっきりした原型が得ら
れる。
%溶液) 67部水
49五3部を含む他は、実施例1
5を繰返す。積層板上の銅に、はっきりした原型が得ら
れる。
実施例20:
水性の現像可能なリストンネガフォトレジストで被覆さ
れた銅張り*J@板を、リストンフォトレジストに原型
を形成するために画像形成および現像し、これを陰極と
して、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する
。電着浴は下記の溶液二 樹脂6 1°0 部乳酸(20%
溶液) 16.8部水
38二2部を含む。
れた銅張り*J@板を、リストンフォトレジストに原型
を形成するために画像形成および現像し、これを陰極と
して、ステンレス鋼の陽極を備えた電着浴中に使用する
。電着浴は下記の溶液二 樹脂6 1°0 部乳酸(20%
溶液) 16.8部水
38二2部を含む。
2ボルトの電圧を2分間印加し、次いで5ボルトの電圧
を4分間印加する。積層板を浴から取り出し、水ですす
ぎ、そして90℃で5分間ラム水溶液の攪拌された浴に
40℃で浸漬する。
を4分間印加する。積層板を浴から取り出し、水ですす
ぎ、そして90℃で5分間ラム水溶液の攪拌された浴に
40℃で浸漬する。
この処理は、フォトレジストを除去し、電着されたフィ
ルムをその1ま残す。
ルムをその1ま残す。
露出された銅を、40チ塩化第二鉄水溶液中に30℃で
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
浸漬することにより、エツチングし、その後板を水中で
洗浄し、そして乾燥させる。
↓
アセトン浴中の浸漬は積層板上の銅において、残ってい
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
る樹脂を完全に除去し、はっきりした原型を残す。
特許出願人 チバーガイギー アクチェンゲゼルシャ
フトほか2名
フトほか2名
Claims (12)
- (1)表面が、予め決められた部分においてむき出しの
金属および残りの部分においてレジストにより被覆され
た金属から成る基材に、金属原型を形成する方法におい
て、 (i)むき出しの金属上に樹脂を電着することにより該
むき出しの金属を保護し、 (ii)電着された樹脂を実質的に未硬化のままにして
おき、一方電着された樹脂を除去し ない溶媒を使用して、前記残りの部分から レジストを除去し、それにより該残りの部 分の金属を露出し、 (iii)電着された樹脂を除去しないエッチング剤を
使用して、(ii)で露出された金属をエッチングし、
そして(iv)適当な溶媒で電着された樹脂を除去する
ことから成る金属原型 を形成する方法。 - (2)レジストが、水性条件下で、または有機溶媒によ
って除去できるフォトレジストである特許請求の範囲第
1項記載の方法。 - (3)フォトレジストが水性条件下で除去でき、そして
電着された樹脂が有機溶媒によって除去できる特許請求
の範囲第1項記載の方法。 - (4)電着され得る樹脂が、アクリル樹脂:エポキシド
樹脂のアミン、ポリカルボン酸またはその無水物、アミ
ノカルボン酸またはメルカプトカルボン酸との付加物;
ポリウレタン;ポリエステル;またはフェノール性ヒド
ロキシル基を含有する樹脂のアルデヒドおよびアミンま
たはアミノ−またはメルカプト−カルボン酸との反応生
成物である特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (5)電着された樹脂が、少なくとも1種のモノアクリ
ル酸エステルとカルボキシル基または第三アミノ基を含
む少なくとも1種のモノアクリルモノマーとの、および
所望により別のビニルモノマーとのコポリマーである特
許請求の範囲第4項記載の方法。 - (6)電着された樹脂が、先駆されていても良いビスフ
ェノールのジグリシジルエーテルとモノアミンとの付加
物である特許請求の範囲第4項記載の方法。 - (7)電着が、2ないし200ボルトの電圧で行われる
特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (8)電着が、まず最初に低い電圧、そして次にわずか
に高い電圧の2段階で行われる特許請求の範囲第7項記
載の方法。 - (9)エッチング工程(iii)を行う前に、電着され
た樹脂を硬化させることなしに乾燥させる特許請求の範
囲第1項記載の方法。 - (10)電着された樹脂を、工程(ii)においてレジ
ストを除去する前に乾燥させる特許請求の範囲第9項記
載の方法。 - (11)金属原型が印刷回路であり、そして金属が銅で
ある特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (12)印刷回路が、スルーホールを有する板上にある
特許請求の範囲第11項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB868614868A GB8614868D0 (en) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | Metallic patterns |
GB8614868 | 1986-06-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS632398A true JPS632398A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=10599672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62152392A Pending JPS632398A (ja) | 1986-06-18 | 1987-06-18 | 金属原型を形成する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4746399A (ja) |
EP (1) | EP0250366A3 (ja) |
JP (1) | JPS632398A (ja) |
BR (1) | BR8703044A (ja) |
CA (1) | CA1298567C (ja) |
GB (1) | GB8614868D0 (ja) |
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JPS6343393A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | 関西ペイント株式会社 | プリント回路板の形成方法 |
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