JPH02213485A - パターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電気伝導性材料、特にプリント回路等のような
金属パターンの製造方法に関するものである。

（従来の技術） プリント回路の製造においては、電気伝導性表面、通常
は、銅り２ツドラミネートの銅表面上にスクリーン印刷
または光画儂形成法を用い、予め決められたパターンで
レジスト（耐食Ｍ）を形成することが知られている。こ
の方法によシ、ある領域で裸の銅を有し、残シの領域で
は鋼がレジストによって覆われた２ミネートが得られる
。プリント回路のタイプによってはそのラミネートに、
引続いて各種の処理を施こすことができる。例えばラミ
ネートに溶融した半田を接触させ、レジストに半田マス
クとしての役を果たさせることによつズ、ラミネートの
裸銅領域に直接に半田をつけることができる。別の処理
方法ではラミネートの裸銅領域を錫−鉛合金でメツキし
てからレジストを取除き、錫−鉛合金を取除かないエツ
チング剤を用いて銅の露出面をエツチングし、そして次
に錫−鉛合金ストリッパーを用いて該合金を堆除くとラ
ミネートベースの上に銅パターンが残される。この鋼パ
ターンに＃′ｉさらに加工することができ、半田マスク
として作用するように、予め決められたパターンに、さ
らにレジストを上記パターンの上に形成し、そしてラミ
ネートを溶融半田に接触させて、半田マスクで覆われて
いない裸銅領域に半田をつけることができる。

（発明が解決しようとする課題） 上記の処理方法の双方に、予め決められ九ノ（ターンの
半田マスクレジストを有する基板を、例えば、２００な
いし５００℃のような高温度で、ウェーブ半田づけ機中
の溶融半田に接触させるととＫよる半田づけが包含され
る。そのため、半田マスフレジス）Ｋは、基板の半田づ
けされない部分への良好な接着性が要求される。半田マ
スクレジストと、それが塗布される導電性表面との間に
確実な接着力を形成する方法の改善が引続き要請されて
いる。

（課題を解決する°ための手段） 本発明者等は、光硬化性半田マスクレジストを用い、そ
して該マスクレジストを塗布する前に、該レジストを予
め決められた領域で化学線に曝す際に、上記の予め決め
られた領域で半田マスクレジストと共硬化することので
きる有機光硬化性樹脂の膜を導電性基板上圧電着するこ
とによって、導電材料のパターンの製造中に、半田マス
クレジストと導電性基板との間に確実な接着力を形成で
きることを見出した。光硬化したレジメ）Ｋよって覆わ
れていない領域の電着フィルムは溶剤によって取除かれ
、そのため予め決められたパターンの導電材料と、レジ
ストと基板の間の電着ポリマーフィルムの硬化部分を介
し上基板に確実に接着した、予め決められた光ａ化しジ
ストパターンとからなる表面を残すことができる。

予め決められた領域の裸の金属と、残シの領域でレジス
）Ｋよシ覆われた金属とを有する基板表面の裸の金属の
領域にポリマーフィルムを電着し、次にレジストを取り
除き、それＫよって露出した金属をエツチングし、そし
て、電着したポリマーを適当な溶剤によって取シ除き、
金属パターンを残すことはソビエト連邦共和国特許第２
９３５１２号明細書、米国特許第４７４６５９９号明細
書及び欧州特許公告第０２５５５５７号公報及び第０２
６１３０１号公報に記載されている。

これらの刊行物のいずれ罠も、エツチング工程後の、基
板上の電着したポリマーフィルムと共に共硬化されるレ
ジストパターンの形成については示唆されていない。

従って本発明は、 （１）導電性表面に光硬化性有機樹脂からなるフィルム
を電着し、 （Ｉｆ）　　を着フィルムの上に、化学線照射に曝すこ
とにより、下に在る該電着フィルムと共硬化した予め決
められたパターンのレジス）全形成し、それ罠よって予
め決められた領域の電着フィルムを覆われないま＼に残
し、 （１）　　覆われていない領域の電着フィルムを、その
ための溶媒による処理によって除き、それによって予め
決められた領域の裸の導電性材料と、他の予め決められ
た領域のその下に在る硬化し要領域の電着フィルムを介
して導電性表面に確実に接着している光硬化したレジス
トからなる表面を形成することからなる導電性材料のパ
ターンの製造方法を提供するものである。

工程（１）で電着される光硬化性有機樹脂と工程（１）
で形成されるレジストパターンは共硬化スるのでそれら
は化学線に曝す際には類似の機構によって硬化されなけ
ればならない。例えば電着樹脂フィルム及びレジストは
遊離基光重合開始剤の存在下で遊離基開始重合によって
ともに硬化することができる。他の態様においては、化
学線照射によシ、感光性基を直接に活性化することＫよ
って果たされる光架橋によシ、電着樹脂フィルムとレジ
ストが共に硬化してよい。さらに他の方法においては電
着樹脂フィルムとレジストはカチオン光重合開始剤の存
在下でのカチオン重合によってともに硬化することがで
きる。

感光性基の化学線への暴露によシ直接的に活性化するこ
とによって架橋されるレジストとして有用な材料はよく
知られている。それらには例えばスチルベン基、マレイ
ミド基、カルコン基、プロペノン基、ペンタジェノン基
またはシナメート基を有するフィルム形成樹脂が包含さ
れる。これらの樹脂は、類似の共架橋性基を塩形成基と
一緒に含有する樹脂が本発明方法の工程（１）における
電着樹脂として用いられるときに、工程（１１）におけ
るレジストとして用いることができる。電着樹脂は、レ
ジストとして用いられている樹脂から、塩形成基を導入
するために知られた反応を行なうことによって誘導する
ことができる。例えばレジストとして用いられるべき樹
脂が感光性基のほかにエポキシ基を含有シテいる場合に
は、該エポキシ基を第二級アぐンまたはポリカルボン酸
と反応させて、夫々、第三級アミンまたはカルボキシル
基を導入することができる。レジストとして使用される
べき樹脂が、例えばヒドロキシル基を含有しているとき
には、ポリカルボン酸無水物と反応させてカルボキシル
基を導入することができる。

本発明方法において、直接に活性化できる感光性基を有
する電着樹脂フィルムならびにレジストが用いられると
きは、それらの双方がα。

β不飽和性と共役した芳香族性ま九はエチレン性不飽和
性を有するα、β−エチレン不飽和エステル基またはケ
トン基を含有する樹脂からなシ、そして電着樹脂が塩形
成基、好ましくはカルボキシル基ま九はアミン基を含有
することが好ましい。例えば電着フィルムはエポキシ樹
脂と、その第二級ヒドロキシル基をカルボキシル基を導
入するためにポリカルボン酸無水物、例えばアジピン酸
−または乳酸無水物と反応させること罠よって変性され
たシンナミン酸またはソルビン酸との付加物からなるこ
とができ、−方、レジストはポリビニルシンナメートま
たはエポキシ樹脂とシンナミン酸との付加物からなる。

電着フィルム及びレジストが共役α、β不飽和基を有す
る樹脂からなる好ましい態様においては、電着フィルム
はα、β不飽和性と共役した芳香族性またはエチレン性
不飽和性を有するα、βエチレン不飽和ケトン基を含有
するエポキシ樹脂と第二級モノアミンとの反応付加物か
らなることが好ましい。このような態様においては、レ
ジストは、このような共役不飽和ケトン基を有するエポ
キシ樹脂からなることが好ましい。レジストとして用い
られ、そしてそれから電着樹脂フィルムが誇導されるエ
ポキシ樹脂は、例えばカルコン基またはフェニル置換プ
ロペノン基ま九は好ましくは少くとも１種のｔ５−ビス
フェニルペンタ−１，４−ジエン−３−オン基を含有す
ることができる。このようなエポキシ樹脂で特に好まし
いものは１．５−ビス（ヒドロキシフェエル）ペンター
１．４−ジエン−３−オンのポリグリシジルエーテル及
びそれの、ビスフェノール、好ましくはビスフェノ−Ａ
／Ａ及び／またはテトラブロモビスフェノールＡｔたは
ヒダントイン、好ましくｔ−ｔａｓ−ジメチルヒダント
インによる前駆反応生成物、またはビスフェノール　ジ
グリシジルエーテルまたはジグリシジルヒダントインの
、と（ヒドロキシフェエル）ペンタ−１，４−ジエン−
３−オンニヨる成長反応生成物である。

本発明方法において電着性光硬化性樹脂としての使用に
適する、このような共役不飽和ケトン基を含有するエポ
キシ樹脂と第二級モノアミンとの反応生成物は新規であ
ると信する。それらは反応物を通常のエポキシド−アミ
ン反応によ〕処理することによって、例えばそれらを不
活性溶媒中で５０ないし１２０℃で加熱することＫよっ
て製造することができる。第二級モノアミンとしては、
例えばジアルキルアミン、例えばジエチルアミン、ジ−
ｎ−プロピルアミン、ジ−イソプロピルアミン、ジ−ｎ
−ブチルアミン、ジ−イソブチルアミン、ジ−ｎ−アミ
ルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルア
ミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、及びジ−ｎ−ドデシル
アミン、アルカノールアミン例えばジェタノールアミン
％Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノ−ル
アきン、ジイソプロパツールアミン、Ｎ−メチルイソプ
ロパツールアミンまたはジ−ｎ−ブタノールアミン、ま
たは窒素複素環化合物例えばピペリジンまたはモルホリ
ンを挙げることができる。アルカノールアミンが好まし
い。

電着性光硬化性樹脂で好ましいものは次式トＲ’［ＣＨ
ｓＣＨ（ＯＨ）ＣＨｓＮ（Ｒ”）Ｒ”］＊　　　　　　
Ｉ（式中、Ｒ１はα、β不飽和性と共役した芳香族性ま
たはエチレン不飽和性を有するα、β−エチレン不飽和
ケトン基を含有するエポキシ樹脂から２個のエポキシド
基を除いた後の残基、好ましくは１．５−ビス（オキシ
フェニル）ペンター１．４−ジエン−３−オン基１例え
ば次式ＩＩコニ−−Ａｒ’−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃｏ−ＣＨ＝
ＣＨ−Ａｒ”−０−Ｉ（式中、Ａｒ’は未置換または置
換フェニル基を表わす基を表わし、そして ＆及びＲ３は各々が炭素原子数１ないし１２の、所望に
よジヒドロキジル基によシ置換されたアルキル基を表わ
し、または、Ｒ３及びＲｓは特定の窒素原子と一緒にな
って５−またＦｉＡ員複素環を形成する。）で表わされ
るものである。

式Ｉで表わされる好ましい樹脂においては、Ｒ１は次式
■または■ニ ーＥ−（ＸＣ）ｈ　ＣＨ（０Ｈ）ＣＨｓ　）ｍ−（ＹＣ
Ｈｘ　ＣＨ（ＯＨ）ＣＨｓ　）ｆ卸Ｘ−■ −Ｅ−（ＹＣＨｘＣＨ（ＯＨ）Ｃ＆）ｎ−（ＸＣＨａＣ
Ｈ（ＯＨ）Ｃ）ｒｌＪ侍Ｙ−■ （式中、Ｘは式■で表わされ、Ａｒ’が未置換フェニレ
ン基を表わす基を表わし、Ｙは次式Ｖまたは■ニ ー〇−Ａｒ”　−Ｒ’　−Ａｒ”　−０−Ｖで表わされ
る基を表わし、Ａｒ”は未置換または置換フェニレン基
、好ましくは未置換またはハロゲン置換フェニレン基を
表わし、Ｒ：及びＲ３は各々ヒドロキシル置換の炭素原
子数２ないし４のアルキル基を表わし、ＲａＦｉ良素原
子数１ないし３のアルキレン基を表わし、Ｒ５及びＲ−
は各々水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル
基を表わし、そルて、ｍ、ｎ及びｐは各々正の整数を表
わす。）で表わされる基を表わし、そして５０口ないし
１００００の数平均分子量を有するような樹脂が好まし
い。

式Ｉで表わされる樹脂は次式■： で表わされるエポキシ樹脂を次式■： ＨＮ（Ｒ”）Ｒ３ ■ （式中、Ｒ１、Ｒ＊及゛びＲ３ｔｉ前記本文中で定義し
たものと同様な意味を表わす。）で表わされる第二級モ
ノアミンとエポキシド−アミン反応のための通常の条件
下で反応させることＫよシ製造することができる。

式■で表わされ、Ｒ１が弐■で表わされる基を表わすエ
ポキシ樹脂は次式■： （式中、Ｘは前記と同様の意味を表わす。）で表わされ
るエポキシ樹脂を、通常のエポキシ樹脂前駆反応の手続
を用いて次式Ｘニ −Ｙ−Ｈ （式中、Ｙは前記と同様の意味を表わす。）で表わされ
る化合物と反応させることによシ、前駆させること罠よ
〕製造することができる。

同様に式■で表わされ、Ｒ１が式■で表わされる基を表
わすエポキシ樹脂は、次式Ｍ：で表わされるエポキシ樹
脂と、次式ＸＵ　：Ｈ−Ｘ　−ＨＸＩ （式中、Ｘ及びＹは前記と同様の意味を表わす。）で表
わされるビスフェノールとの通常の前駆反応によって製
造することができる。

式■及びＸで表わされる適切なエポキシ樹脂、式Ｘで表
わされるビスフェノールまたはヒダントイン、式ＸＩＩ
で表わされるビスフェノール、及び式■で表わされるア
ミンについても前記と同様に述べることができる。

遊離基開始重合によって硬化できる電着樹脂フィルムで
は、重合性アクリル基を、塩形成基、％にカルボキシル
基または第三アミノ基と一緒に含有するものが好ましい
。それらはレジストが遊離基重合基を有する材料から々
るときに使用することができる。このような電着樹脂フ
ィルムはよく知られている。それらは、例えばアジ、ピ
ン酸または無水酪酸のようなポリカルボン酸無水物とビ
スフェノ−／Ｉ／Ａのジグリシジルエーテルのようなエ
ポキシ樹脂とアクリＡ／またはメタアクリル酸の付加物
との反応生成物：ビスフェノールＡのジグリシジルエー
テルのようなエポキシ樹脂のエポキシド基を一部はアク
リルＷ１またはメタアクリル酸と、そして一部はジェタ
ノールアミンま九＃ｉ前記したような他の二級モノアミ
ノのよう々第二級アミンと反応させることによって得ら
れる生成物：そしてアクリレートまたはメタアクリレー
ト基を含有する樹脂の、アクリレートまたはメタアクリ
レート基含有量・の一部をジェタノールアミンまたは前
記の他の二級モノアミンのような第二級アミンとミカエ
ル付加反応させることＫよって得られる生成物が包含さ
れる。

このような遊離基開始光重合性電着樹脂は塩形成基、好
ましくはカルボキシル基または第三アミノ基を有するポ
リマーと、平均して、１分子当シ１個より多くの重合性
アクリル基を有する材料との混合物からなるものである
。この種の混合物で好ましいのはカルボキシル基及び／
または第三級アミン基を有するアクリルポリマーと少く
とも２個のアクリレート基またはメタアクリレート基を
有するモノマーとの混合物である。適当なアクリルポリ
マーにはカルボキシル基または第三アミ７基を含有する
アクリルモノマー例えばアクリル酸またはメタアクリル
酸、ヒドロキシアルキルアクリレートまたはヒドロキシ
アルキル　メタアクリレートとポリカルボン酸無水物と
の付加物、ジアルキルアミノアルキルアクリレートまた
はジアルキルアミノアルキル　メタアクリレートのホモ
ポリマー及びこのようなモノアクリルモノマー相互及び
／または少くとも１ｍの、カルボキシル基または第三ア
ミノ基のないモノアクリルエステルとの、所望により少
くとも１種の他のビニルモノマーを一緒にしたコポリマ
ーが包含される。

アクリル酸及びメタアクリル酸は、特に好ましいカルボ
キシル基含有モノアクリルモノマーである。特に好まし
い第三アミノ基含有モノアクリルモノマーは２−（ジメ
チルアミノ）エチル　メタアクリレートである。コポリ
マー生成のために好ましいカルボキシル基不在のそして
第三アミノ基不在のモノアクリルエステルにはアルキル
アクリレート、アルキルメタアクリレート　ヒドロキシ
アルキル　アクリレート及びヒドロキシアルキル　メタ
アクリレート例えばメチルアクリレート、エテルアクリ
レート、ｎ−プチルアクリレート、ｎ−へキシルアクリ
レート、２−エテルヘキシルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアク
リレート、５−ヒドロキシプロピルアクリレート及び上
記のものに対応するメタアクリレートが包含される。コ
ポリマー形成に用いることのできる所望のビニルモノマ
ーとしては例えば、酢酸ビニルのようなビニルエステル
、塩化ビニルのようなビニルハライド、または好ましく
はスチレン系、例えばスチレン、アルファーメチルスチ
レンまたはｐ−１０ロステレンが挙げられ、スチレンそ
のものが特に好ましい。

アクリルポリマーは、過酸化物またはアゾ化合物のよう
な遊離基重合開始剤を用いた通常の重合方法によって製
造することができ、ｓ、　ｏ　ｏ　。

またはそれ以上、好ましくＦｉ５．０００ないしｓ　ｏ
、　ｏ　ｏ　ｏＯ数平均分子量を有するポリマーを得る
。このようなモノマーは有機溶媒、好ましくは、ポリマ
ー電着用の媒体と混和できる溶媒の溶液中で開始前とと
もに加熱することができる。

所望ならば第三ドデシルメルカプタンのような通常の連
鎖移動剤を使用することができる。

電着フィルムにおいてアクリルポリマーとの混合に用い
るのに適する、１分子１）平均して１個より多くの重合
性アクリル基を含有する材料にはアクリル酸またはメタ
アクリル酸のエステル、またはヒドロキシアルキル−ア
クリレートまたは−メタアクリレート及びポリカルボン
酸無水物と、低分子量アルコールであってもよい多価ア
ルコールまたはフィルム形成樹脂との、またはエポキシ
樹脂とのカルボキシル基含有附加物：及びイソシアネー
ト末端ポリウレタンプレポリマーとヒドロキシアルキル
　アクリレートまたはヒドロキシアルキル　メタアクリ
レートとのアクリル　ウレタン反応生成物が包含される
。このような重合性アクリル材料で好ましいものは、少
くとも２個の７クリレート基またはメタアクリレート基
を含有するモノマー特にアクリル酸またはメタアクリル
酸と２危いし６個のヒドロキシ基を有する多価アルコー
ルトノエステルでＴｏシ、上記多価アルコールＦｉ１２
個までの炭素原子を有する脂肪族多価アルコール、例え
ばジオール例えばエチレン−１，２−プロビレンー　ト
リメチレン−テトラメチレン−、ネオペンチル−、ヘキ
サメチレン−、オ／Ｊメチレン−及びドデカメチレン−
グリコール及びオキシアルキレングリコール、例えば、
ジー　トリー及びテトラエチレングリコール及びトリ（
プロピレングリコール）、トリオール例えばグリセロー
ル及び１．　ｔ、　１−　）リメテロールプロパン及び
テトラオール例えばエリスリトール及びペンタエリスリ
トール：脂環式多価アルコール例えばジーまたはトリー
ヒドロキシメチル置換シクロヘキサン：複素環多価アル
コール、例ｉｔｆトリス（２−ヒドロキシエチル）イソ
シアヌレート：及び芳香族多価アルコール例えばジメチ
ロール−及びトリメチロール−ベンゼン及ヒ２．２−ビ
スＣｐ−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕プロパ
ンを包含する。これらのアクリレート及びメタアクリレ
−・トは市場で入手できる。入手できないものは通常の
方法、例えば多価アルコールをアクリル酸またはメタア
クリル酸によってエステル化すること、またはアクリロ
イルクロリドまたはメタアクリロイルクロリドのような
それらの誘導体をエステル化することＫよって製造する
ことができる。

電着樹脂フィルムが重合性アクリル基を含有するときは
、レジストは平均して、１分子当シ１個より多くの重合
性アクリル基を有する材料からなっていることが好まし
い。適切な材料には、重合性アクリル基を含有する樹脂
及びアクリルポリマーと、電着樹脂フィルムに包含され
るのに適当なものとした前記の重合性アクリル基を少く
とも２個含有するモノマーとの混合物が包含される。米
国特許第４５４８８９５号明細書に記載されたようなエ
ポキシ基とアクリレートもしくはメタアクリレート基を
含有する材料もまた適切である。レジストとして使用す
るのに適切なエポキシ樹脂とアクリル酸またはメタアク
リル酸との光硬化性付加物はよく知られており、各種の
市場源から広く手に入れることができる。レジストは水
性アルカリ中で現像されるもので、重合性アクリル基と
、少くとも１個のカルボキシル基を含有する材料からな
るものが好ましい。このような材料は英国特許第１４７
４７１５号明細書に記載されている。このようなアクリ
レート基と男ルポキシル基を含有する水性アルカリ中で
現像可能なレジストは商標“リストン（ＲＩＳＴＯＮ）
”のもとにデュポン（Ｄｕ　Ｐｏｎｔ　）から市販され
ているものが好ましい。

電着樹脂フィルム及びレジストが遊離基重合性材料から
できているときは、電着樹脂またはレジストのいずれか
が、遊離基光重合開始剤を含有していなければならない
。電着樹脂フィルムとレジストの双方がこのような開始
剤を含有していることが好ましい。このような光重合開
始剤として適切なものはよく知られていて、多くの異な
るタイプのものが市場で入手できる。

如何なるタイプの公知の開始剤も、通常の使用量、一般
には重合材料に対して（１１ないし２０重量％、好まし
くは１ないし１０重量−の範囲で使用することができる
。このような光重合間°始剤としては芳香族カルボニル
化合物、例えばベンゾイン、イソプロピル−またはｎ−
ブチルエーテルのよ５なベンゾインアルキルエーテル、
α−置換アセトフェノン例えばベンジルジメチルケター
ルのようなベンジルジアルキルケタール、トリクロロメ
チル　ｐ−第三ブチルフェニルケトンのよりなα−ハロ
ーアセトフェノン、ジメチルアミノメチルフェニルケト
ン及びモルホリノメチ、／Ｌ／フェニルケトンのよりな
α−アミノアセト７ｘノンジエトキシアセトフエノンの
ようなジアルコキシアセトフェノンまたＦｉｌ−ヒドロ
キシシクロへキシルフェニルケトンのよりなα−ヒドロ
キシアセトフェノンまたはベンゾフェノンそのもの及び
ビス（４−ジメチルアミノ）ベンゾフェノンのようなベ
ンゾフェノン；メタロセン、例、ｔばビス（π−メチル
シクロペンタジェニル）ビス（σ−ペンタフルオロフェ
ニル）チタニウム債のようなチタニウムメタロセン、■
Ａ属有機金属化合物、例えば光還元性染料、代表的なも
のとしてメチレンブルーまたはローズベンガルを一緒に
伴なったトリメチルベンジル錫、トリブチルベンジル錫
またはジプチルベンジル錫のような錫；キノン、例えば
脂肪族のα炭素原子に接続した水素原子を有するアミン
、好ま′シ〈は第三アミンを一緒に伴なったアント２キ
ノンまたはカンファーキノン例えばビス（４−ジメチル
アミノ）ベンゾフェノンとトリエタノールアミン；チオ
キサントン、例えば２−インプロピルチオキサントンま
たｌｌ１２−クロロチオキサントンのよりなアルキル−
またはハロゲン置換チオキサントン；アシルホスフィン
オキシト；またはそれらの２ｆｉ以上の混合物が挙げら
れる。

レジストがカチオン重合材料を、そのためのカチオン性
光重合開始剤と一緒に含有しているときは、電着樹脂フ
ィルムはエポキシド基と塩形成基好ましくは第三アミン
基とを含有する樹脂からなることができる。このような
樹脂として適切なものには、第二級モノアミンと、グリ
シジル基、好ましくはグリシジルアクリレートまたはグ
リシジルメタアクリレートを含有するモノアクリルモノ
マーと少くとも１種の他のビニルモノマーとのコポリマ
ーの１部の量のグリシジル基との反応によって得られる
ものが包含される。他のビニルモノマーで好ましいもの
は先に述べたようなアルキルアクリレート及びアルキル
メタアクリレート、先に述べたようなヒドロキシアルキ
ルアクリレート及びヒドロキシアルキルメタアクリレー
ト、先に述べたようなスチレン及びそれらの２種以上の
混合物である。

グリシジル含有コモノマーと反応する第二級モノアミン
として挙げられるのはジアルキルアミン、アルカノール
アミンまたは先に述べたような窒素複素環であり、そし
てジェタノールアミンが特Ｋｔｌｆましい。

レジストとして使用するに適するカチオン光硬化組成物
は知られている。このような組成物に包含されるものと
して好ましいのは、オニウム塩、メタルオセニウム塩ま
たは芳香族ヨードシル塩を一緒に伴なったエポキシ樹脂
からなるものである。このタイプの光硬化性組成物もま
た米国特許第４５７２８９０号明細書及び欧州特許公開
第００９４９１５号公報に記載されている。特に好まし
い組成物は、多価フェノール例えばフェノール−ホルム
アルデヒド　ノボラックまたは好まし゛くはビスフェノ
ール、特にビスフェノールＡのポリグリシジルエーテル
または脂環式エポキシ樹脂を含有するものであシ、後者
は、ビニルシクロヘキセン　ジオキシドのような脂環式
環の中の炭素原子に隣接したエポキシド基を有するエポ
キシ樹脂、または好ましくはへ４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−へ７４′−エポキシシクロヘキサンカルボ
キシレートまたはカチオン光重合開始剤としてのオニウ
ムまたはヨードシル塩、好ましくはスルホニウムまたは
ス）ｖホキソニケム塩を一緒に伴った、このようなポリ
グリシジルエーテル及びこのような脂環式樹脂の混合物
である。

本発明方法において電着光硬化樹脂及びレジストハ通常
の増感剤及び通常の７オトレジストに用いられる添加物
、例えば染料及び非感光性のフィルム形ポリマーを含有
することができる。

本発明方法の工程（１）における樹脂フィルムの電着は
、通常の手続きを用いて、少くとも部分的にイオン化し
た形の光硬化性有機樹脂を含有する水性電着媒体から実
施することができる。

このようにして所望によシ、通常の添加物、例えば顔料
、染料、充填剤及び可塑剤を一緒にした電着性樹脂を、
少くとも部分的に樹脂中の塩形成基を中和すべき酸゛ま
たは塩基と一緒に少量の有機溶媒を含有することのでき
る水性媒体中に溶解または分散することができる。所望
ならば電着媒体中に溶解または分散するに先立って、樹
脂中の塩形成基を少くとも部分的に中和することができ
る。水性電着媒体は一般に２ないし６０重量％、好まし
くＦｉｓないし２５重量−の光硬化性有機樹脂を含有し
ている。樹脂フィルムが電層されるべき導電性表面を、
該樹脂が陽極に対して電着できるか、または陰極に対し
て電層できるかによシ、陽極または陰極として電着媒体
中に浸漬し、もう一方の反対電極を媒体中に浸漬し、そ
して電極間に電流を流し、所要の電極上に樹脂を電着す
ることができる。

電着は数分間迄、通常ｉｊ　２ｔ）Ｏボルト迄の電圧で
１分迄で多くの場合十分である。特に樹脂フィルムが析
出する電極のサイズが対極に対して小さい場谷にＦｉ２
ボルト程度の低電圧を使用してもよい。例えば陰極析出
性の樹脂は、タンク全体が陽極であるタンク中の小さな
陰極上に２ボルトまたは５ボルトの電圧で析出させるこ
とができる。所望ならば定電流または定電圧の条件下で
電着を行なうことができる。樹脂フィルムの接着性は、
もし定電流の条件のもとて電着され、そして電着が進む
に従って電圧を高めると改善されることがある。例えば
２ボルトで２時間電着し、次に５ボルトで５分間迄電着
すると、良好な被膜を得ることができる。

本発明方法の工程（ｆｌ）は、 （ａ）　　電着したフィルムの上にレジストの層ヲ付け （ｂ）　　予め決められたパターンにレジスト層ヲ化学
線で照射し、それによって暴露領域のレジストと下に在
る電着フィルムを光硬化し、そして （ｃ）照射されたレジスト層の未暴露領域を取シ除くこ
とによって実施することができる。

予め決められたパターンに光硬化性レジスト層を照射す
ることは、実質的に不透明な領域と実質的に透明な領域
とからなる像状の透明体を通して暴露すること、又はコ
ンビエータ−制御レーザービームによってなしとげるこ
とができる。一般的に２００ないし６００　ｎｍの波長
を有する電磁輻射線が使用され、適当な光源としては、
炭素了−り、水銀蒸気アーク、紫外光を放出するリンを
有する螢光灯、アルゴン及びキセノングローブ２ンプ、
タングステンランプ及び写真用投光ランプ等が挙げられ
、中でも水銀蒸気アーク及びメタルハライドランプが最
も適当である。必要とされる暴露時間はホトレジスト層
の成分の性質及び厚み、輻射線源の種類及びその半田レ
ジスト層からの距離等の因子に依る。適当な暴露時間は
簡単に日常の実験により見出すことができる。

光照射したレジスト層の未暴露領域の除去は溶剤処理に
よって行われることが好ましい。この溶剤は光硬化性レ
ジストの性質に従って選ばれ、水、酸または塩基の水溶
液または水性有機溶液または有機溶媒または溶媒混合物
でよい。

適当な酸性溶液としては酢酸、乳酸、グリコール酸また
はトルエン−ｐ−スルホン酸の溶液が挙げられ、一方適
鏑な塩基性溶液としては水酸化または炭酸ナトリウムま
たはカリウムの溶液が挙げられる。適当な有機溶媒とし
ては、トルエン及びキシレンのような炭化水素、１．１
．１−トリクロロエタン及びジクロロメタンのようなハ
ロゲン化炭化水素、エタノール、２−ｎ−ブトキシェタ
ノール及び２−エトキシエテルアセテートのようなエス
テル、シクロヘキサノン、アセトン及びメチルエテルケ
トンのよりなケトン、テトラヒドロフランのようなエー
テル及びｒ−ブチロラクトンのようなラクトンが挙げら
れる。

光硬化性レジスト層の未暴露領域の除去が本発明方法の
工程（Ｉｌｌ）、即ち電着フィルムの被覆されていない
領域の除去にも影響するように溶媒を選ぶことができる
。レジストの未暴露領域の除去に用いられた溶媒が電着
フィルムの被覆されてない領域を除去しない場合には、
工程（１）に有効なように別の溶媒が用いられる。この
溶媒も先Ｋ、レジスト層の未暴露領域の除去のために特
定したものから選ばれる。適当な溶媒は日常の実験によ
り見出すことができる。

本発明方法は、予め決められた領域の裸の金属と、他の
領域で、予め成形されたレジストによシ被覆された金属
とよりなる表面を有し、そして裸の金属表面が本発明方
法の工程（１）の定義で先に特定した導電性表面である
基板から出発した金属パターンの製造に％に適している
。本発明の態様においては、工程（１）と（１１）の間
で、予め形成されたレジストを、電着フィルムを除去し
ない溶媒を用いて、上記の残シの領域から取シ除くこと
ができ、そしてそれによって上記の残シの領域で裸にな
った金属を、電着フィルムを除かない食刻剤を用いて食
刻することができる。

最初の基板上に被膜として存在する、予備形成されたレ
ジストはスクリーン印刷法によって付けられ、そして次
に硬化したエポキシ樹脂でよい。予備形成されたレジろ
トは、通常、銅りジッドプラステック　ラミネートであ
る基板に均一につけ、予め決められたパターンで化学線
を照射し、そして次に７オトレジストがポジであるかネ
ガであるかによって暴露もしくは未暴露領域を取シ除く
ことによシ、選ばれた領域を被覆した７オトレジスであ
るととが好ましい。

プリント回路ボードをつくるのに用いられるポジー及び
ネガフォトレジストはよく知られた材料であり、それら
のいずれでも用いることができる。それらは水性条件の
もとてか、ｔたは有機溶媒を用いて除去することができ
る。錫−鉛半田またはニッケルのような別の金属層は光
硬化性フィルムを電着する前に、裸銅領域に析出させる
ことができる。

フォトレジストが、電着フィルムを除去するのに必要と
するよシも穏かな条件のもとで、即ち一層稀薄な酸また
は塩基の溶液で除去できることを前提として、ともに酸
性水相下で除去でき、またはともに、塩基性水相下で除
去できる、予め形成されたフォトレジストと電着フィル
ムとを組合せて使用することができる。異なる有機溶媒
によって除去できる予め形成されたレジストと電着フィ
ルムとを用いることもできる。

水性溶媒を用いｔ予め形成されたレジストが除かれ、有
機溶媒を用いて工程（１）で電着フィルムが除かれるよ
うに予め形成されたレジスト電着フィルムが選ばれるこ
とが特に好ましい。

予め形成されたレジストを除去することＫよシ露出した
金属は、塩化第二鉄、過酸化水素／リン酸、過硫酸アン
モニウムまたは塩化第二銅のようなよく知られたエツチ
ング剤によって除去することができる。エツチングの後
、基板は電着したポリマーフィルムに覆われた金属の予
め決められた領域と、エツチング処理によ多金属が除去
された予め決められた領域からなる表面を有する。初期
の基板が銅クラツド　ブ２ステック２ミネートである場
合、エツチングの後、表面は電着フィルムによシ覆われ
た予め決められた鋼の領域と、ラミネートベースに銅の
ない領域とからなる。

本発明はメツキされた通孔やバイアスを有する多層プリ
ント回路を含むプリント回路の製造に特に適している。

工程（１）で電着フィルムの上に予め決められたパター
ンに形成された光硬化レジストは、プリント回路のその
後の工程の間Ｋ、半田マスクとして作用することができ
る。

（実施例及び発明の効果） 本発明を次の実施例によシ説明するが、特記しない限シ
部及びパーセントは重量部及び重量パーセントを示す。

実施例に使用した樹脂は下記の如く調製される： 樹脂１ １、５−　ヒス（４−グリシジルオキシフェニル）ベン
ター１，４−ジエン−３−オンをビスフェノールＡとテ
トラブロモビスフェノールＡＫより前駆させて得た数平
均分子量へ４００ないしへ５００そしてエポキシ含量＋
１８ｆｉ量／に４のエポキシ樹脂７０部を２−エトキシ
エチルアセテート及び２−メトキシエタノールの重量比
で２：１の混合物に溶解した５０チ溶液を１！１（ＩＫ
加熱する。

ジェタノールアミン４１４部を加えて混合物を１５０℃
で４時間攪拌すると、そのときまでにエポキシ含量が無
視し得るほどになる。次に混合物を９０℃に冷却し、２
０チ乳酸水溶液２．１６部を加える。得た生成物を室温
に冷却する。乳酸を加える前に得た溶液から１３０℃で
溶媒を真空蒸発することによって得た樹脂は下記の性質
を有する。

アミン価：（Ｌ６１当量／Ｋｆ ？化点Ｃコアラー　ホット　ペンチ （Ｋｏｆｌｅｒ　Ｈｏｔ　Ｂｅｎｃｈ　）　）　＋　１
０５℃ＩＲ（ＫＢｒディスク） ５４２０．３１６０，２９４Ｑ、２８８Ｑ　　１７６０
゜１６４へ　１６０２．　１５７２．１５１０１１４５
５゜ｔ４２５，１２５（Ｌ　　１１７ｉ、ｔＱ９６，１
０５５゜８３０．６４０譚−１ Ｎｌｌｌ／ＳＲ（ＤＭＳＯ−ｄｉ）　１−１（ｔ）、　
ｔ６（ｓ）、　２−０（ｓ）、２−５６ｎｌ。

五５−４．５（ハ）、＆８−Ｚ９６Ｔ＋）δ樹脂… スチレン４７．５部％２−エチルへキシルアクリレート
２５部、２−ヒドロキシエチルメタアクリレート２０部
及びジメチルアミノエチルメタアクリレート７．５部か
らなる七ツマー混金物を。

マゾビス（インブチロニトリル）１５部と共に窒素下で
攪拌した１００℃の２−ｎ−プトキシェタノール５０部
に２時間かけて滴加した。この反応混合物をさらに１時
間１００’ＣＫ保ち、さらにアゾビス（インブチロニト
リル）１５部及び２−ｎ−ブトキシエタノ−／Ｉ１５．
５部を加えた。

この操作をさらに２回繰返して反応混合物を１００℃で
さらに１時間保ち、次いで冷却した。

得られた溶液中のコポリマーの数平均分子量は１０４１
６であった。

樹脂■ １、５−　ヒス（４−グリシジルオキシフェニル）ペン
タ−１，４−ジエン−３−オンヲ５．５−　シｌチルヒ
ダントインによシ前駆させて得たエポキシ含量α７ない
し１．０当量／Ｋｌのエポキシ樹脂９Ｌ６部を２−エト
キシエタノールに溶解した４０％溶液を１３０℃に加熱
する。ジイソプロパツールアミン１６６部を加え、エポ
キシ含量が無視し得る程になる迄、５時間攪拌する。次
に混合物を９ＱＣに冷却し、そして２０％乳酸水溶液１
．２部を加える。得た生成物を室温に冷却する。

乳酸を加える前に得た溶液から、１５０℃で溶媒を真空
蒸発することＫよって得た樹脂は下記の性質を有する。

アミン価：　Ｉ１４υ重量／Ｋｐ 軟化点　：１０８℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク） ５４０へ　２９８０．２９４へ　２８８０．１７７へ１
７１０．１６４翫　１６００，１５７１，１５１ム１４
６へ　１４２翫　１２５５，１１７１．１０９翫１０３
１．９８８，８３２，６４０．−’ＮｉｉＲ（ＤＭＳＮ
ｌｌＲ（Ｄ　（１９−１５ｆｒｊ、　２．５（ａ）、　
１３−４２ｉ。

＆　８−７．９−δ 樹脂■ グリシジルメタアクリレート３０部、スチレン３０ｍ、
２−ヒドロキシメチルメタアクリレート５部、２−エテ
ルヘキシルアクリレート５５部及びアゾビス（インブチ
ロニトリル）ｔ５部のモノマー混金物を２時間かけて、
１００℃で攪拌した２−ｎ−ブトキシェタノール５０部
に滴加する。反応混合物をさらに１時間１００℃に保ち
、さらにアゾビス（イソブチロニトリル）α５部と２−
ｎ−ブトキシェタノール５．５部を加える。この操作を
２回繰返し、反応混合物をさらに１時間１００℃に保っ
て次に冷却する。

得られた溶液のアミン価はα３０当量／−、エポキシ含
量は（Ｌ８５当量／−１そして固形濃度は５＆６％であ
った。

実施例に使用したりストン（ＲＩＳＴＯＮ）５４１５で
知られるフォトレジストは遊離基光重合開始剤を含む水
性現像可能な光硬化性のアクリレート基含有ドライフィ
ルムレジストであり、デュポン（英国）社、リストン　
ディヴイジョン（Ｒｌａｔｏｎ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　）
　、ウエジウツド　ウェイ（Ｗｅｇｅｗｏｏｄ　Ｗａｙ
　）　ｒスティプネージ（Ｓｔｅｖｅ−ｎａｇｅ　）　
ｔハートフォートシャ”　（Ｈｅｒｔｆｏｒｄｓｈｉ　
−ｒｅ　）ＳＧＩ　　４ＱＮ、　　イングランド（Ｅｎ
ｇｌａｎｄ）から市販されている。

実施例に使用したヘキス）　（ＨＯＥＣＨ８Ｔ）ＨＢ　
　１１６Ｇ　　ドライ　フィルム　ストリッパー（ＤＲ
Ｙ　ＦＩＬＭ　　５ＴＲＩＰＰＥＲ）　　Ｖｉヘキスト
（Ｘｆｆ１ｌ　’）　社、エレクトロニック　ブロダク
ツデイヴイジｗ　ン（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｐｒｏｄ
ｕｅｔｏ　Ｄｉｖｉ−ｓｉｏｎ　）　、　ユニｙト（Ｕ
ｎｉｔ　）　２　ｏ　、スミス　インゲストリアルニス
テート（Ｓｍ１ｔｈｓ　Ｉｎｄｕｓ　−ｔｒｉ（１１　
Ｅｓｔａｔｅ　）　、　ハフバー　アベニュー（Ｈｕｍ
ｂｅｒ　Ａｖｅｎｕｅ　）　、コベントリ（Ｃｏｖａｎ
ｔｒｙ）。

ＣＶ３　１ＪＲ，イングランド（Ｅｎｇｌａｎｄ　）か
ら市販されている。

実施例１ リストン（ＲＩＳＴＯＮ）３４１ｓで知られた水性現像
可能なネガフォトレジストで被覆し、画像形成及び現像
を行なって前記フォトレジストにパターンを形成した銅
クラツドラミネートを、ステンレス鋼陽極を備え、そし
て水３３９部と２−ｎ−ブトキシエタノール４＆８部の
混合物中、樹脂１１００部の溶液を含む電着浴槽中の陰
極として使用した。５５ボルトの電圧を４秒間かけてラ
ミネートを浴槽から取出し、水で洗浄して８０℃で１０
分間乾燥した。電着したフィルムは、フォトレジストが
なく銅が露出し九領域を被覆する。次に２ミネートを５
０℃のエタノールアミン７チ水溶液に浸漬する。この処
理によシ、電着フィルムを残しながらフォトレジストが
除かれる。フォトレジストを除くことによって露出され
た銅を水８３０部、濃硫酸２０部及び過硫酸アンモニウ
ム１５０部の混合溶液中で５０℃でエツチングして除き
、次に２ミネートを水洗、乾燥したところ、ラミネート
基板上に電着フィルムに覆われた銅の鮮明なパターンが
残った。樹脂ｌの調製のための出発物質として用いられ
たエポキシ樹脂の層を半田マスクレジストとして、銅パ
ターンを有する表面の上に線巻ロッドを用いて付けた。

この半田マスクを８０℃で１０分間乾燥し、そして次に
像状の透明体を通し、７５−の距離にある５Ｋ１１［金
属ハライドランプを用いて２分間照射した。照射により
、半田マスクの暴露領域と電着フィルムの上記暴露領域
の下に在る領域が共硬化する。ラミネートをプロピレン
カーボネート５０部、γ−ブチロラクトン２０部及びブ
テルジゴール（ジエチレングリコール　モノブテルエー
テ／Ｉ／）！ｉｏ部の混合物に浸漬し、像状照射に曝さ
れなかった半田マスクの領域とこれら領域において、こ
のように露出した電着樹脂の領域を除く。得られたラミ
ネートでは光硬化した半田マスクのパターンが硬化した
中間の電着フィルムを介して下に在る銅パターンと確実
に接着していた。

実施例２ リストン（ＲＩＳＴＯＮ）５４１ｓで知られた水性現像
可能なネガフォトレジストで被覆し、画像形成及び現像
を行なって前記フォトレジストにパターンを形成した銅
クラツドラミネートを、ステンレス鋼陽極を備え、そし
て樹脂１［１００部、２０Ｉｓ乳酸水溶液４７部、トリ
メチロールプロパン　トリスアクリレート２１５部、ペ
ンジルジメルケタールｔ５部及び水４６９．５部の混合
物を含む電着浴槽中の陰極として使用した。２０ボルト
の電圧を１時間かけてラミネートを浴槽から取出し、水
で洗浄して１１０℃で５分間乾燥した。電着したフィル
ム＃−ｉフォトレジストがなく鋼が露出した領域を被覆
する。次にラミネートを５０℃のエタノールアミン７チ
水溶液に浸漬する。この処理によシミ着フィルムを残し
ながらフォトレジストが除かれる。フォトレジストを除
くこと罠よって露出されん銅を、水８３０、濃硫酸２０
部及び過硫酸アンモニウム１５０部の混合溶液中で、５
０℃でエツチングして除き、次にラミネートを水洗、乾
燥したところ、ラミネート基板上に電着フィルムに侵わ
れた鋼の鮮明なパターンが残った。水性現像可能な光硬
化性アクリレート基含有フォトレジスト、リストン３４
１５の膚を乾式フィルム積層機を用いて、鋼パターンを
着けた表面の上につけた。像状の透明体を通し、７５個
の距離にある５認金属ハライドランプを用いてフォトレ
ジストを６０秒間照射し、レジストの暴露領域とその下
の領域の電着フィルムを共硬化させた。像状照射に曝さ
れなかったフォトレジストの領域を除くために％ラミネ
ートを炭酸ナトリウムの１チ水溶液に浸漬した。このよ
うに暴露した電着フィルムは１、ｔ、１−）リクロロエ
タンへの浸漬によって除かれた。得られた２ミネートで
は、光硬化した半田マスクのバターが、硬化した中間の
電着フィルムを介して下に在る銅パターンと確実に接着
していた。

実施例５ 水性現像可能なネガフォトレジスト　リストン５４１５
によシ被覆された銅クラツド　ラミネートを画像形成し
現像してフォトレジストにパターンを形成した。現像で
露出した銅に錫−鉛半田で厚さ７ミクロンに電気メツキ
した。得られたラミネートを、ステンレス鋼陽極を備え
、そして樹脂ｌ　ｆｏＯ部、２−ｎ−ブトキシェタノー
ル４０部、２０チ乳酸水溶液７：６部及び水２５２．４
部を含む電着浴において陰極として用いる。１０ボルト
の電圧を１分間かけてラミネートを浴槽から取シ出し、
水で洗浄して１１０℃で５分間乾燥した。電着したフィ
ルムは錫−鉛半田の存在する領域を被覆している。乾燥
した２ミネートをヘキストＨｆ３１１６０　　ドライフ
イルムストリッパーの浴１１’ｌ：５０℃で浸漬し九。

この処理によシミ着フィルムを残しながらフォトレジス
トが除かれる。フォトレジストを除くことによって露出
された鋼を水８５０部中、過硫酸アンモニウム１５０部
の溶液を含むエツチング浴に５０℃で浸漬するととＫよ
シエッチングして除い友。エツチングしたラミネートを
水洗乾燥し九ところ、２ミネート基板上Ｋ、錫−鉛半田
をかぶせ、そして電着フィルム圧積われた銅の鮮明なパ
ターンが残った。樹脂■の調製の丸めの出発物質として
用いられたエポキシ樹脂の層を、有機溶媒の溶液中で、
半田マスクとして、半田メツキされた銅パターンをつけ
た表面の上に、線巻ロッドを用いて付けた。この半田マ
スク層を１１０℃で５分間乾燥し、そして次に像状の透
明体を通し、７５５Ｉの距離にある５Ｉａ［金属ハライ
ド　ランプを用いて１分間照射゛した。照射により、半
田マスクの暴露領域と、電着フィルムの上記暴露領域の
下に在る領域が共硬化した。

照射されたラミネートをプロピレン　カーボネート５０
部、ガンマ−ブチロラクトン２０部及びプチルジゴール
５０部の混合物に浸漬し、像状照射に曝されなかった半
田マスクの領域と、それ罠よって、これらの領域で露出
した電着樹脂を除いた。得られたラミネートでは光硬化
した半田マスクのパターンが、硬化した中間の電着フィ
ルムを介して、下に在る銅パターンと確実に接着してい
た。

実施例４ 画像形成し現像してフォトレジストにパターンを形成し
、それＫよって銅の露出した領域を残したネガフォトレ
ジスト　リストン３４１５により被覆された銅り２ツド
ラミネートをステンレス鋼陽極を備えたｔ看浴で陰極と
して使用した。この浴は樹脂■１００部、２０％乳酸水
溶液１７．１１１１％、）リフェニルスルホニウム　ヘ
キサフルオロアンチモネー）１ｔ７部、２−ｎ−ブトキ
シエタノール２ｔ３部及び水４２部４部の混合溶液を含
んでいる。５ボルトで１分間、通電し、セして次にラミ
ネートを浴から除き、水洗して１１０Ｃで５分間乾燥し
た。電着したフィルムは銅の露出した領域を被覆した。

乾燥したラミネートを５０℃のエタノールアミン７％水
溶液忙浸漬し、電着フィルムを残しながらフォトレジス
トヲ除いた。フォトレジストが除かれて露出した銅を３
０℃の塩化第二鉄溶液に浸漬することによって、エツチ
ングして除いた。エツチングし次ラミネートを水洗乾燥
し、ラミネート基板上に電着フィルムでａＦｉれた銅の
鮮明なパターンが残った。５％のトリフェニルスルホニ
ウム　ヘキサフルオロアンチモネートを含有するム４−
エポキシシクロヘキシルメチル−ａ／　４／　−シクロ
ヘキサン−カルボキシレートの１２ミクロンの層を、線
巻ロッドを用いて、銅パターンを着けた表面圧設けた。

これに像状の透明体を通して、７５ｃｍの距離にある５
双金属ハライドランプを用いて１０分間照射し、マスク
の暴露領域と、このような暴露領域の下にある電着フィ
ルムの領域を共硬化させた。照射したラミネートをプロ
ピレンカーボネート５０部、ｒ−ブチロ２クトン２０部
及びプテルジゴール５０部の混合動圧浸漬し、像状照射
に＠されなかったマスクと電着フィルムの領域を除いた
。得られたラミネートでは光硬化した半田マスクのパタ
ーンが硬化した中間の電着フィルムを介して、下に在る
銅パターンと確実に接着していた。

特許出願人　テバーガイギー　アクテエンゲゼルシャフ
ト（ほか２名）

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. （１）（ｉ）導電性表面に光硬化性有機樹脂からなるフ
   ィルムを電着し、 （ｉｉ）電着フィルムの上に、化学線照射に曝すことに
   より下に在る該電着フィルムと共硬 化した予め決められたパターンのレジスト を形成し、それによつて予め決められた領 域の電着フィルムを覆われないまゝに残し、（ｉｉｉ）
   覆われていない領域の電着フィルムを、そのための溶媒
   による処理によって除き、 それによつて予め決められた領域の裸の導 電性材料と、他の予め決められた領域の、 その下に在る硬化した領域の電着フィルム を介して導電性表面に確実に接着している 光硬化したレジストとからなる表面を形成 することからなる導電性材料のパターンの 製造方法。
2. （２）電着フィルムとレジストが、化学線への暴露の際
   の感光性基の直接的活性化の効果による光架橋によつて
   硬化する請求項（１）に記載の方法。
3. （３）電着フィルムがα，β不飽和性と共役した芳香族
   性またはエチレン性不飽和性を有するα，βエチレン性
   不飽和ケトン基を含有するエポキシ樹脂と第二級モノア
   ミノとの反応生成物からなり、そしてジストが上記共役
   不飽和ケトン基を有するエポキシ樹脂からなる請求項（
   ２）に記載の方法。
4. （４）上記エポキシ樹脂が各々、１．５−ビス（ヒドロ
   キシフェエル）ペンター１．４−ジエン−３−オンのポ
   リグリシジルエーテル、またはそのビスフェノールまた
   はヒダントインとの前駆反応生成物、またはビスフェノ
   ールジ グリシジルエーテルもしくはＮ，Ｎ′−ジグリシジルヒ
   ダントインと１．５−ビス（ヒドロキシフェエル）ペン
   ター１．４−ジエン−３−オンとの前駆反応生成物であ
   る請求項（３）に記載の方法。
5. （５）電着フィルムとレジストが遊離基開始重合によつ
   て硬化し、電着フィルム及び／またはレジストが遊離基
   重合開始剤を含有している請求項（１）に記載の方法。
6. （６）電着フィルムが重合性アクリル基を塩形成基と一
   緒に含有している請求項（５）に記載の方法。
7. （７）電着フィルムがカルボキシル基及び／または第三
   アミノ基を有するアクリルポリマーと少くとも２個のア
   クリレート基またはメタアクリレート基を有するモノマ
   ーとの混合物からなる請求項（５）に記載の方法。
8. （８）レジストが平均して１分子当り１個より多くの重
   合性アクリル基を有する材料からなる請求項（６）に記
   載の方法。
9. （９）レジストが水性アルカリ中で現像可能であり、そ
   して重合性アクリル基と少くとも１個のカルボキシル基
   を有している請求項（８）に記載の方法。
10. （１０）電着フィルムとレジストがカチオン光重合開始
    前の存在下のカチオン重合によつて硬化する請求項（１
    ）に記載の方法。
11. （１１）電着フィルムが第二級モノアミンをグリシジル
    基を含有するモノアクリルモノマーと少くとも１種のビ
    ニルモノマーとのコポリ マーの含有グリシジル基の一部と反応させることによつ
    て得られる樹脂からなる請求項（１０）に記載の方法。
12. （１２）レジストがオニウム塩、メタロセニウム塩また
    は芳香族ヨードシル塩と一緒になつたエポキシ樹脂から
    なる請求項（１１）に記載の方法。
13. （１３）工程（ｉｉ）が、 （ａ）電着フィルムの上にレジスト層を塗布し、（ｂ）
    レジスト層を化学線で、予め決められたパターンに照射
    し、それによつて暴露領域 のレジストとその下に在る電着フィルムを 光硬化し、そして、 （ｃ）照射されたレジスト層の暴露されていない領域を
    除くことによつて実施される請求 項（１１）に記載の方法。
14. （１４）（Ａ）α，β不飽和性と共役した芳香族性また
    はエチレン性不飽和性を有するα，β−エチレン性不飽
    和ケトン基を含有するエポキシ樹脂と、（Ｂ）第二級モ
    ノアミンとの反応生成物からなる請求項（１）に記載の
    方法に使用するのに適する電着性−光硬化性樹脂。
15. （１５）第二級モノアミンがアルカノールアミンである
    請求項（１４）に記載の樹脂。
16. （１６）次式 I ： Ｒ＾１［ＣＨ＿２（ＯＨ）ＣＨ＿２Ｎ（Ｒ＾２）Ｒ＾３
    ］＿２　 I （式中、Ｒ＾１はα，β不飽和性と共役し
    た芳香族性またはエチレン性不飽和性を有するα，β−
    エチレン性不飽和ケトン基を含有するエポキシ樹脂から
    ２個のエポキシド基を除いた後の残基を表わし、そして
    、 Ｒ＾２及びＲ＾３は各々炭素原子数１ないし１２の所望
    によりヒドロキシル基により置換されたアルキル基を表
    わすか、またはＲ＾２及びＲ＾３は特定の窒素原子と一
    緒になつて５−または６−員複素環を形成する。）で表
    わされる請求項（１４）に記載の樹脂。
17. （１７）Ｒ＾１が少くとも１個の次式II： −Ｏ−Ａｒ＾１−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ
    ＾１−Ｏ−　II（式中、Ａｒ＾１は未置換または置換フ
    ェニレン基を表わす。）で表わされる基を含有するエポ
    キシ樹脂の残基を表わす請求項（１６）に記載の樹脂。
18. （１８）Ｒ＾１が次式IIIまたはIV： ▲数式、化学式、表等があります▼III ▲数式、化学式、表等があります▼IV （式中、Ｘは式IIで表わされてＡｒ＾１が未置換フェニ
    レン基を表わす基を表わし、Ｙは次式ＶまたはVI： −Ｏ−Ａｒ＾２−Ｒ＾４−Ａｒ＾２−Ｖ ▲数式、化学式、表等があります▼VI で表わされる基を表わし、Ａｒ＾２”は未置換または置
    換フェニレン基を表わし、Ｒ＾２及びＲ＾３は各々炭素
    原子数２ないし４のヒドロキシル置換アルキル基を表わ
    し、Ｒ＾４は炭素原子数１ないし３のアルキレン基を表
    わし、Ｒ＾５及びＲ＾６は各々水素原子または炭素原子
    数１ないし４のアルキル基を表わし、ｍ，ｎ及びｐは各
    々正の整数を表わす。）で表わされ、そして５００ない
    し１０，０００の分子量を有するような請求項１７に記
    載の樹脂。