JPS63236304A - 耐食強磁性膜 - Google Patents
耐食強磁性膜Info
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 92
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 16
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 15
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置、ＶＴＲなどに用いる磁気ヘ
ッドのコア材料に係り、特に高飽和磁束密度、高透磁率
、低磁歪定数、高耐食性を有する強磁性膜に関する。
ッドのコア材料に係り、特に高飽和磁束密度、高透磁率
、低磁歪定数、高耐食性を有する強磁性膜に関する。
近年、磁気記録技術の進歩は著しく、家庭用ＶＴＲの分
野では小型、軽量化のために、また、磁気ディスク装置
の分野では大容量化のために、記録密度の高密度化が進
められている。このような高密度化のためには高保磁力
の記録媒体に十分書き込みができる高飽和磁束密度をも
つ磁気ヘッド用の強磁性膜が必要となる。
野では小型、軽量化のために、また、磁気ディスク装置
の分野では大容量化のために、記録密度の高密度化が進
められている。このような高密度化のためには高保磁力
の記録媒体に十分書き込みができる高飽和磁束密度をも
つ磁気ヘッド用の強磁性膜が必要となる。
また、磁気ヘッド用材料は記録再生効率の向上の点から
高透磁率を有することが必要であり、効率の安定化のた
めには磁歪定数を零近傍に制御することか望ましい。
高透磁率を有することが必要であり、効率の安定化のた
めには磁歪定数を零近傍に制御することか望ましい。
このような材料としては従来、飽和磁束密度の高いＦｅ
を主成分とするＦ ｅ −Ａ Ｑ −Ｓ ｉ係合金（セ
ンダスト）（特開昭６０−７４１１０号）、ＦＣ−３ｉ
係合金〔特開昭５２−１１２７９７号、特開昭５９−１
８２９３８号〕が開発されており、また、磁気ヘッドへ
の適用も図られている。
を主成分とするＦ ｅ −Ａ Ｑ −Ｓ ｉ係合金（セ
ンダスト）（特開昭６０−７４１１０号）、ＦＣ−３ｉ
係合金〔特開昭５２−１１２７９７号、特開昭５９−１
８２９３８号〕が開発されており、また、磁気ヘッドへ
の適用も図られている。
しかし、Ｆｅ−ＡＱＳｉ系合金は飽和磁束密度がｌ０Ｋ
Ｇ程度と低いことが問題である。また、Ｆｅ−８ｉ係合
金は飽和磁束密度が１８ＫＧと高いが、耐食性に問題が
あり、Ｒｕなどの添加により耐食性の改善を行なうと飽
和磁束密度が１４ＫＧ程度まで低下するという問題があ
った。
Ｇ程度と低いことが問題である。また、Ｆｅ−８ｉ係合
金は飽和磁束密度が１８ＫＧと高いが、耐食性に問題が
あり、Ｒｕなどの添加により耐食性の改善を行なうと飽
和磁束密度が１４ＫＧ程度まで低下するという問題があ
った。
本発明の目的は上述した従来技術の欠点を解消し、高飽
和磁束密度、高透磁率、低磁歪定数をもち、耐食性の高
い、磁気へラドコア用強磁性膜を提供することにある。
和磁束密度、高透磁率、低磁歪定数をもち、耐食性の高
い、磁気へラドコア用強磁性膜を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記目的を達成するため、Ｆｅに侵入型で固溶
する元素を含有した高飽和磁束密度、高透磁率のＦｅを
主成分とする強磁性膜にＮｉ。
する元素を含有した高飽和磁束密度、高透磁率のＦｅを
主成分とする強磁性膜にＮｉ。
Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａｒ Ａｇ＋Ｏｓ、
Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの群より選
ばれる少なくとも１種の元素を０．５〜５ａｔ％添加し
たことによって、その磁気特性を劣化させることなく、
耐食性を向上させ、かつ低磁歪定数としたことを骨子と
するものである。
Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの群より選
ばれる少なくとも１種の元素を０．５〜５ａｔ％添加し
たことによって、その磁気特性を劣化させることなく、
耐食性を向上させ、かつ低磁歪定数としたことを骨子と
するものである。
本発明の強磁性膜に添加する侵入型元素としてはｌ”ｌ
、Ｎ、Ｃ，Ｐより選ばれる１種類以上の元素を用いるこ
とが望ましい。また、この強磁性膜を１６Ｊｉ性膜と異
なる金ｇｌｃ膜を介して多層化することにより、さらに
透磁率を大幅に増加させることが可能になる。
、Ｎ、Ｃ，Ｐより選ばれる１種類以上の元素を用いるこ
とが望ましい。また、この強磁性膜を１６Ｊｉ性膜と異
なる金ｇｌｃ膜を介して多層化することにより、さらに
透磁率を大幅に増加させることが可能になる。
本発明者らは飽和磁束密度の高いＦｅを主成分とする磁
性膜の探索研究を行なってきたが、この中でＦｅに侵入
型で固溶する元素を添加した場合はその飽和磁束密度が
減少することなく、その透磁率が増大し、保磁力が減少
することを見出した６侵入型固溶する元素を添加したと
き、Ｆｅを主成分とする磁性膜の軟磁気特性が向上する
理由は必ずしも明確になっていないが、侵入型固溶の元
素を添加したＦｅを主成分とする磁性膜はブロードなＸ
線回折ピークを示すばかりか、電子顕微鏡で観察した結
晶粒径が未添加の場合に比べて小さくなっており、結晶
磁気異方性定数もしくは異方性の分散が小さくなり、軟
磁気特性を向上させたものと推察される。また、添加量
が１０数ａｔ％という多地になっても飽和磁束密度の減
少がほとんどみられないことが侵入型固溶元素の特徴で
あり、Ｆｅの格子内に侵入型に固溶するため、単位体積
当た・やのＦｅＪＭ子数が変化しないことが利点となっ
ているものと思われる。
性膜の探索研究を行なってきたが、この中でＦｅに侵入
型で固溶する元素を添加した場合はその飽和磁束密度が
減少することなく、その透磁率が増大し、保磁力が減少
することを見出した６侵入型固溶する元素を添加したと
き、Ｆｅを主成分とする磁性膜の軟磁気特性が向上する
理由は必ずしも明確になっていないが、侵入型固溶の元
素を添加したＦｅを主成分とする磁性膜はブロードなＸ
線回折ピークを示すばかりか、電子顕微鏡で観察した結
晶粒径が未添加の場合に比べて小さくなっており、結晶
磁気異方性定数もしくは異方性の分散が小さくなり、軟
磁気特性を向上させたものと推察される。また、添加量
が１０数ａｔ％という多地になっても飽和磁束密度の減
少がほとんどみられないことが侵入型固溶元素の特徴で
あり、Ｆｅの格子内に侵入型に固溶するため、単位体積
当た・やのＦｅＪＭ子数が変化しないことが利点となっ
ているものと思われる。
一方、上記磁性膜にＮｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ＋Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ａｇ、Ｏｓ、Ｉ ｒ、Ｐｔ。
ｂ、Ｔａ、Ａｇ、Ｏｓ、Ｉ ｒ、Ｐｔ。
Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の１種以上の元素を添加
すると、その軟磁気特性をほとんど劣化させることなく
、その耐食性を大幅に向上させることが明らかになった
。このとき、これらの耐食性を向上させる元素の添加量
が増加する程、Ｆａを主成分とする磁性膜の耐食性が向
上する傾向が見られたが、磁性膜の磁歪定数も添加量と
ともに負から正に増大することが明らかになり、低磁歪
定数を与え、かつ耐食性の良い添加量は０．５〜５ａｔ
、％であった。
すると、その軟磁気特性をほとんど劣化させることなく
、その耐食性を大幅に向上させることが明らかになった
。このとき、これらの耐食性を向上させる元素の添加量
が増加する程、Ｆａを主成分とする磁性膜の耐食性が向
上する傾向が見られたが、磁性膜の磁歪定数も添加量と
ともに負から正に増大することが明らかになり、低磁歪
定数を与え、かつ耐食性の良い添加量は０．５〜５ａｔ
、％であった。
なお、Ｆｅに侵入型で固溶する元素を添加した場合も磁
歪定数の増大が認められた。したがって、低磁歪定数で
軟磁気特性が高く、耐食性の良い磁性膜を得るためには
Ｆｅに侵入型で固溶する元素の添加を１〜１５ａｔ％、
耐食性向上元素の添加量を０．５ 〜５ａｔ％とするこ
とが望ましい。
歪定数の増大が認められた。したがって、低磁歪定数で
軟磁気特性が高く、耐食性の良い磁性膜を得るためには
Ｆｅに侵入型で固溶する元素の添加を１〜１５ａｔ％、
耐食性向上元素の添加量を０．５ 〜５ａｔ％とするこ
とが望ましい。
さらに、゛上述した磁性膜を主磁性膜とし、これを主磁
性膜と異なる金属膜を介して多層化すると。
性膜と異なる金属膜を介して多層化すると。
層数の増加（すなわち、主磁性膜１層の膜厚が減少）す
るにしたがって、その透磁率が増大し、保磁力が減少す
ることが明らかになった。多層化によってその軟磁気特
性が増加する理由の１つは多層化による結晶粒の微細化
が異方性の分散を減少させることにあるものと考えられ
る。
るにしたがって、その透磁率が増大し、保磁力が減少す
ることが明らかになった。多層化によってその軟磁気特
性が増加する理由の１つは多層化による結晶粒の微細化
が異方性の分散を減少させることにあるものと考えられ
る。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
（実施例１）
Ｆｅを主成分とする磁性膜の形成はイオンビームスパッ
タリング法によって行なった。本実施例で使用したイオ
ンビームスパッタリング装置はデュアルイオンビーム装
置であり、イオンガンが２台あり、片方でターゲットの
スパッタリングを行ない、スパッタ粒子を基板に被着さ
せる。また、片方のイオンガンは基板を直接イオン照射
することができ、通常低加速エネルギー（５００Ｖ以下
）のイオンを基板に当てて、被着膜の膜構造を制御する
ことができる。
タリング法によって行なった。本実施例で使用したイオ
ンビームスパッタリング装置はデュアルイオンビーム装
置であり、イオンガンが２台あり、片方でターゲットの
スパッタリングを行ない、スパッタ粒子を基板に被着さ
せる。また、片方のイオンガンは基板を直接イオン照射
することができ、通常低加速エネルギー（５００Ｖ以下
）のイオンを基板に当てて、被着膜の膜構造を制御する
ことができる。
高飽和磁束密度、高透磁率、低磁歪定数、高耐食性をも
つ磁性膜を形成するためのスパッタリング条件は検討の
結果、以下の条件であった。
つ磁性膜を形成するためのスパッタリング条件は検討の
結果、以下の条件であった。
第１イオンガン加速電圧１０００〜１４００Ｖ第２イオ
ンガン加速電圧 ２００〜４００ＶＡｒ 圧力
２〜３ Ｘ １０−”Ｐ ａ基板表面温度
５０〜１００℃基板Ｕ転数 ２
０〜６０ＲＰＭ以上の条件でＦｅ板上に第１表で示す各
種材料を固定した複合ターゲットを用いて、ガラス基板
上にド（３を主成分とし、侵入型固溶元素としてＣを含
む各種磁性体膜を０．５〜１μｍの厚さで形成した。こ
の結果得られた各種磁性体膜の組成はプラズマ発光分光
法（溶液法）およびオージェ電子分光法によって測定し
た。また、これらの磁性体膜の磁気特性は３００℃で熱
処理を行なった後、飽和磁束密度を振動試料磁束計、透
磁率をベクトルインピーダンスメーター、保磁力をＢ−
Ｈカーブトレーサー、磁歪定数をトルクメーターを用い
て測定した。また、この磁性膜の耐食性は０．５％Ｎａ
ＣＱ水溶液を噴霧しつつ３０℃７日間に保持した時の飽
和磁束密度の減少から求めた。
ンガン加速電圧 ２００〜４００ＶＡｒ 圧力
２〜３ Ｘ １０−”Ｐ ａ基板表面温度
５０〜１００℃基板Ｕ転数 ２
０〜６０ＲＰＭ以上の条件でＦｅ板上に第１表で示す各
種材料を固定した複合ターゲットを用いて、ガラス基板
上にド（３を主成分とし、侵入型固溶元素としてＣを含
む各種磁性体膜を０．５〜１μｍの厚さで形成した。こ
の結果得られた各種磁性体膜の組成はプラズマ発光分光
法（溶液法）およびオージェ電子分光法によって測定し
た。また、これらの磁性体膜の磁気特性は３００℃で熱
処理を行なった後、飽和磁束密度を振動試料磁束計、透
磁率をベクトルインピーダンスメーター、保磁力をＢ−
Ｈカーブトレーサー、磁歪定数をトルクメーターを用い
て測定した。また、この磁性膜の耐食性は０．５％Ｎａ
ＣＱ水溶液を噴霧しつつ３０℃７日間に保持した時の飽
和磁束密度の減少から求めた。
以上の測定で得られた結果を第１表に示す。また、第１
図にはＦｅ−５ａｔ％ＣにＲｈを添加した場合の耐食性
および磁歪定数の変化を示す。
図にはＦｅ−５ａｔ％ＣにＲｈを添加した場合の耐食性
および磁歪定数の変化を示す。
第１表かられかるように、Ｆｅ−Ｃ膜の耐食性はこれに
Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ａｇｏ Ｏｓ、Ｉ ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉの群より選ばれる少なくとも１種の元素
を添加したときに向上することが明らかである。また、
第１図からはＦｅ−Ｃ膜の耐食性がｒ＜ ｈの添加量の
増加とともに向上し、その磁歪定数はＲｈの添加量の増
加とともに負から正に増大することが明らかになる。こ
の結果、Ｒｈの好ましい添加量は耐食性が８０％以上と
良く、磁歪定数が２ Ｘ １０−６以下と小さい組成領
域の０．５〜５ａｔ％が好ましい、なお、第１表で示し
たＲｈ以外の添加元素もＲｈと同様な効果を示し、０．
５〜５ａｔ％の添加が耐食性、磁歪定数から好ましい添
加量であった。
を添加したときに向上することが明らかである。また、
第１図からはＦｅ−Ｃ膜の耐食性がｒ＜ ｈの添加量の
増加とともに向上し、その磁歪定数はＲｈの添加量の増
加とともに負から正に増大することが明らかになる。こ
の結果、Ｒｈの好ましい添加量は耐食性が８０％以上と
良く、磁歪定数が２ Ｘ １０−６以下と小さい組成領
域の０．５〜５ａｔ％が好ましい、なお、第１表で示し
たＲｈ以外の添加元素もＲｈと同様な効果を示し、０．
５〜５ａｔ％の添加が耐食性、磁歪定数から好ましい添
加量であった。
得られたＦ ｅ −Ｃ系磁性体膜をＸ線回折法で観察し
た結果、α−Ｆｅの（１１０）回折線が観測され、得ら
れた膜は（１１０）配向した結晶質の磁性体膜であるこ
とが確認された。
た結果、α−Ｆｅの（１１０）回折線が観測され、得ら
れた膜は（１１０）配向した結晶質の磁性体膜であるこ
とが確認された。
（実施例２）
実施例１において、Ｆｅに侵入型で固溶する元素として
Ｃの代わりに第２表に示す元素を添加し、さらに耐食性
を向上するために、Ｎｉ等の第３の元素を添加した。
Ｃの代わりに第２表に示す元素を添加し、さらに耐食性
を向上するために、Ｎｉ等の第３の元素を添加した。
得られた０、５〜１μｍの厚さの磁性体膜の磁気特性お
よび耐食性を第２表に示した。
よび耐食性を第２表に示した。
表から明らかなように、Ｃ以外のＦｅに侵入型固溶する
元素を添加した場合もＣを添加した場合と同様にその透
磁率が向上し、好ましい軟磁気特性を示す。さらに、そ
の耐食性もＮｉ、Ｒｈ。
元素を添加した場合もＣを添加した場合と同様にその透
磁率が向上し、好ましい軟磁気特性を示す。さらに、そ
の耐食性もＮｉ、Ｒｈ。
Ｒｕ、Ｐｄ＋ Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｇ、Ｏ９゜丁ｒ、
Ｐｔ、、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の元素を添加す
ることにより向上することが明らかである。このとき、
磁性体膜の磁歪定数は実施例１の場合と同様にＮｉ、Ｒ
ｈ等の耐食性を向上させる目的で添加した元素の添加量
が増加するにしたがって増大する傾向を示すことから、
高耐食性であり、かつ低磁歪定数を与える添加量は０．
５〜ｂ なお、Ｆｅに侵入型で固溶する元素のＣ，Ｂ。
Ｐｔ、、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の元素を添加す
ることにより向上することが明らかである。このとき、
磁性体膜の磁歪定数は実施例１の場合と同様にＮｉ、Ｒ
ｈ等の耐食性を向上させる目的で添加した元素の添加量
が増加するにしたがって増大する傾向を示すことから、
高耐食性であり、かつ低磁歪定数を与える添加量は０．
５〜ｂ なお、Ｆｅに侵入型で固溶する元素のＣ，Ｂ。
Ｎ、Ｐ等の添加量が１５ａｔ％を超えてＦｅを主成分と
する磁性体膜に添加されると、急激にその耐食性が劣化
する傾向を示し、この場合はＮｉ。
する磁性体膜に添加されると、急激にその耐食性が劣化
する傾向を示し、この場合はＮｉ。
Ｒｈ等の耐食性を向上させる元素を添加しても、その効
果は認められなくなる。したがって、高耐食磁性膜を得
るためにはＦｅに侵入型で固溶する元素の添加量を１５
ａｔ％以下にしなければならない。但し、その透磁率を
上げるためにｌａｔ％以上の添加が必要である。
果は認められなくなる。したがって、高耐食磁性膜を得
るためにはＦｅに侵入型で固溶する元素の添加量を１５
ａｔ％以下にしなければならない。但し、その透磁率を
上げるためにｌａｔ％以上の添加が必要である。
（実施例３）
回転式ターゲットホルダーを有するイオンビームスパッ
タリング装置のターゲットホルダーの片側に実施例１で
用いたＦｅを主成分とする磁性体膜用のターゲツト材を
設置し１反対側のターゲットホルダーにはＮ ｉ −１
９ｗ ｔ％ＦｅもしくはＧ ｏ −７ｗ ｔ％Ｚｒター
ゲットを設置した。実施例１と同様のスパッタリング条
件で上記Ｆｅを主成分とする磁性体膜を主磁性体膜とし
て４６０人。
タリング装置のターゲットホルダーの片側に実施例１で
用いたＦｅを主成分とする磁性体膜用のターゲツト材を
設置し１反対側のターゲットホルダーにはＮ ｉ −１
９ｗ ｔ％ＦｅもしくはＧ ｏ −７ｗ ｔ％Ｚｒター
ゲットを設置した。実施例１と同様のスパッタリング条
件で上記Ｆｅを主成分とする磁性体膜を主磁性体膜とし
て４６０人。
Ｎ ｉ −１９ｗ ｔ％ＦｅもしくはＣｏ−７ｗｔ％
響Ｚｒ膜を中間層として４０人を順次積層し、１９層と
した多層磁性体膜を形成した。
響Ｚｒ膜を中間層として４０人を順次積層し、１９層と
した多層磁性体膜を形成した。
得られた多層磁性体膜の磁気特性を第３表に示す。
表かられかるように、多層磁性体膜の透磁率は＋Ｂ層膜
に比べて飛躍的に増大しており、いずれも１５００以上
となった。すなわち、多層化することによって、＠層膜
の柱状結晶粒が分断され、微結晶粒となり、この結果異
方性の分散が生じたために透６Ｊ＆率が増加したものと
推察される。この多層膜の耐食性はおおむね実施例１お
よび２で示した単層膜の耐食性と同様であったが、表３
かられかるようにＮ ｉ −１９ｗ ｔ％Ｆｅ膜を中間
層として多層化した膜は耐食性の向上が認められた。
に比べて飛躍的に増大しており、いずれも１５００以上
となった。すなわち、多層化することによって、＠層膜
の柱状結晶粒が分断され、微結晶粒となり、この結果異
方性の分散が生じたために透６Ｊ＆率が増加したものと
推察される。この多層膜の耐食性はおおむね実施例１お
よび２で示した単層膜の耐食性と同様であったが、表３
かられかるようにＮ ｉ −１９ｗ ｔ％Ｆｅ膜を中間
層として多層化した膜は耐食性の向上が認められた。
上述の単層もしくは多層磁性体膜を垂直および面内磁気
記録用磁気ヘッドの磁極に用いた結果。
記録用磁気ヘッドの磁極に用いた結果。
従来の磁気記録密度の８０ＫＢＰＩ （キロビット／
インチ）を上まわる１００ＫＢＰＩ以上の記録密度を得
ることができた。なお、多層膜を用いた場合は１２０Ｋ
ＢＰＩ以上となった。
インチ）を上まわる１００ＫＢＰＩ以上の記録密度を得
ることができた。なお、多層膜を用いた場合は１２０Ｋ
ＢＰＩ以上となった。
以上の実施例ではイオンビームスパッタリング法によっ
て磁性膜の形成を行なった結果を示したが、本発明者ら
はＲＦスパッタリング法でも同様の検討を行なっており
、基板温度を２００℃前後まで上昇させるだけでほぼ同
様の磁気特性および耐食性が一得られることを確認した
。したがって、本発明は膜形成法によらず適用できる。
て磁性膜の形成を行なった結果を示したが、本発明者ら
はＲＦスパッタリング法でも同様の検討を行なっており
、基板温度を２００℃前後まで上昇させるだけでほぼ同
様の磁気特性および耐食性が一得られることを確認した
。したがって、本発明は膜形成法によらず適用できる。
以上説明したごとく、本発明によるＦｅを主成分とする
磁性体膜は高飽和磁束密度（１８ＫＧ以上）、高透磁率
（単層で５００以上、多層で１５００以上）、低保磁力
（単層で５０ｅ以下、多層でｉｏθ以下）、低磁歪定数
（２Ｘ１０−Ｂ以下）、高耐食性（σ／σ０が８０％以
上）を有する。したがって、この磁性体膜を磁気記録用
の磁気ヘッド磁極として用いた場合には０．２ μｍ
程度の薄膜にしても磁気飽和を起こすことなく、磁極の
先端に強い磁界を発生させることができ、超高密度磁気
記録を達成することができる。
磁性体膜は高飽和磁束密度（１８ＫＧ以上）、高透磁率
（単層で５００以上、多層で１５００以上）、低保磁力
（単層で５０ｅ以下、多層でｉｏθ以下）、低磁歪定数
（２Ｘ１０−Ｂ以下）、高耐食性（σ／σ０が８０％以
上）を有する。したがって、この磁性体膜を磁気記録用
の磁気ヘッド磁極として用いた場合には０．２ μｍ
程度の薄膜にしても磁気飽和を起こすことなく、磁極の
先端に強い磁界を発生させることができ、超高密度磁気
記録を達成することができる。
以上の効果が生ずる理由はまだ明確になっていないが、
Ｆｅに侵入型で固溶する元素がＦｅ中にあってもＦｅの
磁気モーメントを希釈せず、結晶粒の成長を防止するこ
と、耐食性を向上させるために添加した元素が微量にも
かかわらず、磁性膜の耐食性を向上すべく有効に寄与し
たこと等、Ｆｅに添加した元素がそれぞれ効果を発揮し
た結果であると思われる。
Ｆｅに侵入型で固溶する元素がＦｅ中にあってもＦｅの
磁気モーメントを希釈せず、結晶粒の成長を防止するこ
と、耐食性を向上させるために添加した元素が微量にも
かかわらず、磁性膜の耐食性を向上すべく有効に寄与し
たこと等、Ｆｅに添加した元素がそれぞれ効果を発揮し
た結果であると思われる。
また、多層化によって軟磁気特性が向上する理由もまだ
明確になっていないが、結晶粒の微細化と関係があるも
のと推察される。
明確になっていないが、結晶粒の微細化と関係があるも
のと推察される。
第１図は本発明の実施例で得られたＦｅ−５ａｔ％Ｃ系
磁性膜の耐食性および磁歪定数におよ茅１図 八 シルカッ！ （にｔＺ） 八 ：寡翫Δ＜＝ｒ＠襄１ｎｑ麦の亙ムづヒヘ ：Ａ氷
櫨当荊のル１こ
磁性膜の耐食性および磁歪定数におよ茅１図 八 シルカッ！ （にｔＺ） 八 ：寡翫Δ＜＝ｒ＠襄１ｎｑ麦の亙ムづヒヘ ：Ａ氷
櫨当荊のル１こ
Claims (3)
- １．Ｆｅに侵入型で固溶する元素を含有したＦｅを主成
分とする強磁性膜にＮｉ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｔｉの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０
．５〜５ａｔ％添加したことを特徴とする耐食強磁性膜
。 - ２．上記侵入型で固溶する元素がＢ，Ｃ，Ｎ，Ｐより選
ばれる少なくとも１種の元素であり，その含有量が１〜
１５ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の耐食性強磁性膜。 - ３．Ｆｅに侵入型で固溶する元素を含有したＦｅを主成
分とする強磁性膜にＮｉ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｔｉの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０
．５〜５ａｔ％添加した耐食強磁性膜を主磁性膜とし、
これを主磁性膜と異なる金属膜を介して多層化したこと
を特徴とする耐食強磁性膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068820A JP2555057B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 耐食強磁性膜 |
| KR1019880002706A KR910006582B1 (ko) | 1987-03-25 | 1988-03-15 | 자성막 및 이것을 사용한 자기헤드 |
| US07/172,499 US4935314A (en) | 1987-03-25 | 1988-03-24 | Ferromagnetic film and magnetic head using the same |
| CN88101596A CN1012234B (zh) | 1987-03-25 | 1988-03-25 | 铁磁膜及使用该膜的磁头 |
| DE3810244A DE3810244C2 (de) | 1987-03-25 | 1988-03-25 | Ferromagnetfilm und dessen Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068820A JP2555057B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 耐食強磁性膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236304A true JPS63236304A (ja) | 1988-10-03 |
| JP2555057B2 JP2555057B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=13384733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62068820A Expired - Lifetime JP2555057B2 (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 耐食強磁性膜 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4935314A (ja) |
| JP (1) | JP2555057B2 (ja) |
| KR (1) | KR910006582B1 (ja) |
| CN (1) | CN1012234B (ja) |
| DE (1) | DE3810244C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP0380136A2 (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| JPH02251104A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 鉄系軟磁性膜及びその製造方法 |
| JPH02262307A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜 |
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| JPH031513A (ja) * | 1989-02-08 | 1991-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜の製造方法 |
| JPH0417310A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Nec Corp | 磁性多層膜 |
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| US5772797A (en) * | 1989-01-26 | 1998-06-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Soft magnetic thin film, method for preparing same and magnetic head |
| US6183568B1 (en) | 1989-01-26 | 2001-02-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing a magnetic thin film |
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| NL8802873A (nl) * | 1988-11-22 | 1990-06-18 | Philips Nv | Zachtmagnetische multilaagfilm en magneetkop voorzien van een dergelijke zachtmagnetische multilaagfilm. |
| KR920003999B1 (ko) * | 1989-03-08 | 1992-05-21 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 연자성 합금막 |
| KR100210579B1 (ko) * | 1990-01-08 | 1999-07-15 | 가나이 쓰도무 | 강자성막 및 그 제조방법과 이것을 사용한 자기헤드 |
| DE4027226A1 (de) * | 1990-02-13 | 1991-08-14 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Magnetfeldsensor mit ferromagnetischer, duenner schicht |
| JPH0785452B2 (ja) * | 1990-04-20 | 1995-09-13 | 日本電気株式会社 | 磁性体膜とその製造方法 |
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| JPH05304026A (ja) * | 1992-02-29 | 1993-11-16 | Sony Corp | 軟磁性薄膜とこれを用いた磁気ヘッド |
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| SG118264A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-27 | Sony Corp | A magnetic material and a MEMS device using the magnetic material |
| EP3441493A1 (en) * | 2017-08-08 | 2019-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Alloy and component having a layer thereof |
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| EP0261240B1 (en) * | 1985-06-21 | 1992-05-06 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Magnetic recording medium |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62068820A patent/JP2555057B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-15 KR KR1019880002706A patent/KR910006582B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-24 US US07/172,499 patent/US4935314A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-25 CN CN88101596A patent/CN1012234B/zh not_active Expired
- 1988-03-25 DE DE3810244A patent/DE3810244C2/de not_active Expired - Fee Related
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| CN1012234B (zh) | 1991-03-27 |
| DE3810244A1 (de) | 1988-10-06 |
| CN88101596A (zh) | 1988-10-05 |
| JP2555057B2 (ja) | 1996-11-20 |
| KR910006582B1 (ko) | 1991-08-28 |
| KR880011739A (ko) | 1988-10-31 |
| US4935314A (en) | 1990-06-19 |
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