JPS63232448A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63232448A JPS63232448A JP6603087A JP6603087A JPS63232448A JP S63232448 A JPS63232448 A JP S63232448A JP 6603087 A JP6603087 A JP 6603087A JP 6603087 A JP6603087 A JP 6603087A JP S63232448 A JPS63232448 A JP S63232448A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の電極・配線の形−成力向の改良である。
基板上にレジスト膜を形成し、レジスト膜上に液体酸化
膜よりなる電子線露光レジスト(本発明の出願人が開発
しすでに特許出願している(特願昭59−109503
号)液体酸化膜よりなる電子線露光レジス) FMSS
等)の膜を形成し、電子線露光レジスト膜を電子線露光
し!!光された電子線露光レジスト膜を現像して開口を
形成し、開口を介して酸素プラズマ照射をなしてレジス
ト膜に開口を形成し、導電体膜を形成し、レジスト膜を
溶解して導電体膜を残留して電極・配線を形成する工程
を有する半導体装置の製造方法である。
膜よりなる電子線露光レジスト(本発明の出願人が開発
しすでに特許出願している(特願昭59−109503
号)液体酸化膜よりなる電子線露光レジス) FMSS
等)の膜を形成し、電子線露光レジスト膜を電子線露光
し!!光された電子線露光レジスト膜を現像して開口を
形成し、開口を介して酸素プラズマ照射をなしてレジス
ト膜に開口を形成し、導電体膜を形成し、レジスト膜を
溶解して導電体膜を残留して電極・配線を形成する工程
を有する半導体装置の製造方法である。
本発明は、半導体装置の製造方法の改良に関する。特に
、その電極脅配線の形成方法の改良に関する。
、その電極脅配線の形成方法の改良に関する。
半導体装置の製造方法において、素子の形成された基板
上に、電極・配線を形成する工程は重要な工程である。
上に、電極・配線を形成する工程は重要な工程である。
正確で微細な寸法をもって、短絡等をともなうことなく
、かへる電極・配線を形成する手法の一つとして、□逆
テーパ型しジス)IIIを使用してなすリフトオフ法が
知られている。
、かへる電極・配線を形成する手法の一つとして、□逆
テーパ型しジス)IIIを使用してなすリフトオフ法が
知られている。
これは、第6図、第7図に示すように、基板1上にレジ
ストps7を形成し、これに等方性エツチングをアプラ
イして、図示するようなテーパ型開ロア1を形成し、ア
ルミニウム等金属膜8を形成した後、レジスト膜7を溶
解するものであるが。
ストps7を形成し、これに等方性エツチングをアプラ
イして、図示するようなテーパ型開ロア1を形成し、ア
ルミニウム等金属膜8を形成した後、レジスト膜7を溶
解するものであるが。
第7図に示すように、突起81が残留して短絡の原因に
なる等の欠点が避は難い。
なる等の欠点が避は難い。
この欠点を解消する手法として、第8図、第9図に示す
ように、基板1上に下層レジスト膜9と二酸化シリコン
filOと上層レジスト1t111とを重ねて形成し、
上層レジスト11911をマスクとして二酸化シリコン
M410をパターニングし、二酸化シリコン膜10をマ
スクとして下層レジスト膜9をパターニングして、下層
レジスト膜9の開口の幅を二酸化シリコン膜10の開口
の′幅より大きくして、上記の逆テーパ型レジストSを
使用してなすリフトオフ法と同様な効果を発揮する手法
が提案されているが、二酸化シリコン膜lOの形成に長
時間を要し、また、これを厚い液体酸化膜とするときは
、クラックが入りやすい等の欠点があり、なお。
ように、基板1上に下層レジスト膜9と二酸化シリコン
filOと上層レジスト1t111とを重ねて形成し、
上層レジスト11911をマスクとして二酸化シリコン
M410をパターニングし、二酸化シリコン膜10をマ
スクとして下層レジスト膜9をパターニングして、下層
レジスト膜9の開口の幅を二酸化シリコン膜10の開口
の′幅より大きくして、上記の逆テーパ型レジストSを
使用してなすリフトオフ法と同様な効果を発揮する手法
が提案されているが、二酸化シリコン膜lOの形成に長
時間を要し、また、これを厚い液体酸化膜とするときは
、クラックが入りやすい等の欠点があり、なお。
実用上問題があり、よりすぐれた電極・配線の形成方法
の開発が望まれていた。
の開発が望まれていた。
本発明の目的は、この要請に応えることにあり、正確・
微細であり、しかも、短絡等のおそれのない電極・配線
の形成工程を有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
微細であり、しかも、短絡等のおそれのない電極・配線
の形成工程を有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、
基板(1)上にレジスト膜(2)を形成し、レジスト膜
(2)上に液体酸化膜よりなる電子線露光レジストPA
(3)を形成し、 電子線露光レジスト膜I (3)を電子線露光し、露光
された電子線露光レジスト膜(3)を現像して開口(4
)を形成し。
(2)上に液体酸化膜よりなる電子線露光レジストPA
(3)を形成し、 電子線露光レジスト膜I (3)を電子線露光し、露光
された電子線露光レジスト膜(3)を現像して開口(4
)を形成し。
開口(4)を介して酸素プラズマ照射をなしてレジスト
Ill (2)に開口(5)を形成し、導電体膜(6)
を形成し、 レジス)Ill (2)を溶解して導電体膜(6)を残
留して電極・配線を形成することにある。
Ill (2)に開口(5)を形成し、導電体膜(6)
を形成し、 レジス)Ill (2)を溶解して導電体膜(6)を残
留して電極・配線を形成することにある。
本発明に係る電極・配線の形成工程は、本発明の出願人
が開発しすでに特許出願している(特願昭59−109
503号)液体酸化膜よりなる電子線露光レジストPM
SS等の膜が、厚さを薄くできるので正確にパターニン
グしうるという性質と、これが酸素プラズマ照射に耐え
るという性質と、酸素プラズマ照射を上記の液体酸化膜
よりなる電子線露光レジスト膜を介してノボラック系レ
ジスト等にアプライすると、適度に、等方性と異方性と
が混合したエツチング性能が実現するという性質とを組
み合わせて、正確舎微細であり、しかも、短絡等のおそ
れのない電極や配線の形成方法を実現したものである。
が開発しすでに特許出願している(特願昭59−109
503号)液体酸化膜よりなる電子線露光レジストPM
SS等の膜が、厚さを薄くできるので正確にパターニン
グしうるという性質と、これが酸素プラズマ照射に耐え
るという性質と、酸素プラズマ照射を上記の液体酸化膜
よりなる電子線露光レジスト膜を介してノボラック系レ
ジスト等にアプライすると、適度に、等方性と異方性と
が混合したエツチング性能が実現するという性質とを組
み合わせて、正確舎微細であり、しかも、短絡等のおそ
れのない電極や配線の形成方法を実現したものである。
以下、図面を参照しつ一1本発明の一実施例に係る半導
体装置の製造方法についてさらに説明する。
体装置の製造方法についてさらに説明する。
第2図参照
半絶縁性ガリウムヒ素基板等1上に、ノボラック系レジ
スト等をスピンコードして、 1.5鉢朧厚のレジスト
膜2を形成する。
スト等をスピンコードして、 1.5鉢朧厚のレジスト
膜2を形成する。
つ?いて、PMSS (出願人が開発しすでに特許出願
している(特願昭59−109503号)1種の電子線
露光型レジスト)等を薄<: 2,000人厚にスピ
ンコードして液体酸化膜よりなる電子線露光レジストl
ll3を形成する。
している(特願昭59−109503号)1種の電子線
露光型レジスト)等を薄<: 2,000人厚にスピ
ンコードして液体酸化膜よりなる電子線露光レジストl
ll3を形成する。
第3図参照
電子線描画をなして幅lル■の開口4を形成する。
第4図参照
開口4を介して酸素プラズマを照射する。この工程によ
り、レジスト膜2が乾式現像されて幅が1.21Lm程
度の開口5が形成される。
り、レジスト膜2が乾式現像されて幅が1.21Lm程
度の開口5が形成される。
第5図参照
アルミニウム等を真空蒸着法またはスパツクしてs、o
oo入厚のアルミニウム膜6を形成する。
oo入厚のアルミニウム膜6を形成する。
第1図参照
レジスト@2を溶解して、残留したアルミニウム膜6を
もって電極・配線とする。
もって電極・配線とする。
このようにして製造された電極・配416は、短絡等の
発生のおそれがなく、しかも、微細φ正確な形状を実現
することができる。
発生のおそれがなく、しかも、微細φ正確な形状を実現
することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、液体酸化膜よりなる電子線霧光レジス)
PMS S等は極めて薄くコートすることができるので
正確・微細であり、液体酸化膜よりなる電子線露光レジ
スト2量SS等は酸素プラズマ照射に耐える性質があり
、一方、酸素プラズマ照射はノボラック5系レジスト等
を容易にエッチするので、液体酸化膜よりなる電子線露
光レジス) PMSS等の下部を大きくアンダーエッチ
することになり、短絡発生のおそれのない電極會配線を
形成することができる。しかも、レジスト膜は、これに
酸素プラズマを照射するという乾式の単一工程をもって
、露光・現像が同時にしかも乾式になされるので、工程
が短縮される利益もある。
法によれば、液体酸化膜よりなる電子線霧光レジス)
PMS S等は極めて薄くコートすることができるので
正確・微細であり、液体酸化膜よりなる電子線露光レジ
スト2量SS等は酸素プラズマ照射に耐える性質があり
、一方、酸素プラズマ照射はノボラック5系レジスト等
を容易にエッチするので、液体酸化膜よりなる電子線露
光レジス) PMSS等の下部を大きくアンダーエッチ
することになり、短絡発生のおそれのない電極會配線を
形成することができる。しかも、レジスト膜は、これに
酸素プラズマを照射するという乾式の単一工程をもって
、露光・現像が同時にしかも乾式になされるので、工程
が短縮される利益もある。
第1図は1本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方
法を実施して製造した電極争配線の断面図である。 第2〜5図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図である。 第6〜9図は、従来技術〈係る電極−配線の製造工程図
である。 1・・・基板、 2.7.9.11φ・・レジスト膜。 3・・・電子線露光レジストa、 4 、 5− ・ 會 N 口 。 6.8・・・導電性膜、 10−・拳二酸化シリコン膜、 81争争・突起。 工程図 第4図 工程図 第5図 本発明 第1図 従東ti清 第9図 工口〕 第 2 図 工程図 第3図 第 6 図 従来技術 妬7図 第8図
法を実施して製造した電極争配線の断面図である。 第2〜5図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製
造方法の工程図である。 第6〜9図は、従来技術〈係る電極−配線の製造工程図
である。 1・・・基板、 2.7.9.11φ・・レジスト膜。 3・・・電子線露光レジストa、 4 、 5− ・ 會 N 口 。 6.8・・・導電性膜、 10−・拳二酸化シリコン膜、 81争争・突起。 工程図 第4図 工程図 第5図 本発明 第1図 従東ti清 第9図 工口〕 第 2 図 工程図 第3図 第 6 図 従来技術 妬7図 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板(1)上にレジスト膜(2)を形成し、該レジス
ト膜(2)上に液体酸化膜よりなる電子線露光レジスト
膜(3)を形成し、 該電子線露光レジスト膜(3)を電子線露光し、該露光
された電子線露光レジスト膜(3)を現像して開口(4
)を形成し、 該開口(4)を介して酸素プラズマ照射をなして前記レ
ジスト膜(2)に開口(5)を形成し、導電体膜(6)
を形成し、 前記レジスト膜(2)を溶解して前記導電体膜(6)を
残留する 工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62066030A JPH0750704B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62066030A JPH0750704B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63232448A true JPS63232448A (ja) | 1988-09-28 |
JPH0750704B2 JPH0750704B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13304098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62066030A Expired - Lifetime JPH0750704B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0750704B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5626450A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066030A patent/JPH0750704B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5626450A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0750704B2 (ja) | 1995-05-31 |
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