JPS63218967A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体及び電子写真法に係り、特に半
導体レーザを用いたレーザ・ビーム・プリンタに好適な
電子写真感光体及び電子写真法に関する。

〔従来の技術〕

電子写真感光体は、金属支持体表面に光導電材料よりな
る光導電層を具備したものである。この電子写真感光体
の光導電層に用いる高抵抗の光導電材料としては水素化
アモルファスシリコンが注目されている。この材料は従
来のアモルファスセレン或いはオーガニックフォトコン
ダクタ−よりなる光導電材料に比べて可視光領域の光感
度が高く、かつ、硬度も大きく、毒性も少ない、しかし
半導体レーザの発振波長である７８０〜８００ｎｍ付近
の光感度はあまり高くなく、この領域の光に対する増感
が望まれている。

特定の波長領域において、感光体感度を高めるためには
次の二つ（ｉ）、（ｎ）がきわめて重要である。

（ｉ）所定の波長領域の光照射により、光導電層中に電
子・正孔対が容易に形成されること。

言い換えると、光導電層中に、対象としている波長領域
に対応する光学的バンドギャップをもつ層を存在させる
こと。

（ｉｔ）　　（ｉ）により形成された電子・正孔対が。

感光体の表面に印加された正電荷、および支持体と光導
電層との界面における支持体表面部に誘起された負電荷
（これらの正、負は逆になることもある。）によって作
られる電場により、光導電層中をすみやかに移動するこ
と、言い換えると光導電層中での電子、正孔の移動度を
大きくすること。

特に、（ｎ）では、感光体の表面の正電荷を直接打ち消
す電子ばかりでなく、支持体方向に移動して支持体表面
部の負電荷を打ち消す正孔の移動度も重要であることが
知られて°いる。また、電子写真感光体では感度と共に
（■）感光体表面にコロナ放電などにより印加された電
荷が露光前に光導電層の厚み方向を通って放電してしま
わないように、光導電層の比抵抗は１Ｑ１０Ω１以上あ
ること。

（ｉｖ）露光後、感光体の表面に形成された電荷パター
ンが電荷の横流れのために現像前に消滅することがない
ように、感光体の表面抵抗が十分高くなければならず、
比抵抗に換算して１０工０Ω１以上あること。

などの条件を備えていなければならない。

水素化アモルファスシリコンは、通常、１．８ｅｖ程度
の光学的バンドギャップをもち、ヘリウムガス或いはネ
オンガスなどを用いたガスレーザの発振波長領域である
６００〜６５０ｎｍ付近の光に対しては光感度が良好で
あるが、半導体レーザの発振波長領域である７８０〜８
００ｎｍ　（光学的バンドギャップ約１．５ｅＶ　に相
当）付近では光感度は急激に低下する。この材料の光学
的バンドギャップを減少させるには、アモルファスシリ
コンにゲルマニウムや錫を添加することが考え＆ ら１、たとえば「最新アモルファスＳｉハンドブック」
昭和５８年３月３１日株式会社サイエンスフォーラム発
行第２００〜２０１頁、２２１〜２２３頁に示されてい
る。しかし、これらの方法によると、いずれも、感光体
の比抵抗が減少するという好ましくない結果をもたらす
。

この欠点を避けるために、例えば、特開昭５８−２１９
５６５号公報で詳述されている感光体の構成が提案され
ている。

すなわち光導電層の表面及び光導電層と支持体との界面
に光学的バンドギャップが比較的大きくかつ比抵抗の大
きな水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−３ｉ
　Ｃ：　Ｈ）層を設置する構成である。感光体表面のこ
の層は表面被覆層とも呼ばれ、光導電層と支持体との界
面の層は障壁層とも呼ばれる。

この表面被覆層は表面電荷の横流れ、膜厚方向への電荷
の放電に有効であり、一方の障ＭＭは支持体から光導電
層への電荷の注入を阻止することに有効である。これに
より半導体レーザの発振波長領域での光感度はある程度
改善される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし本発明者の検討したところでは、支持体から障壁
層を通して光導電層への、支持体を構成する元素の拡散
混入という問題がある。支持体構成金属の拡散は、障壁
層、光導電層更には表面被覆層形成プロセスにおける加
熱に起因する。具体的に云うと、これらの層は、通常、
スパッタリング、プラズマＣＶＤ或いは蒸着の手法によ
って形成され、この形成過程で２００〜３００℃程度に
加熱される。この加熱により支持体中の成分が障壁層及
び光導電層中へ一部拡散する。支持体成分の拡散混入に
より、光導電層のバンドギャップ内に不純物準位が形成
され、また比抵抗を下げる。

例えば支持体金属がアルミニウムであり光導電層がアモ
ルファスシリコンである場合にはアルミニウムがアモル
ファスシリコンに混入して感光体の抵抗値を減少させ、
光導電層の電子・正孔に対して働く電界を小さくする為
に、光吸収によって生じた電子・正孔の走行性が悪くな
り、光感度の低下をもたらす、またこれら金属がシリコ
ン中の不純物として電子・正孔に対する捕獲準位（トラ
ップレベル）を形成することによる電子・正孔の移動度
低下も起こる。

支持体中の金属成分が光導電層へ拡散する現象は、障壁
層の有無に関係なしに、光導電層の材料として水素化ア
モルファスシリコンを用いたものすべてに認められた。

そして、このように光導電層中へ支持体成分が拡散する
ことにより、光導電層の抵抗値が減少して光感度が低下
することが確認された。

本発明の目的は支持体構成金属の光導電層への拡散混入
を避は得る構成の電子写真感光体並びにかかる感光体を
用いた電子写真法を提供することにある　　　　　　　
　　　　・ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の電子写真感光体は、金属よりなる導電性支持体
上に水素化アモルファスシリコンよりなる光導電層を有
するものにおいて、支持体と光導電層との間に支持体か
ら光導電層への支持体金属成分の拡散を実質的に阻止す
る拡散阻止層を設けたことにある。この拡散阻止層の厚
さは光導電層から支持体への電荷の移動が可能な程度の
厚さ具体的には０．００５〜５μｍの範囲の厚さとする
ことが望ましい。

本発明の電子写真法は、上述の構成の感光体の表面を帯
電させ、所定の光を照射して露光し静電潜像を作って像
を形成することにある。

電子写真感光体の表面に静電潜像を作ったのちトナーを
付着させ、該トナーを用紙へ転写することにより印刷可
能である。又、静電潜像を電気信号に変換することも可
能である。

〔作用〕

電子写真感光体において、支持体成分が光導電層へ拡散
混入するのを阻止することにより、光導電層の低抵抗化
或いは捕獲準位の形成を防ぐことが可能となる。

拡散阻止層として用いる物質はその比抵抗の値が比較的
小さいこと、具体的には１ｏ−１Ω・１以下の比抵抗を
有することが望ましい、このような構成にすれば露光直
後における光導電層から支持体への電荷のぬけをスムー
ズに行える。拡散阻止層の材料は、特に好適には１０−
２ＩΩ・１以下の比抵抗を有するのがよい。支持体と光
導電層との間（１０１’〜１０１８Ω・ａｔ）であるが
為に適当ではない。

アルミニウムをはじめとする支持体構成金属に対する拡
散阻止性と低抵抗という条件を満たすものの例としては
、遷移金属の窒化物、けい化物。

炭化物などが考えられる。これらの中で窒化チタン、窒
化タンタル、窒化ハフニウム、白金けい化物ＰｔＳｉ、
ニッケルけい化物Ｎ１５ｉｚ＋パラジウムけい化物Ｐｄ
ｚＳｉ　　、チタンけい化物Ｔ　ｉＳ　ｉｘ　＋ハフニ
ウムけい化物Ｈｆ５ｉｚ、タンタルけい化物Ｔａ５ｉｚ
、タングステンけい化物ＷＳｉｚ＊バナジウムけい化物
ＶＳｉｚｔニオブけい化物Ｎｂ５ｉｚｔモリブデンけい
化物Ｍｏ５ｉｚ、ジルコニウムけい化物Ｚｒ５ｉｚ＊タ
ングステンカーバイド、チタンカーバイド、モリブデン
カーバイド、ハフニウムカーバイド、バナジウムカーバ
イド、ニオブカーバイド、タンタルカーバイドなどが適
用可能である。

これらはいずれも化合物自身の結合性が強く。

化学的に活性でないため拡散阻止層として用いた場合、
良好な拡散障壁となりうる。また、スパッタリング法な
どの手法を用いることにより容易に０．００５〜５μｍ
厚さの薄膜を形成できる。これらの中でも、特に、窒化
チタンは熱的安定性が高く、また、比抵抗の値も１〇一
番〜１０−６Ω・■と低いので拡散阻止層の材料として
きわめて好適である。また、タンタル、ハフニウムなど
の窒化物も同様な理由により、拡散阻止層として有効で
ある。

金属けい化物の比抵抗も、一般に１０−４〜１０−”Ω
・ｌオーダの範囲にあり、拡散阻止層の材料として適す
る。下記に主な金属けい化物の比抵抗を示す。

ＰｔＳｉ　　　２．８−３．５　　ｘｔｏ−’Ω・１Ｎ
ｉＳｉ　　　　約５．０ ＰｄｚＳｉ　　　３．０−３．５ Ｔ　ｉ　Ｓ　ｉ　２　１　、３−２　、５Ｈｆ　Ｓ　ｉ
　ｚ　　４　、５−−７　、０Ｔ　ａ　Ｓ　ｉ　ｘ　　
　３　、５−５　、５ＷＳｉｚ　　　　約７．０ ＶＳｉｚ　　　　　５．０−５．５ Ｎ　ｂ　Ｓ　ｉ　２　　　約５．０ ＭｏＳｉ２　９．０　　１０．０ ＺｒＳｉｚ　　　３．５−４．０ 光導電層を支持する支持体の材料としては、アルミニウ
ムのほかにアルミニウム−シリコン（０，２−１，２重
量％）−マグネシウム（０，４５−１，２重量％）合金
、超ジュラルミン、超々ジュラルミン、及びニッケルと
クロムを含むオーステナイト系ステンレス鋼などが使用
可能である。

拡散阻止層の材料としてたとえば金属窒化物を用いると
きには、その金属窒化物を構成する金属と窒素との結合
力が強く、支持体金属中より光導電層中へ拡散侵入する
原子と結合しないような金属窒化物の種類を選ぶことが
望ましい。

このように拡散阻止層の材料を選ぶことにより、支持体
からの拡散侵入原子によって拡散阻止層を構成する金属
窒化物の結合が切断されたり或いは金属窒化物の形態が
変わるのを防止することができる。

拡散阻止層の材料として既に示した窒化物、けい化物及
び炭化物は、支持体金属がアルミニウム。

アルミニウム−シリコン−マグネシウム合金、超ジュラ
ルミン、超々ジュラルミン及びオーステナイト系ステン
レス鋼からなるものすべてに対して十分に拡散阻止効果
を発揮する。

支持体金属が光導電層中へ拡散侵入するのを阻止しうる
ためのメカニズムとしては、前記のように拡散阻止層材
料が拡散原子と全く活性でないという場合のほかに、拡
散原子と安定な金属間化合物を作ることにより拡散原子
を捕獲してしまうという場合がある。後者のメカニズム
により拡散阻１よ 金属けい化物ｌルミニウムなどと容易に金属間化合物を
形成し、これを捕獲する効果がある。また生成したアル
ミニウムとの金属間化合物は１０−４〜１ｏ−５Ω・国
と比抵抗も小さく、有効な拡散阻止層となる。なお金属
けい化物とアルミニウムとの化合物は、拡散阻止層全域
に亘って必ずしも形成されるわけではなく、支持体と接
するごく表面にのみ形成されることが多い、支持体がア
ルミニウム或いはアルミニウム合金よりなる場合、白金
。

１ｉ・・ ニッケル、パラジウムなどの金属≠４化物と、アルミニ
ウムが光導電層中へ拡散侵入しずらくなるので、必ずし
も金属クロム層の上部へ金属けい化物層を設けなくても
よい。

なお、この金属クロム層のみで拡散阻止層を構成すると
きの該層の厚さは好ましくは０．００５〜５μｍである
。抵抗値の好適な範囲を定める上で層厚は重要だからで
ある。

このように支持体と光導電層との間に拡散阻止層を設け
ることにより、支持体からの金属混入による光導電層の
比抵抗低下、捕獲準位の形成などを防ぐことができる。

これにより、レーザ光吸収によって形成された電子・正
孔の走行性が低下することを防ぐことができる。また、
拡散阻止層の比抵抗を１０−１Ω・１以下とすることに
より支持体側に走る電荷のぬけが拡散阻止層を設けたこ
とによって低減するのを防止することができる。

本発明は、金属支持体上に光導電層を直接形成したタイ
プの電子写真感光体或いは金属支持体上に他の層たとえ
ばアモルファスシリコンカーバイド層を介して水素化ア
モルファスシリコン光導電層を形成したタイプの電子写
真感光体のいずれにも適用可能である。

電子写真感光体は１通常空気中にさらされる最表面に保
護層たとえばアモルファスシリコンカーバイド層やアモ
ルファスカーボン層などを形成した状態で使用される６
本発明においても、このように表面被覆層を設けて使用
することは勿論可能である。

光導電層の暦数は少ずしも一層である必要はなく、水素
化アモルファスシリコンの形態を保持した状態で若干の
組成変動を加えて二層或いは三層のように多層に形成し
てもよい、たとえば、光導電層を、光学的バンドギャッ
プが１，５ｅＶ程度で半導体レーザ光によって電子・正
孔対が形成される上部光導電層と上部光導電層よりも光
学的バンドギャップが大きく比抵抗も大きい下部光導電
層の二層構成にすることにより、感光体の帯電性を高め
、光吸収によって生じた電子、正孔の走行性を高めるこ
とができる。なお水素化アモルファスシリコンよりなる
光導電層とは、単なる水素化アモルファスシリコンだけ
でなく、ボロン或いはゲルマニウムなどをドープしたも
のも含む。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例を用いて説明するが、本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。

拡散阻止層の作製に関してはスパッタリング法。

電子ビーム蒸着法、イオンクラスタビーム法等の方法が
適用可能である。一方、水素化アモルファスシリコン光
導電層についてはプラズマＣＶＤ法。

スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等が適用可能であ
る。また、感光体内の上記以外の層についても、上記方
法のいずれかによって成膜を行うことが可能である。

第１図は本発明の一実施例による電子写真感光体の断面
図である。本実施例に係る電子写真感光体は光導電層が
上部光導電層と下部光導電層の二層よりなり、上部光導
電層の上に表面被覆層を備え、下部光導電層の下側に支
持体から光導電層への電荷の注入を阻止する障壁層を備
えている。

本実施例の電子写真感光体は、支持体２何から順次、拡
散阻止層８．障壁層７．下部光導電Ｍ６゜上部光導電層
５、そして最上部に表面被覆層４を有する。表面被覆層
４及び障壁層７は、光学的バンドギャップが比較的大き
く、がっ比抵抗も大きな層である。上部光導電層５は、
光学的バンドギャップが比較的小さく半導体レーザ光を
吸収して電子、正孔対を生成する。下部光導電層６は感
光体全体としての抵抗値を下げない為に設けてあり、上
部光導電層５よりも比抵抗が大きい。この下部光導電層
の為に感光体全体の帯電性が高められ、また電子・正孔
に対して働く電界も大きくなるので、光吸収によって生
じた電子、正孔の走行性をより高めることが可能となる
。

本実施例では障壁層７と支持体２との間に拡散阻止層８
が設けられている。この層が前述の作用を奏することに
なるがその具体的材料と成膜法につき以下詳述する。

（実施例１） ■　アルミニウムドラムを支持体として用い、このドラ
ム表面をダイヤモンドバイトを用いて研磨して鏡面仕上
げしたのち真空容器中に入れｌＸ１０−’Ｔｏｒｒ程度
にまで排気した後、ドラムの表面温度を２００℃に保ち
つつ、アルゴン（Ａｒ）ガスを０．０ＩＴｏｒｒの圧力
まで導入する。直径８０ｍの窒化チタンターゲットを用
いて１３．５６ＭＨｚ　　、出力２００Ｗの高周波によ
りスパッタリングを行い１１００ｎの厚さの窒化チタン
膜を形成し拡散阻止層８とする。

■　アルミニウムドラムの表面温度を２００℃に保った
まま、真空容器を再びＩ　Ｘ　Ｉ　０−６Ｔｏｒｒにま
で排気し、アルゴン、エチレン（（：ｚＨ４）？水素（
Ｈ２）の混合ガスを０．０ＩＴｏｒｒの圧力まで導入す
る。この際のガス比はＨｚ／（Ａｒ＋Ｈｚ）＝　０．６
　　、　　ＣＺＨ４／（Ｈｚ＋　ＣｚＨａ）＝　０．３
とする。直径８０ｍｍのシリコンターゲットを用いて、
１３．５６ＭＨｚ　　、２００Ｗの高周波によりスパッ
タリングを行い、水素化アモルファス・シリコンカーバ
イド（ａ　　Ｓ　ｉ　１−ｘｃｘ　：　Ｈ）膜を１１０
０ｎの厚みまで堆積し障壁Ｍ７とする。

■　アルミニウムドラムの表面温度を２００℃に保った
まま真空容器をＩ　Ｘ　１０　””Ｔｏｒｒ程度まで排
気し、アルゴン、水素の混合ガスを０．０１Ｔｏｒｒの
圧力まで導入する。この際のガス比はＨ２／（Ａｒ＋Ｈ
ｚ）＝０．６　　とする、直径８０■のシリコンターゲ
ットを用いて、１３　、５６ＭＨｚ。

２００Ｗの高周波によりスパッタリングを行い、水素化
アモルファス・シリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）膜を２０μｍ
の厚みに堆積し、下部光導電層６とする。

■　直径８０ｍのシリコンターゲット上にゲルマニウム
チップを面積比がターゲット全体の０．２になるように
乗せた以外は■と同様の方法によりスパッタリングを行
い、水素化アモルファス・シリコンゲルマニウム（ａ−
５ｉｘ−エＧ　ｅ　ｘ　：Ｈ）Ｂを３μｍの厚みに堆積
し、上部光導電層５とする。具体的には真空容器を排気
し前記ターゲットをセットしたのちアルゴン、水素の混
合ガスを真空容器中に０．０ＩＴｏｒｒの圧力まで導入
し、この際のガス比をＨｚ／　（Ａ　ｒ　＋　Ｈ２）　
＝０．６　とし、ドラムの表面温度を２００℃に保持し
、更に１３．５６ＭＨｚ　　、２００Ｗの高周波により
スパッタリングして上部光電導層を形成した。

■　アルミニウムドラムの表面温度を２００℃に保った
まま真空容器を再度Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ程度の圧
力になるまで排気し、アルゴン、エチレン。

水素の混合ガスを０　、　ＯＩ　Ｔｏｒｒの圧力−まで
導入する。この際のガス比はＨｚ／　（Ａ　ｒ　＋Ｈｚ
）＝０．６．Ｃ２Ｈ４／（Ｈ２＋Ｃ２Ｈ４）＝０．６と
する。

直径８０ＩｇＩｌのシリコンターゲットを用いて、１３
．５６ＭＨｚ　　、２００Ｗの高周波によりスパッタリ
ングを行い、水素化アモルファス・シリコンカーバイド
を５００ｎｍの厚みに堆積し、表面被覆層４とする。

以上のから■の工程により電子写真感光体を作製した。

この電子写真感光体の分光感度特性を第２図に（ｂ）と
して示す。

また、比較例として表面被覆層４．上部光導電層５．下
部光導電層６．障壁層７からなり拡散阻止層８を具備し
ない電子写真感光体の分光感度特性を同じく第２図に（
ａ）として示す。これより拡散阻止層８を設けることに
よりガスレーザの発振波長領域である６００〜６５０ｎ
ｍ及び半導体レーザの発振波長である７８０〜８００ｎ
ｍのいずれの光に対しても明らかに分光感度特性が向上
していることがわかる。

（実施例２） この実施例は、障壁層及び表面被覆層をアモルファスシ
リコンカーバイドにより形成し、下部光導電層をボロン
をドープした水素化アモルファスシリコンにより形成し
たものである。

又、各層を形成するときの支持体の加熱温度は３００℃
とし、上部光導電層の形成方法も実施例１と変えている
。

（ｉ）ダイヤモンドバイトを用いて表面を鏡面仕上げし
たアルミドラムを真空容器中に入れＩＸ　１０−ＢＴｏ
ｒｒ程度にまで排気した後、ドラムの表面温度を３００
℃に保ちつつ、アルゴン。

窒素（Ｎｚ　）ガスを０．０ＩＴｏｒｒの圧力まで導入
する。直径８０ｍのチタンターゲットを用いて、１３．
５６ＭＨｚ　　、出力２００Ｗの高周波によりスパッタ
リングを行い、１１００ｎの厚さの窒化チタン膜を形成
し拡散阻止層８とする。

（ｉｔ）ドラムの表面温度を３００℃に保ったまま、真
空容器を、再び、Ｉ　Ｘ　１０−ＢＴｏｒｒにまで排気
し、モノシラン（Ｓ　ｘ　Ｈ４）　ｔエチレン。

水素の混合ガスを０　、３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入す
る。この際のガス比は（Ｓ　ｉＨ４＋ＣＺＨ４）／（Ｈ
ｚ＋　Ｓ　ｉ　Ｈ４十Ｃ２Ｈ４）：０．２５．Ｃ２Ｈａ
／（ＳｉＨ４＋ＣｘＨ番）＝０．２５となるようにする
。１３．５６ＭＨｚ　　、出力１００Ｗの高周波グロー
放電により、アモルファスシリコンカーバイド膜を１１
００ｎの厚みまで堆積し、障壁層７とする。

（ｉｉｉ）真空容器を１×１０−ＢＴｏｒｒまで排気後
、モノシラン、ジボラン（Ｂ　ｚ　Ｈｅ　）　を水素の
混合ガスを０　、３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。こ
の際のガス比はＳｉＨ４／（Ｈ２＋ＳｉＨ番）＝０．２
５．ＢｚＨｅ／５ｉＨ４＝５Ｘ１０−番となるようにす
る。アルミニウムドラムの表面温度を３００℃に保持し
、１３．５６ＭＨｚ　　。

出力２００Ｗの高周波グロー放電により、ボロンをドー
プした水素化アモルファスシリコン膜を２０μｍの厚み
に堆積し、下部光導電層６とする。

（ｉｖ）再び真空容器をＩ　Ｘ　１０−ＢＴｏｒｒまで
排気後、モノシラン、ゲルマン、水素の混合ガスを０　
、３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。この際のガス比は
（Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　Ｇ　ｅ　Ｈ４）／　（Ｈｔ＋　Ｓ　
ｉ　Ｈａ＋Ｇ　ｅ　Ｈ４）＝　０．２５　、　　Ｇ　ｅ
　Ｈ４／（Ｓ　　ｉ　Ｈ４＋Ｇ　ｅ　Ｈ４）＝　０　、
３　　となるようにする。アルミニウムドラムの表面温
度を３００℃に保持し、１３．５６ＭＨｚ　　、出力１
００Ｗの高周波グロー放電により、水素化アモルファス
・シリコンゲルマニウム膜を３μｍの厚みに堆積し、上
部光導電層５とする。

（Ｖ）真空容器をＩ　Ｘ　１０’″８Ｔｏｒｒまで排気
したのちモノシラン、エチレン、水素の混合ガスを０　
、３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。この際のガス比は
（Ｓ　ｉＨ４＋ＣｚＨｉ）／（Ｈ２＋Ｓ　ｉＨ４＋Ｃｚ
Ｈ番）＝０．２　５．ＣｚＨ４／（ＳｉＨ４＋ＣｚＨ＋
）＝０．５　となるようにする。アルミニウムドラムの
表面温度を３００℃に保持し、１３．５６Ｍ　Ｈｚ　、
出力１００Ｗの高周波グロー放電により、アモルファス
・シリコンカーバイト−膜を５００ｎｍの厚みに堆積し
、表面被覆層４とする。

以上（ｉ）から（Ｖ）の工程により形成された電子写真
感光体の分光感度特性を第２図に（ｃ）として示す。実
施例２の分光感度特性は、ガスレーザ及び半導体レーザ
のいずれの発振波長域の光に対しても実施例１よりすぐ
れている。

（実施例３） １す この実施例は、拡散阻止層を金属クロム層とケイ化ニッ
ケル層の二層により構成した例を示している。

（ａ）ダイヤモンドバイトを用いて表面を鏡面研磨した
アルミドラムを真空容器中に入れ、５×１０−７Ｔｏｒ
ｒ程度にまで排気した後ドラムの表面温度を３００℃に
保ちつつ、１１００ｎの厚さの金属クロム膜を電子ビー
ム蒸着法により形成する。

（ｂ）アルミニウムドラムの表面温度を３００℃に保っ
たまま、真空容器をＩ　Ｘ　Ｉ　０−ＢＴｏｒｒにまで
排気した後、アルゴンを０．０ＩＴｏｒｒの圧力まで導
入する。直径８０ｎｎの多結晶シリコン上にニッケル片
を分散したものをターゲットトシ、１３．５６ＭＨｚ　
　、出力２００Ｗの高周波によりスパッタリングを行い
。

する。

（ｃ）実施例で示した工程■から■と同様の方法ハ により、障壁層７．下部光導電層６．上部光導電層５２
表面保護層４を形成する。

このようにして製作した電子写真感光体の断面以上（ａ
）からＣＱ）の工程により形成された電子写真感光体の
分光感度特性を第２図に（ｄ）として示す、この実施例
の分光感度特性は、ガスレーザの発振波長域の６００〜
６５０ｎｍの光に対しては実施例１，２より若干劣るも
のの、従来例よりは著しく高く、半導体レーザの発振波
長域の７８０〜８００ｎｍの光に対しては実施例１より
すぐれることが確認された。

〔発明の効果〕

本発明によれば電子写真感光体の製作工程中の加熱によ
って支持体金属が光導電層に拡散することが阻止できる
から、光導電層の比抵抗低下の防止が図れるという効果
がある。この結果１本発明による電子写真感光体は半導
体レーザの発振波長域の７８０〜８００ｎｍ及びガスレ
ーザの発振波長域６００〜６５０ｎｍのいずれの光に対
しても良好な感度を持つことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る電子写真感光体の断面図
、第２図は本発明の実施例及び比較例に係る電子写真感
光体の分光感度特性図、第３図は本発明の他の実施例に
係る電子写真感光体の断面図である。 ２・・・支持体、４・・・表面被覆層、５・・・上部光
導電層、６・・・下部光導電層、７・・・障壁層、８・
・・拡散阻止層、８１・・・金属クロム層、８２・・・
−化ニッケル層。 早１０ 高３囚

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、金属からなる導電性支持体上に水素化アモルファス
   シリコンからなる光導電層を有する電子写真感光体にお
   いて、前記支持体と前記光導電層の間に支持体から光導
   電層への原子の拡散を阻止する作用を有し且つ１０＾−
   ＾１Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する拡散阻止層を具備し
   たことを特徴とする電子写真感光体。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記導電性支持体
   の材料が、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０
   ．２〜１．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．
   ２重量％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミン、
   ニッケルとクロムを含むオーステナイト系ステンレス鋼
   から選ばれた１つよりなることを特徴とする電子写真感
   光体。 ３、金属からなる導電性支持体上に、該支持体から光導
   電層への電荷注入阻止作用を有する障壁層を有し、該障
   壁層上に水素化アモルファスシリコンよりなる光導電層
   を有する電子写真感光体において、前記支持体と前記障
   壁層との間に、支持体から光導電層への原子の拡散を阻
   止する作用を有し且つ１０＾−＾１Ω・ｃｍ以下の比抵
   抗を有する拡散阻止層を具備したことを特徴とする電子
   写真感光体。 ４、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２〜
   １．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重量
   ％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選ば
   れた一つよりなる導電性支持体上に水素化アモルファス
   シリコンからなる光導電層を有するものにおいて、前記
   支持体と前記光導電層の間に、窒化チタン、窒化タンタ
   ル、窒化ハフニウム、けい化白金、けい化ニッケル、け
   い化パラジウム、けい化チタン、けい化ハフニウム、け
   い化タンタル、けい化タングステン、けい化バナジウム
   、けい化ニオブ、けい化モリブデン、けい化ジルコニウ
   ム、炭化タングステン、炭化チタン、炭化モリブデン、
   炭化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化タ
   ンタル及び金属クロムから選ばれた一つよりなり、厚さ
   ０．００５〜５μｍの拡散阻止層を有することを特徴と
   する電子写真感光体。 ５、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２〜
   １．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重量
   ％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選ば
   れた一つよりなる導電性支持体上に、水素化アモルファ
   スシリコンカーバイド及びアモルファスシリコンカーバ
   イドのいずれか一方よりなる、支持体から光導電層への
   電荷注入阻止のための障壁層を有し、該障壁層の上に水
   素化アモルファスシリコンよりなる光導電層を有する電
   子写真感光体において、前記支持体と前記障壁層の間に
   、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフニウム、けい化
   白金、けい化ニッケル、けい化パラジウム、けい化チタ
   ン、けい化ハフニウム、けい化タンタル、けい化タング
   ステン、けい化バナジウム、けい化ニオブ、けい化モリ
   ブデン、けい化ジルコニウム、炭化タングステン、炭化
   チタン、炭化モリブデン、炭化ハフニウム、炭化バナジ
   ウム、炭化ニオブ、炭化タンタル及び金属クロムから選
   ばれた一つよりなり、厚さ０．００５〜５μｍの拡散阻
   止層を有することを特徴とする電子写真感光体。 ６、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２〜
   １．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重量
   ％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選ば
   れた一つよりなる導電性支持体上に水素化アモルファス
   シリコンからなる光導電層を有し、該光導電層の上部に
   表面被覆層を有するものにおいて、前記支持体と前記光
   導電層の間に、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフニ
   ウム、けい化白金、けい化ニッケル、けい化パラジウム
   、けい化チタン、けい化ハフニウム、けい化タンタル、
   けい化タングステン、けい化バナジウム、けい化ニオブ
   、けい化モリブデン、けい化ジルコニウム、炭化タング
   ステン、炭化チタン、炭化モリブデン、炭化ハフニウム
   、炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化タンタル及び金属
   クロムから選ばれた一つよりなり、厚さ０．００５〜５
   μｍの拡散阻止層を有することを特徴とする電子写真感
   光体。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記表面被覆層が
   アモルファスシリコンカーバイドおよび水素化アモルフ
   ァスシリコンカーバイドのいずれか一方よりなることを
   特徴とする電子写真感光体。 ８、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２〜
   １．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重量
   ％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選ば
   れた一つよりなる導電性支持体上に、水素化アモルファ
   スシリコンカーバイド及びアモルファスシリコンカーバ
   イドの一方よりなる、支持体から光導電層への電荷注入
   阻止のための障壁層を有し、該障壁層の上に水素化アモ
   ルファスシリコンよりなる光導電層を有し、該光導電層
   の上部に表面被覆層を有する電子写真感光体において、
   前記支持体と前記障壁層の間に、窒化チタン、窒化タン
   タル、窒化ハフニウム、けい化白金、けい化ニッケル、
   けい化パラジウム、けい化チタン、けい化ハフニウム、
   けい化タンタル、けい化タングステン、けい化バナジウ
   ム、けい化ニオブ、けい化モリブデン、けい化ジルコニ
   ウム、炭化タングステン、炭化チタン、炭化モリブデン
   、炭化ハフニウム、炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化
   タンタル及び金属クロムから選ばれた一つよりなり、厚
   さ０．００５〜５μｍの拡散阻止層を有することを特徴
   とする電子写真感光体。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記表面被覆層が
   アモルファスシリコンカーバイド及び水素化アモルファ
   スシリコンカーバイドのいずれか一方よりなることを特
   徴とする電子写真感光体。 １０、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２
   〜１．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重
   量％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選
   ばれた一つよりなる導電性支持体上に水素化アモルファ
   スシリコンからなる少なくとも二層構造の光導電層を有
   するものにおいて、前記支持体と前記光導電層の間に、
   窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフニウム、けい化白
   金、けい化ニッケル、けい化パラジウム、けい化チタン
   、けい化ハフニウム、けい化タンタル、けい化タングス
   テン、けい化バナジウム、けい化ニオブ、けい化モリブ
   デン、けい化ジルコニウム、炭化タングステン、炭化チ
   タン、炭化モリブデン、炭化ハフニウム、炭化バナジウ
   ム、炭化ニオブ、炭化タンタル及び金属クロムから選ば
   れた一つよりなり、厚さ０．００５〜５μｍの拡散阻止
   層を有することを特徴とする電子写真感光体。 １１、特許請求の範囲第１０項において、前記光導電層
   が水素化アモルファスシリコンよりなる下部光導電層と
   水素化アモルファスシリコンゲルマニウムよりなる上部
   光導電層の二層構層を有することを特徴とする電子写真
   感光体。 １２、特許請求の範囲第１０項において、前記光導電層
   がボロンをドープした水素化アモルファスシリコンより
   なる下部光導電層と水素化アモルファスシリコンゲルマ
   ニウムよりなる上部光導電層の二層構造を有することを
   特徴とする電子写真感光体。 １３、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２
   〜１．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重
   量％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選
   ばれた一つよりなる導電性支持体上に、水素化アモルフ
   ァスシリコンカーバイド及びアモルファスシリコンカー
   バイドの一方よりなる、支持体から光導電層への電荷注
   入阻止のための障壁層を有し、該障壁層の上に水素化ア
   モルファスシリコンよりなる少なくとも二層構造の光導
   電層を有する電子写真感光体において、前記支持体と前
   記障壁層の間に、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ハフ
   ニウム、けい化白金、けい化ニッケル、けい化パラジウ
   ム、けい化チタン、けい化ハフニウム、けい化タンタル
   、けい化タングステン、けい化バナジウム、けい化ニオ
   ブ、けい化モリブデン、けい化ジルコニウム、炭化タン
   グステン、炭化チタン、炭化モリブデン、炭化ハフニウ
   ム、炭化バナジウム、炭化ニオブ、炭化タンタル及び金
   属クロムから選ばれた一つよりなり、厚さ０．００５〜
   ５μｍの拡散阻止層を有することを特徴とする電子写真
   感光体。 １４、特許請求の範囲第１３項において、前記光導電層
   が水素化アモルファスシリコンよりなる下部光導電層と
   水素化アモルファスシリコンゲルマニウムよりなる上部
   光導電層の二層構造を有することを特徴とする電子写真
   感光体。 １５、特許請求の範囲第１３項において、前記光導電層
   がボロンをドープした水素化アモルファスシリコンより
   なる下部光導電層と水素化アモルファスシリコンゲルマ
   ニウムよりなる上部光導電層の二層構造を有することを
   特徴とする電子写真感光体。 １６、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２
   〜１．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重
   量％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選
   ばれた一つよりなる導電性支持体上に水素化アモルファ
   スシリコンからなる光導電層を有するものにおいて、前
   記支持体と前記光導電層の間に、金属クロムよりなり、
   厚さ０．００５〜５μｍ　の下部層とけい化白金、けい
   化ニッケル、けい化パラジウム、けい化チタン、けい化
   ハフニウム、けい化タンタル、けい化タングステン、け
   い化バナジウム、けい化ニオブ、けい化モリブデン、け
   い化ジルコニウムから選ばれた一つよりなり、厚さ０．
   ００５〜５μｍの上部層の二層よりなる拡散阻止層を有
   することを特徴とする電子写真感光体。 １７、アルミニウム、アルミニウム−シリコン（０．２
   〜１．２重量％）−マグネシウム（０．４５〜１．２重
   量％）合金、超ジュラルミン、超々ジュラルミンより選
   ばれた一つよりなる導電性支持体上に、水素化アモルフ
   ァスシリコンカーバイド及びアモルファスシリコンカー
   バイドの一方よりなる、支持体から光導電層への電荷注
   入阻止のための障壁層を有し、該障壁層の上に水素化ア
   モルファスシリコンよりなる光導電層を有する電子写真
   感光体において、前記支持体と前記障壁層の間に、金属
   クロムよりなり、厚さ０．００５〜５μｍの下部層とけ
   い化白金、けい化ニッケル、けい化パラジウム、けい化
   チタン、けい化ハフニウム、けい化タンタル、けい化タ
   ングステン、けい化バナジウム、けい化ニオブ、けい化
   モリブデン、けい化ジルコニウムから選ばれた一つより
   なり、厚さ０．００５〜５μｍの上部層との二層よりな
   る拡散阻止層を有することを特徴とする電子写真感光体
   。 １８、アルミニウムよりなる支持体上に、厚さ０．００
   ５〜５μｍの窒化チタン層を有し、該窒化チタン層の上
   に水素化アモルファスシリコンカーバイド層を有し、該
   水素化アモルファスシリコンカーバイド層の上に、水素
   化アモルファスシリコンよりなる下部光導電層を有し、
   該下部光導電層の上に水素化アモルファスシリコンゲル
   マニウムよりなる上部光導電層を有し、該上部光導電層
   の上に水素化アモルファスシリコンカーバイドよりなる
   表面被覆層を有することを特徴とする電子写真感光体。 １９、アルミニウムよりなる支持体上に、厚さ０．００
   ５〜５μｍの窒化チタン層を有し、該窒化チタン層の上
   にアモルファスシリコンカーバイド層を有し、該アモル
   ファスシリコンカーバイド層の上にボロンをドープした
   水素化アモルファスシリコンよりなる下部光導電層を有
   し、該下部光導電層の上に水素化アモルファスシリコン
   ゲルマニウムよりなる上部光導電層を有し、該上部光導
   電層の上にアモルファスシリコンカーバイドよりなる表
   面被覆層を有することを特徴とする電子写真感光体。 ２０、アルミニウムよりなる支持体上に、金属クロム層
   及びけい化ニッケル層を、両者の合計厚さ０．００５〜
   ５μｍの範囲で有し、該けい化ニッケル層の上にアモル
   ファスシリコンカーバイドと水素化アモルファスシリコ
   ンのいずれか一方よりなる障壁層を有し、該障壁層の上
   に水素化アモルファスシリコンとボロンをドープした水
   素化アモルファスシリコンのいずれか一方よりなる下部
   光導電層を有し、該下部光導電層の上に水素化アモルフ
   ァスシリコンゲルマニウムよりなる上部光導電層を有し
   、該上部光導電層の上に水素化アモルファスシリコンカ
   ーバイドとアモルファスシリコンカーバイドのいずれか
   一方よりなる表面被覆層を有することを特徴とする電子
   写真感光体。 ２１、金属からなる導電性支持体上に水素化アモルファ
   スシリコンからなる光導電層をし、前記支持体と前記光
   導電層の間に支持体から光導電層への原子の拡散を阻止
   する作用を有し且つ１０＾−＾１Ω・ｃｍ以下の比抵抗
   を有する拡散阻止層を具備した感光体の表面を帯電させ
   、所定の光を照射して露光し静電潜像を作ることを特徴
   とする像形成方法。 ２２、金属からなる導電性支持体上に水素化アモルファ
   スシリコンからなる光導電層を有し、前記支持体と前記
   光導電層の間に支持体から光導電層への原子の拡散を阻
   止する作用を有し且つ１０＾−＾１Ω・ｃｍ以下の比抵
   抗を有する拡散阻止層を具備した電子写真感光体の表面
   を帯電させ、所定の光を照射して露光し静電潜像を作り
   、トナーを付着させてから該トナーを用紙へ転写するこ
   とを特徴とする電子写真法。 ２３、金属からなる導電性支持体上に水素化アモルファ
   スシリコンからなる光導電層を有し、前記支持体と前記
   光導電層の間に支持体から光導電層への原子の拡散を阻
   止する作用を有し且つ１０＾−＾１Ω・ｃｍ以下の比抵
   抗を有する拡散阻止層を具備した電子感光体の表面を帯
   電させ、所定の光を照射して露光し静電潜像を作り、該
   像を電気信号に変換することを特徴とする電子写真法。