JPS61139634A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電部材をはじめとする精密加工を要求され
る電気乃至電子デバイスなどの構成部材として好適なア
ルミニウム合金、このアルミニウム合金門用いた管材及
び゛光導電部材に関する。

〔従来の技術〕　　□・ アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構造体に幅
広く利用されている麻、とりわけ、光導電部材の支持体
等精密加工を要求される電気乃至電子デバイスの構成部
材として、その利用動が高まりつつある。

しかしながら、例えば日本工業規格（Ｊ　Ｉ　Ｓ）によ
り規格化された展伸材、鋳物用、ダイガスト等の汎用の
アルミニウム合金には、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｔ、Ｚｎ
等の積極的に添加される成分をはじめとする各種組成成
分と共に各種不純物成分が含有されており、これらが介
在物として組織中に析出して粒界段差を生起させたり、
あるいは水素ガスが組織中に空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）と
して存在して、精密加工の際の加工性を損ない、延いて
はアルミニウム合金を構成部材とする電子部品等の特性
を劣化させることになる。

この様な車状を、光導電部材を１例として、更に詳しく
説明すると、例えば電子写真感光体は、通常、アルミニ
ウム合金から成る円筒状等の支持体表面上に光導電層を
設けて構成される。

光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光導電物質
が用いられているが、例えば１価の元素でダングリング
ポン、ドが修飾されたアモルファスシリコン（以下、ａ
−３ｉという）は、その優れた光導仏性、耐振性、耐熱
性のために光導電層の材料としての応用が期待されてい
る。このａ−３ｉを実用に供するためには、ａ−５ｉの
光導電層に加えて、支持体からの電荷の注入を阻止する
護層等を用い、目的に応じた多層構成とする必要がある
。そしてこの際の光導電部材の均一性は極めて重要であ
り、光導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が存在
すると美麗な画像が提供できないばかりでなく、実用に
耐えないものとなる。

特にａ−３ｉは、膜の形態が支持体の表面形状に大きく
左右されることが知られている。とりわけ、殆どの部分
でほぼ均一の光導電特性が必要となる大面積の電子写真
感光体ドラムにおいては、支持体の表面状態は極めて重
要であり計支持体表面に欠陥が存在すると膜の均一性が
悪くなり、柱状構造や球状突起が形成されるため、光導
電的不均一さの生じる原因となる。

ところが、アルミニウム合金の管材等を支持体として使
用する場合、その表面に鏡面仕上げ、エンボス加工等精
密な各種切削乃至は研摩加工を施す過程において、前述
した各種介在物により、例えばハードスポットと呼ばれ
る固い部分が存在したり、水素ガ艮による空孔（Ｂｌｉ
Ｓｔｅｒ）が存在したりすると、例えば切削加工による
鏡面化過□程において、切削バイトに対する切削抵抗と
なり、アルミニウムシリンダー表面に欠陥部分を生ずる
原因となり、アルミニウム支持体表面上に１〜１０ｇｍ
程度のひび割れ、エグレ状の傷、更には微細な凹凸ある
いは空孔（Ｂｌｉｓｔｅ’ｒ）より発生するスジ状キズ
を発生させる要因となっている。□　　　　　　゛ そこで、本発明者らは、アルミニウム合金における不純
物成分及び空孔（Ｂ　ｌ　ｉ　ｓ　ｔ　ｅ　ｒ）に着目
し、特に含有される水素の量を規制することにより、前
述した参来の問題点が解決されることを見出し、本発明
を完成するに至った。

〔発明の目的及び概要〕

本発明の第１の目的は、含有する不純物に起因する組織
異常が抑制され、精密加工に用いるのに適したアルミニ
ウム合金を提供することにある。

本発明の第２の目的は、精密加工後における表面欠陥が
抑制され、とりわけ精密加工による正確な表面形状が望
まれる光導電部材等電気乃至電子デバイスなどの構成部
材に用いるのに適した精密加工用アルミニウム合金を提
供することにある。

本発明の第３の目的は、不純物による組織異常が抑制さ
れると共に成形方法を最適化することにより、更に精密
加工への適応度示高められたアルミニウム合金管材を提
供することにある。

本発明の第４の目的は、とりわけ精密加工による正確な
表面形状並びに高い寸法精度が望まれる電子写真感光体
ドラムの支持体等電気乃至電子デバイスなどの管状構成
部材を精密加工するのに適したアルミニウム合金管材を
提供することにある。

本発明の第５の目的は、支持体の表面欠陥が抑制され、
電気的、光学的、光導電的特性の均一性に優れた光導電
部材を提供することにある。

本発明の第６の目的は一画像欠陥力（少なく、高品質な
画像を得ることができる光導電部材を提供することにあ
る。

Ｉ−記第１乃至第２の目的は、アルミニウムを基質とし
、含有する水素の量がアルミニウム１００グラムに対し
て１．ｏｃｃ以下であることを特徴とする本発明の精密
加工用アルミニウム合金（以下、本発明のアルミニウム
合金という）によって達成される。

上記第３乃至第４の目的は、アルミニウムを基質とし、
含有する水素の量がアルミニウム１００グラムに対して
１．０ｃｃ以下であるアルミニウム合金を引抜加工によ
り成形したことを特徴とする本発明のアルミニウム合金
管材によって達成される。

上記第５乃至第６の目的は、支持体上に光導電層を有す
る光導電部材において、前記支持体が、アルミニウムを
基質とし、含有する水素の量がアルミニウム１００グラ
ムに対して１．０ｃｃ以下であるアルミニウム合金から
成ることを特徴とする本発明の光導電部材によって達成
される。

〔発明の詳細な説明及び実施例〕

汎用のアルミニウム合金には、一般に、電解精錬から圧
延、押出等の塑性加工に至るまでの過程等において生成
し、混入し、残存する水素が、アルミニウム１００グラ
ムに対してｌｃｃを超えて含有されている。これにより
、合金体の組織中に空孔状の組織異常を生起させ、精密
加工の際の加工性を損じたり、精密加工により得られる
電子部品等の特性を劣化させる原因となっていた。本発
明においては、かかる不都合を生ずる水素の含量がアル
ミニウム１００グラムに対して１．ｏｃｃ前後で組織異
常の状況が大きく変わり、水素含量を１．０ｃｃ以下に
抑制することにより、前記組織異常による不都合が解消
されることを見出した。水素の含量が、アルミニウム１
００グラムに対して１．０ｃｃを超えると、前述した様
に、合金体の組織中に欠陥が生成され、精密加工の昨、
例えば生成された表面の鏡面仕上時にバイトによって欠
陥を生じさせる空孔（Ｂ　ｌ　ｆ　ｓ　ｔ　ｅ　ｒ）の
大きさと存在密度が大きくなり、５ｇｍ以上の空孔（Ｂ
ｌｉｓｔｅｒ）が存する様になり、好ましくない。水素
の更に好ましい含量は、アルミニウム１００グラムに対
して０．７ｃｃ以下である。アルミニウム合金中の水素
含量を本発明に規定している範囲に抑制する具体的な方
法としては、例えば、アルミニウム合金溶解時に、脱ガ
ス工程として塩素ガスを溶湯中に吹込み、合金組織中に
存在する水素ガスをＨ，ＣＩとして除去する法、あるい
は溶解したアルミニウム合金を真空炉中に一定時間保持
し合金組織中に存在する水素ガスを真空中に拡散除去す
る方法などが挙げられる。

この様に、水引においてはアルミニウム合金中に含有さ
れる水素量を規定したが、基質アルミニウムをはじめと
するその他の合金成分については、特に制限はなく、成
分の種類、組成等については任意に選択することがで、
きる。従って、本発明のアルミニウム合金には、白木工
業規格（ＪＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ規格、
国際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等として
規格化あるいは登録されている、純アルミニウム系、Ａ
ｌ−Ｃｕ系、Ａ、ｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−３ｉ系、Ａｌ−Ｍ
ｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ系、Ａｌ−Ｚ　ｎ　−Ｍ　ｇ系
等の組成の合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジュラルミン、
超ジュラルミン等）、Ａｌ−Ｃｕ−３ｉ系（ラウタル等
）　、　Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ金合
金）、アルミニウム粉末焼結体（ＳＡＰ）等が包含され
る。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に選
択すれば良いが、例えば精布加工に際して、鏡面化切削
加工等を伴う場合には、７　ｊｌｚｌコミニウム合金中
グネシウム及び銅を共存させることによって、アルミニ
ウム合金の快削性が向上する。マグネシウムあるいは銅
の含量：は、それぞれ０．５〜１０重量％の範囲が好ま
しく、特に１〜７重量％の範囲が望ましい。マグネシウ
ム含量が余りにも高過ぎると結晶粒界部分に粒界腐食が
生じ易くなるため、１０重量％を超えて添加することは
望ましくない。

また、アルミニウム合金中に含有される鉄は、共存する
アルミニウムやケイ素とＦｅ−Ａｌ系やＦｅ−Ａｌ−５
ｉ系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマトリック
ス中にハードスポットとして現れる。特にこのハードス
ポットは鉄含量２０００Ｐｐｍを境にして鉄が増加する
と急激に増加し、例えば鏡面切削加工等の際に悪影響を
及ぼす。従って、本発明のアルミニウム合金における好
ましい鉄含量は、２０００ｐｐｍ以下、更には１１００
０ｐｐ以下である。

因みに、本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示する。

（Ａ　Ｉ　−Ｍｇ系〕 Ｍｇ　　　０．５〜１０重量％ Ｓｉ　　　０．５重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好まし　。

〈は２０００ｐｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０４〜０．２重量％ Ｍ　ｎ　　　０　、０　Ｉ　Ｎｌ　、　０重量％Ｃｒ　
　　０．０５〜０．５重量％ Ｚｎ　　　０．０３〜０．２５重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．０５〜０．２０重量％Ｈ２Ａｌ
１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （Ａｌ　−Ｍｎ系〕 Ｍｎ　　　０．３〜１．５重量％ Ｓｔ　　　０．５重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０５〜０．３重量％ Ｍｇ　　　０．２〜１．３重量％ Ｃｒ　　　Ｏ又は０．１〜０．２重量％Ｚｎ　　　０．
１〜０．４重量％ Ｔ　ｉ　　　Ｔ　ｒ又はｏ、を重量％程度Ｈ２Ａｌ１０
０グラムに対して １．０ｃｃ以下 Ａｌ　　　実質的に残部 （ＡＩ−Ｃｕ系〕 Ｃｕ　　　１．５〜６．０重量％ Ｓｔ　　　Ｏ，５重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｍｎ　　　Ｏ又は０．２〜１．２重量％Ｍｇ　　　０．
２〜１．８重量％ Ｃｒ　　　０．１重量％程度 Ｚｎ　　　０．２〜０．３重量％ Ｔ　ｉ　　　Ｔ　ｒ又は０．１５〜０．２重量％Ｈ７Ａ
１１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ系〕 Ｍｇ　　　０．３５〜１．５重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，５〜１０重量％ Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） ＣｕＯ，１〜０．４重量％ Ｍｎ　　　０．０３〜０．８重量％ Ｃｒ　　　０．０３〜０．３５重量％ Ｚｎ　　　０．１〜０．２５重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．１〜０．１５重量％Ｈ２Ａ１１
００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 〔純アルミニウム系〕 Ｍｇ　　　０．０５〜０．５重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，３重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０３〜０．１重量％ Ｍ　ｎ　　　０　、０２〜０　、０５重量％Ｃｒ　　　
　　　Ｔｒ Ｚｎ　　　Ｏ，０３，；０．１重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．０３−０．１重量％Ｈ２Ａｌ　
１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 Ａ１　　実質的に残部 （但し、前記Ｔｒとは積極的に添加しない場合の痕跡量
を意味する。） 本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出等の塑性加工
を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方法、乃至は化学
エツチング等化学的乃至物理的方法を伴なう精密加工を
施し、必要に厄じて熱処理、調質等を随時組合せて、使
用目的に応じた適宜の形状に賦形される。例えば電子写
真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管状の
構成部材に賦形する場合は、通常の押出加工により得ら
れるボートホール押出管あるいはマンドレル押出管を、
更に冷間引抜加工して得られる引抜管を使用するのが好
ましく、この様な管を用い、例えば管表面に鏡面仕上げ
、エンポシング等のための切削乃至は研摩等の機械的方
法、乃至は化学エツチング等化学的乃至物理的方法を伴
なう精密加工を施した場合に１本発明のアルミニウム合
金の特長が特に顕著に現われる。

本発明のアルミニウム合金は、電子写真感光体等の光導
電部材の支持体、コンブ−ターメモリー用磁気ディスク
基板、レーザースキャン用のポリゴンミラー基体に最適
である、ダイヤバイトによる鏡面仕上げ、円筒研削仕上
げ、ラッピング仕上げ等の手段を用いて、Ｒ＝１μｍ以
下の表　ａ　Ｘ 面粗さ、好ましくは　Ｒ＝０．０５川ｍ以　ａ　Ｘ 下の平面度に仕上げられる各種電気乃至は電子デバイス
の構成部材として有用である。

以下、本発明のアルミニウム合金を支持体として用い、
光導電物質としてａ−５ｉを用いた電子写真用の光導電
部材について、本発明の光導電部材の構成例を説明する
。

この様な光導電部材は、例えば支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層（感光層）及び表面保護層を順次積層した
構成を有している。

支持体の形状は、所望によって決定されるが、例えば電
子写真用として使用するのであれば、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が十分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、こ
の様な場合にも、支持体の製造上及び取扱い−１−１更
には機械的強度等の点から、通常は、１０ルｍ以−Ｌと
される。

支持体表面は、光導電部材の均一性を保つために例えば
鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施され、また、感
光体を光源としてレーザー光等の可干渉性単色光を使用
するデジタル画像情報記録に使用する場合に、干渉縞模
様を防止するためなどに、例えば旋盤、フライス盤等を
用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工あるいは化学
エッチング等他の精密加工により規則的乃至は不規則の
例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。

電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び／又はハロゲン
原子を含有するａ−３ｉで構成されると共に、伝導性を
支配する物質として、通常半導体の不純物として用いら
れる周期律表第１ＩＩ族乃至は第Ｖ族に属する元素の原
子が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、好ましくは
０．０１〜ｌＯＢｍ、より好適には０．０５〜８７ｔｍ
、最適には０．０７〜５ＩＬｍとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層の代りに、例えばＡｌ２Ｏ３，５ｉ０２
　、Ｓ　ｉ３Ｎ４　、ポリカーボネート等の電気絶縁材
料から成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電荷注入
阻止層と障壁層とを併用することもできる。

光導電層は、例えば水素原子とハロゲン原子を含有する
ａ−３ｉで構成され、所望により電荷注入阻止層に用い
るのとは別種の伝導性を支配する質が含有される。光導
電層の層厚は、好ましくは１１−１Ｏ０ｐ、より好適に
は１〜８０用ｍ、最適には２〜５０ｇｍとされるのが望
ましい。

等で構成され、層厚は、好ましくは０．０１〜１０ｊＬ
ｍ、より好適には０−．０２〜５＃Ｌｍ、最適には０．
０４〜５　’ｇ’ｍとされるのが望ましい。

本発明において、ａ−３ｔで構成される光導電層等を形
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンブレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

次にグロー放電分解法による光導電部材の製造法の１例
について説明する。

第１図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。堆積槽１は、ベースプレート２と槽壁３とトッ
ププレ、−ト４とから構成され、この堆積槽ｌ内には、
カソード電極５が設けられており、ａ−Ｓｉ堆積膜が形
成される特定の組成を有するアルミニウム合金製のドラ
ム状支持体６はカソード電極５の中央部に設置され、ア
ノード電極としての役割も兼ねている。

この製造装置を使用してａ−３ｔ堆積膜をドラム状支持
体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７及び
リークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積槽ｌ
内を排気する。真空計１０の読みが約５Ｘ１０−６ｔｏ
ｒｒになった時点で原料カス流入バルブ７を開いて、マ
スフローコントローラー１１内で所定の混合比に調整さ
れた、例えばＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス、Ｓ　ｉ　
Ｆ４ガス等の原料混合ガスを堆積槽ｌ内に流入させる。

このとき、堆積槽ｌ内の圧力が所望の値になる様に真空
計１０の読みを見ながら、排気バルブ９の開口度を調整
する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加熱ヒータ
ー１２により所定の温度に設定されていることを確認し
た後、高周波電源１３を所望の電力に設定１して堆積槽
１内にグロー放電を生起させる。

また、層形成を行なっている間は、層形成の均一化を図
るためにドラム状支持体６をモータ１４により一定速度
で回転させる。このようにしてドラム状支持体６上に、
ａ−５ｉ堆積膜を形成することができる。

以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明する。

実施例１〜３、比較例１．２ 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 （ＰＮＥＵＭＯＰＲＥ’Ｃｌ５ＩＯＮ　　ＩＮｃ“。

製）に、先端部曲率０．０１（ＩＩＩＩｌｒｌ）ノダイ
ヤモンドバイトを、シリンダー中心角に対して５°の負
のすくい角を得る様にセットした。次にこの旋盤の回転
軸フランジに、第１表に示した水素含量ノ異なる５種の
Ａ　ｌ　−Ｍｇ系アルミニウム合金製シリンダー（Ｍ　
’ｇ含量はいずれも４重量％、Ｆｅ含量は２０００ｐｐ
ｍ以下）を真空チャックし、イ１設したノズルからの白
燈油噴霧、同じく付設した真空ノズルからの切り粉の吸
引を併用・しつつ、周速１０００　（’ｍ／ｍｉ　ｎ’
）　、送り速度０．０１（ｍ　’ｍ　／　Ｒ）の□条件
で、外径が８０　ｍ　ｍΦとなる様鏡面切削を施した。

このようにして鏡面加工したシリンダーにつき、鏡面加
工後に生じている表面欠陥（エグレ状の傷、ひび割れ、
空孔により生ずるスジ状キズ）を目視及び金属顕微鏡に
より検査し、その数を調べた。なお、シリンダイーに含
有される水素の量は作製したシリンダーの一部を切りと
り、これをサラプルとし、ラボラトリ−・イクイップメ
ンツ・コーポレーション製ＲＨ−ＩＥ型、を用い、その
仕様書に従って測定した。

次に、これらの鏡面加工したアルミニウム合金製シリン
ダーのそれぞれの上に、第１図に示した光導電部材の製
造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、
下記の条件により光導電部材を作製した。

■電荷注入阻止層　Ｓ　ｉ　Ｈｏ　／　　　　０　、６
２Ｈ６ ■光導電層　　　　ＳｉＨ４２０ ■表保護層　　　　ＳｉＨ４／　　　　０．Ｉ２Ｈ４ アルミニウムシリンダ一温度＝　２５０℃堆積膜形成時
の堆積室内内圧：　　０．３Ｔｏｒｒ放電周波数：　　
１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形成速度：　２０Ｘ／ｓｅｃ 放電電カニ　　０．１８Ｗ／ｃｍ２ こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、キャノン
（株）製４００ＲＥ複写装置に設置して両出しを行ない
、白点状の画像欠陥（０，３ｍｍΦ以上）の評価を実施
した。これらの評価結果を第１表に示した。

なお、実施例１〜３の各電子写真感光体ドラムについて
は、更に１００万枚の耐久試験を、２３℃／相対湿度５
０％、３０℃／相対湿度９０％、５°Ｃ／相対湿度２０
％の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に白抜は等の
欠陥の増加もなく、良好な耐久性を有していることが確
認された。

実施例４〜６、比較例３〜５ Ａｌ−Ｍｇ系アルミニウム合金の代りに、ＡＩ−Ｍ　ｎ
系、Ａｌ−Ｍｇ−３ｔ系、及び、純アルミニウム系のア
ルミニウム合金（Ｆｅ含量は何れも１１０００ｐｐ以下
）を用いた以外は、実施例１と同一のアルミニウム合金
製シリンダー並びに光導電部材を作製した。

かくして得られたシリンダーの鏡面化過程で発生した欠
陥数並びに画出しを行なった際の画像欠陥を実施例１と
同様に評価し、結果を第２表に示した。

〔発明の効果〕

本発明のアルミニウム合金によれば、含有する水素によ
る空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）等の組織異常が抑制され、乃
至は全くなくなり、精密加工による加工性の低下や加工
製品の所望される特性の劣化が抑えられるため、精密加
工が必要とされる電気乃至は電子デバイスの構成部材、
とりわけ精密加工による正確な表面形状が望まれる光導
電部材、コンブ−ターメモリー用磁気ディスク基板、レ
ーザースキャン用のポリゴンミラー基体等の電気乃至は
電子デバイスの構成部材として好適である。

また、このアルミニウム合金を引抜加工して得られる管
材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体ドラムの支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。

更に、本発明のアルミニウム合金を支持体として用いた
光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の均
一性に優れ、就中、電子写真用として用いた場合、画像
欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、グロー放電解法による光導電部材の製造装置
を示した図である。 ｌ拳・・堆積槽、 ２・・・ベースプレート、 ３・・・槽壁、 ４・・・Ｉ・ツブプレート、 ５・・・カソード電極、 ６＠・・ドラム状支持体、 ７・・・原料ガス流入バルブ、 ８・・・リークバルブ。 ９・・・排気バルブ、 １０・・・真空計、 １１−−Φマスフローコントローラ、 １２・・・加熱ヒーター、 １３・・φ高周波電源、 １４・・・モータ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がア
   ルミニウム１００グラムに対して １．０ｃｃ以下であることを特徴とする精 密加工用アルミニウム合金。 （２）マグネシウム含量が０．５〜１０重量％である特
   許請求の範囲第（１）項記載の精 密加工用アルミニウム合金。 （３）銅含量が０．５〜１０重量％である特許請求の範
   囲第（１）項又は第（２）項記載 の精密加工用アルミニウム合金。 （４）鉄含量が２０００ｐｐｍ以下である特許請求の範
   囲第（１）項乃至第（３）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （５）アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がア
   ルミニウム１００グラムに対して １．０ｃｃ以下であるアルミニウム合金を 引抜加工により成形したことを特徴とする アルミニウム合金管材。 （６）管表面に切削乃至は研摩加工を施している特許請
   求の範囲第（５）項記載のアルミ ニウム合金管材。 （７）支持体上に光導電層を有する光導電部材において
   、前記支持体が、アルミニウムを 基質とし、含有する水素の量がアルミニウ ム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下で あるアルミニウム合金から成ることを特徴 とする光導電部材。 （８）光導電層が、ケイ素原子を含む非晶質材料から成
   る層を含むものである特許請求の 範囲第（７）項記載の光導電部材。