JPS61159544A - 精密加工用アルミニウム合金、これを用いた管材及び光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電部材をはじめとする精密加工を要求され
る電気乃至電子デバイスなどの構成部材として好適なア
ルミニウム合金、このアルミニウム合金を用いた管材及
び光導電部材に関する。

〔従来の技術〕

アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構造体に幅
広く利用されているが、とりわけ、光導電部材の支持体
等精密加工を要求される電気乃至電子デバイスの構成部
材として、その利用度が高まりつつある。

しかしながら、例えば日本工業規格（Ｊ　Ｉ　Ｓ）によ
り規格化された展伸材、鋳物用、ダイガスト等の汎用の
アルミニウム合金には、Ｍｇ、Ｃｕ。

Ｍｎ、Ｓｉ、Ｚｎ等の積極的に添加される成分をはじめ
とする各種組成成分と共に各種不純物成分が含有されて
おり、これらが介在物として組織中に析出したり、ある
いは粒界段差を生起させ、特に表面近傍に粒状析出物と
して存在すると、精密加工の際の加工性を損ない、延い
てはアルミニウム合金を構成部材とする電子部品等の特
性を劣化させることになる。

この様な事情を、光導電部材を１例として、更に詳しく
説明すると、例えば電子写真感光体は。

通常、アルミニウム合金から成る円筒状等の支持体表面
上に光導電層を設けて構成される。

光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光導電物質
が用いられているが、例えば１価の元素でダングリング
ボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以下、ａ−
３Ｌという）は、その優れた光導仏性、耐擦性、耐熱性
のために光導電層の材料としての応用が期待されている
。このａ　−Ｓｔを実用に供するためには、ａ−５ｉの
光導電層に加えて、支持体からの電荷の注入を阻止する
電荷注入１１１）−暦、ＳｉＮ　　、ＳｉＣ等の表面保
ｘ　　　　　　　　　　ｘ ：ｌｌ！暦等を用い、目的に応じた多層構成とする必要
がある。そしてこの際の光導電部材の均一性は極めて重
要であり、光導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥
が存在すると美麗な画像が提供できないばかりでなく、
実用に耐えないものとなる。

特にａ−３Ｌは、膜の形態が支持体の表面形状に大きく
左右されることが知られている。とりわけ、殆どの部分
でほぼ均一の光導電特性が必要となる大面積の電子写真
感光体ドラムにおいては。

支持体の表面状態は極めて重要であり、支持体表面に欠
陥が存在すると膜の均一性が悪くなり、柱状機造や球状
突起が形成されるため、光導電的不均一さの生じる原因
となる。

そこで、アルミニウム合金の管材シリンダー）等を支持
体として使用する場合、その表面に鏡面仕上げ、エンボ
ス加工等精密な各種切削乃至は研摩加工を施す過程にお
いて、粒界により区画された各結晶粒が、結晶方位の違
いによって、加工の際に受る応力による変形・復元を異
にすることに起因する所謂粒界段差な生じ、シリンダー
表面に欠陥部分を生ずる原因となり１例えばシリンダー
表面の深さ１００〜１００ＯＡ程度の凹凸を生起させた
り、あるいは粒界に沿ってひび割れ等の欠陥な生起させ
、この粒界上に柱状構造や円錐状の球状突起が多発し、
光導電的不均一や光導電特性の異常が増大する。更に結
晶粒の大きなものは、加工時に生ずる応力の分散が悪く
、このため粒界段差を大きく生ずる。そそで、本発明者
らは、この結晶粒が特定の範囲にあれば、前述の従来の
問題点が解消されることを見出し、本発明を完成するに
至った。

（発明の目的及び概要〕　　゛ 本発明の第１の目的は、主として粒界段差等の組織異常
が抑制され、精密加工に用いるのに適したアルミニウム
合金を提供することにある。

本発明のｉ２の目的は、精密加工後における表面欠陥が
抑制され、とりわけ精密加工による正確な表面形状が望
まれる光導電部材等電気乃至電子デバイスなどの構成部
材に用いるのに適した精密加工用アルミニウム合金を提
供することにある。

本発明の！Ｉ！３の目的は、主として粒界段差等の組織
異常が抑制されると共に成形方法を最適化することによ
り、更に精密加工への適応度が高められたアルミニウム
合金管材を提供することにある。

本発明の第４の目的は、とりわけ精密加工による正確な
表面形状並びに高い寸法精度が望まれる電子写真感光体
ドラムの支持体等電気乃至電子デバイスなどの管状構成
部材を精密加工するのに適したアルミニウム合金管材を
提供することにある。

本発明の第５の目的は、支持体の表面欠陥が抑制され、
電気的、光学的、光導電的特性の均一性に優れた光導電
部材を提供することにある。

本発明の第６の目的は１画像欠陥が少なく、高品質な画
像を得ることができる光導電部材を提供することにある
。

上記第１乃至第２の目的は、アルミニウムを基質とし粒
界により区画されたアルミニウムを基質とする結晶粒の
大きさが最大３００μｍ以下であることを特徴とする本
発明の精密加工用アルミニウム合金（以下、本発明のア
ルミニウム合金という）によって達成される。

上記第３乃至第４の目的は、アルミニウムを基質とし粒
界により区画されたアルミニウムを基質とする結晶粒の
大きさが最大３００＃Ｌｍ以下であるアルミニウム合金
を引抜加工により成形したことを特徴とする本発明のア
ルミニウム合金管材によって達成される。

上記第５乃至第６の目的は、支持体上に光導電層を有す
る光導電部材において、前記支持体が。

アルミニウムを基質とし粒界により区画されたアルミニ
ウムを基質とする結晶粒の大きさが最大３００μｍ以下
であるアルミニウム合金から成ることを特徴とする本発
明の光導電部材によって達成される。

〔発明の詳細な説明及び実施例〕

本発明においては、前述した様な、主として粒界段差等
の組織異常をなくすための有効な手段として、粒界によ
り区画されたアルミニウムを基質とする結晶粒の大きさ
く最大長さで代表される粒径）を最大３００μｍ以下と
することを見出した。即ち結晶粒の大きさが３００μｍ
を超えると、前述した様に、切削加工時の応力の分散が
悪＜、１個の結晶粒に大きな応力がかかり、１個の結晶
粒の結晶方位の影響をもろに受ることになり２粒界段差
を大きくすることとなり、好ましくない、また、結晶粒
の大きさく最大長さで代表される粒径）の平均値（例え
ば、一定の長さで区切られた線分内に存在する結晶粒の
数で線分の長さを割って計算された値で代表される）は
、１１００μｍ以下、更には５０Ｂｍ以下が好ましく、
小さければ小さい程良い。

結晶粒の大きさを本発明に規定している範囲に抑制する
具体的な方法としては１例えば通常押出次いで引抜加工
により得られる管について、引抜加工の際の絞り率、引
抜率を大きくし、加工度を適度に調節すること、またそ
のアト工程のロール矯正での加工度の＊＊、及び最終工
程での熱処理における加工度の合せた条件の設定などが
挙げられる。

この様に、水引においてはアルミニウム合金中に含有さ
れる結晶粒の大きさを規定したが、基質アルミニウムを
はじめとするその他の合金成分については、特に制限は
なく、成分の種類、組成等については任意に選択するこ
とができる。従って、本発明のアルミニウム合金には１
日木工業規格（ＪＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、ＤＩＮ
規格、国際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカスト等
として規格化あるいは登録されている、純アルミニウム
系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａ１−５ｔ系、Ａ　
１−Ｍｇ系、Ａｌ　−Ｍｇ−３ｔ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ
系等の組成の合金、Ａｌ−Ｃｕ　−Ｍ　ｇ系（ジュラル
ミン、超ジュラルミン等）　、　Ａ　ｌ−Ｃｕ−５ｉ系
（ラウタル等）、　Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金
、ＲＲ金合金）、アルミニウム粉末焼結体（ＳＡＰ）等
が包含される。

本発明においてアルミニウム合金の組成を選択するには
、使用目的に応じた特性として、例えば機械的強度、耐
食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮して適宜に選
択すれば良い。

また、汎用のアルミニウム合金には、一般に、必要に応
じて積極的に添加される合金成分や、精錬、体製等の過
程で止むを得ず混入する不純物などに起因する析出物、
介在物が存在し、粒界等において異常成長したり１合金
組織内にハードスポットと呼ばれる固い部分を生じ、精
密加工の際の加工性を損じたり、精密加工により得られ
る電子部品等の特性を劣化させる原因となる。前述した
様に、例えばケイ素はアルミニウムと固溶しに＜＜、Ｓ
ｉ、ＳｉＯ２，Ａｌ−Ｓｉ化合物、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化
合物、ＡＩＡｌ−３ｔ−化合物として、またＡｔはＡｌ
２Ｏ３としてアルミニウム組織中に例えば島状等の形態
で介在する。またＦｅ、Ｔｉ等も酸化物等として堅い粒
界析出物やハードスポットとして現れる。そこで未発明
のアルミニウム合金においては、前述した各種介在物の
大きさく介在物粒子の最大長さで代表される粒径）を１
０μｍ以下、更には５ｇｍ以下とすることが好ましい、
アルミニウム合金中の介在物の大きさを１０ｇｍ以下に
抑制する具体的な方法としては、例えば、アルミニウム
合金溶解時に使用するセラミックフィルターの開孔径の
小さいものを用いるとともに、十分な管理のもとにフィ
ルターの効果を十分に活かす方法をとり、具体的にはフ
ィルターがある程度目詰まりを生じた時点でのロフトを
使用する。更には、溶解炉材の混入防ＩＦ対策、スラグ
の面削厚みの増加などの方法が挙げられる。

更に、例えば精密加工に際して、鏡面化切削加圧等を伴
う場合には、アルミニウム合金中にマグネシウム及び銅
を共存させることによって、アルミニウム合金の快削性
が向上する。マグネシウムあるいは銅の含量は、それぞ
れ０．５〜１０重量％の範囲が好ましく、特に１〜７重
量％の範囲がψましい、マグネシウム含量が余りにも高
過ぎると結晶粒界部分に粒界腐食が生じ易くなるため。

１０重量％を超えて添加することは望ましくない。

また、アルミニウム合金中に含有される鉄は。

共存するアルミニウムやケイ素とＦｅ−Ａｌ系やＦｅ−
Ａｌ−５ｉ系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマ
トリ−２クス中にハードスポットとして現れる。特にこ
のハードスポットは鉄含量２０００ＰＰｍを境にして鉄
が増加すると急激に増加し１例えば鏡面切削加工等の際
に悪影響を及ぼす、従って１本発明のアルミニウム合金
における好ましい鉄含量は、２０００ｐｐｍ以下、更に
は１１０００ｐｐ以下である。

更に、アルミニウム合金中に含有される水素は、空孔（
Ｂ　Ｉ　Ｉ　ｓ　ｔ　ｅ　ｒ）等の組織異常を生起させ
、精密加工の際の加工性を損じたり、精密加工により得
られる電子部品等の特性を劣化させる原因となる。この
様な不都合は、特にアルミニウム合金中の水素量をアル
ミニウム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下、より好
ましくは０．７ｃｃ以下と抑制することにより解消する
ことができる。

アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を２０００ｐ
ｐｍ以下に抑える具体的な方法としては、原料としての
ＡＩ地金の純度の高いもの、例えば、電解精錬を繰返し
行なったものを使用する。また、溶解、鋳込の各工程で
十分管理を行なうなどの方法が挙げられる。

アルミニウム合金中に含有される水素量を、アルミニウ
ム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下に抑える具体的
な方法としては、Ａ１合金溶解時に脱ガス工程として塩
素ガスを溶湯中に吹き込み合金組織中に存在するＨ２ガ
スをＨＣＩとして除去する方法、あるいは溶解したＡ１
合金を真空炉中に一定時間保持し、合金組織中に存在す
るＨ２ガスを真空中へ拡散除去する方法などが挙げられ
る。

因みに１本発明のアルミニウム合金の具体的組成を以下
に例示する。

（Ａ　Ｉ　−Ｍｇ系〕 Ｍｇ　　　０．５〜１０重量％ ＳＩ　　　Ｏ，５重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０４〜０．２重量％ Ｍｎ　　　０．０１〜１．０重量％ Ｃｒ　　　０．０５〜０．５重量％ Ｚｎ　　　０．０３〜０．２５重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．０５〜０．２０重量％Ｈ２Ａ１
１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （ＡＩ　−Ｍｎ系〕 Ｍｎ０．３〜１．５重景％ Ｓｉ　　　Ｏ，５重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重重篭以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０５〜０．３重量％ Ｍｇ　　　Ｏ又は０．２〜１．３重篭％Ｃｒ　　　Ｏ又
は０．１〜０．２重量％Ｚｎ　　　Ｏ，１〜０．４重量
％ Ｔ　ｉ　　　Ｔ　ｒ又は０．１重電％程度Ｈ２Ａｌ１０
０グラムに対して １．０ｃｃ以下 Ａｔ　　　実質的に残部 ［Ａｌ−Ｃｕ系］ Ｃｕ　　　１．５〜６．０重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，５重量％以下 −Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００
ｐｐｍ以下） Ｍｎ　　　Ｏ又は０．２〜１．２重量％Ｍｇ　　　Ｏ又
は０．２〜１．８重量％Ｃｒ　　　Ｏ又はｏ、ｉ重量％
程度 Ｚｎ　　　Ｏ，２〜０．３重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．１５〜０．２重量％Ｈ７Ａｌ１
００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （ＡＩ−Ｍｇ−３ｉ系〕 Ｍｇ　　　０．３５〜１．５重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，５〜７重量％ Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，１〜０．４重量％ Ｍ　ｎ　　　０　、０３〜０　、８重量％Ｃｒ　　　０
．０３〜０．３５重量％ Ｚｎ　　　Ｏ，１〜０．２５重量％ Ｔｉ　　　Ｔｒ又は０．１０〜０．１５重量％Ｈ，Ａｌ
１００ダラムに対して １．０ｃｃ以下 Ａｌ　　実質的に残部 〔純アルミニウム系〕 Ｍｇ　　　０．０２〜０６５重量％ Ｓｉ　　　Ｏ，３重量％以下 Ｆｅ　　　Ｏ，２５重量％以下（好ましくは２０００ｐ
ｐｍ以下） Ｃｕ　　　Ｏ，０３〜０．１重量％ Ｍｎ　　　０．０２〜０．０５重量％ Ｃｒ　　　　　Ｔｒ Ｚｎ　　　Ｏ，０３〜０．１重量％ Ｔ　ｉ　　　Ｔ　ｒ又は０．０３〜０．１重量％Ｈ２Ａ
ｌ１００グラムに対して １．０ｃｃ以下 ＡＩ　　　実質的に残部 （但し、前記Ｔｒとは積極的に添加しない場合の痕跡量
を意味する。） 本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出等の塑性加工
を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方法、乃至は化学
エツチング等化学的乃至物理的方法を伴なう精密加工を
施し、必要に応じて熱処理、調質等を随時組合せて、使
用目的に応じた適宜の形状に賦形される０例えば電子写
真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管−状
の構成部材に賦形する場合は、通常の押出加工により得
ちれるボートホール押出管あるいはマンドレル押出管を
、更に冷間引抜加工して得られる引抜管を使用するのが
好ましく、この様な管を用い１例えば管表面に鏡面仕上
げ、エンポシング等のための切削乃至は研摩等の機械的
方法、乃至は化学エツチング等化学的乃至物理的方法を
伴なう精密加工を施した場合に、本発明のアルミニウム
合金の特長が特に顕著に現われる。

本発明のアルミニウム合金は、電子写真感光体等の光導
電部材の支持体、コンピューターメモリー用磁気ディス
ク基板、レーザースキャン用のポリゴンミラー基体に最
適であり、またダイヤバイトによる鏡面仕上げ、円筒研
削仕上げ、ラッピング仕上げ等の手段を用いて、ｌｉ　
　　　＝　１μｍ以　ａ　ｘ １ｉｍ以下の平面度に仕上げられる各種電気乃至は電子
デバイスの構成部材として有用である。

以下、未発明のアルミニウム合金を支持体として用い、
光導電物質としてａ−３ｉを用いた電子写真用の光導電
部材について、本発明の光導電部材の構成例を説明する
。

この様な光導電部材は、例えば支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層（感光Ｗｊ）及び表面保護層を順次積層し
た構成を有している。

支持体の形状は、所望によって決定されるが、例えば電
子写真用として使用するのであれば、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が十分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら。

この様な場合にも、支持体の製造上及び取扱い上、更に
は機械的強度等の点から１通常は、ｌＯ終ｍ以上とされ
る。

支持体表面は、光導電部材の均一性を保つために例えば
鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施され、また、感
光体を光源としてレーザー光等の可干渉性単色光を使用
するデジタル画像情報記録に使用する場合に、干渉縞模
様を防止するためなどに１例えば旋盤、フライス盤等を
用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工あるいは化学
エツチング等地の精密加工により規則的乃至は不規則の
例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。

電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び／又はハロゲン
原子を含有するａ−５ｉで構成されると共に、伝導性を
支配する物質として１通常半導体の不純物として用いら
れる周期律表１ＩＩＩ族乃至は第Ｖ族に属する元素の原
子が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、好ましくは
０．０１〜１０μｍ、より好適には０．０５〜８ｐｍ、
最適には０．０７〜５＃Ｌｍとされるのが望ましい。

電荷注入阻止層の代りに１例えばＡｌ２Ｏ３゜５ｉ０２
．Ｓｉ３Ｎ４．ポリカーボネート等の電気絶縁材料から
成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電荷注入阻止層
と障壁層とを併用することもできる。

光導電層は１例えば水素原子とハロゲン原子を舎宥する
ａ−５ｉで構成され、所望により電荷注入用ＩＦ暦に用
いるのとは別種の伝導性を支配する質が含有される。光
導電層の層厚は、好ましくはＩ　Ｎ１００４　ｍ、より
好適には１〜８０μｍｍ、ｆｉ適には２〜５０μｍとさ
れるのが望ましい。

等で構成され、層厚は、好ましくは０．Ｏ１〜１０μｍ
ｍ、より好適には０．０２〜５μｍｍ、最適には０．０
４〜５μｍとされるのが望ましい。

本発明において、ａ−５ｉで構成される光導電層等を形
成するには１例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンブレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

次にグロー放電分解法による光導電部材の製造法の１例
について説明する。

第１図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す、堆積槽１は、ベースプレート２と槽壁゛３とト
ッププレート４とから構成される装の堆積槽ｌ内には、
カソード電極５が設けられており、ａ−３ｉ堆積膜が形
成される特定の組成を有するアルミニウム合金製のドラ
ム状支持体６はカソード電極５の中央部に設置され、ア
ノード電極としての役割も兼ねている。

この製造装置を使用してａ−３ｉ堆積膜をドラム状支持
体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７及び
リークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積槽１
内を排気する。真空計ｌＯの読みが約５　Ｘ　ｌ　Ｏ−
’　ｔ　ｏ　ｒ　ｒになった時点で原料ガス流入バルブ
７を開いて、マスフローコントローラー１１内で所定の
混合比に調整された、例えば５ｉＨａガス、Ｓｉ、Ｈ，
ガス、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガス等の原料混合ガスを堆積槽１内
に流入させる。

このとき、堆積槽ｌ内の圧力が所望の値になる様に真空
計１０の読みを見ながら、排気バルブ９の開口度を調整
する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加熱ヒータ
ー１２により所定の温度に設定されていることを確認し
た後、高周波電源１３を所望の電力に設定して堆積４＠
を内にグロー放電を生起させる。

また１層形成を行なっている間は、層形成の均一化を図
るためにドラム状支持体６をモータ１４により一定速度
で回転させる。このようにしてドラム状支持体６上に、
ａ−５ｉ堆積膜を形成することができる。

以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明する。

実施例１〜３、比較例１．２ 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 （ＰＮＥＵＭＯＰＲＥＣＩＳＩＯＮ　　ＩＮＣ。

製）に、先端部曲率０．０１（ｓｒ’）のダイヤモンド
バイトを、シリンダー中心角に対して５°の負のすくい
角を得る様にセットした０次にこの旋盤の回転軸フラン
ジに、第１表に示した結晶粒の大きさの異なる５種のＡ
ｔ−Ｍｇ系アルミニウム合金製シリンダー（Ｍｇ含量は
何れも４重量％、Ｆｅ含量は何れも１１０００ｐｐ以下
）を真空チャックし、付設したノズルからの白燈油噴霧
、同じく付設した真空ノズルからの切り粉の吸引を併用
しつつ１周速１０００　（ｍ／ｍｉ　ｎ）、送り速度０
　、０１　（ｍｍ／Ｒ）　（Ｆ）条件で、外径が８０ｍ
ｍΦとなる様鏡面切削を施した。このようにして鏡面加
工したシリンダーにつき、鏡面加工後に生じている表面
欠陥（エグレ状の傷、ひび割れ、スジ状キズ）を目視及
び金属顕微鏡により検査し、その数を調べた。なお、シ
リンダイーに含有される水素の量は作製したシリンダー
の一部を切りとり、これをサンプルとし、ラボラトリ−
・イクイ７プメンツ・コーポレーション製ＲＨ−ＩＥｆ
ｉを用い、その仕様書に従って測定した。

次に、これらの鏡面加工したアルミニウム合金製シリン
ダーのそれぞれの上に、第１図に示した光導電部材の製
造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、
下記の条件により光導電部材を作製した。

堆積膜の積層順序　使用原料ガス　膜厚（ｐｍ）■電荷
注入阻止層　５ｌ）Ｉ４／　　　　０．６Ｂ２Ｈ。

■光導電層　　　　Ｓ　ｉ　Ｈ４２０ （咎表保護層　　　　ＳｉＨ４／　　　　０．１ｃ２Ｈ
。

アルミニウムシリンダ一温度：　２５０℃堆積膜形成時
の堆積室内内圧：　　０．３Ｔｏｒｒ放電周波数：　　
１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形成速度：　　２０Ａ／ｓｅｃ 放電電カニ　　０　、　ｌ　８　Ｗ／　ｃ　ｍ２こうし
て得られた各電子写真感光体ドラムを、キャノン（株）
製４００ＲＥ複写装置に設置して画出しを行ない、白点
状の画像欠陥（０、３ｍｍΦ以上）の評価を実施した。

この評価結果を第１表に示した。

なお、実施例１〜３の各電子写真感光体ドラムについて
は、更に１００万枚の耐久試験を、２３℃／相対湿度５
０％、３０”Ｃ／相対湿度９０％、５℃／相対湿度２０
％の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に白抜は等の
欠陥の増加もなく、良好な耐久性を有していることが確
認された。

第　　　　　１　　　　　表 実施例４〜５、比較例３ Ａ　１−Ｍｇ系アルミニウム合金の代りに、純アルミニ
ウム系、及びＡ　Ｉ　−Ｍｇ−５ｉ系のアルミニウム合
金（Ｆｅ含量は何れも１１０００ｐｐ以下、Ｈ２含量は
何れもｌ　、　Ｏｃ　ｃ　／　ｌ　ＯＯＩＩ：　”Ａｔ
以下）を用いた以外は、実施例１と同一のアルミニウム
合金製シリンダー並びに光導電部材を作製した。かくし
て得られたシリンダーの画出しを行なった際の画像欠陥
を実施例１と同様に評価し、結果を第２表に示した。

第　　　　２　　　　表 〔発明の効果〕 本発明のアルミニウム合金によれば、主として粒界段差
等の組織異常が抑制され、乃至は全くなくなり、精密加
工による加工性の低下や加工製品の所望される特性の劣
化が抑えられるため、精密加工が必要とされる電気乃至
は電子デバイスの構成部材、とりわけ精密加工による正
確な表面形状が望まれる光導電部材、コンピューターメ
モリー用磁気ディスク基板、レーザースキャン用のポリ
ゴンミラー基体等の電気乃至は電子デバイスの構成部材
として好適である。

また、このアルミニウム合金を引抜加工して得られる管
材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度が得られるた
め、とりわけ電子写真感光体ドラムの支持体等精密な管
状構成部材等を構成するのに好適である。

更に、本発明のアルミニウム合金を支持体として用いた
光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の均
一性に優れ、就中、電子写真用として用いた場合、画像
欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、グロー放電解法による光導電部材の製造装置
を示した図である。 ｌ・・・堆積槽、 ２・・・ベースプレート、 ３・・・槽壁、 ４１１・・トッププレート、 ５・・・カソード電極、 ６・・・ドラム状支持体。 ７００．原料ガス流入バルブ、 ８・・・リークバルブ。 ９・・・排気バルブ、 １０・・・真空計、 １１・・・マスフローコントローラ、 １２・・・加熱ヒーター。 １３・・・高周波電源。 １４・・・モータ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）アルミニウムを基質とし粒界により区画されたア
   ルミニウムを基質とする結晶粒の 大きさが最大３００μｍ以下であることを 特徴とする精密加工用アルミニウム合金。 （２）アルミニウムを基質とする結晶粒の平均の大きさ
   が１００μｍ以下である特許請求 の範囲第（１）項記載の精密加工用アルミ ニウム合金。 （３）含有する介在物の大きさが１０μｍ以下である特
   許請求の範囲第（１）項又は第 （２）項記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （４）マグネシウム含量が０．５〜１０重量％である特
   許請求の範囲第（１）項乃至第 （３）項のうちの１に記載の精密加工用ア ルミニウム合金。 （５）銅含量が０．５〜１０重量％である特許請求の範
   囲第（１）項乃至第（４）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （６）鉄含量が２０００ｐｐｍ以下である特許請求の範
   囲第（１）項乃至第（５）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （７）含有する水素の量がアルミニウム１００グラムに
   対して１．０ｃｃ以下である特許 請求の範囲第（１）項乃至第（６）項のう ちの１に記載の精密加工用アルミニウム合 金。 （８）アルミニウムを基質とし粒界により区画されたア
   ルミニウムを基質とする結晶粒の 大きさが最大３００μｍ以下であるアルミ ニウム合金を引抜加工により成形したこと を特徴とするアルミニウム合金管材。 （９）管表面に切削乃至は研摩加工を施している特許請
   求の範囲第（８）項記載のアルミ ニウム合金管材。 （１０）支持体上に光導電層を有する光導電部材におい
   て、前記支持体が、アルミニウムを 基質とし粒界により区画されたアルミニウ ムを基質とする結晶粒の大きさが最大 ３００μｍ以下であるアルミニウム合金か ら成ることを特徴とする光導電部材。 （１１）光導電層が、ケイ素原子を含む非晶質材料から
   成る層を含むものである特許請求の 範囲第（１０）項記載の光導電部材。