JPH0376747B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電部材用の支持体（以下、表面処
理金属体と称する。）及びこの表面処理金属体を
用いた光導電部材に関する。 〔従来の技術〕 アルミニウム合金は建材、自動車部品等各種構
造体に幅広く利用されているが、とりわけ、光導
電部材の支持体等精密加工を要求される電気乃至
電子デバイスの構成部材として、その利用度が高
まりつつある。 しかしながら、例えば日本工業規格（JIS）に
より規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Mg、Cu、Mn、
Si、Zn等の積極的に添加される成分をはじめと
する各種組成成分と共に各種不純物成分が含有さ
れており、これらのうちのあるものは介在物とし
て組織中に局在したり、粒界段差を生起させた
り、或いは表面近傍に粒状析出物として存在し
て、精密加工の際の加工性を損ない、延いてはア
ルミニウム合金を構成部材とする電子部品等の特
性を劣化させる事になる。 この様な事情を光導電部材を１例として、更に
詳しく説明すると、例えば電子写真感光体は、通
常、アルミニウム合金から成る円筒状等の支持体
表面上に光導電層を設けて構成される。 光導電層の材料としては有機乃至無機の各種光
導電物質が用いられているが、例えば水素や原子
やハロゲン原子等の１価の元素でダングリングボ
ンドが修飾されたアモルフアスシリコン（以下、
ａ−Siという）は、その優れた光導電性、耐擦
性、耐熱性の為に光導電層の材料としての応用が
期待されている。このａ−Siを実用に供する為に
は、ａ−Siの光導電層に加えて、支持体からの電
荷の注入を阻止する電荷注入阻止層、SiN_X、
SiC_X等の表面保護層等を用い、目的に応じた多
層構成とする必要がある。そしてこの際の光導電
部材の均一性は極めて重要であり、光導電的特性
の不均一やピンホール等の欠陥が存在すると美麗
な画像が提供できないばかりでなく、実用に耐え
ないものとなる。 特にａ−Siは、膜の形態が支持体の表面形状に
大きく左右されることが知られている。とりわ
け、殆どの部分でほぼ均一の光導電特性が必要と
なる大面積の電子写真感光体ドラムにおいては、
支持体の表面状態は極めて重要であり、支持体表
面に欠陥が存在すると膜の均一性が悪くなり、柱
状構造や球状突起が形成される為、光導電的不均
一さの生じる原因となる。 そこで、アルミニウム合金の管材等を支持体と
して使用する場合、その表面に鏡面仕上げ、エン
ボス加工等精密な各種切削乃至は研摩加工を施す
過程において、前述した各種介在物により、例え
ばハードスポツトと呼ばれる固い部分が存在する
と、例えば切削加工による鏡面化過程において、
切削バイトに対する切削抵抗となり、アルミニウ
ムシリンダー表面に欠陥部分を生ずる原因とな
り、アルミニウム支持体表面上に１〜10μm程度
のひび割れ、エグレ状の傷、更には微細な凹凸、
或いはスジ状キズを発生させる要因となつてい
る。 しかしながら、従来においては、介在物、H₂
ガスによる空孔（Blister）を少なくする為、
種々の対策を施したAl合金素地を用いる必要が
あり、これらの対策を施すことによつて起る、工
程の追加、コストの上昇を免れることができなか
つた。 更に、電子写真感光体は、電子プロセスにおい
て、残留するトナーの除去の為にブレーソ、フア
ーブラシ等によつて習擦を繰返し受ける。このと
き、光導電層表面の耐摩耗特性と共に支持体の硬
度を上げることが感光体の耐久性向上には良い向
で、従来高硬度Al材等を使用する事例（例えば
特開昭56−111046号）があつたが、先に述べた様
に、特にａ−Si感光体においては、Al組織中の
析出物による問題点を生じており、特に高濃度Si
系Al合金においては顕著であつた。 そこで本発明者らは、アルミニウム合金におけ
るケイ素含量を0.5〜７重量％とした場合に、ビ
ツカース硬度を50Hv〜100Hvとする事により、
前述した従来の問題点が解決され、しかし含有す
る介在物の大きさを微細化する事ができる事を見
出し、本発明を完成するに本発明の第１の目的
は、精密加工後における表面欠陥が抑制され、と
りわけ精密加工による正確な表面形状が望まれる
光導電部材の構成部材に用いるのに適したアルミ
ニウム合金から成る光導電部材用表面処理金属体
を提供する事にある。 本発明の第２の目的は、とりわけ精密加工によ
る正確な表面形状並びに高い寸法精度が望まれる
電子写真感光体ドラムの支持体に適したアルミニ
ウム合金から成る光導電部材用表面処理金属体を
提供する事にある。 本発明の第３の目的は、支持体の表面欠陥が抑
制され、電気的、光学的、光導電的特性の均一性
に優れた光導電部材を提供する事にある。 本発明の第４の目的は、画像欠陥が少なく、高
品質な画像を得る事ができる光導電部材を提供す
る事にある。 本発明の第５の目的は、表面欠陥等を顕現せず
に所望の表面仕上げや表面凹凸付与がなされた表
面処理金属体を支持体として用いる事により、成
膜の均一性に優れた光導電部材を提供する事にあ
る。 本発明の第６の目的は、画像欠陥が少なく、高
品質は画像を得る事ができる電子写真用の光導電
部材を提供する事にある。 上記第１及び第２の目的は、表面に窪みの幅Ｄ
が500μm以下で窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが0.035≦
Ｄ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
有する、アルミニウムを基質とし且つケイ素を
0.5〜７重量％、マグネシウムを0.5〜10重量％、
鉄を2000ppm以下含有し、ビツカースコードが
50Hv〜100Hvのアルミニウム合金である表面処
理金属体（光導電部材用の支持体）によつて達成
される。 上記第３及び第６の目的は、表面に窪みの幅Ｄ
が500μm以下で窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが0.035≦
Ｄ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
有する、アルミニウムを基質とし且つケイ素をが
0.5〜７重量％、マグネシウム合金を0.5〜10重量
％、鉄を2000ppm以下含有し、ビツカースコード
が50Hv〜100Hvのアルミニウム合金である表面
処理金属体（支持体）と、該表面処理金属体（支
持体）上に設けられた光導電層とを有する光導電
部材によつて達成される。 〔発明の具体的説明及び実施例〕 汎用のアルミニウム合金には、一般に、必要に
応じて積極的に添加される合金成分や、精錬、蓉
製等の過程で止むを得ず混入する不純物などに起
因する折出物、介在物が存在し、粒界等において
異常成長したり、合金組織内にハードスポツトと
呼ばれる固い部分を生じ、精密加工の際の加工性
を損じたり、精密加工により得られる電子部品等
の特性を劣化させる原因となる。前述した様に、
例えばケイ素はアルミニムウムと固溶しにくく、
Si，SiO₂，Al−Si化合物、Al−Fe−Si化合物、
Al−Si−Mg化合物として、またAlはAl₂O₃とし
てアルミニウム組織中に例えば島状等の形態で介
在する。またFe，Ti等も酸化物等として堅い粒
界折出物やハードスポツトとして現れる。特にSi
は、仮令0.5重量％未満と低い濃度で含有されて
いても、Alと固溶しにくく、硬い（特にSiO₂）
為、Al合金の物理的な特性向上には大きく寄与
するが、表面処理仕上時加工時に、加工工具によ
るひつかかりを生じ、表面欠陥を生じる。 本発明においては、特にケイ素含量が0.5〜７
重量％のアルミニム合金において、ビツカース硬
度を50Hv〜100Hvにすると共に前述した各種介
在物の大きさ（介在物粒子の最大長さで代表され
る粒径）を10μm以下とした場合、精密加工の際
の加工性や精密加工により得られる電子部品等の
特性や耐久性が予期せぬ程に向上する為、好まし
い。介在物の更に好ましい大きさは、5μm以下で
ある。 アルミニム合金中の介在物の大きさを10μm以
下に抑制する具体的な方法としては、例えばアル
ミニム合金溶解時に使用するセラミツクフイルタ
ーの開孔径の小さいものを用いると共に、十分な
管理のもとにフイルターの効果を十分に活かす方
法をとり、具体的にはフイルターがある程度目詰
まりを生じた時点でのロツトを使用する。更には
溶解炉材の混入防止対策、スラグの面削厚みの増
加などの方法が挙げられる。 この様に、本発明においてはアルミニウム合金
中に含有される介在物の大きさを規定する事が好
ましいが、基質アルミニウムをはじめとするその
他の合金成分については、特に制限はなく、成分
の種類、組成等については任意に選択する事がで
きるが、特にAl−Mg−Si系アルミニウム合金が
最適である。 アルミニウム合金中に含有される鉄は、共存す
るアルミニウムやケイ素とFe−Al系やFe−Al−
Si系の金属間化合物を形成し、アルミニウムマト
リツクス中にハードスポツトとして現われる。特
にこのハードスポツトは鉄含量2000ppmを境にし
て鉄が増加すると急激に増加し、例えば鏡面切削
加工等の際に悪影響を及ぼす。従つて、本発明の
アルミニウム合金における好ましい鉄含量は、
2000ppm以下、更には1000ppm以下である。 更に、アルミニウム合金中に含有される水素
は、空孔（Blister）等の組織異常を生起させ、
精密加工の際の加工性を損じたり、精密加工によ
り得られる電子部品等の特性を劣化させる原因と
なる。この様な不都合は、特にアルミニウム合金
中の水素量をアルミニウム100グラムに対して1.0
c.c.以下、より好ましくは0.7c.c.以下と抑制するこ
とにより解消することができる。 アルミニウム合金中に含有される鉄の含量を
2000ppm以下に抑える具体的な方法としては、原
料としてのAl地金の純度の高いもの、例えば、
電解精錬を繰返し行なつたものを使用する。ま
た、溶解、鋳込の各工程で十分管理を行なうなど
の方法が挙げられる。 アルミニウム合金中に含有される水素量を、ア
ルミニウム100グラムに対して1.0c.c.以下に抑える
具体的な方法としては、Al合金溶解時に脱ガス
工程として塩素ガスを溶湯中に吹き込み合金組織
中の存在するH₂ガスをHClとして除去する方法、
あるいは溶解したAl合金を真空炉中に一定時間
保持し、合金組織中に存在するH₂ガスを真空中
へ拡散除去する方法などが挙げられる。 因みに、本発明に係わるアルミニウム合金の具
体的組成を以下に例示する。 〔Al−Mg−Si系〕 Mg 0.5〜10重量％ Si 0.5〜７重量％以下 Fe 2000ppm以下 Cu 0.1〜0.4重量％ Mn 0.03〜0.8重量％ Cr 0.03〜0.35重量％ Zn 0.1〜0.25重量％ Ti Tr又は0.1〜0.15重量％ H₂ Al100グラムに対して1.0c.c.以下 Al 実質的に残部 （但し、前記Trとは積極的に添加しない場合
の痕跡量を意味する。） 本発明で用いるアルミニウム合金の硬度を
50Hv以上100Hv以下とする具体的な方法として
は次の方法を挙げることができる。 本発明で規定している合金組成を持つアルミニ
ウム合金は、熱処理と塑性加工の両方または塑性
加工のみを施すことによつてビツカース硬度を
50Hv〜100Hvの範囲内の所望の値に制御するこ
とができる。 具体的な熱処理としては焼き鈍し処理、または
容体化処理及び焼き鈍し処理等を施すことが望ま
しい。 焼き鈍し処理としては所望の温度（例えば360
〜400℃程度の温度）に所望の時間（例えば１〜
２時間程度）保持した後、徐冷することが望まし
く、この処理によつて、鋳造で得られたアルミニ
ウム合金の硬度を低下させることができる。 アルミニウム合金中の合金元素を均一に固溶体
化する容体化処理は所望の温度（例えば500〜525
℃程度の温度）で、所望の時間（例えば８〜10時
間程度）実施することが望ましく、容体化処理に
次いで行う焼き鈍し処理は所望の温度（例えば
150〜170℃程度の温度）で所望の時間（例えば５
〜10時間程度）実施することが望ましい。これら
の条件下で容体化処理及び焼き鈍し処理を実施す
ることにより前記したビツカース硬度を得ること
ができる。 次いで塑性加工について説明する。鋳造により
得られたままのアルミニウム合金又は上記の熱処
理工程を経たアルミニウム合金に、アルミニウム
合金の使用用途に応じて圧延加工、押し出し加
工、引き抜き加工、絞り加工等の塑性加工を行
う。これらの塑性加工によつてアルミニウム合金
の加工硬化が生じる。 上記した熱処理条件、塑性加工方法及び条件等
を適宜選択し、場合によつては熱処理、塑性加工
を繰り返すことにより、アルミニウム合金の硬度
を50Hv以上100Hv以下に制御することができる。 本発明に係わるアルミニウム合金は、圧延、押
出等の塑性加工を経た後、切削乃至は研摩等の機
械的方法、乃至は化学エツチング等化学的乃至物
理的方法を伴なう精密加工を施し、必要に応じて
熱処理、調質等を随時組合せて、使用目的に応じ
た適宜の形状に賦形される。例えば電子写真感光
体ドラム等の厳格な寸法精度を要求される管状の
構成部材に賦形する場合は、通常の押出加工によ
り得られるポートホール押出管或いはマンドレル
押出管を、更に冷間引抜加工して得られる引抜管
を使用するのが好ましい。 表面処理金属体１の表面２に複数の球状痕跡窪
み４による凹凸を設けるには、例えば剛体真球３
を表面２より所定高さの位置より自然落下させて
表面２に衝突させることにより、球状痕跡窪み４
を形成する。従つて、ほぼ同一径R′の複数の剛
体真球３をほぼ同一高さｈより落下させることに
より、表面２にほぼ同一曲率Ｒ、同一幅Ｄの複数
の球状痕跡窪み４を形成することができる。 第２図及び第３図は、この様な場合に形成され
る痕跡窪みを例示したものである。 第２図の例では、金属体１′の表面２′の異なる
部位に、ほぼ同一の径の複数の球体３′，３′…を
ほぼ同一の高さより落下させてほぼ一の曲率及び
幅の複数の窪み４′，４′…を互いに重複しない程
度に疏に生ぜしめて凹凸を形成している。 第３図の例では、金属体１″の表面２″の異なる
部位に、ほぼ同一の径の複数の球体３″，３″…を
ほぼ同一の高さより落下させてほぼ同一の曲率及
び幅の複数の窪み４″，４″…を互いに重複し合う
ように密に形成して、第１図の例に比較して凹凸
の高さ（表面粗さ）を小さくしている。なお、こ
の場合、互いに重複する窪み４″，４″…の形成時
期、即ち球体３″，３″の金属体１″の表面２″への
衝突時期が、当然のことながら互いにずれる様に
球体を自然下させる必要がある。 一方、第４図の例では、互いに異なる数種の径
の球体３，３をほぼ同一の高さ又は異なる高
さから落下させて金属体１の表面２に夫々異
なる曲率及び幅の複数の窪み４，４…を互い
に重複し合う様に密に生ぜしめて、表面に高さの
不規則な凹凸を形成している。 この様にすれば、剛体真球と金属体表面との硬
度、剛体真球の径、落下高さ、落下球量等の条件
を適宜調節することにより、金属体表面に所望の
曲率、幅の複数の球状痕跡窪みを所定密度で形成
することができる。従つて、前記条件を選択する
選択することにより、金属体表面を表面粗さ、即
ち凹凸の高さやピツチ等を自在に調節できるし、
また、使用目的に応じて所望される形状の凹凸を
形成することもできる。 更には、ポートホール管、あるいはマンドレル
押出し引抜きAl管表面の表面状態の悪さを、本
発明の方法を用いる事によつて修正し、所望の表
面状態に仕上げることができる。これは、表面の
規則な凹凸が剛体真球の衝突により塑性変形され
ることによるものである。 本発明の表面処理金属体の形状は任意に選択す
ることができるが、例えば電子写真感光体の基体
（支持体）としては、板状、円筒状、柱状、無端
ベルト状等の形状が実用的である。 本発明で使用する球体は、例えばステンレス、
アルミニウム、鋼鉄、ニツケル、真鍮等の金属、
セラミツク、プラスチツク等の各種剛体球を使用
することができ、とりわけ耐久性及び低コストの
理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球が好ま
しい。球体の硬度は、金属体の硬度よりも高くて
も低くてもよいが、球体を繰返し使用する場合
は、金属体の硬度よりも高くすることが好まし
い。 本発明の表面処理金属体は、アルミニウム合金
等を通常の押出加工により得られるポートホール
管或いはマンドレル管を、更に引抜加工して得ら
れる引抜管に必要に応じて熱処理、調質等の処理
を加え、この円筒（シリンダー）を、例えば第５
図（正面図）及び第６図（縦断面図）に示した構
成の装置を用いて作製することができる。 第５図及び第６図において、１１は支持体作成
用の例えばアルミニウムシリンダーである。シリ
ンダー１１は予め表面を適宜の平面度に仕上げら
れていてもよい。シリンダー１１は、回転軸１２
に軸支され、モータ等の適宜の駆動手段１３で駆
動され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能とされてい
る。回転速度は、形成する球状痕跡窪みの密度及
び剛体真球の供給量等を考慮して適宜に決定さ
れ、制御される。 １４は剛体真球（ボール）１５を自然落下させ
るための落下装置であり、剛体真球１５を貯留し
落下させるためのボールフイーダー１６、フイー
ダー１６から剛体真球１５が落下し易い様に揺動
する振動機１７、シリンダーに衝突して下する剛
体真球１５を回収するための回収槽１８、回収槽
１８で回収される剛体真球１５をフイーダー１６
まで管輸送するためのボール送り装置１９、送り
装置１９の途中で剛体真球１５を液洗浄するする
ための洗浄装置２０、この洗浄装置２０にノズル
等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だめ２
１、洗浄に使用した液を回収する回収槽２２など
で構成されている。 フイーダー１６から自然落下する剛体真球の量
は、落下口２３の開閉度、振動機１７による揺動
の程度等により適宜調整される。 以下、前述した表面性を有するアルミニウム合
金を支持体として用い、光導電物質としてａ−Si
を用いた電子写真用の光導電部材について、本発
明の光導電部材の構成例を説明する。 この様な光導電部材は、例えば支持体上に電荷
注入阻止層、光導電層（感光層）及び表面保護層
を順次積層した構成を有している。 支持体の形状は、所望によつて決定されるが、
例えば電子写真用として使用するのであれば、連
続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状
とするのが望ましい。支持体の厚みは、所望通り
の光導電部材が形成される様に適宜決定される
が、光導電部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が十分発揮される範囲内
であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、
この様な場合にも、支持体の製造上及び取扱い
上、更には機械的強度等の点から、通常は、
10μm以上とされる。 支持体表面は、前述した様な表面性を有する様
に表面処理を施され、鏡面とされ乃至は干渉縞防
止等の目的で非鏡面とされ、或いは所望形状の凹
凸が付与される。 例えば支持体表面を非鏡面化したり、表面に凹
凸を付与して粗面化すると、支持体表面の凹凸と
合せて感光層表面にも凹凸が生ずるが、露光の際
にこれら支持体表面及び感光層表面での反射光に
位相差が生じ、シエアリング干渉による干渉縞を
生じ、或いは反転現像時に黒斑点或いはスジを生
じて画像欠陥を生ずる。この様な現象は特に可干
渉光であるレーザビーム露光を行なつた場合に顕
著に現れる。 本発明においては、この様な干渉縞を、支持体
表面に形成される球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄと
を調節する事により防止する事ができる。 即ち、本発明の表面処理金属体を支持体とした
場合、D/Rを0.035以上とすると各々の痕跡窪み
内にシエアリング干渉によるニユートリングが
0.5本以上存在し、D/Rを0.055以上とすると、こ
の様なニユートリングが１本以上存在することに
なり、光導電部材全体の干渉縞を各痕跡窪み内に
分散して存在させることができ、干渉防止が可能
となる。 又、痕跡窪みの幅Ｄは、500μm以下、更には
200μm以下、より更には100μm以下とされるのが
望ましく、又光照射スポツト径以下が望ましく、
特に、レーザービームを使用する場合には、解像
力以下とするのが望ましい。 電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び／又は
ハロゲン原子を含有するａ−Siで構成されると共
に、伝導性を支配する物質として、通常半導体の
不純物として用いられる周期律表族乃至は第
族に属する元素の原子が含有される。電荷注入阻
止層の層厚は、好ましくは0.01〜10μm、より好
適には0.05〜8μm、最適には0.07〜5μmとされる
のが望ましい。 電荷注入阻止層の代りに、例えばAl₂O₃、
SiO₂、Si₃N₄、ポリカーボネート等の電気絶縁材
料から成る障壁層を設けてもよいし、或いは電荷
注入阻止層と障壁層とを併用することもできる。 光導電層は、例えば、水素原子とハロゲン原子
を含有するａ−Siで構成され、所望により電荷注
入阻止層に用いるのとは別種の伝導性を支配する
質が含有される。光導電層の層厚は、好ましくは
１〜100μm、より好適には１〜80μm、最適には
２〜50μmとされるのが望ましい。 表面保護層は、例えばSiC_X、SiN_X等で構成さ
れ、層厚は、好ましくは0.01〜10μm、より好適
には0.02〜5μm、最適には0.04〜5μmとされるの
が望ましい。 本発明において、ａ−Siで構成される光導電層
等を形成するには、例えばグロー放電法、スパツ
タリング法、或いはイオンプレーテイング法等の
従来公知の種々の放電現象を利用する真空堆積法
が適用される。 次に、グロー放電分解法による光導電部材の製
造法の１例について説明する。 第７図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。堆積槽１は、ベースプレート２
と槽壁３とトツププレート４とから構成され、こ
の堆積槽１内には、カソード電極５が設けられて
おり、ａ−Si堆積膜が形成される例えばアルミニ
ウム合金製の本発明に係る支持体６はカソード電
極５の中央部に設置され、アノード電極としての
役割も兼ている。 この製造装置を使用してａ−Si堆積膜を支持体
上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７
及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開
け、堆積槽１内を排気する。真空計１０の読みが
５×10^-6torrになつた時点で原料ガス流入バルブ
７を開いて、マスフローコントローラー１１内で
所定の混合比に調整された、例えばSiH₄ガス、
Si₂H₆ガス、SiF₄ガス等を用いた原料混合ガスを
堆積槽１内の圧力が所望の値になる様に真空計１
０の読みを見ながら排気バルブ９の開口度を調整
する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加熱
ヒータ１２により所定の温度に設定されているこ
とを確認した後、高周波電源１３を所望の電力に
設定して堆積槽１内にグロー放電を生起させる。 又、層形成を行なつている間は、層形成の均一
化を図るためにドラム状支持体６をモータ１４に
より一定速度で回転させる。このようにしてドラ
ム状支持体６上にａ−Si堆積膜を形成することが
できる。 以下、本発明を試験例、実施例に基づき、より
詳細に説明する。 試験例 １ 径２mmのSUSステンレス製剛体真球を用い、
第５図及び第６図に示した装置を用い、Si含量３
重量％、ビツカーズ硬度70Hv、介在物の最大大
きさ2μm、のAl−Mg−Si系アルミニウム合金製
シリンダー（径60mm、長さ298mm；Mg含量４重
量％、Fe含量1000ppm以下、水素含量アルミニ
ウム100グラムにして1.0c.c.以下）の表面を処理
し、凹凸を形成させた。 真球の径R′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ、
幅Ｄとの関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒ
と幅Ｄとは、真球の径R′と落下高さｈ等の条件
により決められることが確認された。又、痕跡窪
みのピツチ（痕跡窪みの密度、又凹凸のピツチ）
は、、シリンダーの回転速度、回転数乃至は剛体
真球の落下量等を制御して所望のピツチに調整す
ることができることが確認された。 実施例１〜６、比較例１ 第１表に示したD/Rに制御した以外は、試験
例１と同様に同質のアルミニウム合金製シリンダ
ーの表面を処理し、これを電子写真用光導電部材
の支持体として利用した。 その際、各表面処理シリンダーについて、表面
処理後に生じている表面欠陥（エグレ状の傷、ひ
び割れ、スジ状キズ等）を目視及び金属顕微鏡に
より検査した。結果を表に示した。 次に、これらの表面処理を施したアルミニウム
合金製シリンダーのそれぞれの上に、第７図に示
した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述した
グロー放電分解法に従い、下記の条件により光導
電部材を作製した。 堆積膜の積層順序 使用原料ガス 膜厚(μm) 電荷注入阻止層 SiH₄/B₂H₆ 0.6 光導電層 SiH₄ 20 表面保護層 SiH₄/C₂H₄ 0.1 こうして得られた各光導電部材を、キヤノン(株)
製レーザービームプリンターLBP−Ｘに設置し
た画出しを行ない、干渉縞、黒ポチ、画像欠陥等
の総合評価を行なつた。結果を第１表に示した。 なお、比較として、従来法によつてダイヤモン
ドバイトにより表面処理された従来の材質のアル
ミニウム合金製シリンダーを用いて光導電部材を
作製し、同様に総合評価した。

【表】 なお、実施例１〜６の光導電部材の支持体にお
けるＤは、何れも500μmとした。 実施例７〜10、比較例２ 第２表に示したSi含量、ビツカース硬度及び介
在物の大きさの異なる５種のAl−Mg−Si系アル
ミニウム合金製シリンダー（Mg含量は何れも４
重量％、Fe含量は何れも1000ppm以下）に、
夫々実施例１〜６と同様に表面処理加工を行つ
た。 次に、これらの表面処理加工したアルミニウム
合金製シリンダーのそれぞれの上に、第７図に示
した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述した
グロー放電分解法に従い、下記の条件により光導
電部材を作製した。 堆積膜の積層順序 使用原料ガス 膜厚(μm) 電荷注入阻止層 SiH₄/B₂H₆ 0.6 光導電層 SiH₄ 20 表面保護層 SiH₄/C₂H₄ 0.1 アルミニウムシリンダー温度：250℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧：0.3Torr 放電周波数 ：13.56MHz 堆積膜形成速度 ：20Å／sec 放電電力 ：0.18W／cm² こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、
キヤノン(株)製400RE複写装置に設置して画出しを
行ない、白点状の画像欠陥（0.3mmΦ以上）の評
価を実施した。この評価結果を第２表に示した。 なお、実施例７〜10の各電子写真感光体ドラム
については、更に100万枚の耐久試験を、23℃／
相対湿度50％、30℃／相対湿度90％、５℃／相対
湿度20％の各環境下で実施したが、画像欠陥、特
に白抜け等の欠陥の増加もなく、良好な耐久性を
有していることが確認された。

【表】 きる。
〔発明の効果〕 本発明によれば、所望の使用特性を損う表面欠
陥を生じやすい切削加工を伴わずに表面処理がな
され、成膜の均一性、電気的、光学的乃至は光導
電的特性の均一性に優れた光導電部材が得られ、
特に、電子写真感光用として用いた場合、画像欠
陥が少なく、高品質の画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、本発明に係わる金属体表
面の凹凸の形状を説明するための模式図である。
第５図及び第６図は、それぞれ本発明に係わる表
面処理金属体を製造するための装置の一構成例を
説明するための正面図及び縦断面図、第７図はグ
ロー放電分解法による光導電部材の製造装置を示
した模式図である。 １，１′，１″，１…表面処理金属体、２，
２′，２″，２…表面、３，３′，３″，３…剛
体真球、４，４′，４″，４…球状痕跡窪み。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面に窪みの幅Ｄが500μm以下で窪みの曲率
   Ｒと幅Ｄとが0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状
   痕跡窪みによる凹凸を有する、アルミニウムを基
   質とし且つケイ素を0.5〜７重量％、マグネシウ
   ムを0.5〜10重量％、鉄を2000ppm以下含有し、
   ビツカースコードが50Hv〜100Hvのアルミニウ
   ム合金であることを特徴とする光導電部材用の支
   持体。 ２ 前記球状痕跡窪みの凹凸がほぼ同一の曲率及
   び幅の窪みにより形成されている特許請求の範囲
   第１項に記載の光導電部材用の支持体。 ３ 表面に窪みの幅Ｄが500μm以下で窪みの曲率
   Ｒと幅Ｄとが0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状
   痕跡窪みによる凹凸を有する、アルミニウムを基
   質とし且つケイ素をが0.5〜７重量％、マグネシ
   ウム合金を0.5〜10重量％、鉄を2000ppm以下含
   有し、ビツカースコードが50Hv〜100Hvのアル
   ミニウム合金である支持体と、該支持体上に設け
   られた光導電層とを有することを特徴とする光導
   電部材。 ４ 前記球状痕跡窪みの凹凸がほぼ同一の曲率及
   び幅の窪みにより形成されている特許請求の範囲
   第３項に記載の光導電部材。 ５ 前記アルミニウム合金に含有される水素の量
   がアルミニウム100グラムに対して1.0c.c.以下であ
   る特許請求の範囲第３項又は第４項に記載の光導
   電部材。