JP2830933B2 - 電子写真用光導電部材の製造方法 - Google Patents
電子写真用光導電部材の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム合金
で形成された支持体上に光導電層を形成した電子写真用
光導電部材を製造する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】アルミニウム合金は建材、自動車部品等
各種構造体に幅広く利用されているが、とりわけ、光導
電部材の支持体等精密加工を要求される電気乃至電子デ
バイスの構成部材として、その利用動が高まりつつあ
る。 【０００３】しかしながら、例えば日本工業規格（ＪＩ
Ｓ）により規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｓ
ｉ，Ｚｎ等の積極的に添加される成分をはじめとする各
種組成成分と共に各種不純物成分が含有されており、こ
れらが介在物として組織中に析出して粒界段差を生起さ
せたり、あるいは水素ガスが組織中に空孔（Ｂｌｉｓｔ
ｅｒ）として存在して、精密加工の際の加工性を損な
い、延いてはアルミニウム合金を構成部材とする電子部
品等の特性を劣化させることになる。 【０００４】この様な事状を、光導電部材を１例とし
て、更に詳しく説明すると、例えば電子写真感光体は、
通常、アルミニウム合金から成る円筒状等の支持体表面
上に光導電層を設けて構成される。 【０００５】光導電層の材料としては有機乃至無機の各
種光導電物質が用いられているが、例えば１価の元素で
ダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉという）は、その優れた光導伝性、耐
擦性、耐熱性のために光導電層の材料としての応用が期
待されている。このａ−Ｓｉを実用に供するためには、
ａ−Ｓｉの光導電層に加えて、支持体からの電荷の注入
を阻止する電荷注入阻止層、ＳｉＮX ，ＳｉＣX 等の表
面保護層等を用い、目的に応じた多層構成とする必要が
ある。そしてこの際の光導電部材の均一性は極めて重要
であり、光導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が
存在すると美麗な画像が提供できないばかりでなく、実
用に耐えないものとなる。 【０００６】特にａ−Ｓｉは、膜の形態が支持体の表面
形状に大きく左右されることが知られている。とりわ
け、殆どの部分でほぼ均一の光導電特性が必要となる大
面積の電子写真感光体ドラムにおいては、支持体の表面
状態は極めて重要であり、支持体表面に欠陥が存在する
と膜の均一性が悪くなり、柱状構造や球状突起が形成さ
れるため、光導電的不均一さの生じる原因となる。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、アルミニウ
ム合金の管材等を支持体として使用する場合、その表面
に鏡面仕上げ、エンボス加工等精密な各種切削乃至は研
摩加工を施す過程において、前述した各種介在物によ
り、例えばハードスポットと呼ばれる固い部分が存在し
たり、水素ガスによる空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）が存在し
たりすると、例えば切削加工による鏡面化過程におい
て、切削バイトに対する切削抵抗となり、アルミニウム
シリンダー表面に欠陥部分を生ずる原因となり、アルミ
ニウム支持体表面上に１〜１０μｍ程度のひび割れ、エ
グレ状の傷、更には微細な凹凸あるいは空孔（Ｂｌｉｓ
ｔｅｒ）より発生するスジ状キズを発生させる要因とな
っている。 【０００８】そこで、本発明者らは、アルミニウム合金
における不純物成分及び空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）に着目
し、特に含有される水素の量を規制することにより、前
述した従来の問題点が解決されることを見出し、本発明
を完成するに至った。 【０００９】本発明の電子写真用光導電部材の製造方法
は、アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がアル
ミニウム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下であるア
ルミニウム合金で形成された電子写真用光導電部材とし
て必要な平面状態であるＲmax が１．０μｍ以下とされ
たドラム状支持体を用意し、該支持体上に光導電層を形
成する工程を有することを特徴とする。 【００１０】 【発明の実施の形態】汎用のアルミニウム合金には、一
般に、電解精錬から圧延、押出等の塑性加工に至るまで
の過程等において生成し、混入し、残存する水素が、ア
ルミニウム１００グラムに対して１ｃｃを超えて含有さ
れている。これにより、合金体の組織中に空孔状の組織
異常を生起させ、精密加工の際の加工性を損じたり、精
密加工により得られる電子部品等の特性を劣化させる原
因となっていた。本発明においては、かかる不都合を生
ずる水素の含量がアルミニウム１００グラムに対して
１．０ｃｃ前後で組織異常の状況が大きく変わり、水素
含量を１．０ｃｃ以下に抑制することにより、前記組織
異常による不都合が解消されることを見出した。水素の
含量が、アルミニウム１００グラムに対して１．０ｃｃ
を超えると、前述した様に、合金体の組織中に欠陥が生
成され、精密加工の時、例えば生成された表面の鏡面仕
上時にバイトによって欠陥を生じさせる空孔（Ｂｌｉｓ
ｔｅｒ）の大きさと存在密度が大きくなり、５μｍ以上
の空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）が在する様になり、好ましく
ない。水素の更に好ましい含量は、アルミニウム１００
グラムに対して０．７ｃｃ以下である。アルミニウム合
金中の水素含量を本発明に規定している範囲に抑制する
具体的な方法としては、例えば、アルミニウム合金溶解
時に、脱ガス工程として塩素ガスを溶湯中に吹込み、合
金組織中に存在する水素ガスをＨＣｌとして除去する
法、あるいは溶解したアルミニウム合金を真空炉中に一
定時間保持し合金組織中に存在する水素ガスを真空中に
拡散除去する方法などが挙げられる。 【００１１】この様に、本発明においてはアルミニウム
合金中に含有される水素量を規定したが、基質アルミニ
ウムをはじめとするその他の合金成分については、特に
制限はなく、成分の種類、組成等については任意に選択
することができる。従って、本発明のアルミニウム合金
には、日本工業規格（ＪＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、
ＤＩＮ規格、国際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカ
スト等として規格化あるいは登録されている、純アルミ
ニウム系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｓｉ
系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−
Ｍｇ系等の組成の合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジュラル
ミン、超ジュラルミン等）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系（ラウ
タル等）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ合
金等）、アルミニウム粉末焼結体（ＳＡＰ）等が包含さ
れる。 【００１２】本発明においてアルミニウム合金の組成を
選択するには、使用目的に応じた特性として、例えば機
械的強度、耐食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮
して適宜に選択すれば良いが、例えば精密加工に際し
て、鏡面化切削加工等を伴なう場合には、アルミニウム
合金中にマグネシウム及び銅を共存させることによっ
て、アルミニウム合金の快削性が向上する。マグネシウ
ムあるいは銅の含量は、それぞれ０．５〜１０重量％の
範囲が好ましく、特に１〜７重量％の範囲が望ましい。
マグネシウム含量が余りにも高過ぎると結晶粒界部分に
粒界腐食が生じ易くなるため、１０重量％を超えて添加
することは望ましくない。 【００１３】また、アルミニウム合金中に含有される鉄
は、共存するアルミニウムやケイ素とＦｅ−Ａｌ系やＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属間化合物を形成し、アルミニウ
ムマトリックス中にハードスポットとして現れる。特に
このハードスポットは鉄含量２０００ｐｐｍを境にして
鉄が増加すると急激に増加し、例えば鏡面切削加工等の
際に悪影響を及ぼす。従って、本発明のアルミニウム合
金における好ましい鉄含量は、２０００ｐｐｍ以下、更
には１０００ｐｐｍ以下である。 【００１４】因みに、本発明のアルミニウム合金の具体
的組成を以下に例示する。 ［Ａｌ−Ｍｇ系］ Ｍｇ ０．５〜１０重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０４〜０．２重量％ Ｍｎ ０．０１〜１．０重量％ Ｃｒ ０．０５〜０．５重量％ Ｚｎ ０．０３〜０．２５重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．０５〜０．２０重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｍｎ系］ Ｍｎ ０．３〜１．５重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０５〜０．３重量％ Ｍｇ ０．２〜１．３重量％ Ｃｒ ０又は０．１〜０．２重量％ Ｚｎ ０．１〜０．４重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１重量％程度 Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｃｕ系］ Ｃｕ １．５〜６．０重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｍｎ ０又は０．２〜１．２重量％ Ｍｇ ０．２〜１．８重量％ Ｃｒ ０．１重量％程度 Ｚｎ ０．２〜０．３重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１５〜０．２重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系］ Ｍｇ ０．３５〜１．５重量％ Ｓｉ ０．５〜１０重量％ Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．１〜０．４重量％ Ｍｎ ０．０３〜０．８重量％ Ｃｒ ０．０３〜０．３５重量％ Ｚｎ ０．１〜０．２５重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１〜０．１５重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［純アルミニウム系］ Ｍｇ ０．０５〜０．５重量％ Ｓｉ ０．３重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０３〜０．１重量％ Ｍｎ ０．０２〜０．０５重量％ Ｃｒ Ｔｒ Ｚｎ ０．０３〜０．１重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．０３〜０．１重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 但し、前記Ｔｒとは積極的に添加しない場合の痕跡量を
意味する。 【００１５】本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出
等の塑性加工を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方
法、乃至は化学エッチング等化学的乃至物理的方法を伴
なう精密加工を施し、必要に応じて熱処理、調質等を随
時組合せて、使用目的に応じた適宜の形状に賦形され
る。例えば電子写真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を
要求される管状の構成部材に賦形する場合、通常の押出
加工により得られるポートホール押出管あるいはマンド
レル押出管を、更に冷間引抜加工して得られる引抜管を
使用するのが好ましく、この様な管を用い、例えば管表
面に鏡面仕上げ、エンボシング等のための切削乃至は研
摩等の機械的方法、乃至は化学エッチング等化学的乃至
物理的方法を伴なう精密加工を施した場合に、本発明の
アルミニウム合金の特長が特に顕著に現われる。 【００１６】本発明のアルミニウム合金は、電子写真感
光体等の光導電部材の支持体、コンピューターメモリー
用磁気ディスクの基板、レーザースキャン用のポリゴン
ミラー基体に最的である、ダイヤバイトによる鏡面仕上
げ、円筒研削仕上げ、ラッピング仕上げ等の手段を用い
て、Ｒmax ＝１μｍ以下の表面粗さ、好ましくはＲma x
＝０．０５μｍ以下の平面度に仕上げられる各種電気乃
至は電子デバイスの構成部品として有用である。 【００１７】以下、本発明のアルミニウム合金を支持体
として用い、光導電物質としてａ−Ｓｉを用いた電子写
真用の光導電部材について、本発明の光導電部材の構成
例を説明する。 【００１８】この様な光導電部材は、例えば支持体上に
電荷注入阻止層、光導電層（感光層）及び表面保護層を
順次積層した構成を有している。 【００１９】支持体の形状は、所望によって決定される
が、例えば電子写真用として使用するのであれば、連続
高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が十分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、この様な場合にも、支持体の製造上及び取扱
い上、更には機械的強度等の点から、通常は、１０μｍ
以上とされる。 【００２０】支持体表面は、光導電部材の均一性を保つ
ために例えば鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施さ
れ、また、感光体を光源としてレーザー光等の可干渉性
単色光を使用するデジタル画像情報記録に使用する場合
に、干渉縞模様を防止するためなどに、例えば旋盤、フ
ライス盤等を用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工
あるいは化学エッチング等他の精密加工により規則的乃
至は不規則の例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。 【００２１】電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び／
又はハロゲン原子を含有するａ−Ｓｉで構成されると共
に、伝導性を支配する物質として、通常半導体の不純物
として用いられる周期律表第III 族乃至は第Ｖ族に属す
る元素の原子が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、
好ましくは０．０１〜１０μｍ、より好適には０．０５
〜８μｍ、最適には０．０７〜５μｍとされるのが望ま
しい。 【００２２】電荷注入阻止層の代りに、例えばＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ポリカーボネート等の電気
絶縁材料から成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電
荷注入阻止層と障壁層とを併用することもできる。 【００２３】光導電層は、例えば水素原子とハロゲン原
子を含有するａ−Ｓｉで構成され、所望により電荷注入
阻止層に用いるのとは別種の伝導性を支配する物質が含
有される。光導電層の層厚は、好ましくは１〜１００μ
ｍ、より好適には１〜８０μｍ、最適には２〜５０μｍ
とされるのが望ましい。 【００２４】表面保護層は、例えばＳｉＣX ，ＳｉＮX
等で構成され、層厚は、好ましくは０．０１〜１０μ
ｍ、より好適には０．０２〜５μｍ、最適には０．０４
〜５μｍとされるのが望ましい。 【００２５】本発明において、ａ−Ｓｉで構成される光
導電層等を形成するには、例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、あるいはイオンプレーティング法等の従来
公知の種々の放電現象を利用する真空堆積法が適用され
る。 【００２６】次にグロー放電分解法による光導電部材の
製造法の１例について説明する。 【００２７】図１にグロー放電分解法による光導電部材
の製造装置を示す。堆積槽１は、ベースプレート２と槽
壁３とトッププレート４から構成され、この堆積槽１内
には、カソード電極５が設けられており、ａ−Ｓｉ堆積
膜が形成される特定の組成を有するアルミニウム合金製
のドラム状支持体６はカソード電極５の中央部に設置さ
れ、アノード電極としての役割も兼ねている。 【００２８】この製造装置を使用してａ−Ｓｉ堆積膜を
ドラム状支持体上に形成するには、まず、原料ガス流入
バルブ７及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開
け、堆積槽１内を排気する。真空計１０の読みが約５×
１０-6ｔｏｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ７を
開いて、マスフローコントローラー１１内で所定の混合
比に調整された、例えばＳｉＨ4 ガス、Ｓｉ2 Ｈ6 ガ
ス、ＳｉＦ4 ガス等の原料混合ガスを堆積槽１内に流入
させる。このとき、堆積槽１内の圧力が所望の値になる
様に真空計１０の読みを見ながら、排気バルブ９の開口
度を調整する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加
熱ヒーター１２により所定の温度に設定されていること
を確認した後、高周波電源１３を所望の電力に設定して
堆積槽１内にグロー放電を生起させる。 【００２９】また、層形成を行なっている間は、層形成
の均一化を図るためにドラム状支持体６をモータ１４に
より一定速度で回転させる。このようにしてドラム状支
持体６上に、ａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができる。 【００３０】 【実施例】以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明
する。 【００３１】（実施例１〜３、比較例１，２） 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 （ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）
に、先端部曲率０．０１（ｍｍ-1）のダイヤモンドバイ
トを、シリンダー中心角に対して５°の負のすくい角を
得る様にセットした。次にこの旋盤の回転軸フランジ
に、表１に示した水素含量の異なる５種のＡｌ−Ｍｇ系
アルミニウム合金製シリンダー（Ｍｇ含量はいずれも４
重量％、Ｆｅ含量は２０００ｐｐｍ以下）を真空チャッ
クし、付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく付設し
た真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、周速１
０００（ｍ／ｍｉｎ）、送り速度０．０１（ｍｍ／Ｒ）
の条件で、外径が８０ｍｍΦとなる様鏡面切削を施し
た。このようにして鏡面加工したシリンダーにつき、鏡
面加工後に生じている表面欠陥（エグレ状の傷、ひび割
れ、空孔により生ずるスジ状キズ）を目視及び金属顕微
鏡により検査し、その数を調べた。なお、シリンダーに
含有される水素の量は作製したシリンダーの一部を切り
とり、これをサンプルとし、ラボラトリー・イクイップ
メンツ・コーポレーション製ＲＨ−１Ｅ型を用い、その
仕様書に従って測定した。 【００３２】次に、これらの鏡面加工したアルミニウム
合金製シリンダーのそれぞれの上に、図１に示した光導
電部材の製造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解
法に従い、下記の条件により光導電部材を作製した。 【００３３】 堆積膜の積層順序 使用原料ガス 膜厚（μｍ） ───────── ───────── ─────── 電荷注入阻止層 ＳｉＨ4 ／Ｂ2 Ｈ6 ０．６ 光導電層 ＳｉＨ4 ２０ 表保護層 ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈ4 ０．１ アルミニウムシリンダー温度：２５０℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧：０．３Ｔｏｒｒ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形成速度：２０Å／ｓｅｃ 放電電力：０．１８Ｗ／ｃｍ2 こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、キヤノン
（株）製４００ＲＥ複写装置に設置して画出しを行な
い、白点状の画像欠陥（０．３ｍｍΦ以上）の評価を施
した。これらの評化結果を表１に示した。 【００３４】なお、実施例１〜３の各電子写真感光体ド
ラムについては、更に１００万枚の耐久試験を、２３℃
／相対湿度５０％、３０℃／相対湿度９０％、５℃／相
対湿度２０％の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に
白抜け等の欠陥の増加もなく、良好な耐久性を有してい
ることが確認された。 【００３５】 【表１】 （＊１：欠陥数は目視検査による（顕微鏡観察では５μｍで あるものがスジ状となって目視できる。） （実施例４〜６、比較例３〜５）Ａｌ−Ｍｇ系アルミニ
ウム合金の代りに、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ
系、及び、純アルミニウム系のアルミニウム合金（Ｆｅ
含量は何れも１０００ｐｐｍ以下）を用いた以外は、実
施例１と同一のアルミニウム合金製シリンダー並びに光
導電部材を作製した。 【００３６】かくして得られたシリンダーの鏡面化過程
で発生した欠陥数並びに画出しを行なった際の画像欠陥
を実施例１と同様に評価し、結果を表２に示した。 【００３７】 【表２】 （＊１：欠陥数は目視検査による（顕微鏡観察では５μｍで あるものがスジ状となって目視できる。） 【００３８】 【発明の効果】本発明のアルミニウム合金によれば、含
有する水素による空孔（Blister）等の組織異常が抑制
され、乃至は全くなくなり、精密加工による加工性の低
下や加工製品の所望される特性の劣化が抑えられるた
め、精密加工が必要とされる電子写真用光導電部材、つ
まり、精密加工による正確な表面形状が望まれる電子写
真用光導電部材の構成部材として好適である。 【００３９】また、このアルミニウム合金を引抜加工し
て得られる管材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度
が得られるため、とりわけ電子写真感光体（電子写真用
光導電部材）ドラムの支持体のような精密な管状構成部
材を構成するのに好適である。 【００４０】加えて、本発明のアルミニウム合金を使用
することによって切削加工を施しても表面欠陥を生じる
ことがなくなり、ひび割れ、エグレ状の傷、微細な凹凸
あるいは空孔により発生するスジ状傷の発生がなくなり
アモルファスシリコン膜の均一性が向上し、柱状構造や
球状突起の形成の問題を解決することができる。更に、
本発明のアルミニウム合金をドラム状支持体として用い
た光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の
均一性に優れ、電子写真用として用いた場合、画像欠陥
が少なく、高品質な画像を得ることができる。
で形成された支持体上に光導電層を形成した電子写真用
光導電部材を製造する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】アルミニウム合金は建材、自動車部品等
各種構造体に幅広く利用されているが、とりわけ、光導
電部材の支持体等精密加工を要求される電気乃至電子デ
バイスの構成部材として、その利用動が高まりつつあ
る。 【０００３】しかしながら、例えば日本工業規格（ＪＩ
Ｓ）により規格化された展伸材、鋳物用、ダイカスト等
の汎用のアルミニウム合金には、Ｍｇ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｓ
ｉ，Ｚｎ等の積極的に添加される成分をはじめとする各
種組成成分と共に各種不純物成分が含有されており、こ
れらが介在物として組織中に析出して粒界段差を生起さ
せたり、あるいは水素ガスが組織中に空孔（Ｂｌｉｓｔ
ｅｒ）として存在して、精密加工の際の加工性を損な
い、延いてはアルミニウム合金を構成部材とする電子部
品等の特性を劣化させることになる。 【０００４】この様な事状を、光導電部材を１例とし
て、更に詳しく説明すると、例えば電子写真感光体は、
通常、アルミニウム合金から成る円筒状等の支持体表面
上に光導電層を設けて構成される。 【０００５】光導電層の材料としては有機乃至無機の各
種光導電物質が用いられているが、例えば１価の元素で
ダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン
（以下、ａ−Ｓｉという）は、その優れた光導伝性、耐
擦性、耐熱性のために光導電層の材料としての応用が期
待されている。このａ−Ｓｉを実用に供するためには、
ａ−Ｓｉの光導電層に加えて、支持体からの電荷の注入
を阻止する電荷注入阻止層、ＳｉＮX ，ＳｉＣX 等の表
面保護層等を用い、目的に応じた多層構成とする必要が
ある。そしてこの際の光導電部材の均一性は極めて重要
であり、光導電的特性の不均一やピンホール等の欠陥が
存在すると美麗な画像が提供できないばかりでなく、実
用に耐えないものとなる。 【０００６】特にａ−Ｓｉは、膜の形態が支持体の表面
形状に大きく左右されることが知られている。とりわ
け、殆どの部分でほぼ均一の光導電特性が必要となる大
面積の電子写真感光体ドラムにおいては、支持体の表面
状態は極めて重要であり、支持体表面に欠陥が存在する
と膜の均一性が悪くなり、柱状構造や球状突起が形成さ
れるため、光導電的不均一さの生じる原因となる。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、アルミニウ
ム合金の管材等を支持体として使用する場合、その表面
に鏡面仕上げ、エンボス加工等精密な各種切削乃至は研
摩加工を施す過程において、前述した各種介在物によ
り、例えばハードスポットと呼ばれる固い部分が存在し
たり、水素ガスによる空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）が存在し
たりすると、例えば切削加工による鏡面化過程におい
て、切削バイトに対する切削抵抗となり、アルミニウム
シリンダー表面に欠陥部分を生ずる原因となり、アルミ
ニウム支持体表面上に１〜１０μｍ程度のひび割れ、エ
グレ状の傷、更には微細な凹凸あるいは空孔（Ｂｌｉｓ
ｔｅｒ）より発生するスジ状キズを発生させる要因とな
っている。 【０００８】そこで、本発明者らは、アルミニウム合金
における不純物成分及び空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）に着目
し、特に含有される水素の量を規制することにより、前
述した従来の問題点が解決されることを見出し、本発明
を完成するに至った。 【０００９】本発明の電子写真用光導電部材の製造方法
は、アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がアル
ミニウム１００グラムに対して１．０ｃｃ以下であるア
ルミニウム合金で形成された電子写真用光導電部材とし
て必要な平面状態であるＲmax が１．０μｍ以下とされ
たドラム状支持体を用意し、該支持体上に光導電層を形
成する工程を有することを特徴とする。 【００１０】 【発明の実施の形態】汎用のアルミニウム合金には、一
般に、電解精錬から圧延、押出等の塑性加工に至るまで
の過程等において生成し、混入し、残存する水素が、ア
ルミニウム１００グラムに対して１ｃｃを超えて含有さ
れている。これにより、合金体の組織中に空孔状の組織
異常を生起させ、精密加工の際の加工性を損じたり、精
密加工により得られる電子部品等の特性を劣化させる原
因となっていた。本発明においては、かかる不都合を生
ずる水素の含量がアルミニウム１００グラムに対して
１．０ｃｃ前後で組織異常の状況が大きく変わり、水素
含量を１．０ｃｃ以下に抑制することにより、前記組織
異常による不都合が解消されることを見出した。水素の
含量が、アルミニウム１００グラムに対して１．０ｃｃ
を超えると、前述した様に、合金体の組織中に欠陥が生
成され、精密加工の時、例えば生成された表面の鏡面仕
上時にバイトによって欠陥を生じさせる空孔（Ｂｌｉｓ
ｔｅｒ）の大きさと存在密度が大きくなり、５μｍ以上
の空孔（Ｂｌｉｓｔｅｒ）が在する様になり、好ましく
ない。水素の更に好ましい含量は、アルミニウム１００
グラムに対して０．７ｃｃ以下である。アルミニウム合
金中の水素含量を本発明に規定している範囲に抑制する
具体的な方法としては、例えば、アルミニウム合金溶解
時に、脱ガス工程として塩素ガスを溶湯中に吹込み、合
金組織中に存在する水素ガスをＨＣｌとして除去する
法、あるいは溶解したアルミニウム合金を真空炉中に一
定時間保持し合金組織中に存在する水素ガスを真空中に
拡散除去する方法などが挙げられる。 【００１１】この様に、本発明においてはアルミニウム
合金中に含有される水素量を規定したが、基質アルミニ
ウムをはじめとするその他の合金成分については、特に
制限はなく、成分の種類、組成等については任意に選択
することができる。従って、本発明のアルミニウム合金
には、日本工業規格（ＪＩＳ）、ＡＡ規格、ＢＳ規格、
ＤＩＮ規格、国際合金登録等に展伸材、鋳物用、ダイカ
スト等として規格化あるいは登録されている、純アルミ
ニウム系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｓｉ
系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ−
Ｍｇ系等の組成の合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系（ジュラル
ミン、超ジュラルミン等）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ系（ラウ
タル等）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｍｇ系（Ｙ合金、ＲＲ合
金等）、アルミニウム粉末焼結体（ＳＡＰ）等が包含さ
れる。 【００１２】本発明においてアルミニウム合金の組成を
選択するには、使用目的に応じた特性として、例えば機
械的強度、耐食性、加工性、耐熱性、寸法精度等を考慮
して適宜に選択すれば良いが、例えば精密加工に際し
て、鏡面化切削加工等を伴なう場合には、アルミニウム
合金中にマグネシウム及び銅を共存させることによっ
て、アルミニウム合金の快削性が向上する。マグネシウ
ムあるいは銅の含量は、それぞれ０．５〜１０重量％の
範囲が好ましく、特に１〜７重量％の範囲が望ましい。
マグネシウム含量が余りにも高過ぎると結晶粒界部分に
粒界腐食が生じ易くなるため、１０重量％を超えて添加
することは望ましくない。 【００１３】また、アルミニウム合金中に含有される鉄
は、共存するアルミニウムやケイ素とＦｅ−Ａｌ系やＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の金属間化合物を形成し、アルミニウ
ムマトリックス中にハードスポットとして現れる。特に
このハードスポットは鉄含量２０００ｐｐｍを境にして
鉄が増加すると急激に増加し、例えば鏡面切削加工等の
際に悪影響を及ぼす。従って、本発明のアルミニウム合
金における好ましい鉄含量は、２０００ｐｐｍ以下、更
には１０００ｐｐｍ以下である。 【００１４】因みに、本発明のアルミニウム合金の具体
的組成を以下に例示する。 ［Ａｌ−Ｍｇ系］ Ｍｇ ０．５〜１０重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０４〜０．２重量％ Ｍｎ ０．０１〜１．０重量％ Ｃｒ ０．０５〜０．５重量％ Ｚｎ ０．０３〜０．２５重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．０５〜０．２０重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｍｎ系］ Ｍｎ ０．３〜１．５重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０５〜０．３重量％ Ｍｇ ０．２〜１．３重量％ Ｃｒ ０又は０．１〜０．２重量％ Ｚｎ ０．１〜０．４重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１重量％程度 Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｃｕ系］ Ｃｕ １．５〜６．０重量％ Ｓｉ ０．５重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｍｎ ０又は０．２〜１．２重量％ Ｍｇ ０．２〜１．８重量％ Ｃｒ ０．１重量％程度 Ｚｎ ０．２〜０．３重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１５〜０．２重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系］ Ｍｇ ０．３５〜１．５重量％ Ｓｉ ０．５〜１０重量％ Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．１〜０．４重量％ Ｍｎ ０．０３〜０．８重量％ Ｃｒ ０．０３〜０．３５重量％ Ｚｎ ０．１〜０．２５重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．１〜０．１５重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 ［純アルミニウム系］ Ｍｇ ０．０５〜０．５重量％ Ｓｉ ０．３重量％以下 Ｆｅ ０．２５重量％以下（好ましくは２０００ｐｐ
ｍ以下） Ｃｕ ０．０３〜０．１重量％ Ｍｎ ０．０２〜０．０５重量％ Ｃｒ Ｔｒ Ｚｎ ０．０３〜０．１重量％ Ｔｉ Ｔｒ又は０．０３〜０．１重量％ Ｈ2 Ａｌ １００グラムに対して１．０ｃｃ以下 Ａｌ 実質的に残部 但し、前記Ｔｒとは積極的に添加しない場合の痕跡量を
意味する。 【００１５】本発明のアルミニウム合金は、圧延、押出
等の塑性加工を経た後、切削乃至は研摩等の機械的方
法、乃至は化学エッチング等化学的乃至物理的方法を伴
なう精密加工を施し、必要に応じて熱処理、調質等を随
時組合せて、使用目的に応じた適宜の形状に賦形され
る。例えば電子写真感光体ドラム等の厳格な寸法精度を
要求される管状の構成部材に賦形する場合、通常の押出
加工により得られるポートホール押出管あるいはマンド
レル押出管を、更に冷間引抜加工して得られる引抜管を
使用するのが好ましく、この様な管を用い、例えば管表
面に鏡面仕上げ、エンボシング等のための切削乃至は研
摩等の機械的方法、乃至は化学エッチング等化学的乃至
物理的方法を伴なう精密加工を施した場合に、本発明の
アルミニウム合金の特長が特に顕著に現われる。 【００１６】本発明のアルミニウム合金は、電子写真感
光体等の光導電部材の支持体、コンピューターメモリー
用磁気ディスクの基板、レーザースキャン用のポリゴン
ミラー基体に最的である、ダイヤバイトによる鏡面仕上
げ、円筒研削仕上げ、ラッピング仕上げ等の手段を用い
て、Ｒmax ＝１μｍ以下の表面粗さ、好ましくはＲma x
＝０．０５μｍ以下の平面度に仕上げられる各種電気乃
至は電子デバイスの構成部品として有用である。 【００１７】以下、本発明のアルミニウム合金を支持体
として用い、光導電物質としてａ−Ｓｉを用いた電子写
真用の光導電部材について、本発明の光導電部材の構成
例を説明する。 【００１８】この様な光導電部材は、例えば支持体上に
電荷注入阻止層、光導電層（感光層）及び表面保護層を
順次積層した構成を有している。 【００１９】支持体の形状は、所望によって決定される
が、例えば電子写真用として使用するのであれば、連続
高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。支持体の厚みは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が十分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、この様な場合にも、支持体の製造上及び取扱
い上、更には機械的強度等の点から、通常は、１０μｍ
以上とされる。 【００２０】支持体表面は、光導電部材の均一性を保つ
ために例えば鏡面化切削加工等により鏡面仕上げが施さ
れ、また、感光体を光源としてレーザー光等の可干渉性
単色光を使用するデジタル画像情報記録に使用する場合
に、干渉縞模様を防止するためなどに、例えば旋盤、フ
ライス盤等を用いたダイヤモンド切削等機械的精密加工
あるいは化学エッチング等他の精密加工により規則的乃
至は不規則の例えば螺旋状の微細な凹凸が付される。 【００２１】電荷注入阻止層は、例えば水素原子及び／
又はハロゲン原子を含有するａ−Ｓｉで構成されると共
に、伝導性を支配する物質として、通常半導体の不純物
として用いられる周期律表第III 族乃至は第Ｖ族に属す
る元素の原子が含有される。電荷注入阻止層の層厚は、
好ましくは０．０１〜１０μｍ、より好適には０．０５
〜８μｍ、最適には０．０７〜５μｍとされるのが望ま
しい。 【００２２】電荷注入阻止層の代りに、例えばＡｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ポリカーボネート等の電気
絶縁材料から成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電
荷注入阻止層と障壁層とを併用することもできる。 【００２３】光導電層は、例えば水素原子とハロゲン原
子を含有するａ−Ｓｉで構成され、所望により電荷注入
阻止層に用いるのとは別種の伝導性を支配する物質が含
有される。光導電層の層厚は、好ましくは１〜１００μ
ｍ、より好適には１〜８０μｍ、最適には２〜５０μｍ
とされるのが望ましい。 【００２４】表面保護層は、例えばＳｉＣX ，ＳｉＮX
等で構成され、層厚は、好ましくは０．０１〜１０μ
ｍ、より好適には０．０２〜５μｍ、最適には０．０４
〜５μｍとされるのが望ましい。 【００２５】本発明において、ａ−Ｓｉで構成される光
導電層等を形成するには、例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、あるいはイオンプレーティング法等の従来
公知の種々の放電現象を利用する真空堆積法が適用され
る。 【００２６】次にグロー放電分解法による光導電部材の
製造法の１例について説明する。 【００２７】図１にグロー放電分解法による光導電部材
の製造装置を示す。堆積槽１は、ベースプレート２と槽
壁３とトッププレート４から構成され、この堆積槽１内
には、カソード電極５が設けられており、ａ−Ｓｉ堆積
膜が形成される特定の組成を有するアルミニウム合金製
のドラム状支持体６はカソード電極５の中央部に設置さ
れ、アノード電極としての役割も兼ねている。 【００２８】この製造装置を使用してａ−Ｓｉ堆積膜を
ドラム状支持体上に形成するには、まず、原料ガス流入
バルブ７及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開
け、堆積槽１内を排気する。真空計１０の読みが約５×
１０-6ｔｏｒｒになった時点で原料ガス流入バルブ７を
開いて、マスフローコントローラー１１内で所定の混合
比に調整された、例えばＳｉＨ4 ガス、Ｓｉ2 Ｈ6 ガ
ス、ＳｉＦ4 ガス等の原料混合ガスを堆積槽１内に流入
させる。このとき、堆積槽１内の圧力が所望の値になる
様に真空計１０の読みを見ながら、排気バルブ９の開口
度を調整する。そしてドラム状支持体６の表面温度が加
熱ヒーター１２により所定の温度に設定されていること
を確認した後、高周波電源１３を所望の電力に設定して
堆積槽１内にグロー放電を生起させる。 【００２９】また、層形成を行なっている間は、層形成
の均一化を図るためにドラム状支持体６をモータ１４に
より一定速度で回転させる。このようにしてドラム状支
持体６上に、ａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができる。 【００３０】 【実施例】以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明
する。 【００３１】（実施例１〜３、比較例１，２） 精密切削用のエアーダンパー付旋盤 （ＰＮＥＵＭＯ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＩＮＣ．製）
に、先端部曲率０．０１（ｍｍ-1）のダイヤモンドバイ
トを、シリンダー中心角に対して５°の負のすくい角を
得る様にセットした。次にこの旋盤の回転軸フランジ
に、表１に示した水素含量の異なる５種のＡｌ−Ｍｇ系
アルミニウム合金製シリンダー（Ｍｇ含量はいずれも４
重量％、Ｆｅ含量は２０００ｐｐｍ以下）を真空チャッ
クし、付設したノズルからの白燈油噴霧、同じく付設し
た真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、周速１
０００（ｍ／ｍｉｎ）、送り速度０．０１（ｍｍ／Ｒ）
の条件で、外径が８０ｍｍΦとなる様鏡面切削を施し
た。このようにして鏡面加工したシリンダーにつき、鏡
面加工後に生じている表面欠陥（エグレ状の傷、ひび割
れ、空孔により生ずるスジ状キズ）を目視及び金属顕微
鏡により検査し、その数を調べた。なお、シリンダーに
含有される水素の量は作製したシリンダーの一部を切り
とり、これをサンプルとし、ラボラトリー・イクイップ
メンツ・コーポレーション製ＲＨ−１Ｅ型を用い、その
仕様書に従って測定した。 【００３２】次に、これらの鏡面加工したアルミニウム
合金製シリンダーのそれぞれの上に、図１に示した光導
電部材の製造装置を用い、先に詳述したグロー放電分解
法に従い、下記の条件により光導電部材を作製した。 【００３３】 堆積膜の積層順序 使用原料ガス 膜厚（μｍ） ───────── ───────── ─────── 電荷注入阻止層 ＳｉＨ4 ／Ｂ2 Ｈ6 ０．６ 光導電層 ＳｉＨ4 ２０ 表保護層 ＳｉＨ4 ／Ｃ2 Ｈ4 ０．１ アルミニウムシリンダー温度：２５０℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧：０．３Ｔｏｒｒ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形成速度：２０Å／ｓｅｃ 放電電力：０．１８Ｗ／ｃｍ2 こうして得られた各電子写真感光体ドラムを、キヤノン
（株）製４００ＲＥ複写装置に設置して画出しを行な
い、白点状の画像欠陥（０．３ｍｍΦ以上）の評価を施
した。これらの評化結果を表１に示した。 【００３４】なお、実施例１〜３の各電子写真感光体ド
ラムについては、更に１００万枚の耐久試験を、２３℃
／相対湿度５０％、３０℃／相対湿度９０％、５℃／相
対湿度２０％の各環境下で実施したが、画像欠陥、特に
白抜け等の欠陥の増加もなく、良好な耐久性を有してい
ることが確認された。 【００３５】 【表１】 （＊１：欠陥数は目視検査による（顕微鏡観察では５μｍで あるものがスジ状となって目視できる。） （実施例４〜６、比較例３〜５）Ａｌ−Ｍｇ系アルミニ
ウム合金の代りに、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ
系、及び、純アルミニウム系のアルミニウム合金（Ｆｅ
含量は何れも１０００ｐｐｍ以下）を用いた以外は、実
施例１と同一のアルミニウム合金製シリンダー並びに光
導電部材を作製した。 【００３６】かくして得られたシリンダーの鏡面化過程
で発生した欠陥数並びに画出しを行なった際の画像欠陥
を実施例１と同様に評価し、結果を表２に示した。 【００３７】 【表２】 （＊１：欠陥数は目視検査による（顕微鏡観察では５μｍで あるものがスジ状となって目視できる。） 【００３８】 【発明の効果】本発明のアルミニウム合金によれば、含
有する水素による空孔（Blister）等の組織異常が抑制
され、乃至は全くなくなり、精密加工による加工性の低
下や加工製品の所望される特性の劣化が抑えられるた
め、精密加工が必要とされる電子写真用光導電部材、つ
まり、精密加工による正確な表面形状が望まれる電子写
真用光導電部材の構成部材として好適である。 【００３９】また、このアルミニウム合金を引抜加工し
て得られる管材は、正確な表面形状並びに高い寸法精度
が得られるため、とりわけ電子写真感光体（電子写真用
光導電部材）ドラムの支持体のような精密な管状構成部
材を構成するのに好適である。 【００４０】加えて、本発明のアルミニウム合金を使用
することによって切削加工を施しても表面欠陥を生じる
ことがなくなり、ひび割れ、エグレ状の傷、微細な凹凸
あるいは空孔により発生するスジ状傷の発生がなくなり
アモルファスシリコン膜の均一性が向上し、柱状構造や
球状突起の形成の問題を解決することができる。更に、
本発明のアルミニウム合金をドラム状支持体として用い
た光導電部材は、電気的、光学的乃至は光導電的特性の
均一性に優れ、電子写真用として用いた場合、画像欠陥
が少なく、高品質な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】グロー放電分解法による光導電部材の製造工程
を示した図である。 【符号の説明】 １ 堆積槽 ２ ベースプレート ３ 槽壁 ４ トッププレート ５ カソード電極 ６ ドラム状支持体 ７ 原料ガス流入バルブ ８ リークバルブ ９ 排気バルブ １０ 真空計 １１ マスフローコントローラ １２ 加熱ヒーター １３ 高周波電源 １４ モータ
を示した図である。 【符号の説明】 １ 堆積槽 ２ ベースプレート ３ 槽壁 ４ トッププレート ５ カソード電極 ６ ドラム状支持体 ７ 原料ガス流入バルブ ８ リークバルブ ９ 排気バルブ １０ 真空計 １１ マスフローコントローラ １２ 加熱ヒーター １３ 高周波電源 １４ モータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭59−193463（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−35544（ＪＰ，Ａ)
「アルミニウムおよびアルミニウム合
金の溶湯処理について」1980年３月、軽
金属学会研究委員会、ｐ．１−３
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．アルミニウムを基質とし、含有する水素の量がアル
ミニウム１００グラムに対して１．０cc以下であるアル
ミニウム合金の表面を切削加工工程を経て形成された電
子写真用光導電部材として必要な平面状態であるＲｍａ
ｘが１．０μｍ以下とされたドラム状支持体上にグロー
放電分解法によって形成されたアモルファスシリコンを
有する光導電層を形成する工程を有することを特徴とす
る電子写真用光導電部材の製造方法。 ２．ドラム状支持体がアルミニウム合金を塑性加工する
工程を経て形成されることを含む請求項１に記載の電子
写真用光導電部材の製造方法。 ３． ドラム状支持体がアルミニウム合金を精密加工す
る工程を経て形成されることを含む請求項１に記載の電
子写真用光導電部材の製造方法。 ４．塑性加工が圧延加工または押し出し加工である請求
項２に記載の電子写真用光導電部材の製造方法。 ５．ドラム状支持体がアルミニウム合金を鏡面仕上加工
する工程を経て形成されることを含む請求項１に記載の
電子写真用光導電部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328738A JP2830933B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 電子写真用光導電部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328738A JP2830933B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 電子写真用光導電部材の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59260686A Division JPH0615699B2 (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08211642A JPH08211642A (ja) | 1996-08-20 |
| JP2830933B2 true JP2830933B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=18213630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328738A Expired - Lifetime JP2830933B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 電子写真用光導電部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830933B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193463A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP7328738A patent/JP2830933B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「アルミニウムおよびアルミニウム合金の溶湯処理について」１９８０年３月、軽金属学会研究委員会、ｐ．１−３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08211642A (ja) | 1996-08-20 |
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|---|---|---|---|
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