JPS63215909A - 断面測定方法 - Google Patents
断面測定方法Info
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- JPS63215909A JPS63215909A JP4769887A JP4769887A JPS63215909A JP S63215909 A JPS63215909 A JP S63215909A JP 4769887 A JP4769887 A JP 4769887A JP 4769887 A JP4769887 A JP 4769887A JP S63215909 A JPS63215909 A JP S63215909A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は試料の表面に垂直な直線を２軸とするｘ−ｙ
−ｚ直角座標を想定しＸ−２平面により゛この試料を切
断すると仮定したとき、Ｘ−Ｚ平面と試料の表面とが交
わる線によって形成される断面の形状を測定し、試料平
面の平滑度などを検出する断面測定方法に関し、特に断
面が急峻なエツジを含む場合の処理に関するものである
。
−ｚ直角座標を想定しＸ−２平面により゛この試料を切
断すると仮定したとき、Ｘ−Ｚ平面と試料の表面とが交
わる線によって形成される断面の形状を測定し、試料平
面の平滑度などを検出する断面測定方法に関し、特に断
面が急峻なエツジを含む場合の処理に関するものである
。
従来のこの種の方法は第３図に示すものがありた。第３
図は従来の電子ビームを利用する断面測定方法の構成を
示す断面図で、図において（１）は試料表面、（２）は
電子ビーム、（３ｊＬ） 、 （３ｂ）はそれぞれ検出
器であって、近年では反射電子検出器のかわりに二次電
子検出器を用い、電子ビームの衝突によって発生した二
次電子を検出する。また第３図（Ａ）は電子ビーム（２
）の入射点において断面がＸ軸方向に平行な場合、第３
図（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ断面がＸ軸方向に対し傾斜
している場合を示す（但しＸ軸方向とは断面の平均的な
方向である）。また、この場合、電子ビーム（２）の方
向はＺ軸方向であるとする。通常、断面プロファイルを
得るにはＸ−Ｙ平面に投影した投影図においては電子ビ
ームの入射点から互いに９０°ずれた方向にある検出器
２個を使用する。即ち、第３図に示す実施例では検出器
（３ａ） 、 （３ｂ）はＸ−２平面に投影した投影図
においても電子ビームの入射点から互いに９０°ずれた
方向にあり、ｘ−ｙ平面に投影した投影図忙おいても電
子ビームの入射点から互いに９０°ずれた方向にあるも
のとする。検出器（３ａ）の検出出力なＶａ、 （３ｂ
）の検出出力を九とすると、第３図（Ａ）の場合Ｖａ−
Ｖｂ、第３図（Ｂ） Ｏ場合Ｖａ ＜ Ｖｂ 、第３図
（Ｃ） ＋７）場合Ｖａ ＞ Ｖｂであり、（Ｖａ −
Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ）の値は電子ビーム（２
）が試料に入射する点における当該断面のＸ軸方向に対
する角度θ（θを断面の傾斜角という）の関数であり、
この関数関係はあらかじめ測定できるので、Ｖａの値及
び■の値を測定すれば断面の傾斜角θを決定することが
でき、サンプリング点を微小な間隔△ｘごとに定め各サ
ンプリング点ごとの傾斜角θを測定すれば、△ｘ ｔａ
ｎθを積分することＫよって各サンプリング点の凹凸を
決定することができる。第４図はθと（Ｖａ −Ｖｂ
） ／ （Ｖａ−４−ｖｂ）との関係を測定した実験結
果を示す図で、第４図において横軸はθ、縦軸は（Ｖａ
−Ｖｂ ） ／（Ｖａ−）−Ｖｂ ）の絶対値を表
す。第４図に示すとおりθが７５°以下の範囲内ではθ
と（Ｖａ −Ｖｂ ） ／（Ｖａ−）−Ｖｂ ） ノ
値ハホホ比例スル。ｅ ト（Ｖａ −Ｖｂ）／ （Ｖａ
＋Ｖｂ ）の値がほぼ比例関係にある範囲内でｌ （Ｖ
ａ −Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ） Ｉ の最高値
ヲ仮に所定数値トｆルトＩ （Ｖａ−＝Ｎ’ｂ ）／
（Ｖａ＋Ｖｂ ） Ｉ カ所定数値を超過する領域では
（Ｖａ −’ｖ′ｂ ） ／ （Ｖａ−４−ｖｂ）の１
つの値に対し２つのθの値が対応するのでこのような領
域は使用することかできない。
図は従来の電子ビームを利用する断面測定方法の構成を
示す断面図で、図において（１）は試料表面、（２）は
電子ビーム、（３ｊＬ） 、 （３ｂ）はそれぞれ検出
器であって、近年では反射電子検出器のかわりに二次電
子検出器を用い、電子ビームの衝突によって発生した二
次電子を検出する。また第３図（Ａ）は電子ビーム（２
）の入射点において断面がＸ軸方向に平行な場合、第３
図（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ断面がＸ軸方向に対し傾斜
している場合を示す（但しＸ軸方向とは断面の平均的な
方向である）。また、この場合、電子ビーム（２）の方
向はＺ軸方向であるとする。通常、断面プロファイルを
得るにはＸ−Ｙ平面に投影した投影図においては電子ビ
ームの入射点から互いに９０°ずれた方向にある検出器
２個を使用する。即ち、第３図に示す実施例では検出器
（３ａ） 、 （３ｂ）はＸ−２平面に投影した投影図
においても電子ビームの入射点から互いに９０°ずれた
方向にあり、ｘ−ｙ平面に投影した投影図忙おいても電
子ビームの入射点から互いに９０°ずれた方向にあるも
のとする。検出器（３ａ）の検出出力なＶａ、 （３ｂ
）の検出出力を九とすると、第３図（Ａ）の場合Ｖａ−
Ｖｂ、第３図（Ｂ） Ｏ場合Ｖａ ＜ Ｖｂ 、第３図
（Ｃ） ＋７）場合Ｖａ ＞ Ｖｂであり、（Ｖａ −
Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ）の値は電子ビーム（２
）が試料に入射する点における当該断面のＸ軸方向に対
する角度θ（θを断面の傾斜角という）の関数であり、
この関数関係はあらかじめ測定できるので、Ｖａの値及
び■の値を測定すれば断面の傾斜角θを決定することが
でき、サンプリング点を微小な間隔△ｘごとに定め各サ
ンプリング点ごとの傾斜角θを測定すれば、△ｘ ｔａ
ｎθを積分することＫよって各サンプリング点の凹凸を
決定することができる。第４図はθと（Ｖａ −Ｖｂ
） ／ （Ｖａ−４−ｖｂ）との関係を測定した実験結
果を示す図で、第４図において横軸はθ、縦軸は（Ｖａ
−Ｖｂ ） ／（Ｖａ−）−Ｖｂ ）の絶対値を表
す。第４図に示すとおりθが７５°以下の範囲内ではθ
と（Ｖａ −Ｖｂ ） ／（Ｖａ−）−Ｖｂ ） ノ
値ハホホ比例スル。ｅ ト（Ｖａ −Ｖｂ）／ （Ｖａ
＋Ｖｂ ）の値がほぼ比例関係にある範囲内でｌ （Ｖ
ａ −Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ） Ｉ の最高値
ヲ仮に所定数値トｆルトＩ （Ｖａ−＝Ｎ’ｂ ）／
（Ｖａ＋Ｖｂ ） Ｉ カ所定数値を超過する領域では
（Ｖａ −’ｖ′ｂ ） ／ （Ｖａ−４−ｖｂ）の１
つの値に対し２つのθの値が対応するのでこのような領
域は使用することかできない。
ｔ タ実験Ｋ ヨｔＬハ（Ｖａ −Ｖｂ ） ／ （Ｖ
ａ＋Ｖｂ ） の値は、Ｘ−Ｚ平面内における電子ビー
ムの方向と、Ｘ−２平面内における断面の方向との相対
的な関係によって定まることが知られており、従って電
子ビーム（２）の方向が２軸方向から偏る場合、第４図
のθは断面の傾斜角から電子ビーム（２）のＺ軸方向か
らの偏角を差し引いた相対的な角度として見ればよい。
ａ＋Ｖｂ ） の値は、Ｘ−Ｚ平面内における電子ビー
ムの方向と、Ｘ−２平面内における断面の方向との相対
的な関係によって定まることが知られており、従って電
子ビーム（２）の方向が２軸方向から偏る場合、第４図
のθは断面の傾斜角から電子ビーム（２）のＺ軸方向か
らの偏角を差し引いた相対的な角度として見ればよい。
従来の測定方法は以上のように実行されるので、第５図
に示すような急峻なエツジが存在する断面においては測
定結果が不正確になる。第５図において第３図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、（１１）、（１２）はＸ
軸方向となす傾斜角θが９０°、２７０゜（−−９０°
）近傍の急峻なエツジであるとする。
に示すような急峻なエツジが存在する断面においては測
定結果が不正確になる。第５図において第３図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、（１１）、（１２）はＸ
軸方向となす傾斜角θが９０°、２７０゜（−−９０°
）近傍の急峻なエツジであるとする。
第４図について先に説明したように、このようなエツジ
（１１）、（１２）における測定値に対しては１（Ｖａ
−Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ） ｌが上述の所定
数値を超過するので、そのサンプリング点のデータは信
用できない。この場合、そのサンプリング点のデータを
無効にするか、又はそのサンプリング点の傾斜角を７５
°と仮定して処理しなければならない。
（１１）、（１２）における測定値に対しては１（Ｖａ
−Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ ） ｌが上述の所定
数値を超過するので、そのサンプリング点のデータは信
用できない。この場合、そのサンプリング点のデータを
無効にするか、又はそのサンプリング点の傾斜角を７５
°と仮定して処理しなければならない。
第５図において、断面（１）の（１１）、（１２）のサ
ンプリング点のデータを無効にすると、断面（１）のう
ち（１０１） 、 （１０２） 、 （１０３）に示す
部分の形状はそれぞれ独立に決定することができるが、
エツジ（１１） 。
ンプリング点のデータを無効にすると、断面（１）のう
ち（１０１） 、 （１０２） 、 （１０３）に示す
部分の形状はそれぞれ独立に決定することができるが、
エツジ（１１） 。
（１２）の高さを決定することができなｈため、これら
の部分（１０１） 、 （１０２） 、 （１０３）
ｆ） 相対的すＺ 方向ＩＣ対する位置関係を決定する
ことができない。また、これら異常サンプリング点の傾
斜角を７５°と仮定して処理すると誤ったプロファイル
の形状を得るという問題点があった。
の部分（１０１） 、 （１０２） 、 （１０３）
ｆ） 相対的すＺ 方向ＩＣ対する位置関係を決定する
ことができない。また、これら異常サンプリング点の傾
斜角を７５°と仮定して処理すると誤ったプロファイル
の形状を得るという問題点があった。
この発明の測定方法では、（Ｖａ −Ｖｂ ） ／ （
Ｖａ＋ｖｂ）の絶対値が所定値以上になった異常サンプ
リング点に関しては、測定対象断面と電子ビームとの間
の相対角度を＋φ又は−φ（φは予め定める角度）だけ
変化させて、この相対的に傾斜した断面に対し上記異常
サンプリング点を含む所定個数のサンプリング点に対す
る断面測定を実行してその部分の傾斜プロファイルを作
成した後、その傾斜プロファイルから角度φを復元して
総合的なプロファイルを合成することとした。
Ｖａ＋ｖｂ）の絶対値が所定値以上になった異常サンプ
リング点に関しては、測定対象断面と電子ビームとの間
の相対角度を＋φ又は−φ（φは予め定める角度）だけ
変化させて、この相対的に傾斜した断面に対し上記異常
サンプリング点を含む所定個数のサンプリング点に対す
る断面測定を実行してその部分の傾斜プロファイルを作
成した後、その傾斜プロファイルから角度φを復元して
総合的なプロファイルを合成することとした。
断面の傾斜角θが大きすぎる場合、断面をφだけ傾斜さ
せることにより、測定対象の傾斜角はθ−φとなシ、測
定精度を向上することができる。
せることにより、測定対象の傾斜角はθ−φとなシ、測
定精度を向上することができる。
〔実施例〕
以下、図面によってこの発明の詳細な説明する。第５図
に示す測定対象断面（１） Ｋ対しＸｓからＸｅまでの
サンプリング点についての測定を行ったところ、ＸＳか
らＸｓマでの（１０１）の部分、Ｘ禦からＸｓまでの（
１０３）の部分、Ｘ４からＸｅまでの（１０２）の部分
では信頼できる測定結果が得られ、Ｘｓ点の２軸方向の
位置を零としたときのＸ８点の２軸方向の位置Ｚ、、Ｘ
、 点の２軸方向の位置を零としたときのＸ１点の２
軸方向の位置ｚ１、Ｘ４点の２軸方向の位置を零とした
ときのＸｅ点の２軸方向の位置Ｚｅは正確に決定するこ
とができたが、従来の方法ではエツジ（１１）及び（１
２）の近傍でそれぞれ単数又は複数の異常サンプリング
点が検出され、そのデータを捨てた為Ｘ１点とＸ！点と
の２軸方向の相対位置及びＸ１点とＸ４点との２軸方向
の相対位置が決定できなかったとする。
に示す測定対象断面（１） Ｋ対しＸｓからＸｅまでの
サンプリング点についての測定を行ったところ、ＸＳか
らＸｓマでの（１０１）の部分、Ｘ禦からＸｓまでの（
１０３）の部分、Ｘ４からＸｅまでの（１０２）の部分
では信頼できる測定結果が得られ、Ｘｓ点の２軸方向の
位置を零としたときのＸ８点の２軸方向の位置Ｚ、、Ｘ
、 点の２軸方向の位置を零としたときのＸ１点の２
軸方向の位置ｚ１、Ｘ４点の２軸方向の位置を零とした
ときのＸｅ点の２軸方向の位置Ｚｅは正確に決定するこ
とができたが、従来の方法ではエツジ（１１）及び（１
２）の近傍でそれぞれ単数又は複数の異常サンプリング
点が検出され、そのデータを捨てた為Ｘ１点とＸ！点と
の２軸方向の相対位置及びＸ１点とＸ４点との２軸方向
の相対位置が決定できなかったとする。
そのような場合、この発明では断面（１）をＸ軸に対し
φだけ傾斜させ第１図（Ａ）に示す状態にしてサンプリ
ング点ＸＩからＸ、まで（傾斜させた座標に関してはＸ
Ｉ、点からＸ′１点まで）の測定を行い、仮にＸＩ、点
の２軸方向の位置ｚＩを零として第３図（Ｂ）に示す傾
斜プロファイルを作成し、この傾斜プロファイルをｘ−
ｘ’、 、 ｚ−ｚ’、 の点を原点廻してφだけ逆
に回転し第１図（Ｃ）に示す復元プロファイルを得る。
φだけ傾斜させ第１図（Ａ）に示す状態にしてサンプリ
ング点ＸＩからＸ、まで（傾斜させた座標に関してはＸ
Ｉ、点からＸ′１点まで）の測定を行い、仮にＸＩ、点
の２軸方向の位置ｚＩを零として第３図（Ｂ）に示す傾
斜プロファイルを作成し、この傾斜プロファイルをｘ−
ｘ’、 、 ｚ−ｚ’、 の点を原点廻してφだけ逆
に回転し第１図（Ｃ）に示す復元プロファイルを得る。
このような座標軸回転の演算は電子計算機のプログラム
制御により容易に行う仁とができるが、このような座標
軸回転演算によって得られたＸ！点の２の値ｚｔがＸ１
点の２の値に対する相対的な値である。
制御により容易に行う仁とができるが、このような座標
軸回転演算によって得られたＸ！点の２の値ｚｔがＸ１
点の２の値に対する相対的な値である。
Ｘｓ点（仮にＸｓ点を基準点とする）の２軸方向の位置
を零とすれば部分（１０１）の測定によりＸ３点のＺ軸
方向の位置２．は決定されているので、第１図（Ｃ）の
Ｘ８点の２．を零でな（Ｚ、 として第１図（Ｃ）に
示す部分のプロファイルを２軸方向に平行移動すること
により部分（１０１）と部分（１０３）とを接続するこ
とができる。
を零とすれば部分（１０１）の測定によりＸ３点のＺ軸
方向の位置２．は決定されているので、第１図（Ｃ）の
Ｘ８点の２．を零でな（Ｚ、 として第１図（Ｃ）に
示す部分のプロファイルを２軸方向に平行移動すること
により部分（１０１）と部分（１０３）とを接続するこ
とができる。
同様な処理により部分（１０３）と部分（１０２）とを
接続することができるが、エツジ（１１）における（
Ｖａ −Ｖｂ ） ／ （Ｖａ−）−Ｖｂ ）が負の値
になるのに対し、エツジ（１２）における値が正の値と
なるので、この事実に関してエツジ（１２）の近傍の異
常サンプリング点に対しては第３図とは逆方向に断面（
１）を傾斜させて測定する。
接続することができるが、エツジ（１１）における（
Ｖａ −Ｖｂ ） ／ （Ｖａ−）−Ｖｂ ）が負の値
になるのに対し、エツジ（１２）における値が正の値と
なるので、この事実に関してエツジ（１２）の近傍の異
常サンプリング点に対しては第３図とは逆方向に断面（
１）を傾斜させて測定する。
なお、第１図に示す実施例では電子ビーム（２）の方向
を２軸方向に固定したまま試料の断面の方向をＸ軸に対
しφだけ傾斜させたが、逆に試料の断面の方向をＸ軸方
向に固定したまま電子ビーム（２）の方向を２軸に対し
φだけ傾斜して測定しても同様な測定結果を得ることが
できる。
を２軸方向に固定したまま試料の断面の方向をＸ軸に対
しφだけ傾斜させたが、逆に試料の断面の方向をＸ軸方
向に固定したまま電子ビーム（２）の方向を２軸に対し
φだけ傾斜して測定しても同様な測定結果を得ることが
できる。
第２図はこの発明の他の実施例を示す説明図で、第１図
と同一符号は同−又は相当部分を示し、第１図に示す方
法に対して異なる点は測定対象断面（１）と検出器（３
ａ） 、 （３ｂ）との相対的な関係はもとのままの状
態に保って電子ビーム（２）を２軸方向からφだけ偏ら
せて、電子ビーム（２）の方向と測定対象断面（１）の
方向との相対角度を、第１図に示す関係と同様に設定し
たものであって、（Ｖａ−Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ
） ｅＤ値に関する限り第１図の場合と同様な測定結
果を得ることができる。
と同一符号は同−又は相当部分を示し、第１図に示す方
法に対して異なる点は測定対象断面（１）と検出器（３
ａ） 、 （３ｂ）との相対的な関係はもとのままの状
態に保って電子ビーム（２）を２軸方向からφだけ偏ら
せて、電子ビーム（２）の方向と測定対象断面（１）の
方向との相対角度を、第１図に示す関係と同様に設定し
たものであって、（Ｖａ−Ｖｂ ） ／ （Ｖａ＋Ｖｂ
） ｅＤ値に関する限り第１図の場合と同様な測定結
果を得ることができる。
尖鋭な焦点の電子ビームを試料の一点に入射させ、この
入射角度を変化させることはロッキング（ｒｏｃｋｉｎ
ｇ ）と称されて走査電子顕微鏡の技術分野ではよく知
られていることであるので２軸方向から傾斜させた電子
ビームによる走査についての詳細な説明は省略するが、
第２図に示す方法の方が第１図に示す方法よりも実行が
容易である。
入射角度を変化させることはロッキング（ｒｏｃｋｉｎ
ｇ ）と称されて走査電子顕微鏡の技術分野ではよく知
られていることであるので２軸方向から傾斜させた電子
ビームによる走査についての詳細な説明は省略するが、
第２図に示す方法の方が第１図に示す方法よりも実行が
容易である。
以上のようにこの発明によれば、試料の表面に急峻なエ
ツジが存在してその近傍のサンプリング点から異常な測
定結果が得られる場合においても、そのプロファイルを
正確に決定することができる。
ツジが存在してその近傍のサンプリング点から異常な測
定結果が得られる場合においても、そのプロファイルを
正確に決定することができる。
第１図はこの発明の一実施例を説明する説明図、第２図
はこの発明の他の実施例を説明する説明図、第３図は従
来の断面測定方法の構成を示す断面図、第４図は第３図
の方法を用いた実験結果を示す図、第５図はこの発明が
適用される断面の一例を示す説明図。 （１）は試料表面（測定対象断面）、（２）Ｆｉｆｆ、
子ビーム、（３ａ）、（３ｂ）はそれぞれ二次電子検出
器、（１１）、（１２）はそれぞれ急峻なエツジ。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すものと
する。 第１図 父、火。 第４図 第５図
はこの発明の他の実施例を説明する説明図、第３図は従
来の断面測定方法の構成を示す断面図、第４図は第３図
の方法を用いた実験結果を示す図、第５図はこの発明が
適用される断面の一例を示す説明図。 （１）は試料表面（測定対象断面）、（２）Ｆｉｆｆ、
子ビーム、（３ａ）、（３ｂ）はそれぞれ二次電子検出
器、（１１）、（１２）はそれぞれ急峻なエツジ。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すものと
する。 第１図 父、火。 第４図 第５図
Claims (3)
- （１）測定の対象となる試料表面に対し垂直な直線をＺ
軸とするＸ−Ｙ−Ｚ直角座標を想定しＸ−Ｚ平面により
上記試料を切断すると仮定した場合Ｘ−Ｚ平面と試料の
表面が交わる線によって形成される断面形状を測定する
ため、当該断面上のＸ軸方向に微小な間隔△ｘごとにサ
ンプリング点を設け、各サンプリング点に電子ビームを
入射してその点から放射する二次電子を互いに異なる２
方向（第１の方向及び第２の方向とする）において測定
し、第１の方向における測定値をＶａ、第２の方向にお
ける測定値をＶｂとするとき（Ｖａ−Ｖｂ）／（Ｖａ＋
Ｖｂ）の値から当該サンプリング点における断面のＸ軸
となす角θを決定し、すべてのサンプリング点に対して
△ｘｔａｎθを積分して各サンプリング点のＺ軸方向の
相対位置を算出する断面測定方法において、 （Ｖａ−Ｖｂ）／（Ｖａ＋Ｖｂ）の絶対値が所定数値を
超過する異常サンプリング点が検出されたときは、この
異常サンプリング点を除き、その前方部分と後方部分の
プロファイルを作成した後、当該断面の方向と上記電子
ビームの方向とを互いに直角な方向から（Ｖａ−Ｖｂ）
／（Ｖａ＋Ｖｂ）の正負に従って正又は負の方向に相対
的に所定角度量φだけ傾斜させる傾斜角設定段階、 傾斜角設定段階によりφだけ傾斜させた断面に対し、上
記異常サンプリング点を含む所定個数のサンプリング点
に関する断面測定を実行してφだけ傾斜した断面の上記
異常サンプリング点を含む部分の傾斜プロファイルを作
成する段階、 上記傾斜プロファイルからφの傾斜を復元した場合の復
元プロファイルを算出する段階、 上記復元プロファイルにおいて上記前方部分のプロファ
イルと共通なサンプリング点のＺ軸方向の相対位置を上
記前方部分のプロファイルにおける相対位置と一致させ
ることによって上記復元プロファイル上のすべてのサン
プリング点のＺ軸方向の相対位置を決定し、上記後方部
分のプロファイルにおいて上記復元プロファイルと共通
なサンプリング点のＺ軸方向の相対位置を上記復元プロ
ファイルにおける相対位置と一致させることによって上
記後方部分プロファイル上のすベてのサンプリング点の
Ｚ軸方向の相対位置を決定する段階、を備えたことを特
徴とする断面測定方法。 - （２）傾斜角設定段階は、電子ビームの方向をＺ軸方向
に固定したまま試料の断面の方向をＸ軸に対しφだけ傾
斜させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
断面測定方法。 - （３）傾斜角設定段階は、試料の断面の方向をＸ軸方向
に固定したまま電子ビームの方向をＺ軸に対しφだけ傾
斜させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
断面測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4769887A JPS63215909A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 断面測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4769887A JPS63215909A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 断面測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215909A true JPS63215909A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12782507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4769887A Pending JPS63215909A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 断面測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63215909A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150303A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-20 | Tokyo Daigaku | Surface form measuring device using scan-type electronic microscope |
| JPS58225306A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Jeol Ltd | 電子線照射による試料表面の幾何学的情報の記録又は表示方法 |
| JPS61138107A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Hitachi Ltd | パタ−ン形状評価装置 |
| JPS626112A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Tokyo Univ | 表面形状測定方法 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP4769887A patent/JPS63215909A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150303A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-20 | Tokyo Daigaku | Surface form measuring device using scan-type electronic microscope |
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