JPS63208541A - 二環式芳香族化合物、その製造法及びこれを含有する皮膚及び頭皮処置用組成物 - Google Patents

二環式芳香族化合物、その製造法及びこれを含有する皮膚及び頭皮処置用組成物

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JPS63208541A
JPS63208541A JP62268372A JP26837287A JPS63208541A JP S63208541 A JPS63208541 A JP S63208541A JP 62268372 A JP62268372 A JP 62268372A JP 26837287 A JP26837287 A JP 26837287A JP S63208541 A JPS63208541 A JP S63208541A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規二環式芳香族誘導体、それらの製造法及び
それらの化粧料、医薬又は動物薬としての使用に関する
ものである。
本発明に従う化合物は脂質の合成を阻害する活性を有す
るので、脂肪質の、すなわち脂ぎった外観を呈している
頭皮及び皮膚の処理、いわゆるトリートメント用の化粧
料としてきわめて興味あるものである。
これらの化合物はまた、炎症性成分による皮膚病等皮膚
への有害作用の局所的及び全身的処置において優れた活
性を示す。
本発明に従う二環式芳香族化合物は一般式：（式中、Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ，及びＲ４は互いに独立して水素原子又は
低級アルキル基を表わすが、Ｒ１ないしＲ４のうち少な
くとも２個の基は水素原子以外の基であるものとし；Ａ
は非置換又は低級アルキル置換メチレン又はジメチレン
基を表わし；Ａがジメチレン基を表わす場合にはＲ□及
びＲ３は一緒にメチレン基又はジメチレン基を形成し得
るものとし；Ｒ９及びＲ１は水素原子、ハロゲン原子、
低級アルキル基、低級アルコキシ基又はヒドロキシル基
を表わし、　Ｒ／は水素原子、ヒドロキシル基、低級ア
ルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ４アシルオキシ基又はアミノ基を
表わし；Ｒ′は水素原子又は低級アルコキシ基を表わし
；あるいはＲ′及びＲ′は一緒にオキソ（：０）、メタ
ノ（＝ＣＩ□）又はヒドロキシイミノ（＝Ｎ−０）１）
基を形成し；Ｂは非置換の又は置換されたシクロヘキシ
ル、シクロヘキセニル、シクロヘキサジェニル又はフＲ
８は水素原子、場合によっては置換基を有し得る炭素数
１〜２０個のアルキル、モノヒドロキシアルキル、ポリ
ヒドロキシアルキル、アリール又はアラルキル基又は糖
残基を表わし；ｒ′及びｒ′は水素原子、低級アルキル
、場合によってはへテロ原子によって中断されていても
よいモノヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル
、場合によっては置換されていてもよいアリール又はベ
ンジル基、アミノ酸残基又はアミノ糖残基を表わすか又
は−緒に複素環を形成する）によって表わされる二環式
芳香族化合物、それらの塩、それらの光学異性体及び互
変異性体、ただし２−〔（５，８−メタノ−５，６，７
゜８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息
香酸を除く、である化合物である。
低級アルキル基とは１〜６個の炭素原子をもつアルキル
基を意味するものである。
低級アルキル基又は２０個までの炭素原子をもつアルキ
ル基の例は特にメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、第３級ブチル、２−エチルヘキシル、オク
チル、ドデシル、ヘキサデシル及びオクタデシル基を包
含する。
モノヒドロキシアルキル基は２〜６個の炭素原子をもつ
かかる基を意味し、特に２−ヒドロキシエチル、２−ヒ
ドロキシプロピル又は２−ヒドロキシエトキシエチル基
を例示し得る。
ポリヒドロキシアルキル基は３〜６個の炭素原子をもつ
かかる基を意味し、たとえば２，３−ジヒドロキシプロ
ピル、１．３−ジヒドロキシ−２−プロピル又はペンタ
エリトリット残基をあげることができる。
低級アルコキシ基の代表的な例としてはメトキシ、イソ
プロポキシ、ブトキシ及び第３級ブトキシ基をあげるこ
とができる。
糖残基とはたとえばグルコース、マンノース。
エリトロース又はガラクトースから誘導されるような糖
の残基を意味する。
アミノ糖残基の代表的な例としてはグルコサミン、ガラ
クトサミン、マンノサミン又はメグルミンから誘導され
るようなアミノ糖残基をあげることができる。
基Ｂが置換フェニル核である場合、かかる置換基は３．
４．５．又は６位における低級アルキル、ハロゲン又は
アルコキシ基であることができる。
基ｒ′及びｒ′が一緒にそれらが結合している窒素原子
とともに複素環を形成する場合、かかる複素環基は好ま
しくはピペリジノ、ピペラジノ、モルホリノ、ピロリジ
ノ、又は４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジノ基で
ある。
本発明の化合物が塩の形で提供される場合、それは該化
合物が少なくとも１個の遊離の酸官能基を有する場合に
は亜鉛塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩又はア
ミン塩であることができ、あるいは該化合物が少なくと
も１個のアミン官能基を有する場合には無機酸又は有機
酸の塩、特に塩酸塩、臭化水素酸塩又はクエン酸塩であ
ることができる。
本発明に従う化合物は、Ｒ′及びＲ′が一緒にオキソ基
を形成しモしてＲがカルボン酸官能基又はアミド官能基
を表わす場合には、互変異性体の形で存在し得る。
したがって、下記の式（ｎ）の化合物は環式ラクトン（
ＩＩＩ）の形で表わすことができる。
（Ｉ［）　　　　　　　　　　　（ｍ）同様に、式（Ｉ
Ｖ）の化合物は式（Ｖ）のラクタム互変異性体の形で存
在し得る。
（ｍＶ）　　　　　　　　　　（Ｖ） 式（１）の化合物の中で、本発明の特に好ましい化合物
として、つぎの一般式： （式中、Ｒ′及びＲ′は一緒にオキソ基（二〇）を形成
するか又はＲ′がヒドロキシル基をそしてＲ′が水素原
は炭素数１〜１２個のアルキル基を表わし；ｒ′は水素
原子又はモノヒドロキシアルキル基を表わしそしてｒ′
は炭素数１〜８個のアルキル基、場合によってはへテロ
原子によって中断されていてもよいモノヒドロキシアル
キル基又はポリヒドロキシアルキル基を表わすかあるい
はｒ′及びｒ′は一緒に隣接する窒素原子とともに４−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジニル基を表わす）に
よって表わされる化合物及びそれらの塩をあげることが
できる。
本発明に従う式（１）の化合物の中で代表的な化合物を
以下に列挙する。
（１）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸；（２）Ｎ−エチル２−〔（５，５，８，８
−テトラメチル−５，６，７゜８−テトラヒドロ−２−
ナフチル）カルボニル〕ベンズアミド； （３）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
）安息香酸メチル； （４）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸２−エチルヘキシル； （５）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸ナトリウム； （６）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸亜鉛； （７）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
］ベンズアルデヒド； （８）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
メチル〕フェニルカルビノール （９）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
メチル）安息香酸； （１０）Ｎ−４’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
ノ２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７
，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕ベン
ズアミド；（１１）２−〔（５，５，８，８−テトラメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）
エトキシメチル〕安息香酸； （１２）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
−インダニル）ヒドロキシメチル〕安息香酸； （１３）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
−インダニル）−２−エテニル〕安息香酸； （１４）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
−インダニル）カルボニル〕安息香酸； （１５）Ｎ−エチル２−（１，１，２，３，３−ペンタ
メチル−５−インダニル）カルボニル〕ベンズアミド；
（１６）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
−インダニル）カルボニル〕安息香酸エチル： （１７）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
−インダニル）カルボニル〕安息香酸２−エチルヘキシ
ル；（１８）２−（１，１，２，３，３−ペンタメチル
−５−インダニル）カルボニル〕安息香酸ナトリウム； （１９）Ｎ−４’−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
ノ２−〔１，１，２，３．３−ペンタメチル−５−イン
ダニル）カルボニル〕ベンズアミド； （２０）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
インダニル）ヒドロキシメチル〕安息香酸； （２１）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
インダニル）カルボニル〕安息香酸； （２２）Ｎ−エチル２−〔（１，１，３，３−テトラメ
チル−５−インダニル）カルボニル〕ベンズアミド； （２３）Ｎ−４ζ（２−，，，ド。ヤツェチ駒ピ、っジ
、阿〔１，１，３．３−テトラメチル−５−インダニル
）カルボニル〕ベンズアミド； （２４）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
インダニル）カルボニル〕安息香酸亜鉛； （２５）２−〔（５，８−メタノ−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸エチ
ル＝（２６）Ｎ−エチル２−〔（５，８−メタノ−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕ベンズアミド；（２７）２−〔（５，８−メタノ−５
，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキ
シメチル〕安息香酸；（２８）２−〔（１，４−ジメト
キシ−５，８−メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ
−２−ナフチル）ヒドロキシメチル〕安息香酸； （２９）２−〔（１，４−ジメトキシ−５，８−メタノ
−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カル
ボニル〕安息香酸； （３０）Ｎ−エチル゛γ（１，４−ジメトキシ−５，８
−メタノ−５゜６．７．８−テトラヒドロ−２−ナフチ
ル）カルボニル〕ベンズアミド； （３１）Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ−ブチル２−　〔（５、５、８
、８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
２−ナフチル）カルボニル〕ベンズアミド； （３２）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
コシクロヘキサンカルボン酸； （３３）２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル−
５−インダニル）カルボニル省−シクロヘキセン−１−
カルボン酸；（３４）Ｎ、Ｎ−ジ（Ｚ−ヒドロキシエチ
ル）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，
７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕ベ
ンズアミド； （３５）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
コシクロヘキサンカルボン酸ナトリウム； （３６）２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル−
５−インダニル）カルボニルコシクロヘキサンカルボン
酸；（３７）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−
５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボ
ニルコシクロヘキサンカルボン酸エチル； （３８）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
メチルコシクロヘキサンカルボン酸； （３９）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
メチルコシクロヘキサンカルボン酸ナトリウム； （４０）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸エチル； （４１）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）メチル〕安
息香酸；（４２）２−〔（５，５，８，８−テトラメチ
ル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カ
ルボニル〕安息香酸亜鉛；及び （４３）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
コシクロヘキサンカルボン酸亜鉛。
本発明はさらに式（１）の二環式芳香族化合物の製造法
をも目的とするものである。
本発明に従えば、これらの化合物はつぎの反応工程に従
って製造することができる。
（以下余白） これらの化合物はフリーデル−クラフッ反応の条件下で
置換酸ハライド（１）又は酸無水物（２）と二環式芳香
族化合物（３）とを縮合させる第一工程において得られ
る。
この縮合反応は構造式（２）の内部無水物を使用して、
塩化アルミニウム又は塩化錫のようなルイス酸の存在下
、１，２−ジクロルエタンのような塩素系溶剤中で行な
うことが好ましい。
式（３）の出発物質である二環式芳香族化合物の例とし
ては、１，１，４，４−テトラメチル−１，２，３，４
−テトラヒドロナフタリン（Ｊ、　Ａ、　Ｃ，Ｓ、、録
、　３６−４４（１９４０）に記載されている）、１．
４−メタノ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタリン
又はベンゾノルボルネン（Ｊ、　Ｏ，Ｃ，，３２，８９
３−９０１（１９６７）に記載されている）。
５．８−ジヒドロキシ−１，４−メタノ−１，２，３，
４−テトラヒドロナフタリン（商業的に入手可能な化合
物）、１゜１．３，３．−テトラメチルインダン及び１
，１，２，３．３−ペンタメチルインダン（フランス特
許第１，３９２，８０４号明細書に記載されている）を
あげることができる。
式（４）及び（５）の化合物から、特に式（５）のケト
の 酸から、本発明に従う別の化合物を下記か→反応工程に
従って製造することができる。
（以下余白） １１、　　、　　Ｋ４％ したがって、たとえばテトラヒドロフランのような溶剤
中における水素化ホウ素ナトリウムによる還元又はアル
カリ性媒質中における亜鉛による還元によれば式（６）
の第２級アルコールを得ることができる。
塩酸の存在下、亜鉛アマルガムを使用するクレメンゼン
還元によれば式（７）の化合物を得ることができる。
テトラヒドロフラン中において水素化リチウムアルミニ
ウムを使用する還元法によれば式（８）のジオールを得
ることができる。
式（８）のジオール類から出発してピリジニウムクロル
クロメート（ｐ、ｃ、ｃ、）を用いる酸化法を適用すれ
ば式（９）のケトアルデヒドを得ることができる。
式（１）の化合物のアシルオキシ誘導体（Ｒ′；アシル
オキシ基；Ｒ’＝ｌＩ）は酸の活性化体、たとえば酸無
水物又は酸塩化物をＲ’＝ＯＨ１Ｒ’＝Ｈである本発明
の化合物と反応させることによって製造される。
式（１）の化合物のフルコキシ誘導体（Ｒ′＝アルコキ
シ基、　Ｒ’＝Ｉ＋）は同様にＲ’＝ＯＨ，Ｒ’＝Ｈで
ある式（１）の化合物から出発して既知の方法に従って
製造される。
Ｒ′及びＲ′が一緒にメタノ基（ＣＨＩ−）を形成する
式（１）の化合物はメチルトリフェニルホスホニウムブ
ロマイドを塩基性媒質中でＲ′及びＲ′が一緒にオキソ
基を形成する式（１）のカルボニル化合物と反応させる
ことによって製造される。
Ｒ′及びＲ′が一緒にヒドロキシイミノ基を形成する式
（Ｉ）の化合物はたとえばエタノールのような有機溶剤
中でヒドロキシルアミン塩徴塩と対応ずカルボニル化合
物とを炭酸水素ナトリウムのような無機塩基又はトリエ
チルアミンのような有機塩基の存在下で反応させること
によって製造される。
これらのヒドロキシイミノ誘導体は対応するアミン（Ｒ
’＝ＮＨ，、Ｒ’＝Ｈ）から酢酸媒質中で亜鉛を用いる
還元によって導くことができる。
本発明に従う式（１）の化合物は、Ｊ、Ｇｉｒａｒｄ及
びＡ、　ＢａｒｂｉｅｒによってＩｎｔ、　Ｊｏｕｒｎ
ａｌ　ｏｆ　Ｃｏ５ａ＋ｅｔｉｃＳｃｉｅｎｃｅ　＊ス
、　３１５〜３２９（１９８０）に及びＭ、　Ｇａｕｃ
ｉ及びＪ、０ｕｓｔｒｉｎによってＩｎｔ、　Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　ＣｏｓｍｅｔｉｃＳｃｉｅｎｃｅ、　３
．２２７〜２３２（１９８２）にそれぞれ記載されてい
る試験において優れた活性を示す。実際上。
これらの報告者は、この試験が脂質の合成の阻止活性を
説明するものであるので、指定されたグルコースを配合
する″試験管内″試験が非ホルモン性の抗脂漏剤のため
の方向付け（指針）試験として注目され得ることを教示
したものである。
他方、脂漏、ふけ、脂肪肌、脂肪髪、白斑及び黒斑のよ
うな皮膚科の状態から皮脂腺分泌生成物の分泌が増大す
ることは知られている。これらの上席組織の慢性的現象
は特に顔面、胸及び背中に関係する。
さらに、本発明に従う式（１）の酸（Ｒ＝−Ｃｏ□１０
は座癒の原因となる病原菌に対して殺菌活性を示す。
本発明の化合物は特に皮脂腺分泌物の無秩序な生成又は
過度の分泌に関係する皮膚科疾患及び炎症性成分による
皮膚科疾患の処置のために特に適するものである。かか
る皮膚疾患の例としては、とりわけ尋常性、面飽性又は
多形性座癒、老人性、日光性座疹及び薬物性又は職業性
座格、があげられる。
したがって、本発明はさらに、上記に定義したとおりの
式（夏）の化合物又はそれらの塩又はそれらの光学又は
互変異性体の少なくとも１種を含有してなる医薬組成物
、特に前述した諸疾患の処置に有効な医薬組成物を提供
する。
医薬組成物雨の担体としては任意慣用の医薬用担体が使
用でき、活性化合物をその中に溶解又は分散させた状態
で使用できる。
投薬は腸管、腸管外、すなわち非経口的に又は局所又は
眼を経由して実施できる。腸管経由用医薬は錠剤、カプ
セル、糖衣錠、シロップ、懸濁液。
溶液、粉末、顆粒、乳濁液等の剤型とすることができる
。非経口投与用組成物は潅注用又は注射用の溶液又は懸
濁液の剤型とすることができる。
本発明による化合物は、一般に１日当り、体重１ｋｇあ
たり約０．１ｍｇ＝　ＩＯＢの用量で医薬として投与さ
れる。
局所経由用に適する本発明の医薬組成物は軟膏、チンキ
、クリーム、ポマード、粉末、貼布剤、浸漬綿栓、溶液
、乳液、ローション、ゲル、スプレー又は懸濁液の剤型
とすることができる。
これら局所経由用組成物は臨床症状に応じて無水の形又
は水性の形とすることができる。
本発明の化合物が局所経由で使用される場合には、きわ
めて広範囲の稀釈度にわたってこれらの化合物の良好な
活性がＷ１察される。特に、これらの活性化合物は０．
０１〜１０重量％の範囲で活性である。勿論、これより
高濃度の使用もそれが特定の治療のために必要となる場
合には可能であることは明らかである。しかしながら、
活性化合物の好ましい使用範囲は０．１〜５重量％の範
囲である。
本発明による式（１）の化合物はまた。化粧料分野にお
いても、特に身体及び毛髪の衛生に、とりわけ座癒の傾
向のある皮膚の処置、毛髪の再生。
脱毛の防止、皮膚又は毛髪の脂ぎった外観の処置も太陽
の有害な作用の防止又は処置において使用される。
したがって本発明はさらに、許容し得る化粧料用担体中
に式（１）の化合物又はそれらの塩及び／又はそれらの
異性体の少なくとも１種を含有してなる化粧料組成物を
提供するものである。これらの組成物は特にローション
、ゲル、クリーム、石鹸又はシャンプーの形態で使用さ
れる。
化粧料組成物中の式（１）の化合物の濃度は０．００５
〜５重量％、望ましくは０．０１〜１重景％である。
本発明による医薬及び化粧料組成物は不活性添加剤又は
薬理学的に又は美容上活性の添加剤、特にチアモルホリ
ノン及びその誘導体又は尿素のような湿潤剤；抗脂漏剤
、たとえばＳ−カルボキシメチルシスティン、Ｓ−ベン
ジルシステアミン、それらの塩及びそれらの誘導体、チ
オキソロン；たとえばベンゾイルはルオキシドのような
抗座疹剤；抗生物質、たとえばエリスロマイシン及びそ
のエステル、ネオマイシン、テトラサイクリン類又は４
，５−ポリメチレン−３−イソチアゾロンなど；毛髪再
生促進剤、たとえばミノキシジル”Ｍｉｎｏｘｉｄｉｌ
”（２，４−ジアミノ−６−ビペリジノピリミジンー３
−オキシド）及びその誘導体、ジアゾキシド（Ｄｉａｚ
ｏｘｉｄｅ）　（７−クロル−３−メチル−１，２，４
−ベンゾチアジアジン−１，１−ジオキシド）及びフェ
ニトイン（Ｐｈｅｎｙｔｏｉｎ）　（５，５−ジフェニ
ルイミダシリン−２，４−ジオン又はオキサプロパニウ
ムヨーダイトなど；ステロイド系及び非ステロイド系抗
炎症剤；カロチノイド、特にβ−カロチン；抗乾痕剤、
たとえばアントラリン及びその誘導体及び５，８，１１
．１４−エイコサテトラエン酸及び５，８．１１−エイ
コサトリエン酸ならびにそれらのエステル及びアミドな
どを含有し得る。
本発明の組成物はまた風味改良剤、防腐剤、安定剤、調
湿剤、ｐ）ｌ！Ｉ５を整剤、滲透圧改変剤、乳化剤、紫
外線Ａ及びＢフィルター、酸化防止剤、たとえばα−ト
コフェロール、ブチルヒドロキシアニソール又はブチル
ヒドロキシトルエンなど、を含有し得る。
以下例証のため、ただし何ら限定的な性格なしに、本発
明による式（１）の化合物の製造例及びそれらを含有す
る組成物例を示す。
去】１１Ｌ （Ａ＝−＋ＣＨｚｈ、　Ｒ工＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＩ
＋、；　　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ
＝フェニル；　Ｒ：Ｃ０２）！である式１式％） 無水１．２−ジクロルエタン１００ｄ中の１．１，４．
４−テトラメチル−１，２，３，４−テトラヒドロナフ
タリン９．４１ｇ（０，０５モル）及び無水フタル酸７
．４６ｇ（０，０５モル）ゐ懸濁物に無水塩化アルミニ
ウム１３．３ｇ（０，１モル）を３０℃以下の温度を維
持するように少しずつ添加する。室温で１時間撹拌した
後、反応混合物を氷冷水１００ｄ中に注入する。有機相
を傾瀉し、水性相を新たにジクロルエタン１５０ｄで２
回抽出する。これらのジクロルエタン相を集め、水洗し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減圧下で濃縮する
。得られる粗製の固体を再び沸騰ヘキサン２５０ａ＋ｎ
中に採り、＋５℃まで冷却後乾燥しそしてトルエン２０
０ｃｊ中で再結晶化する。真空中８０℃で乾燥した後、
２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，
８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香
酸の白色結晶１３．５ｇを得る。融点１８７℃。
”ＨＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）及びＩＲスペク
トル分析は所望の構造に合致する。
元素分析：　Ｃｚｚ　Ｈ２４０３ ＣＨ○ 計算値：　　７８．５４　　７．１９　　１４．２７％
実測値：　　７８．８２　　６．９３　　１４．２５％
Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ、Ｂ＝フェニル、　Ｒ＝ＣＯ２１
１である式１式％） 無水１，２−ジクロルエタン１５０ａ＋？中の１．１，
２，３．３−ペンタメチルインダン１３．２ｇ（０，０
７モル）及び無水フタル酸１０．３７ｇ（０，０７モル
）の懸濁物に無水塩化アルミニウム１６ｇ（０，１２モ
ル）を温度を３０℃以下に保持するように少しずつ添加
する。室温で１時間撹拌後、反応混合物を氷冷水１００
ｄ中に注入する。
有機相を傾瀉しそして水性相を新たにジクロルエタン１
００ｄで２回抽出する。ジクロルエタン相を集め、水洗
し、硫酸ナトリウムで乾燥し、ついで減圧下で濃縮する
。得られる粗製の固体をヘキサンに吸収させ、乾燥し、
ついで酢酸エチル中で再結晶化する。乾燥後、　２−〔
（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５−インダニル
）カルボニル］安息香酸の白色結晶１５．５ｇを得る。
融点２０５℃。
”ＨＮＭＲスペクトル（８０阿１（ｚ）及びＩＲスペク
トルはは所望の構造に相当する。
元素分析：　Ｃ２□Ｈ２４０゜ ＣＨＯ 計算値：　　７８．５４　　７．１９　　１４．２７％
実測値：　　７８．５０　　７．２０　　１４．１５％
（Ａ　＝−４ＣＩ２ｈ、Ｒ工＝Ｒ２＝Ｒｓ　＝Ｒ−＝Ｃ
Ｈ３；　Ｒｓ　＝Ｒｓ　＝Ｈ：Ｒ’、　Ｒ’：オキソ；
Ｂ＝シクロヘキシル；　Ｒ＝Ｃ０２１１である式Ｉの化
合物） 無水の１，２−ジクロルエタン１５０ａｌ中の１．１，
４，４−テトラメチル−１，２，３，４−テトラヒドロ
ナフタリン１６．９５ｇ（０，０９モル）及びシスヘキ
サヒドロ無水フタル酸１３．９ｇ（０，０９モル）の懸
濁物に無水塩化アルミニウム２０ｇ（０，１５モル）を
温度を３０℃以下に保持するように少量ずつ添加する。
室温で１時間撹拌後、反応混合物を氷冷水１００ｄ中に
注入する。有機相を傾瀉しそして水性相を新たにジクロ
ルエタン１５０ｃｉで抽出する。　ジクロルエタン相を
集め、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減圧下に濃縮
する。得られる粗製の固体を温ヘキサン中に吸収させ、
乾燥し、ついで酢酸エチルから再結晶化する。
乾燥後、２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
コシクロヘキサンカルボン酸の白色結晶２０．７ｇを得
る。融点１７８℃。
ＪＩ　ＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）及びＩＲスペク
トルはは所望の構造に合致する。
元素分析二Ｃ２□Ｈ１゜○。
ＣＨＯ 計算値：　　７７．１５　　８．８３　　１４．０２％
実測値：　　７６．９３　　８．８９　　１３．９７％
ルボニルー１−シクロヘキセン−１−カルボン　の」遺 Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝シクロヘキセニル；　Ｒ：
Ｃ０２Ｈである式Ｉの化合物） 無水１，２−ジクロルエタン６０ａ＋？中の１．１，２
，３．３−ペンタメチルインダン５．８８ｇ（０，０３
１モル）及び３，４，５゜６−テトラヒドロ無水フタル
酸５ｇ（０，０３１モル）の懸濁物に、無水塩化アルミ
ニウム８．３ｇ（０，０６モル）を。
温度を３０℃以下に保持するように少しずつ分割して添
加する。２時間撹拌後、反応混合物を氷冷水４０ｆｆｌ
中に注入する。有機相を傾瀉し、水性相を新たにジクロ
ルエタン１５０ａＪで２回抽出する。ジクロルエタン相
を集め、水洗し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減
圧下で濃縮する。得られる粗製固体をシリカゲル６０上
でジクロルメタンを溶離剤とするクロマトグラフィーに
より精製し、ついでヘキサンから結晶化させる。濾過及
び乾燥後、２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル
−５−インダニル）カルボニル〕−１−シクロヘキセン
−１−カルボン酸の白色結晶４．８ｇを得る。融点１５
３℃。
１８　ＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）及び”ＣＮＭ
Ｒスペクトル（ＣＤＣＩ、中）及びＩＲスペクトル（Ｋ
Ｂ４及びジクロルメタン）は環式ラクトン構造に相当す
る。
元素分析：０２□１１□、Ｏ ＣＨＯ 計算値：　　７７．６１　　８．２９　　１４．１０％
実測値：　　７７．９４　　８．４７　　　１３．５３
％道− （Ａ、−ＣＣＨ□ｈ、Ｒ工及びＲ，＝−ＣＨ□−；　Ｒ
２＝Ｒ４＝Ｈ；　Ｒ６＝Ｒ，＝−ＯＣＨ３：　Ｒ’、Ｒ
’＝オキソ；８＝フェニル；Ｒ＝−ＣＯ２Ｈである式Ｉ
の化合物） 無水１，２−ジクロルエタン４０ｔＱ中の５，８−ジメ
トキシ−１，４−メタノ−１，２，３，４−テトラヒド
ロナフタリン２．２５ｇ（１１ミリモル）及び無水フタ
ル酸１．６３ｇ（１１ミリモル）の懸濁物に無水塩化ア
ルミニウム２．９３ｇ（２２ミリモル）を約３０分かか
って少しずつ添加する。
室温で一晩撹拌後、反応混合物を氷冷水４０ｃ＋ｊ中に
注入する。有機相を傾瀉し、水性相を新たにジクロルメ
タン１００ａｊで２回抽出する。ジクロルエタン及びジ
クロルメタン相を集め、水洗し、硫酸ナトリウム上で乾
燥しそして蒸発乾固する。得られる固体をシリカゲル６
０上でジクロルメタン／テトラヒドロフランの５０１５
０混合物を溶離剤とするクロマトグラフィーによって２
回ＲＩ製する。蒸発及び乾燥後、単離された固体をイソ
プロピルエーテル中に吸収させる。これを濾過しかつ乾
燥した後、２−〔（１，４−ジメトキシ−５，８−メタ
ノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル］安
息香酸０．４ｇを白色粉末として得る。融点２１３℃。
１ＨＮＭＲスペクトル（８０Ｍｆ（ｚ）は所望の構造に
合致する。
元素分析：Ｃ２□Ｈ３゜０゜ ＨＯ 計算値：　　ｎ、３８　　５．７２　　２２．７０％実
測値：　　７１，１８　　５．７６　　２２．６７％（
Ａ＝−（Ｃｏ、ｉ、　Ｒ１＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ４＝ＣＩ、
；　Ｒ，＝Ｒ，＝ｌＩ；Ｒ’＝０）１；　Ｒ’＝Ｈ；　
Ｂ＝フェニル；　Ｒ＝−Ｃｏ２０）！である式■の化合
物） ０℃に冷却された無水テトラヒドロフラン１０ａＪ中の
水素化リチウムアルミニウム３５０ｍｇ　（９ミリモル
）の懸濁物に無水テトラヒドロフラン２０ｃｆｆｌ中の
２−　〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７
，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息
香酸１ｇ（３ミリモル）の溶液を滴加する。１時間撹拌
して周囲温度に戻した後１反応混合物を０℃に冷却し、
０．ＩＮ塩酸をゆっくり添加して酸性化しそしてエチル
エーテルで抽出する。有機相を水洗し、硫酸ナトリウム
上で乾燥しそして蒸発乾固する。得られる粗製ジオール
をシリカゲル６０上でジクロルメタン−酢酸エチル（９
７：　３）混合物を溶離剤とするクロマトグラフィーに
よって精製する。蒸発及び乾燥後。
２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，
８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメチル〕
フェニルカルビノール０．８ｇを白色結晶として得る。
融点９５〜９８℃。
１１Ｉ　ＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）は所望の構造
に合致する。
元素分析：　Ｃｚｘ　Ｈ２１０ｘ ＣＨＯ 計算値：　　８１，４４　　８，７０　　　９．８６％
実測値：　　８１．４８　　８，４６　　　９．８２％
Δ主之及ｆｌ透 （Ａ＝＝ＣＨ，）７．　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨ
，：　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フ
ェニル；　Ｒ＝−Ｃｏ□Ｃ，Ｉ（１，である式Ｉの化合
物） ９８％硫１１１０．１ｃｎｌを含有するトルエン１００
ｃＩＩ中の実施例Ｉに述べた２−〔（５，５，８，８−
テトラメチル−５，６゜７．８−テトラヒドロ−２−ナ
フチル）カルボニル〕安息香酸４．２ｇ（０，０１２５
モル）及び２−エチル−１−ヘキサノール３．２６ｇ（
０，０２５モル）の溶液を８時間還流加熱しかつ同時に
生成する水を共沸蒸留により除去する。
反応混合物をついで室温まで冷却し、多量の水で洗滌し
そして減圧下で濃縮する。得られる粗製油状物を速やか
にシリカゲル６０上でトルエン／ジクロルメ°タン（ｓ
ｏ　：　ｓｏ）混合物を溶離剤とするクロマトグラフィ
ーによって精製する。蒸発及び乾燥後、２−〔（５，５
，ｇ、ａ−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒド
ロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸２−エチルヘ
キシル４．１ｇを無色液体として得る。
”ＨＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）及びＩＲスペクト
ルは所望の構造に相当する。
元素分析二〇、。Ｈ４゜０゜ ＣＨＯ 計算値：　　８０．３１　　８．９９　　１０．７０％
実測値：　　８０．４６　　８．９１　　１０．７５％
Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フェニル；　Ｒ＝ＣＯ，Ｃ
２Ｈ５である式■の化合物） ９８％硫酸０．１ａｄを含有するエチルアルコール８０
ｄ中の実施例■に述べた２−〔（１，１，２，３，３−
ペンタメチル−５−インダニル）カルボニル〕安息香酸
２．４ｇ（７，１ミリモル）の溶液を１２時間還流下に
加熱する。
ついでこの溶液を減圧下に濃縮する。粗製エステルをエ
チルエーテル１００ｄに溶解し、このエーテル溶液を炭
酸水素ナトリウム、ついで水で洗滌し、硫酸ナトリウム
上で乾燥しそして最後に蒸発乾固する。乾燥後、２−〔
（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５−インダニル
）カルボニル〕安息香酸エチル２．５ｇを無色液体とし
て得る。これは室温で徐々に晶出し、融点５６〜５７℃
の白色固体を与える。
’ＨＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）及びＩＲスペクト
ルは所望の構造に合致する。
元素分析：　Ｃ２４Ｈｚｓ　０３ ＣＨＯ 計算値：　　７９．０９　　７．７４　　１３．１７％
実測値：　　７９．１２　　７．８５　　１２．９８％
（Ａ　＝−ｆｃＨ２ｈ、Ｒ□＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｃ１
１，；　Ｒ，＝Ｒ，＝ｌＩ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ
＝フェニル；　Ｒ＝−ＣＯよＣＨ，である式Ｉの化合物
） ９８％硫酸０．１ａ＃を含有するメチルアルコール１２
５ｄ中の実施例■に述べた２−〔（５，５，８，８−テ
トラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
チル）カルボニル〕安息香酸３．３６ｇ（０，０１モル
）の溶液を２４時間還流下に加熱する。この溶液は減圧
下に濃縮する。粗製エステルをエチルエーテル１５０ａ
ｊ中に溶解し、炭酸水素ナトリウム、ついで水で洗滌す
る。硫酸ナトリウム上で乾燥後、エーテル相を蒸発乾固
する。得られる固体を最少量のヘキサン中で再結晶化す
る。乾燥後、　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル
−５，６゜７．８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カル
ボニル〕安息香酸メチル２．２ｇを白色結晶として得る
。融点７７〜７８℃。
”ＨＮＭＲスペクトル（８０Ｍ）ｌｚ）及びＩＲスペク
トルは所望の構造に合致する。
元素分析：　Ｃａａ　Ｈａｓ　Ｏｈ ＨＯ 計算値：　　７８，８２　　７．４８　　１３．７０％
実測値：　　７８．９３　　７．５０　　　Ｈ３，７９
％（Ａ＝−（ＣＨ，ｈ、Ｒｉ　＝Ｒｚ　＝Ｒ３＝Ｒ４＝
ＣＨ３；　ＲＧ　＝Ｒｇ　＝ｌ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ
；Ｂ＝フェニル；　Ｒ＝−ＣＯＮＩ（Ｃ，Ｈ，である式
■の化合物） 無水ジクロルメタン３０ａ＋？中の２−〔（５，５，８
，８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−
２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸３．３６ｇ（０，
０１モル）の溶液に三塩化燐０．５５ｃｎ？（６ミリモ
ル）を添加して３時間還流加熱する６反応混合物を＋５
℃まで冷却し、それに無水エチルアミン２ｃｎ？　（０
，０３モル）を添加する。
＋５℃で攪拌を３０分間続け、ついで１時間で周囲温度
に戻す。反応混合物をついでジクロルメタンの添加によ
って１００ａ＆に稀釈しそして希塩酸、ついで水で洗滌
する。ジクロルメタン相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、
ついで減圧下で濃縮する。得られる粗生成物をシリカゲ
ル６０上でトルエン／ジクロルメタン／酢酸エチル（５
／３／２）の混合物を溶離剤とするクロマトグラフィー
によって精製し、ついでイソプロピルエーテルから再結
晶化する。乾燥後、Ｎ−エチル２−〔（５，５，８，８
−テトラメチル−５，６゜７．８−テトラヒドロ−２−
ナフチル）カルボニル〕ベンズアミド１．７５ｇを白色
結晶として得る。融点２０１’Ｃ。
’ＨＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）及び１３ＣＮＭ
Ｒスペクトル（ＣＤＣ１，中）及びＩＲスペクトル（Ｋ
［ｌｒ及びジクロルメタン）は環状ラクタムに相当する
。
元素分析：　Ｃ２４Ｈ２９Ｎ　Ｏｘ ＨＮＯ 計算値：　　７９，３０　８．０４　３．８５　８．８
０％実測値：　　７９．３２　８．０１　３．８０　８
．６９％（Ａ　＝−（Ｃ１１２）３．８□＝Ｒ，＝Ｒ，
＝Ｒ，＝Ｃ１（、；　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝
オキソ；Ｂ＝フェニル；　Ｒ＝ＣＯＮ（Ｃ４）１．）で
ある式■の化合物） 無水ジクロルメタン２０ａ＆中の２−〔（５，５，８，
８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２
−ナフチル）カルボニル〕安息香酸１，６８ｇ（５ミリ
モル）の溶液に三塩化燐０．２２ｃｏ？（２，５ミリモ
ル）を添加しそして３時間還流下に加熱する。＋５℃ま
で冷却後、ジブチルアミン２．６ａｌ（１５ミリモル）
を添加する。攪拌を＋５℃で３０分間続けた後、さらに
１時間で室温に戻す。反応混合物をついでジクロルメタ
ンの添加によって約８０ａｄに稀釈し、ついで傾瀉用容
器に移し、稀塩酸、ついで水で洗滌する。ジクロルメタ
ン相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減圧下で濃縮
する。得られる粗生成物をシリカゲル６０上でトルエン
／ジクロルメタンｌ酢酸エチル（５／３／２）の混合物
を溶離剤とするクロマトグラフィーによって精製する。
蒸発及び８０℃における真空乾燥の後、Ｎ、Ｎ−ジ−ｎ
−ブチル２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
〕ベンズアミド０．６ｇを無色濃稠油として得る。
１８　ＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）及びＩＲスペク
トルは所望の構造に相当する。
元素分析：Ｃ７゜Ｈ，、Ｎ　Ｏ，−０，２５Ｈ２０ＨＮ
Ｏ 計算値：　　７９．６９　９，２５　３．１０　７．９
６％実測値：　　７９．４８　９．３７　３．１６　７
．９７％（Ａ＝）ＣＨ２ｈ−、ＲユニＲ，＝Ｒ，＝Ｒ４
＝ＣＩ（□；　　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキ
ソ；Ｂ＝フェニル；　Ｒ＝−ＣＨＯである式１式％） 無水ジクロルメタン２０ｄ中の実施例■に記載した２−
〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−
テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕フェニルカ
ルビノール１ｇ（３ミリモル）の溶液に、室温で攪拌下
に、ピリジニウム　りロルクロメート２．３ｇ　（１０
，６ミリモル）を添加しそして２８℃又はそれ以下の温
度で１時間３０分攪拌する。ジクロルメタンによって約
２００−に稀釈した後、５０ｇのシリカゲル６０を添加
しそしてセライト上で濾過する。濾液を減圧下に濃縮し
、得られる粗製固体をシリカゲル６０上でジクロルメタ
ンを溶離剤とするクロマトグラフィーによって精製する
。蒸発しそして７０℃で真空乾燥した後、　２−〔（５
，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラ
ヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕ベンズアルデヒド
０．３ｇを白色固体として得る。融点１４５℃。
’ＨＮＭＲスペクトル（８０Ｍｌ（ｚ）は所望の構造に
相当する。
元素分析：　Ｃｚｘ　Ｈｚ４Ｎ　０２ ＣＨＯ 計算値：　　８２．４６　７，５５　９．９９％実測値
：　　８２．８８　７，３７　９．８２％（Ａ＝−４Ｃ
ＩＩ□ｈ、Ｒ工＝Ｒ２＝Ｒ，＝Ｒ４＝ＣＨ，；　Ｒ，＝
Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’＝ＯＨ，Ｒ’＝Ｈ；　Ｂ＝フェニル；　
Ｒ＝−Ｃｏ□Ｈである式１式％） 無水テトララヒドロフラン５０ａ＋？中の２−〔（５，
５，８゜８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒ
ドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸２　ｇ　（
８，１２ミリモル）の溶液に水素化ホウ素ナトリウム１
．８２ｃｄ（０，０４８ミリモル）を少量ずつ添加しそ
して室温で２０時間攪拌する。反応混合物を０〜５℃の
温度に冷却し、Ｏ，ＩＮ塩酸をゆっくり添加することに
よって酸性化しそしてエチルエーテルで抽出する。有機
相を水洗し。
硫酸ナトリウム上で乾燥しそして蒸発乾固する。
得られる粗生成物を速やかにシリカゲル６０上でジクロ
ルメタンを溶離剤とするクロマトグラフィーによって精
製し、ついでヘキサンから再結晶化する。乾燥後、２−
〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７゜８−
テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメチル〕安息
香酸のラクトン１．１ｇを白色結晶として得る。
融点１３４℃。
”ＨＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）及び”ＣＮＭＲ
スペクトル及びＩＲスペクトルは所望の構造に対応する
。
元素分析：　Ｃｚｘ　Ｈｚ＊　Ｎ　ＯｚＨＯ 計算値：　　８２，４６　７，５５　９．９９％実測値
：　　８２．４５　７．６０　１０．１１％ＩＮソーダ
水溶液（ｓｏｕｄａ　ｎｏｒｍａｌｓ）　６０ａｌ？中
の上記で得られたラクトン０．９６ｇ（３ミリモル）の
懸濁物を還流下で２時間加熱する。得られる溶液を＋５
℃まで冷却し、ついで氷酢酸３．５２を添加することに
よって酸性化する。生ずる沈澱を濾過し、多量の水で洗
滌しそして室温で炭酸カリウム上で真空乾燥する。かく
して２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５゜６．
７．８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメチ
ル〕姿息香酸０．９６ｇを良好な結晶状のかつきわめて
疎水性の白色固体として得る。これは加熱すると直ちに
ゴム状になり、ついで別の固体となり１３４℃で溶融す
る（ラクトンに転化）。
”ＨＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）及びＩＲスペク
トルは所望の構造に対応する。
元素分析：　Ｃ２２Ｉ（２６Ｎ　Ｏａ ＨＯ 計算値、　　７８．０７　７．７４　１４．１８実測値
：　　７７．９７　７．７２　１３．８９％（Ａ＝−＋
Ｃ）１２″ｈ、Ｒ１＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｃ１１，；　
Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フェニル
；　Ｒ＝　−Ｃｏ、　ｅＮａ・である式■の化合物） ２回イオン交換処理した水３００ｄ中に２−〔（５，５
゜８．８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒド
ロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香機１．２５２　
ｇ　（３，７３ミリモル）を懸濁させ、これに０．ＩＮ
ソーダ水溶液３７．３ｃｎ（３，７３ミリモル）を添加
しそして混合物を僅かに加温した状態で溶解するまで攪
拌する。この溶液を濾過し、ついで蒸発乾固する。つい
でトルエン５０ｄを添加して改めて蒸発乾固する。かく
して、８０℃で真空乾燥した後に２−〔（５，５，８，
８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２
−ナフチル）カルボニル〕安息香酸ナトリウム１．３２
ｇを白色粉末として得る。
融点３００℃。
（Ａ＝−＋ＣＩ、ｈ、　Ｒ１＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ４＝ＣＨ
，；　Ｒｓ＝Ｒ６＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝シ
クロヘキシル；Ｒ＝−ＣＯ，’Ｎａ・である式Ｉの化合
物）２回イオン交換処理した水１５０ａ＆中の２−〔（
５，５゜８．８−テトラメチル−５，６，７，８−テト
ラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕シクロヘキサン
カルボン酸３４２　、５ｍｇ　（１ミリモル）を懸濁さ
せ、これに０．ＩＮソーダ水溶液１０ｃ＋＋？（１ミリ
モル）を添加しそして溶解するまで僅かに加温しつつ攪
拌する。得られる溶液を濾過し、ついで蒸発乾固する。
これにトルエン５０ａ＋？を添加してから改めて蒸発乾
固する。かくして、８０℃で真空乾燥した後に２−〔（
５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テ１
へジヒドロ−２−ナフチル）カルボニルコシクロヘキサ
ンカルボン酸ナトリウム０．３６ｇを１４５〜１５０℃
でガラス化する白色固体として得た。
（Ａ＝−ＣＨ２−１Ｒ工＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ４＝ＣＨ，；
　Ｒ，＝ＲＧ＝ｌＩ；ｒｌ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フ
ェニル；　Ｒ＝−Ｃｏ２１（である式Ｉの化合物） 無水１，２−ジクロルエタン１００ｄ中の１．１，３．
３−テトラメチルインダン２．９６ｇ（１７ミリモル）
及び無水フタル酸２．５２ｇ（１７ミリモル）の懸濁物
に無水塩化アルミニウム３．４ｇ（２５，５ミリモル）
を温度３０℃以下に保持するように少量ずつ添加する。
３時間攪拌した後、反応混合物を氷冷水５０ｃＪ中に注
入する。有機相を傾瀉し、水性相を新たにジクロルエタ
ン５０ａｊで２回抽出する。ジクロルエタン相を集め、
水洗し、硫酸ナトリウム上で乾燥し。
ついで減圧下で濃縮する。残渣を加温したヘキサン１０
０ｄ中に吸収させ、＋５℃まで冷却した後説液し、ヘキ
サン５０ａＪで２回洗滌し、ついで最少量の沸騰トルエ
ンから再結晶化させる。８０℃で真空乾燥した後、２−
〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−インダニル）
カルボニル〕安息香酸３．１ｇを白色結晶として得る。
融点１９４〜１９５℃。
”ＨＮＭＲスペクトル（８０Ｍｔｌｚ）及びＩＲスペク
トルは所望の構造に合致する。
元素分析二Ｃ２□Ｈ２□０゜ ＣＨＯ 計算値：　　７５，４９　　７．７５　１６．７６％実
測値：　　７５．４７　　７．６７　１６．９２％失嵐
Ｍ■■ ２−１１２３３−ペンタメチル−５−インダニルカルボ
ニルシクロヘキサンカルボン酸の　Ｒ’、　Ｒ’＝オキ
ソ；Ｂ＝シクロヘキシル；　Ｒ＝−ＣＯ，ＩＩである式
Ｉの化合物） 無水１．２−ジクロルエタン１００（！＋？中の１．１
，２，３．３−ペンタメチルインダン３．３ｇ（１７，
５ミリモル）及びシスヘキサヒドロ無水フタル酸２．７
ｇ（１７，５ミリモル）の懸濁物に無水塩化アルミニウ
ム４．７ｇ　（３５ミリモル）を温度３０℃以下に保持
するように少量ずつ添加する。室温で３時間攪拌した後
、反応混合物を氷冷水５０ｃｎ中に注入する。有機相を
傾瀉し、水性相を新たにジクロルエタン１００ａｉ？で
２回抽出する。
ジクロルエタン相を集め、水洗し、硫酸ナトリウム上で
乾燥し、ついで蒸発乾固する。残渣を加温したヘキサン
２００ｄ中に吸収させ、＋５℃まで冷却した後、ヘキサ
ン１００ｃＪで３回洗滌し、冷却しそして７０℃で真空
乾燥する。かくして２−〔（１，１，２，３゜３−ペン
タメチル−５−インダニル）カルボニルコシクロヘキサ
ンカルボン酸５．１ｇを白色固体として得る。
融点１７８℃。
ＩＲスペクトル及び’ＨＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ
）は所望の構造に合致する。
元素分析：Ｃ２２Ｈ３゜０゜ ＣＨＯ 計算値：　　７７．１５　　８．８３　１４．０２％実
測値：　　７７．２１　　９．０Ｇ　　１３．５６％（
Ａ＝云Ｃ）１２）７．Ｒ工：Ｒ，：Ｒ，＝Ｒ，：ＣＨ，
：　Ｒ，＝Ｒ，＝ｌＩ：Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フ
ェニル；Ｒ＝　−ＣＯＮ　（ＣＨ，ＣＨ，ＯＨ）、であ
る式Ｉの化合物）無水ジクロルメタン３０ａＪ中の実施
例１に述べた２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−
５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボ
ニル〕安息香酸３．３６ｇ（１０ミリモル）の溶液に三
塩化燐０．４４ａｌを添加しそして還流下で３時間加熱
する。＋５℃まで冷却した後、ジェタノールアミン５．
２５ｇ（０，０５モル）を添加しそして＋５℃で３０分
間攪拌し、ついで１時間で周囲温度まで戻す０反応混合
物をついで約８０ａ＆に稀釈し、それを傾瀉用容器に移
しそして稀塩酸、ついで水で洗浄する。ジクロルメタン
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減圧下で濃縮す
る。得られる固体をシリカゲル６０上で酢酸エチル／イ
ソプロピルアルコール／ジクロルメタンの３／２１５比
率の混合物を溶離剤とするクロマトグラフィーによって
精製する。蒸発及び乾燥後に、Ｎ、Ｎ−ジ（２−ヒドロ
キシエチル）　２−〔（５，５，８，８−テトラメチル
−５，６゜７．８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カル
ボニル〕ベンズアミド３．２ｇを白色固体として得る。
融点１１６℃。
’１１　ＮＭＲスペクトル（２５０Ｍ）ｌｚ）は所望の
構造に合致する。
元素分析：Ｃ０Ｈ３３ＮＯ４ ＣＨＮＯ 計算値：　　７３．７３　　７．８５　３．３１　１９
．１１％実測値：　　７３．５１　　７．８８　３．２
７　１９．４０％し　　し７、ニレベー　　ス′　　゛ （Ａ＝−＋ＣＩｌ□）ｙ、　Ｒ１＝Ｒ，＝Ｒ３＝Ｒ４＝
ＣＨ，；　　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；
Ｂ＝フェニル；無水ジクロルメタン１５ａｌ中の実施例
１に記載した２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−
５，６，７，８−テトラヒドロ−ナフチル）カルボニル
〕安息香酸１．６８ｇ（５ミリモル）及び三塩化燐０．
２８ａＩ（３ミリモル）の溶液を３時間還流加熱する。
０〜＋５℃の温度まで冷却後。
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン１．４ａＪ（
１１，４ミルモル）を添加して光の遮断下で１時間攪拌
し、周囲温度に戻す０反応混合物をついでジクロルメタ
ンの添加によって約８０ａＩに稀釈し、ついで傾瀉用容
器に移しそして多量の水で洗浄する。ジクロルメタン相
を硫酸ナトリウム上で乾燥し、ついで減圧下で濃縮する
。得られる粗製固体をシリカゲル６０上で光の遮断下で
、まずテトラヒドロフラン／ジクロルメタンの５０１５
０混合物を、ついでテトラヒドロフラン単独を溶離剤と
するクロマトグラフィーによって精製する。光の遮断下
に蒸発及び乾燥した後、　　Ｎ−４’−（２−ヒドロキ
シエチル）ピペラジノ２−〔（５，５，８，８−テトラ
メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル
）カルボニル〕ベンズアミド０．９ｇを白色固体として
得る。融点５８〜６０℃。
１８　ＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨｚ）は所望の構造
に相当する。
（Ａ＝−（ＣＨｈ、ＲユニＲ，＝Ｒ３＝Ｒ４＝ＣＨ，；
　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ：Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝シクロ
ヘキシル；Ｒ＝−Ｃｏ２Ｃ，Ｈ，である式Ｉの化合物）
９８％硫酸０．１ａｊを含有するエチルアルコール１０
０ｄ中の実施例■に述べた２−〔（５，５，８，８−テ
トラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
チル）カルボニルコシクロヘキサンカルボン酸３．４２
ｇ（１０ミリモル）の溶液を１２時間還流加熱する。こ
の溶液を減圧下で濃縮しそして得られる粗製エステルを
エチルエーテル１００（！Ｉ？中に溶解する。エーテル
性溶液を炭酸水素ナトリウム、ついで水で洗滌し、硫酸
ナト　・リウム上で乾燥しそして蒸発乾固する。乾燥後
、２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７
，８−テトラピーロー２−ナフチル）男ルボニル〕シク
ロヘキサンカルボン酸エチル３．６ｇを無色濃稠油とし
て得る。
ＩＲスペクトル及び１８　ＮＭＲスペクトル（８０ＭＨ
ｚ）は所望の構造に相当する。
元素分析二Ｃ２４Ｈ３４０゜ ＣＨＯ 計算値：　　７７．８０　　９．２５　１２．９５％実
測値：　　７７．６５　　９．２９　１２．７８％（Ａ
　＝−４，ＣＨ２）２、Ｒ□＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨ
，；　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ；Ｒ’＝ＯＨ，Ｒ’＝Ｈ；　Ｂ＝
シクロヘキシル；　Ｒ＝−Ｃｏ、Ｈである式Ｉの化合物
） ソーダの２．５Ｍ水溶液１５０ｄ中の実施例■に述べた
２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，
８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕シクロ
ヘキサンカルボン酸３．４２ｇ（１０ミリモル）及び亜
鉛粉末Ｌｏｇ（０，１５モル）の懸濁物を７時間還流加
熱する。＋５℃まで冷却後１反応混合物を６Ｎ塩酸６０
ａＪで中和し、ついで氷酢酸２０ｃｎ？の添加によって
ｐＨを３近くまで酸性化する。この混合物をついでエチ
ルエーテル（２Ｘ１５０ａｄ）で抽出する。エーテル相
を多量の氷で洗滌し、硫酸ナトリウム上で乾燥しそして
蒸発乾固する。得られる固体をヘキサン５０ｄ中に吸収
させ、脱液し、新たにヘキサン４０ａｉ？によって２回
洗滌しそして４０℃で真空乾燥する。かくして２−〔（
５゜５．８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テト
ラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメチルコシクロヘ
キサンカルボン酸２．９ｇを白色固体として得る。融点
１８６℃。
ＩＲスペクトル及び”ＨＮＭＲスペクトル（２５０ＭＨ
ｚ）は所望の構造に合致する。
元素分析：　Ｃ２２Ｈ３ｚＮ３ ＣＨＯ 計算値：　　７６．７０　　９．３６　１３．９３％実
測値：　　７６．６６　　９．２６　１３．９５％スｍ
基■ （Ａ＝−（ＣＨ□ｈ、Ｒ工＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨ，
；　　Ｒ，＝Ｒ，＝ｌｌ：Ｒ’＝０１１．　Ｒ’＝Ｈ；
　Ｂ＝シクロヘキシル；Ｒ＝−Ｃｏ、ｅＮａ・である式
Ｉの化合物）２回イオン交換処理した水１００ｄ中に実
施例ＸＸＨに述べた２−〔（５，５，８，８−テトラメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）
ヒドロキシメチルコシクロヘキサンカルボン酸３４４．
４８Ｂ（１ミリモル）を懸濁させ、これに０．ＩＮソー
ダ水溶液１０ａｊ　（１ミリモル）を添加しそして超音
波浴中で３０分間攪拌する。得られる溶液を減圧下で蒸
発乾固する。これに無水トルエン５０ｃｄを添加しそし
て改めて蒸発乾固する。
かくして、８０℃で真空乾燥した後に、２−〔（５，５
，８゜８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒド
ロ−２−ナフチル）ヒドロキシメチルコシクロヘキサン
カルボン酸ナトリウム０．３６ｇを白色固体として得る
。融点２６０℃。
去ｍ■に１ （Ａ＝（ｃｕｚｈ、Ｒ１＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨパ　
Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ：Ｒ’、　Ｒ’＝ｌｌ；　Ｂ＝フェニル
；　Ｒ＝−Ｃｏ２）１である式■の化合物） 亜鉛６ｇ、塩化第二水銀０．６ｇ、水９ｄ及び濃塩酸０
．３ｄの混合物を室温で１０分間攪拌する。この溶液を
傾瀉しそしてアマルガムを水２５ａＪで２回リンスする
。ついで水１０ｃ＋ｄ、　ｌ塩酸５ｄ、トルエン８ｄ、
実施例■に記載した２　−〔（５，５，８，８−テトラ
メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル
）カルボニル〕安息香酸８．４ｇ（０，０２５モル）を
添加してそして還流下に３０時間加熱攪拌し、それから
濃塩酸３ｃｎ？を全部で６時間かかって添加する。トル
エン２０ｃｄを添加し、熱時濾過しそしてアマルガムを
トルエン４０ｃＩｌで３回洗滌する。濾液を傾瀉容器に
移しそしてトルエン相を分離し、水洗し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、ついで減圧下で濃縮する。単離した粗生
成物をヘプタン、イソプロピルエーテルの混合物から再
結晶化する。乾燥後、２−〔（５，５，８，８−テトラ
メチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル
）メチル〕安息香酸６．６ｇを白色結晶として得る。融
点１３６℃。
１８　ＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ）は所望の構造に
合致する。
元素分析：　Ｃ２ｚ　Ｈｘｚ　Ｏｘ ＣＨＯ 計算値：　　８１．９５　　８，１３　９．９２％実測
値：　　８２．１４　　８，１６　９．７９％ｌ逍 （Ａ＝イＣＨＪ７、Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨ，：
　Ｒ，＝Ｒ，＝Ｈ：Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フェニ
ル；　ＲニーＣｏ２ＣＪ、である式Ｉの化合物） ９８％硫酸０．４　ｃｏ？を含有するエチルアルコール
３００ｄ中の実施例Ｉに述べた２−〔（５，５，８，８
−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−
ナフチル）カルボニル〕安息香酸８，４１ｇ（０，０２
５モル）の溶液を還流下に１４時間加熱する。ついでこ
の溶液を減圧下で濃縮しそして得られる粗製エステルを
エチルエーテル３００ｄ中に溶解する。エーテル性溶液
を炭酸水素ナトリウムで洗滌し、ついで水洗し、硫酸ナ
トリウム上で乾燥しそして蒸発乾固する。乾燥後、２−
〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−
テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸エ
チル７．９ｇを無色油状物として得る。これは室温で徐
々に晶出して白色固体を与える。融点５８〜５９℃。
ＩＲスペクトル及び”ＨＮＭＲスペクトル（８０ＭＨｚ
）は所望の構造に合致する。
元素分析：　Ｃ，、Ｈ，，０゜ ＣＨＯ 計算値：　　７９．０９　　７．７４　１３．１７％実
測値：　７９．１９　　７．７５　１３．０２％′ロー
２−ナフチルカルボニル　　卑、　　亜　の造− （Ａ＝ｎＣＨ，ｈ、　Ｒ，＝Ｒ２＝Ｒ，＝Ｒ，＝ＣＨ，
；　Ｒ，＝Ｒ，＝ＩＩ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ；Ｂ＝フ
ェニル；　Ｒ＝−Ｃｏ、ｅ１／２Ｚｎ＠である式■の化
合物） ２回イオン交換処理した水１５０ｄ中に実施例■に記載
した２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，
７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安
息香酸３６８　、５ｍｇ　（１、１ミリモル）を懸濁さ
せ、これに０．ＩＮソーダ１ｌｃｎｒ（１，１ミリモル
）を添加しそして超音波浴中で溶解するまで（３０分間
）攪拌する。かく得られるナトリウム塩の溶液に硫酸亜
鉛・７Ｈ２０１５７，５ｆｆ１ｇ（０，５４８ミリモル
）を回加し、交換塩形成反応（ｔｒａｎｓａｌｉｆｉｃ
ａｔｉｏｎ）によって形成された亜鉛塩を沈澱せしめる
。これを脱液し、水洗しそして７０〜８０℃で真空乾燥
する。かくして２−〔（５，５，８，８−テトラメチル
−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カル
ボニル〕安息香酸亜鉛０．４ｇを白色固体として得る。
これは１５５℃付近でガラス状になる。
′ロー２−ナフチルカルボニルシクロヘキサンカバ″ （Ａ−ｆｃＨｚｈ、　Ｒ工＝Ｒｚ　＝Ｒｓ　＝Ｒ，＝Ｃ
Ｈ＞；　Ｒｓ　＝＝ｌ（、＝ｌ；Ｒ’、　Ｒ’＝オキソ
；Ｂ；シクロヘキシル；Ｒ＝−ＣＯ□ｅ１／２Ｚｎ・で
ある式Ｉの化合物）２回イオン交換処理した水１５０ａ
Ｉ中に実施例■に記載した２−〔（５，５，８，８−テ
トラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
チル）カルボニルコシクロヘキサンカルボン酸３８１．
７ｍｇ（１，１１５ミリモル）を懸濁させ、これに０．
ＩＮソーダ１１．２ａ＃（１，１２ミリモル）を添加し
そして超音波浴中で溶解するまで（４０分間）攪拌する
。ついで、硫酸亜鉛・７Ｈ，０１６０，４ｎ＋ｇ（０，
５５ミリモル）を添加し、ついで生成する沈澱を脱液す
る。水洗しかつ７０〜８０℃で真空乾燥した後、２−〔
（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−２−ナフチル）カルボニルコシクロヘキサ
ンカルボン酸亜鉛０．４１ｇを白色固体として得る。こ
れは１３５℃近くでガラス状になる。
■の　　、　の １庶■よ：抗脂漏性ローション 無水エタノール　　　　　　　　　　　５９．０ｇプロ
ピレングリコール　　　　　　　　４０．Ｏｇ失胤孤又
：脂肪肌用ローション 無水エタノール　　　　　　　　　　　６０．０ｇポリ
エチレングリコール４００　　　　　３９．５ｇこの実
施例において、ローションの有効成分は２−〔（１，１
，２，３，３−ペンタメチｎ１−５−インダニル）カル
ボニル〕安息香酸１ｇ又は２−〔（５，５，８，８−テ
トラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
チル）カルボニルコシクロヘキサンカルボン酸０．３ｇ
によって代替することができる。
寒胤鮭且：座疹傾向の顔の手入れ用ローション無水エタ
ノール　　　　　　　　　　　４２．０ｇプロピレング
リコール　　　　　　　　２４．０ｇ精製水　　　　　
　　　　　　　　　　３３．０ｇこの活性化合物の代り
に、２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，
７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニルコシ
クロヘキサンカルボン酸又は２−〔（５，５，８゜８−
テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナ
フチル）ヒドロキシメチルコシクロヘキサンカルボン酸
０．５ｇを使用することができる。
失庶舅土：座癒傾向の脂肪肌の手入れ用ゲルカルボポー
ル（Ｃａｒｂｏｐｏｌ）９４１　　　　　　０．８０ｇ
無水エタノール　　　　　　　　　　　３２．１５ｇプ
ロピレングリコール　　　　　　　　３５．００ｇブチ
ルヒドロキシトルエン　　　　　　　０．０２ｇブチル
ヒドロキシアニソール　　　　　０．０３ｇトリエタノ
ールアミン（２０％濃度）　　　　　１．００ｇ精製水
　　　　　　　　　　　　　　　３０．００ｇ失立■ｌ
：座癒傾向の脂肪肌の手入れ用ゲルクルセル（Ｋｌｕｃ
ｅｌ）Ｈ（セルロース誘導体）　　１．００ｇ無水エタ
ノール　　　　　　　　　　　７０．００ｇプロピレン
グリコール　　　　　　　　２８．４５゜ブチルヒドロ
キシトルエン　　　　　　０．０２ｇブチルヒドロキシ
アニソール　　　　　０．０３ｇこり活性化合物は同一
量の２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル−５−
インダニル）カルボニル〕安息香酸又は２−〔（５，５
，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒド
ロ−２−ナフチル）カルボニルコシクロヘキサンカルボ
ン醸又はさらに２−〔（５，５，８，８−テトラメチル
−５゜６．７．８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒド
ロキシメチルコシクロヘキサンカルボン酸によって代替
することができる。
失胤且且：脂肪肌用クリーム グリコールモノステアレート　　　　　　４．００ｇセ
チルアルコール　　　　　　　　　　３．５０ｇミルジ
（Ｍｙｒｊ）５３　　　　　　　　　　　　３．００ｇ
イド パラヒドロキシ安息香酸プロピル　　　０．１５ｇブチ
ルヒドロキシトルエン　　　　　　　０．０２ｇブチル
ヒドロキシアニソール　　　　　　０．０３ｇプロピレ
ングリコール　　　　　　　　８．００ｇ水（合計で１
００ｇになる残部） 実施例７：皮膚の限定された表面上に塗布するためのス
チック（着色された） ワセリン　　　　　　　　　　　　　　　１９．４０ｇ
固形パラフィン　　　　　　　　　　　　２．００ｇカ
ルナウバワックス　　　　　　　　　　２．００ｇオシ
ケライト　　　　　　　　　　　　　９．００ｇブチル
ヒドロキシトルエン　　　　　　　０．０５ｇブチルヒ
ドロキシアニソール　　　　　０．０５ｇ赤色酸化鉄　
　　　　　　　　　　　　０．５０ｇ黄色酸化鉄　　　
　　　　　　　　　　１．５０ｇ褐色酸化鉄　　　　　
　　　　　　　　２．５０ｇ酸化チタン　　　　　　　
　　　　　　２０．００ｇライススターチ　　　　　　
　　　　　　２．ＯＯｇこの活性化合物の代りに２−〔
（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テ
トラヒドロ−２−ナフチル）カルボニルコシクロヘキサ
ンカルボン酸０．５ｇを使用することできる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３及びＲ＿４は互いに独
    立して水素原子又は低級アルキル基を表わすが、Ｒ＿１
    ないしＲ＿４のうち少なくとも２個の基は水素原子以外
    の基であるものとし；Ａは非置換又は低級アルキル置換
    メチレン又はジメチレン基を表わし；Ａがジメチレン基
    を表わす場合にはＲ＿１及びＲ＿３は一緒にメチレン基
    又はジメチレン基を形成し得るものとし；Ｒ＿５及びＲ
    ＿６は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
    アルコキシ基又はヒドロキシル基を表わし；Ｒ′は水素
    原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシ基、Ｃ＿１〜Ｃ
    ＿４アシルオキシ基又はアミノ基を表わし；Ｒ″は水素
    原子又は低級アルコキシ基を表わし；あるいはＲ′及び
    Ｒ″は一緒にオキソ（＝Ｏ）、メタノ（＝ＣＨ＿２）又
    はヒドロキシイミノ（＝Ｎ−ＯＨ）基を形成し；Ｂは非
    置換の又は置換されたシクロヘキシル、シクロヘキセニ
    ル、シクロヘキサジエニル又はフェニル核を表わし；Ｒ
    は−ＣＨ＿２ＯＨ又は−ＣＯＲ＿７基を表わし；Ｒ＿７
    は水素原子、基−ＯＲ＿５又は▲数式、化学式、表等が
    あります▼を表わし；Ｒ＿２は水素原子、場合によって
    は置換基を有し得る炭素数１〜２０個のアルキル、モノ
    ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アリー
    ル又はアラルキル基又は糖残基を表わし；ｒ′及びｒ″
    は水素原子、低級アルキル、場合によってはヘテロ原子
    によって中断されていてもよいモノヒドロキシアルキル
    、ポリヒドロキシアルキル、場合によっては置換されて
    いてもよいアリール又はベンジル基、アミノ酸残基又は
    アミノ糖残基を表わすか又は一緒に複素環を形成する）
    によって表わされる二環式芳香族化合物、それらの塩、
    それらの光学異性体及び互変異性体、ただし２−［（５
    ，８−メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナ
    フチル）カルボニル］安息香酸を除く、である化合物。 ２、低級アルキル基及び２０個までの炭素原子をもつア
    ルキル基はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
    ブチル、第３級ブチル、２−エチルヘキシル、オクチル
    、ドデシル、ヘキサデシル及びオクタデシル基から選ば
    れる特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ３、モノヒドロキシアルキル基は２−ヒドロキシエチル
    、２−ヒドロキシプロピル又は２−ヒドロキシエトキシ
    エチル基である特許請求の範囲第１項記載の化合物。 ４、ポリヒドロキシアルキル基は２，３−ジヒドロキシ
    プロピル、１，３−ジヒドロキシ−２−プロピル又はペ
    ンタエリトリット残基である特許請求の範囲第１項記載
    の化合物。 ５、低級アルコキシ基はメトキシ、イソプロポキシ、ブ
    トキシ又は第３級ブトキシ基である特許請求の範囲第１
    項記載の化合物。 ６、基Ｂは低級アルキル、ハロゲン又はアルコキシ基で
    ３、４、５又は６位で置換されたフェニル核である特許
    請求の範囲第１項記載の化合物。 ７、糖残基はグルコース、マンノース、エリトロース又
    はガラクトースから誘導されたものである特許請求の範
    囲第１項記載の化合物。 ８、アミノ糖残基はグルコサミン、ガラクトサミン、マ
    ンノサミン又はメグルミンから誘導されたものである特
    許請求の範囲第１項記載の化合物。 ９、基ｒ′及びｒ″は一緒にそれらが結合している窒素
    原子とともにピペリジノ、ピペラジノ、モルホリノ、ピ
    ロリジノ又は４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジノ
    基を形成する特許請求の範囲第１項記載の化合物。 １０、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） （式中、Ｒ′及びＲ″は一緒にオキソ基（＝Ｏ）を形成
    するか又はＲ′がヒドロキシル基をそしてＲ″が水素原
    子を表わし；Ａは基−（ＣＨ＿２）＿２−又は基▲数式
    、化学式、表等があります▼を表わし；Ｂはフェニル又
    はシクロヘキシル核を表わし；Ｒ＿７は基−ＯＲ＿８又
    は基▲数式、化学式、表等があります▼を表わし；Ｒ＿
    ８は水素原子又は炭素数１〜１２個のアルキル基を表わ
    し；ｒ′は水素原子又はモノヒドロキシアルキル基を表
    わしそしてｒ″は炭素数１〜８個のアルキル基、場合に
    よってはヘテロ原子によって中断されていてもよいモノ
    ヒドロキシアルキル基又はポリヒドロキシアルキル基を
    表わすかあるいはｒ′及びｒ″は一緒に隣接する窒素原
    子とともに４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジニル
    基を表わす）によって表わされる化合物及びそれらの塩
    である特許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに
    記載の化合物。 １１、つぎの群： （１）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    安息香酸；（２）Ｎ−エチル２−〔（５，５，８，８−
    テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナ
    フチル）カルボニル〕ベンズアミド； （３）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    安息香酸メチル； （４）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    安息香酸２−エチルヘキシル； （５）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    安息香酸ナトリウム； （６）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    安息香酸亜鉛； （７）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    ベンズアルデヒド； （８）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメ
    チル〕フェニルカルビノール （９）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメ
    チル〕安息香酸； （１０）Ｎ−４′−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
    ノ２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７
    ，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕ベン
    ズアミド；（１１）２−〔（５，５，８，８−テトラメ
    チル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）
    エトキシメチル〕安息香酸； （１２）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
    −インダニル）ヒドロキシメチル〕安息香酸； （１３）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
    −インダニル）−２−エテニル〕安息香酸； （１４）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
    −インダニル）カルボニル〕安息香酸； （１５）Ｎ−エチル２−〔１，１，２，３，３−ペンタ
    メチル−５−インダニル）カルボニル〕ベンズアミド； （１６）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
    −インダニル）カルボニル〕安息香酸エチル； （１７）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５
    −インダニル）カルボニル〕安息香酸２−エチルヘキシ
    ル；（１８）２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル
    −５−インダニル）カルボニル〕安息香酸ナトリウム； （１９）Ｎ−４′−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
    ノ２−〔１，１，２，３，３−ペンタメチル−５−イン
    ダニル）カルボニル〕ベンズアミド； （２０）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
    インダニル）ヒドロキシメチル〕安息香酸； （２１）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
    インダニル）カルボニル〕安息香酸； （２２）Ｎ−エチル２−〔（１，１，３，３−テトラメ
    チル−５−インダニル）カルボニル〕ベンズアミド； （２３）Ｎ−４′−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジ
    ノ２〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−インダニ
    ル）カルボニル〕ベンズアミド； （２４）２−〔（１，１，３，３−テトラメチル−５−
    インダニル）カルボニル〕安息香酸亜鉛； （２５）２−〔（５，８−メタノ−５，６，７，８−テ
    トラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕安息香酸エチ
    ル； （２６）Ｎ−エチル２−〔（５，８−メタノ−５，６，
    ７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕ベ
    ンズアミド；（２７）２−〔（５，８−メタノ−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシメ
    チル〕安息香酸； （２８）２−〔（１，４−ジメトキシ−５，８−メタノ
    −５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒド
    ロキシメチル〕安息香酸； （２９）２−〔（１，４−ジメトキシ−５，８−メタノ
    −５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カル
    ボニル〕安息香酸； （３０）Ｎ−エチル２〔（１，４−ジメトキシ−５，８
    −メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチ
    ル）カルボニル〕ベンズアミド； （３１）Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチル２−〔（５，５，８，
    ８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２
    −ナフチル）カルボニル〕ベンズアミド； （３２）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
    〕シクロヘキサンカルボン酸； （３３）２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル−
    ５−インダニル）カルボニル〕−１−シクロヘキセン−
    １−カルボン酸（３４）Ｎ，Ｎ−ジ（２−ヒドロキシエ
    チル）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，６
    ，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル〕
    ベンズアミド； （３５）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
    〕シクロヘキサンカルボン酸ナトリウム； （３６）２−〔（１，１，２，３，３−ペンタメチル−
    ５−インダニル）カルボニル〕シクロヘキサンカルボン
    酸； （３７）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
    〕シクロヘキサンカルボン酸エチル； （３８）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
    メチル〕シクロヘキサンカルボン酸； （３９）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）ヒドロキシ
    メチル〕シクロヘキサンカルボン酸ナトリウム； （４０）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
    〕安息香酸エチル； （４１）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）メチル〕安
    息香酸；（４２）２−〔（５，５，８，８−テトラメチ
    ル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カ
    ルボニル〕安息香酸亜鉛；及び （４３）２−〔（５，５，８，８−テトラメチル−５，
    ６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル）カルボニル
    〕シクロヘキサンカルボン酸亜鉛； から選んだ化合物である特許請求の範囲第１項ないし第
    １０項のいずれかに記載の化合物。 １２、式（１）： ▲数式、化学式、表等があります▼（１） の置換酸ハライド又は式（２）： ▲数式、化学式、表等があります▼（２） の酸無水物（両式中，Ｂ及びＲは後記の意義を有し；Ｘ
    は塩素又は臭素原子を表わす）と式（３）：▲数式、化
    学式、表等があります▼（３） （式中，Ａ，Ｒ＿１，Ｒ＿２，Ｒ＿３，Ｒ＿４，Ｒ＿５
    及びＲ＿６は後記の意義を有する）の芳香族化合物とを
    フリーデルクラフツ反応の条件下で反応させそして所要
    ならば得られる後記式（ I ）の化合物を慣用の方法に
    より式（ I ）の他の化合物に転化せしめることからな
    る式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１，Ｒ＿２，Ｒ＿３及びＲ＿４は互いに独
    立して水素原子又は低級アルキル基を表わすが，Ｒ＿１
    ないしＲ＿４のうち少なくとも２個の基は水素原子以外
    の基であるものとし；Ａは非置換又は低級アルキル置換
    メチレン又はジメチレン基を表わし；Ａがジメチレン基
    を表わす場合にはＲ＿１及びＲ＿３は一緒にメチレン基
    又はジメチレン基を形成し得るものとし；Ｒ＿５及びＲ
    ＿６は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
    アルコキシ基又はヒドロキシル基を表わし；Ｒ′は水素
    原子，ヒドロキシル基，低級アルコキシ基，Ｃ＿１〜Ｃ
    ＿４アシルオキシ基又はアミノ基を表わし；Ｒ″は水素
    原子又は低級アルコキシ基を表わし；あるいはＲ′及び
    Ｒ″は一緒にオキソ（＝Ｏ）、メタノ（＝ＣＨ＿２）又
    はヒドロキシイミノ（＝Ｎ−ＯＨ）基を形成し；Ｂは非
    置換の又は置換されたシクロヘキシル、シクロヘキセニ
    ル、シクロヘキサジエニル又はフェニル核を表わし；Ｒ
    は−ＣＨ＿２ＯＨ又は−ＣＯＲ＿７基を表わし；Ｒ＿７
    は水素原子基−ＯＲ＿４又は▲数式、化学式、表等があ
    ります▼を表わし；Ｒ＿ａは水素原子、場合によっては
    置換基を有し得る炭素数１〜２０個のアルキル、モノヒ
    ドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アリ−ル
    又はアラルキル基又は糖残基を表わし；ｒ′及びｒ″は
    水素原子、低級アルキル、場合によってはヘテロ原子に
    よって中断されていてもよいモノヒドロキシアルキル、
    ポリヒドロキシアルキル、場合によっては置換されてい
    てもよいアリ−ル又はベンジル基、アミノ酸残基又はア
    ミノ糖残基を表わすか又は一緒に複素環を形成する）に
    よって表わされる二環式芳香族化合物、それらの塩、そ
    れらの光学異性体及び互変異性体、ただし２−〔（５，
    ８−メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
    チル）カルボニル〕安息香酸を除く、の製造法。 １３、該縮合反応を塩素系溶剤中でルイス酸の存在下に
    式（２）の酸無水物を用いて達成させる特許請求の範囲
    第１２項記載の製造法。 １４、得られるケト酸をテトラヒドロフラン中で水素化
    ホウ素ナトリウムの存在下又はアルカリ性媒質中で亜鉛
    の存在下でヒドロキシ酸に還元せしめる特許請求の範囲
    第１３項記載の製造法。 １５、得られるケト酸のケトン官能基を塩酸の存在下亜
    鉛アマルガムを用いて還元せしめる特許請求の範囲第１
    ２項記載の製造法。 １６、得られるケト酸をテトラヒドロフラン中で水素化
    リチウムアルミニウムの存在下でジオールに還元せしめ
    る特許請求の範囲第１２項記載の製造法。 １７、得られるジオ−ルをピリジニウムクロルクロメー
    トを用いる酸化によってケトアルデヒドに転化せしめる
    特許請求の範囲第１６項記載の製造法。 １８、適当な化粧料担体中に、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３及びＲ＿４は互いに独
    立して水素原子又は低級アルキル基を表わすが、Ｒ＿１
    ないしＲ＿４のうち少なくとも２個の基は水素原子以外
    の基であるものとし；Ａは非置換又は低級アルキル置換
    メチレン又はジメチレン基を表わし；Ａがジメチレン基
    を表わす場合にはＲ＿１及びＲ＿３は一緒にメチレン基
    又はジメチレン基を形成し得るものとし；Ｒ＿５及びＲ
    ＿６は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
    アルコキシ基又はヒドロキシルを表わし；Ｒ′は水素原
    子、ヒドロキシル基、低級アルコキシ基、Ｃ＿１〜Ｃ＿
    ４アシルオキシ基又はアミノ基を表わし；Ｒ″は水素原
    子又は低級アルコキシ基を表わし；あるいはＲ′及びＲ
    ″は一緒にオキソ（＝Ｏ）、メタノ（＝ＣＨ＿２）又は
    ヒドロキシイミノ（＝Ｎ−ＯＨ）基を形成し；Ｂは非置
    換の又は置換されたシクロヘキシル、シクロヘキセニル
    、シクロヘキサジエニル又はフェニル核を表わし；Ｒは
    −ＣＨ＿２ＯＨ又は−ＣＯＲ＿７基を表わし；Ｒ＿７は
    水素原子、基−ＯＲ＿３又は▲数式、化学式、表等があ
    ります▼を表わし；Ｒ＿３は水素原子、場合によっては
    置換基を有し得る炭素数１〜２０個のアルキル、モノヒ
    ドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アリール
    又はアラルキル基又は糖残基を表わし；ｒ′及びｒ″は
    水素原子、低級アルキル、場合によってはヘテロ原子に
    よって中断されていてもよいモノヒドロキシアルキル、
    ポリヒドロキシアルキル、場合によっては置換されてい
    てもよいアリール又はベンジル基、アミノ酸残基又はア
    ミノ糖残基を表わすか又は一緒に複素環を形成する）に
    よって表わされる二環式芳香族化合物、それらの塩、そ
    れらの光学異性体及び互変異性体、ただし２−〔（５，
    ８−メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフ
    チル）カルボニル〕安息香酸を除く、の少なくとも一種
    の化合物を含有せしめてなる化粧料組成物。 １９、該二環式芳香族誘導体から選んだ化合物を０．０
    ０５〜５重量％の量で含有する特許請求の範囲第１８項
    記載の組成物。 ２０、該化合物の含有量が０．０１〜１重量％である特
    許請求の範囲第１９項記載の組成物。 ２１、医薬又は動物薬用担体中に、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３及びＲ＿４は互いに独
    立して水素原子又は低級アルキル基を表わすが、Ｒ＿１
    ないしＲ＿４のうち少なくとも２個の基は水素原子以外
    の基であるものとし；Ａは非置換又は低級アルキル置換
    メチレン又はジメチレン基を表わし；Ａがジメチレン基
    を表わす場合にはＲ＿１及びＲ＿３は一緒にメチレン基
    又はジメチレン基を形成し得るものとし；Ｒ＿５及びＲ
    ＿６は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
    アルコキシ基又はヒドロキシル基を表わし；Ｒ′は水素
    原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシ基、Ｃ＿１〜Ｃ
    ＿４アシルオキシ基又はアミノ基を表わし；Ｒ″は水素
    原子又は低級アルコキシ基を表わし；あるいはＲ′及び
    Ｒ″は一緒にオキソ（＝Ｏ）、メタノ（＝ＣＨ＿２）又
    はヒドロキシイミノ（＝Ｎ−ＯＨ）基を形成し；Ｂは非
    置換の又は置換されたシクロヘキシル、シクロヘキセニ
    ル、シクロヘキサジエニル又はフェニル核を表わし；Ｒ
    は−ＣＨ＿２ＯＨ又は−ＣＯＲ＿７基を表わし；Ｒ＿７
    は水素原子、基−ＯＲ＿４又は▲数式、化学式、表等が
    あります▼を表わし；Ｒ＿６は水素原子、場合によって
    は置換基を有し得る炭素数１〜２０個のアルキル、モノ
    ヒドロキシアルキル、ポリヒドロキシアルキル、アリー
    ル又はアラルキル基又は糖残基を表わし；ｒ′及びｒ″
    は水素原子、低級アルキル、場合によってはヘテロ原子
    によって中断されていてもよいモノヒドロキシアルキル
    、ポリヒドロキシアルキル、場合によっては置換されて
    いてもよいアリール又はベンジル基、アミノ酸残基又は
    アミノ糖残基を表わすか又は一緒に複素環を形成する）
    によって表わされる二環式芳香族化合物、それらの塩、
    それらの光学異性体及び互変異性体、ただし２−〔（５
    ，８−メタノ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナ
    フチル）カルボニル〕安息香酸を除く、の少なくとも一
    種の化合物を含有せしめてなる医薬又は動物薬組成物。 ２２、該担体が腸管経由、非経口、局所又は眼投与用に
    適する担体である特許請求の範囲第２１項記載の組成物
    。 ２３、局所投与用に適する剤型でありかつ該二環式芳香
    族誘導体から選んだ化合物を０．０１〜１０重量％の割
    合で含有するものである特許請求の範囲第２１項記載の
    組成物。 ２４、該化合物の含有量が０．１〜５重量％である特許
    請求の範囲第２３項記載の組成物。
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