JPS63201063A - セラミツクヒ−タ及びその製造方法 - Google Patents
セラミツクヒ−タ及びその製造方法Info
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- JPS63201063A JPS63201063A JP62029991A JP2999187A JPS63201063A JP S63201063 A JPS63201063 A JP S63201063A JP 62029991 A JP62029991 A JP 62029991A JP 2999187 A JP2999187 A JP 2999187A JP S63201063 A JPS63201063 A JP S63201063A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 4
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、調理器、印刷用ロール、投込みヒータ等に使
用するセラミックヒータとその製造方法に関する。
用するセラミックヒータとその製造方法に関する。
「従来の技術」
セラミックヒータは、調理器、印刷用ロール、投込みヒ
ータ等に使用されるので、それぞれの使用目的に応じた
特性が要求される。
ータ等に使用されるので、それぞれの使用目的に応じた
特性が要求される。
従来、ホットプレート等の加熱ヒータとして各種のセラ
ミックを使用したものがあり、それらの主材料としてS
iC、ZrO2、LaCr0)などが使用されている。
ミックを使用したものがあり、それらの主材料としてS
iC、ZrO2、LaCr0)などが使用されている。
そして高温時での耐酸化性があるものとして、珪素化合
物を使用したセラミック発熱体が特開昭513−988
7号公報に示されている。また、劣化しにくい軽量のセ
ラミックヒータとして、Al2O3とSi02を材料と
して使用したものが特開昭58−142778号公報に
示されている。
物を使用したセラミック発熱体が特開昭513−988
7号公報に示されている。また、劣化しにくい軽量のセ
ラミックヒータとして、Al2O3とSi02を材料と
して使用したものが特開昭58−142778号公報に
示されている。
「発明が解決しようとする問題点」
従来のセラミックヒータの中には、高温時での耐酸化性
を有するもの、あるいは劣化しに〈〈軽量にしたものが
ある。
を有するもの、あるいは劣化しに〈〈軽量にしたものが
ある。
しかしセラミックヒータの組成あるいはそれを製造する
場合の諸条件により、セラミックヒータの各個所での電
気抵抗率にバラツキが生じ易く、このバラツキを十分に
なくしたものがない、またセラミックヒータで急速加熱
できるようにすることが望まれているが、急速加熱でき
るようにすると耐久性に問題が生じたり、あるいはヒー
タの形状を複雑に成形できないという強度上の問題があ
った・ そこで本発明は、急速加熱できるようにするとともに、
セラミックヒータ全体の比抵抗にバラツキが生じないよ
うにし、さらに高温での長時間使用でも加熱特性に変化
が生じないようにして耐久性を持たせ、加工強度性もよ
くすることを目的とする。
場合の諸条件により、セラミックヒータの各個所での電
気抵抗率にバラツキが生じ易く、このバラツキを十分に
なくしたものがない、またセラミックヒータで急速加熱
できるようにすることが望まれているが、急速加熱でき
るようにすると耐久性に問題が生じたり、あるいはヒー
タの形状を複雑に成形できないという強度上の問題があ
った・ そこで本発明は、急速加熱できるようにするとともに、
セラミックヒータ全体の比抵抗にバラツキが生じないよ
うにし、さらに高温での長時間使用でも加熱特性に変化
が生じないようにして耐久性を持たせ、加工強度性もよ
くすることを目的とする。
r問題点を解決するための手段」
本発明の主要な目的である急速加熱性を達成するには、
ヒーターの抵抗値を小さくして瞬間的に大電流を通電さ
せれば良く、高温耐久性を得るにはヒーター材の組成物
に高融点でしかも耐酸化性に優れたものを使用すれば良
い、また、ヒーターはその発熱時における電流の暴走に
よる溶断を防ぐため、かつ、その温度抵抗係数を利用し
てヒーター表面温度を一定に電流制御するため、ヒータ
は正の抵抗温度係数を有することが望ましい。このよう
な特性を持つヒーター材を種々検討した結果、本発明者
は焼結助剤を含有するサイアロン焼結体中に、導電性を
有するTiN粉末を分散させた実質的にはサイアロン−
TiNからなる複合焼結体が、室温時の電気抵抗率1Ω
・C11以下で、正の抵抗温度係数を有し、ヒーターの
動作温度領域で温度耐久性のあることを見出した。
ヒーターの抵抗値を小さくして瞬間的に大電流を通電さ
せれば良く、高温耐久性を得るにはヒーター材の組成物
に高融点でしかも耐酸化性に優れたものを使用すれば良
い、また、ヒーターはその発熱時における電流の暴走に
よる溶断を防ぐため、かつ、その温度抵抗係数を利用し
てヒーター表面温度を一定に電流制御するため、ヒータ
は正の抵抗温度係数を有することが望ましい。このよう
な特性を持つヒーター材を種々検討した結果、本発明者
は焼結助剤を含有するサイアロン焼結体中に、導電性を
有するTiN粉末を分散させた実質的にはサイアロン−
TiNからなる複合焼結体が、室温時の電気抵抗率1Ω
・C11以下で、正の抵抗温度係数を有し、ヒーターの
動作温度領域で温度耐久性のあることを見出した。
すなわち第1の発明は、 Si3 N4に対して5〜1
0wt%(7) Y 203 、2〜12wt%のAl
Nポリタイプサイアロン1〜5wt%のAl2O,を加
え、これらSi3 N4 、 Y203 、 AlNポ
リタイプサイアロン、A120xの合計に対し、20v
ol%を越え70vol%未満のTiNを添加し、混合
、成形、常圧焼結を行い、サイアロンとTiNの複合焼
結体よりなるセラミックヒータを得ることにある。
0wt%(7) Y 203 、2〜12wt%のAl
Nポリタイプサイアロン1〜5wt%のAl2O,を加
え、これらSi3 N4 、 Y203 、 AlNポ
リタイプサイアロン、A120xの合計に対し、20v
ol%を越え70vol%未満のTiNを添加し、混合
、成形、常圧焼結を行い、サイアロンとTiNの複合焼
結体よりなるセラミックヒータを得ることにある。
ここで、5〜10wt%のY2O3を添加するのは常圧
焼結を可能にするためであり、Y2O3が5wt%未満
では、焼結体が緻密化せず、Y2O3が10wt%を越
えると高温強度の低下が著しいからである。AlNポリ
タイプサイアロン贋を2〜12wt%に限定するのは、
2wt%未満では、高温強度が著しく低下し、また12
wtを越えると、焼結性が低下し、強度が低下するから
である。また、Al2O3縫を1〜5wt%に限定する
のは、1wt%未満では焼結性が低下し密度の上昇が困
難となり、5wt%を越えると高温強度の低下が著しい
からである。
焼結を可能にするためであり、Y2O3が5wt%未満
では、焼結体が緻密化せず、Y2O3が10wt%を越
えると高温強度の低下が著しいからである。AlNポリ
タイプサイアロン贋を2〜12wt%に限定するのは、
2wt%未満では、高温強度が著しく低下し、また12
wtを越えると、焼結性が低下し、強度が低下するから
である。また、Al2O3縫を1〜5wt%に限定する
のは、1wt%未満では焼結性が低下し密度の上昇が困
難となり、5wt%を越えると高温強度の低下が著しい
からである。
ここで、導電性材料としてTiNを用いるのは他のfV
a族の炭化物、窒化物等を添加することによっても導電
性を得ることは可能だが、TiNが最も良好な強度特性
、#酸化性を示すからである。このTiN添加量は20
vol%を越え70マO1%未満とするのは、20マo
f%以下では、電気抵抗率が1Ω・cm以下にならず導
電性が不十分であり、70701%以上では、高温強度
の低下が著しく、高温での信頼性に劣るためである。な
おTiN添加量が50マ01%を越えると、サイアロン
本来の性質である耐酸化性、高温強度が損なわれること
があるのでその添加量は50vol%以下がより望まし
い。
a族の炭化物、窒化物等を添加することによっても導電
性を得ることは可能だが、TiNが最も良好な強度特性
、#酸化性を示すからである。このTiN添加量は20
vol%を越え70マO1%未満とするのは、20マo
f%以下では、電気抵抗率が1Ω・cm以下にならず導
電性が不十分であり、70701%以上では、高温強度
の低下が著しく、高温での信頼性に劣るためである。な
おTiN添加量が50マ01%を越えると、サイアロン
本来の性質である耐酸化性、高温強度が損なわれること
があるのでその添加量は50vol%以下がより望まし
い。
第2の発明はセラミックヒータの製造方法であり、第1
発明の重量%で混合される各材料の粒径を選定して窒素
ガス中所定温度で常圧焼結することにより、所定のヒー
タ特性が得られるようにしたものである。
発明の重量%で混合される各材料の粒径を選定して窒素
ガス中所定温度で常圧焼結することにより、所定のヒー
タ特性が得られるようにしたものである。
すなわちサイアロン焼結体を製造するに当り、Y2O3
粉末とALNポリタイプサイアロン粉末の平均粒径を5
鉢−以下とし、Al2O3粉末、 Si3N4粉末の平
均粒径を 14m以下とする。このように粒径を選ぶの
は高密度焼結体を得るためである。またTiN粉末の平
均粒径を14m以上とするが、そのように選ぶのは1μ
m以上では、導電性材料であるTiN粉末同志の接触の
確立が低いため焼結体とした場合に、局所的に電気抵抗
率のばらつきが発生し、ヒータとして発熱させた時に局
所的温度偏在が発生し、品質保証上問題となるからであ
る。
粉末とALNポリタイプサイアロン粉末の平均粒径を5
鉢−以下とし、Al2O3粉末、 Si3N4粉末の平
均粒径を 14m以下とする。このように粒径を選ぶの
は高密度焼結体を得るためである。またTiN粉末の平
均粒径を14m以上とするが、そのように選ぶのは1μ
m以上では、導電性材料であるTiN粉末同志の接触の
確立が低いため焼結体とした場合に、局所的に電気抵抗
率のばらつきが発生し、ヒータとして発熱させた時に局
所的温度偏在が発生し、品質保証上問題となるからであ
る。
更に、常圧焼結法を用いるのは、複雑形状のヒータをホ
ットプレスで焼結することは、極めて困難であり、工業
的には常圧焼結によってのみその製造が可能だからであ
る。ここで焼結温度は、1600〜1900℃とするが
、それは1600℃未満では、焼結時の緻密化が不十分
であり、1900℃を越えるとSi3N4が分解を起す
からである。また、窒素ガス圧ヲ0.5〜2kg/ C
11” 、!:するが、ツレは0.5 kg/c+s”
未満ではSixN+が分解を起こし、 2kg/C1”
を越えて窒素ガス圧をかける場合には耐圧構造の炉とす
ることが必要で、装置上の制約が大きいからである。
ットプレスで焼結することは、極めて困難であり、工業
的には常圧焼結によってのみその製造が可能だからであ
る。ここで焼結温度は、1600〜1900℃とするが
、それは1600℃未満では、焼結時の緻密化が不十分
であり、1900℃を越えるとSi3N4が分解を起す
からである。また、窒素ガス圧ヲ0.5〜2kg/ C
11” 、!:するが、ツレは0.5 kg/c+s”
未満ではSixN+が分解を起こし、 2kg/C1”
を越えて窒素ガス圧をかける場合には耐圧構造の炉とす
ることが必要で、装置上の制約が大きいからである。
以上により、本発明によって得られたサイアロンとTi
Nの複合焼結体は、電気抵抗率が 1Ω・cm以下で、
正の抵抗温度係数を示し、かつ高温での耐久性を示す。
Nの複合焼結体は、電気抵抗率が 1Ω・cm以下で、
正の抵抗温度係数を示し、かつ高温での耐久性を示す。
「実施例1」
Si3N4粉末(粒径0.7μm、α化率93%)87
wt%、Y2O3粉末(粒径IILm) 5wt%、
AlNポリタイプサイアロン粉末(結晶型21R1粒径
2am> 3wt%、A]20ff粉末(粒径0.5
pm) 5wt%の組成に調整した粉末に対し、T
iN粉末(粒径0.8 μm)を34vol%添加した
後、有機溶剤で2日以上混 合し、乾燥後、冷間静水圧プレスにより1.5t/cm
2の圧力をもって成形する。その後、成形体を1600
℃3時間窒素ガス 1気圧雰囲気中で焼結を行なった。
wt%、Y2O3粉末(粒径IILm) 5wt%、
AlNポリタイプサイアロン粉末(結晶型21R1粒径
2am> 3wt%、A]20ff粉末(粒径0.5
pm) 5wt%の組成に調整した粉末に対し、T
iN粉末(粒径0.8 μm)を34vol%添加した
後、有機溶剤で2日以上混 合し、乾燥後、冷間静水圧プレスにより1.5t/cm
2の圧力をもって成形する。その後、成形体を1600
℃3時間窒素ガス 1気圧雰囲気中で焼結を行なった。
このようにして得た(サイアロン−TiN)の複合焼結
体は、相対密度88%、室温および1000℃の曲げ強
さ約70kg/ms” (J I S 3点曲げ)熱
膨張係数4.5 X 10(/l、室温時の電気抵抗率
0.87XIO−3Ωe Cm、抵抗温度係数(室温〜
1000℃)+0.3%/℃の特性を示している。
体は、相対密度88%、室温および1000℃の曲げ強
さ約70kg/ms” (J I S 3点曲げ)熱
膨張係数4.5 X 10(/l、室温時の電気抵抗率
0.87XIO−3Ωe Cm、抵抗温度係数(室温〜
1000℃)+0.3%/℃の特性を示している。
第1図は上記実施例の焼結体の光学m微鏡組織写真であ
り、白く見えるTiN相の平均粒径は画像解析の結果1
.2μmであった。また第1図で、粒界相はTiN相近
く灰色に見える部分であり、サイアロン相はより暗く黒
く見える部分である。
り、白く見えるTiN相の平均粒径は画像解析の結果1
.2μmであった。また第1図で、粒界相はTiN相近
く灰色に見える部分であり、サイアロン相はより暗く黒
く見える部分である。
上記焼結体の電気抵抗率を次のように測定した、焼結体
は30X 70X 5tsの板状試験片に形成し、その
30X?Oの部分を 4端子法で10mm間隔、21個
所測定し、電気抵抗率のばらつきの状態を第1表に示す
。また併せて平均粒径24m、5#LmのTiN粉末を
用いた場合の比較例も第1表に示した。
は30X 70X 5tsの板状試験片に形成し、その
30X?Oの部分を 4端子法で10mm間隔、21個
所測定し、電気抵抗率のばらつきの状態を第1表に示す
。また併せて平均粒径24m、5#LmのTiN粉末を
用いた場合の比較例も第1表に示した。
第1表から明らかなように、平均粒径2pm、54mの
TiN粉末を用いた焼結体では、電気抵抗率のばらつき
が大きく、品質保証上問題となるが、 0.8 μmの
TiN粉末を用いた焼結体では、ばらつきが小さく、特
性の安定した高品質のものが製造できる。
TiN粉末を用いた焼結体では、電気抵抗率のばらつき
が大きく、品質保証上問題となるが、 0.8 μmの
TiN粉末を用いた焼結体では、ばらつきが小さく、特
性の安定した高品質のものが製造できる。
また前記実施例において、TiN粉末は粒径0.8μm
、長径/短径=1.8のものを使用した場合(本実施例
)と、粒径3.g m、長径/短径=3.5のものを使
用した場合(比較例)との電気抵抗率を前記実施例と同
様にして測定し、その結果を第2表に示した。
、長径/短径=1.8のものを使用した場合(本実施例
)と、粒径3.g m、長径/短径=3.5のものを使
用した場合(比較例)との電気抵抗率を前記実施例と同
様にして測定し、その結果を第2表に示した。
第2表から明らかなように、比較例では電気抵抗率のば
らつきが大きく、品質保証上問題となるのに対し、本実
施例のTiN粉末を用いた焼結体では電気抵抗率のばら
つきが小さく、特性が安定していることがわかる。
らつきが大きく、品質保証上問題となるのに対し、本実
施例のTiN粉末を用いた焼結体では電気抵抗率のばら
つきが小さく、特性が安定していることがわかる。
「実施例2」
実施例1と同様の方法により得られる(サイアミン−T
iN)複合焼結体を20X 100X 1 (am)
(1)板状試験片(第2図)に形成して、ヒータlを形
成した。ヒータlの両端部には、無電界Niメッキを施
しリード線を接続するための電極2.3を設けた。
iN)複合焼結体を20X 100X 1 (am)
(1)板状試験片(第2図)に形成して、ヒータlを形
成した。ヒータlの両端部には、無電界Niメッキを施
しリード線を接続するための電極2.3を設けた。
第3図は、このヒータlを直流電源回路に接続し、II
Vを加えて通電した場合の昇温結果を示したものである
。横軸は通電時間、縦軸はヒータの中央部(第1図A)
と、中央から20■謬電極側に離れた部所(第1図B)
とでの表面温度である0本発明によるセラミックヒータ
は800℃まで約2秒前後で急速加熱が可能であり、従
来のシースヒータでは5〜10秒要すのに比べて速熱性
が格段に優れている。またヒータ温度は、1000℃で
飽和しており、この材料が正の抵抗温度係数を有し、好
ましい特性を示している。さらにヒータの、A、 B点
での温度差はなく望ましいものであることがわかる。
Vを加えて通電した場合の昇温結果を示したものである
。横軸は通電時間、縦軸はヒータの中央部(第1図A)
と、中央から20■謬電極側に離れた部所(第1図B)
とでの表面温度である0本発明によるセラミックヒータ
は800℃まで約2秒前後で急速加熱が可能であり、従
来のシースヒータでは5〜10秒要すのに比べて速熱性
が格段に優れている。またヒータ温度は、1000℃で
飽和しており、この材料が正の抵抗温度係数を有し、好
ましい特性を示している。さらにヒータの、A、 B点
での温度差はなく望ましいものであることがわかる。
次にヒータA、B点での温度差に関する比較例として、
平均粒径3μm、長径/短径=3.5のTiN粉末を用
いた焼結体で第2図に示すヒータを作成し、11v通電
した結果を第4図に示した。このヒータのA、B点での
表面温度は約80℃もあり、品質保証上問題である。
平均粒径3μm、長径/短径=3.5のTiN粉末を用
いた焼結体で第2図に示すヒータを作成し、11v通電
した結果を第4図に示した。このヒータのA、B点での
表面温度は約80℃もあり、品質保証上問題である。
また別の比較例として、平均粒径5pm、長径/短径=
2.0のTiN粉末を用いた焼結体で第2図に示すヒー
タを作成し、IIV通電した結果を第5図に示した。こ
の場合もヒータのA、B点での表面温度は、約80℃の
差があり品質上問題である。
2.0のTiN粉末を用いた焼結体で第2図に示すヒー
タを作成し、IIV通電した結果を第5図に示した。こ
の場合もヒータのA、B点での表面温度は、約80℃の
差があり品質上問題である。
「実施例3」
実施例2と全く同様な手法により第2図に示すヒータを
作成した。第6図は、このヒータを大気中で連続通電し
た場合の加熱温度を示すものである0通電初期の温度1
000℃から1000時間通電後でも温度は全く変化せ
ず、また、2000時間通電後においても温度低下は約
50℃であり、十分高温耐久性のあることが解る。
作成した。第6図は、このヒータを大気中で連続通電し
た場合の加熱温度を示すものである0通電初期の温度1
000℃から1000時間通電後でも温度は全く変化せ
ず、また、2000時間通電後においても温度低下は約
50℃であり、十分高温耐久性のあることが解る。
「発明の効果」
本発明による(サイアロン−TiN)複合焼結体は、低
抵抗率のため急速加熱性に優れ、かつ抵抗温度係数が正
のため、電源暴走による溶断がなく I、さらに高い
融点と耐酸化性を有する等の特長がある。また電気抵抗
率のばらつきが小さいため、品質・の安定したヒータを
製造できるという特長がある。このため、急速な昇温速
度並びに高温耐久性が要求される直熱タイプのヒータに
好適である、さらに本発明によるヒータは、高密度、高
強度の特性を有するため、ヒータ形状は、前記した板状
に限らず円柱状1円筒状等の形状にすることも可能であ
る。
抵抗率のため急速加熱性に優れ、かつ抵抗温度係数が正
のため、電源暴走による溶断がなく I、さらに高い
融点と耐酸化性を有する等の特長がある。また電気抵抗
率のばらつきが小さいため、品質・の安定したヒータを
製造できるという特長がある。このため、急速な昇温速
度並びに高温耐久性が要求される直熱タイプのヒータに
好適である、さらに本発明によるヒータは、高密度、高
強度の特性を有するため、ヒータ形状は、前記した板状
に限らず円柱状1円筒状等の形状にすることも可能であ
る。
さらに本発明によるヒータは直熱型であるため、従来の
金属シースヒータ、あるいはセラミック中に金属抵抗線
を埋設したヒータに比べて構造が重重で、しかも小型軽
量化が図れる。
金属シースヒータ、あるいはセラミック中に金属抵抗線
を埋設したヒータに比べて構造が重重で、しかも小型軽
量化が図れる。
第1図は本発明の実施例で使用したサイアロン−TiN
複合焼結体の顕微鏡による金属組織写真。 邪2図は本実施例であるヒータの斜視図、第3〜5図は
ヒータに通電した場合の昇温特性を示すグラフ、第6図
はヒータに連続通電した場合の高温耐久性を示すグラフ
である。 出願人 日立金属 株式会社 代理人 弁理士 牧 克 次 第2図 通電時間(jec) 通電時間(、teC)
複合焼結体の顕微鏡による金属組織写真。 邪2図は本実施例であるヒータの斜視図、第3〜5図は
ヒータに通電した場合の昇温特性を示すグラフ、第6図
はヒータに連続通電した場合の高温耐久性を示すグラフ
である。 出願人 日立金属 株式会社 代理人 弁理士 牧 克 次 第2図 通電時間(jec) 通電時間(、teC)
Claims (5)
- (1)Y_2O_35〜10wt%、AlNポリタイプ
サイアロン2〜12wt%、Al_2O_31〜5wt
%および残部Si_3N_4の合計に対し20vol%
を越え70vol%未満のTiNを含有するサイアロン
とTiNの複合焼結体よりなり、粒界相とTiN相とサ
イアロン相とからなる複合組織を有することを特徴とす
るセラミックヒータ。 - (2)粒界相が、Y、Si、O、N、Alを含む非晶質
相であり、サイアロン相がSi_6_−_zAl_zO
_zN_6_zで示されるβ型サイアロンであってzが
0を越え、1未満の組成物であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載のセラミックヒータ。 - (3)TiN粉末は平均粒径が2μm以下であって、そ
の長径は短径に対する比が3以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載のセラミックヒータ。 - (4)室温時の電気抵抗率が1Ω・cm以下で、かつ抵
抗温度係数が正であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載のセラミックヒータ。 - (5)平均粒径5μm以下のY_2O_3粉末を5〜1
0wt%と平均粒径5μm以下のAlNポリタイプサイ
アロン粉末を2〜12wt%と平均粒径1μm以下のA
l_2O_3粉末を1〜5wt%と残部を平均粒径1μ
m以下のSi_3N_4粉末とで配合したものに、平均
粒径1μm以下のTiN粉末を20vol%を越え70
vol%未満混合し、成形した後、温度1600℃〜1
900℃、ガス圧0.5〜2kg/cm^2の窒素中で
常圧焼結することを特徴とするセラミックヒータの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029991A JP2521690B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | セラミツクヒ−タ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029991A JP2521690B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | セラミツクヒ−タ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63201063A true JPS63201063A (ja) | 1988-08-19 |
JP2521690B2 JP2521690B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=12291415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62029991A Expired - Lifetime JP2521690B2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | セラミツクヒ−タ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2521690B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63319263A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Toshiba Corp | 窒化ケイ素系セラミックス |
JPWO2021124690A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | ||
CN116041071A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-05-02 | 广东工业大学 | 一种高熵氮化物/塞隆复合陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP62029991A patent/JP2521690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63319263A (ja) * | 1987-06-23 | 1988-12-27 | Toshiba Corp | 窒化ケイ素系セラミックス |
JPWO2021124690A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | ||
CN116041071A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-05-02 | 广东工业大学 | 一种高熵氮化物/塞隆复合陶瓷及其制备方法和应用 |
CN116041071B (zh) * | 2022-12-28 | 2024-01-09 | 广东工业大学 | 一种高熵氮化物/塞隆复合陶瓷及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2521690B2 (ja) | 1996-08-07 |
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