JPS63200545A - 高周波用混成集積回路 - Google Patents
高周波用混成集積回路Info
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- JPS63200545A JPS63200545A JP62033955A JP3395587A JPS63200545A JP S63200545 A JPS63200545 A JP S63200545A JP 62033955 A JP62033955 A JP 62033955A JP 3395587 A JP3395587 A JP 3395587A JP S63200545 A JPS63200545 A JP S63200545A
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- Japan
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- conductor
- line
- integrated circuit
- circuit
- hybrid integrated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路に関し、特に回路動作の安定化、
及び回路の小形化ならびに高密度化を可能にした、高周
波用混成集積回路に関する。
及び回路の小形化ならびに高密度化を可能にした、高周
波用混成集積回路に関する。
従来この種の高周波用混成集積回路は、誘電体基板の一
方の面に形成された線路導体と、前記誘電体基板の他方
の面に形成された接地導体によシ非対称型ス） ＩＪツ
ブ線路を構成し、前記線路導体上に能動素子及び受動素
子を搭載しである種の回路動作（発振、増巾等）をする
混成集積回路を構成し、下部開口を有する箱形の誘電体
キヤ・ンプをかぶせて内部を気密封止しており念。
方の面に形成された線路導体と、前記誘電体基板の他方
の面に形成された接地導体によシ非対称型ス） ＩＪツ
ブ線路を構成し、前記線路導体上に能動素子及び受動素
子を搭載しである種の回路動作（発振、増巾等）をする
混成集積回路を構成し、下部開口を有する箱形の誘電体
キヤ・ンプをかぶせて内部を気密封止しており念。
上述した従来の高周波用混成集積回路では、低インピー
ダンスの線路によって回路を構成する必要がある場合に
は、線路導体の線路中を広くする必要がある。従って、
この場合回路全体の面積も広くなる。また、逆相で励振
されている線路導体が近接して配線されていると、電界
の結合が生じて、帰還による異常発振の原因となるため
、この様な場合には、線路導体の間隔を広くする必要が
ある。これらのため、回路の小型化、高密度化が困難で
あった。
ダンスの線路によって回路を構成する必要がある場合に
は、線路導体の線路中を広くする必要がある。従って、
この場合回路全体の面積も広くなる。また、逆相で励振
されている線路導体が近接して配線されていると、電界
の結合が生じて、帰還による異常発振の原因となるため
、この様な場合には、線路導体の間隔を広くする必要が
ある。これらのため、回路の小型化、高密度化が困難で
あった。
本発明の高周波用混成集積回路は、誘電体基板の上面に
線路導体パターンが形成され、下面に接地導体が形成さ
れていて、上面の線路導体パターン上には、能動素子及
び受動素子が搭載されている。かつ、回路と保護する箱
形の誘電体キャップの内面または誘電体層の中に部分的
に接地導体が形成されておシ、このキャップ内面または
誘電体層内の接地導体のパターンのいづれかの端が前記
基板下面の接地導体に接続されている。以上の構成によ
り、非対称型のストリ・ツブ線路回路網の一部のス）
ＩＪツブ線路が近似的に対称型のス） ＩＪツブ線路と
なって線路インピーダンスを下げている。
線路導体パターンが形成され、下面に接地導体が形成さ
れていて、上面の線路導体パターン上には、能動素子及
び受動素子が搭載されている。かつ、回路と保護する箱
形の誘電体キャップの内面または誘電体層の中に部分的
に接地導体が形成されておシ、このキャップ内面または
誘電体層内の接地導体のパターンのいづれかの端が前記
基板下面の接地導体に接続されている。以上の構成によ
り、非対称型のストリ・ツブ線路回路網の一部のス）
ＩＪツブ線路が近似的に対称型のス） ＩＪツブ線路と
なって線路インピーダンスを下げている。
〔実施例〕
次に本発明について、図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図である。
第１図において、誘電体基板１の一方の面には、線路導
体パターン３ａ、３ｂが形成され、基板１の下面には接
地導体２が形成されている。ま念、下部開口を有する箱
形の誘電体キャップ４の内面には、線路導体−パターン
３ｂと対向する部分に突起部５が形成され、突起部５の
表面には、接地導体６が形成されている。接地導体６の
いずれかの端は第２図に示すように、誘電体基板１の接
地導体２と半田等のロウ材７によシ接続されてい右。
体パターン３ａ、３ｂが形成され、基板１の下面には接
地導体２が形成されている。ま念、下部開口を有する箱
形の誘電体キャップ４の内面には、線路導体−パターン
３ｂと対向する部分に突起部５が形成され、突起部５の
表面には、接地導体６が形成されている。接地導体６の
いずれかの端は第２図に示すように、誘電体基板１の接
地導体２と半田等のロウ材７によシ接続されてい右。
接地導体６が形成された部分のス） ＩＪツブ線路３ｂ
の電界は、第３図の（ｂｌに示す様に、線路導体３ｂと
接地導体２、及び、線路導体３ｂと接地導体６の間に形
成されて、ストリップ線路のインピーダンスを接地導体
６がない場合、〔第３図（ａ）〕に比べて同じ回路面積
で低くすることが可能となる。
の電界は、第３図の（ｂｌに示す様に、線路導体３ｂと
接地導体２、及び、線路導体３ｂと接地導体６の間に形
成されて、ストリップ線路のインピーダンスを接地導体
６がない場合、〔第３図（ａ）〕に比べて同じ回路面積
で低くすることが可能となる。
例えば、誘電体基板１として厚さ０．６３５ｍｍのアル
ミナ基板を使用し、線路導体パターン３ｂの巾ｔｏ、５
ｍｍとした時に線路導体３ｂと接地導体６との間隔ｔｏ
、６ｍｍになる様に突起部５ｔ−設計すると、線路イン
ピーダンスは約３５０となシ、キャップ内面の接地導体
６がない場合（約５００）に比べて約１５０線路インピ
ーダンスを下げることができる。
ミナ基板を使用し、線路導体パターン３ｂの巾ｔｏ、５
ｍｍとした時に線路導体３ｂと接地導体６との間隔ｔｏ
、６ｍｍになる様に突起部５ｔ−設計すると、線路イン
ピーダンスは約３５０となシ、キャップ内面の接地導体
６がない場合（約５００）に比べて約１５０線路インピ
ーダンスを下げることができる。
第４図は本発明の第２の実施例の部分断面図である。誘
電体基板ｌ１例えば厚さ０．５５ｍｍのアルミナ基板上
に、線路導体８及び線路導体９が例えば５０【１線路で
あれば間隔０．６ ｍｍ程度に近接して配線されて―て
線路導体８と線路導体９は逆相で励振されている。誘電
体Φヤヴプ４は、線路導体８及び９の上にあ九るところ
に突起５が形成され、突起５の表面には接地導体６が形
成されている。
電体基板ｌ１例えば厚さ０．５５ｍｍのアルミナ基板上
に、線路導体８及び線路導体９が例えば５０【１線路で
あれば間隔０．６ ｍｍ程度に近接して配線されて―て
線路導体８と線路導体９は逆相で励振されている。誘電
体Φヤヴプ４は、線路導体８及び９の上にあ九るところ
に突起５が形成され、突起５の表面には接地導体６が形
成されている。
接地導体６のいずれかの端は基板の下面の接地導体２と
半田等のロウ材７によシ接続されている。
半田等のロウ材７によシ接続されている。
本実ｓ刑の構造では、キャップ内面突起部の接地導体６
がない場合の第５図（ａｌに示すような電界の結合が、
接地導体６により第５図（ｂｌの様にシールドされて結
合しなくなル、帰還による異常発振音防止できる。
がない場合の第５図（ａｌに示すような電界の結合が、
接地導体６により第５図（ｂｌの様にシールドされて結
合しなくなル、帰還による異常発振音防止できる。
第６図は本発明の第３の実施例の部分断面図である。第
６図において、誘電体基板１上の線路導体ｌＯに対向さ
せている接地導体６は、誘電体キャップ４の内面に露出
させずに、誘電体層の内部に設けられて、線路導体１０
と短絡する心配がなくされている。
６図において、誘電体基板１上の線路導体ｌＯに対向さ
せている接地導体６は、誘電体キャップ４の内面に露出
させずに、誘電体層の内部に設けられて、線路導体１０
と短絡する心配がなくされている。
以上説明した様に本発明は、誘電体基板の一方の面に非
対称型のストリップ線路で構成され北回路の一部を、前
記基板の上にかぶせる箱形の誘電体キャップの対向する
部分に設けて近似的に対称型のストリップ線路構造にす
ることによシ、回路面積を広げることなく、低インピー
ダンス線路を実現できる効果がある。又、回路の高密度
化に伴う線路間結合による異常発振を防止できる効果も
ある。
対称型のストリップ線路で構成され北回路の一部を、前
記基板の上にかぶせる箱形の誘電体キャップの対向する
部分に設けて近似的に対称型のストリップ線路構造にす
ることによシ、回路面積を広げることなく、低インピー
ダンス線路を実現できる効果がある。又、回路の高密度
化に伴う線路間結合による異常発振を防止できる効果も
ある。
第１図は本発明の一実施例の部分断面図、第２図は第１
図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図（ａ） 、 （ｂｌは第
１図の実施例の電界分布を示す図、第４図は本発明の第
２の実施例の部分断面図、第５図（ａ） 、 （ｂｌは
第４図の実施例の電界分布を示す図、第６図は誘電体キ
ャップ内面の導電体層の変形例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・誘電体基板、２・・・・・・基板下面の
接地導体、３ａ、３ｂ、８，９．１０・・・・・・線路
導体、４・・・・・・誘電体キヤ・ツブ、５・・・・・
・キャップ内壁の穴起部、６・・・・・・キャップ内壁
突起部の接地導体、７・・・・・・ロウ材。
図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図（ａ） 、 （ｂｌは第
１図の実施例の電界分布を示す図、第４図は本発明の第
２の実施例の部分断面図、第５図（ａ） 、 （ｂｌは
第４図の実施例の電界分布を示す図、第６図は誘電体キ
ャップ内面の導電体層の変形例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・誘電体基板、２・・・・・・基板下面の
接地導体、３ａ、３ｂ、８，９．１０・・・・・・線路
導体、４・・・・・・誘電体キヤ・ツブ、５・・・・・
・キャップ内壁の穴起部、６・・・・・・キャップ内壁
突起部の接地導体、７・・・・・・ロウ材。
Claims (2)
- （１）誘電体基板の上面に導体パターンが形成され、こ
のパターン面上に能動素子および受動素子が搭載され、
さらに前記パターン面の上に下部開口した箱形の誘電体
キャップをかぶせ封止した高周波用混成集積回路におい
て、前記箱形誘電体外装キャップの内面または層内に導
体層が形成され、さらにこの導体層は前記誘電体基板の
下面に形成されている接地導体層と接続されていること
を特徴とする高周波用混成集積回路。 - （２）上記箱形外装キャップは、上記誘電体基板上の導
体パターンと対向するように内部に突出した突起部を有
し、この突起部に前記基板の下部接地導体と接続された
導体層が形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の高周波用混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033955A JPH0724289B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 高周波用混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033955A JPH0724289B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 高周波用混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200545A true JPS63200545A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0724289B2 JPH0724289B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=12400914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033955A Expired - Lifetime JPH0724289B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 高周波用混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724289B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418329A (en) * | 1992-12-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency IC package |
| US7684764B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters and electronic device equipped with the same |
| WO2022113739A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 株式会社村田製作所 | 伝送線路及び電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59130448A (ja) * | 1984-01-06 | 1984-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路素子密封装置 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62033955A patent/JPH0724289B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59130448A (ja) * | 1984-01-06 | 1984-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路素子密封装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418329A (en) * | 1992-12-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency IC package |
| US7684764B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Media Devices Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters and electronic device equipped with the same |
| WO2022113739A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | 株式会社村田製作所 | 伝送線路及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724289B2 (ja) | 1995-03-15 |
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