JPS6320032A - 被膜を有する超微粒子の製造法 - Google Patents
被膜を有する超微粒子の製造法Info
- Publication number
- JPS6320032A JPS6320032A JP61165421A JP16542186A JPS6320032A JP S6320032 A JPS6320032 A JP S6320032A JP 61165421 A JP61165421 A JP 61165421A JP 16542186 A JP16542186 A JP 16542186A JP S6320032 A JPS6320032 A JP S6320032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ultrafine particles
- raw material
- evaporation
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 title abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims description 28
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003937 drug carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003863 physical function Effects 0.000 description 1
- 238000011197 physicochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- -1 semimetals Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術の分野)
この発明は、超微粒子の製造法に関するものである。さ
らに詳しくは、表面に被膜を有する超微粒子をガス中蒸
発によって’JI4’?iする方法とその装置に関する
ものである。
らに詳しくは、表面に被膜を有する超微粒子をガス中蒸
発によって’JI4’?iする方法とその装置に関する
ものである。
(技術の背景)
金属、半金属、セラミックスなどの超微粒子は、触媒、
センサー、[i性材料、顔料、トナー等として広く工業
的に利用されるもので、今後、増々、その発展が期待さ
れている。
センサー、[i性材料、顔料、トナー等として広く工業
的に利用されるもので、今後、増々、その発展が期待さ
れている。
この超微粒子は、その粒子サイズが極めて小さいことか
ら表面活性が著しく太さい。しかしながら一方、この大
ぎな表面活性は耐候安定性を低下させるという問題が必
る。
ら表面活性が著しく太さい。しかしながら一方、この大
ぎな表面活性は耐候安定性を低下させるという問題が必
る。
より大ぎな粒子サイズの粉体などにおいては、その物性
の変化、あるいは特性の劣化を防止するために、粉体粒
子の表面を異種の物質によって被覆して保護することが
一般的に行われている。この方法は、化学的、物理的、
あるいは物理化学的方法等に類別され、粉体の使用目的
、用途に応じて適宜な方法が用いられてきている。
の変化、あるいは特性の劣化を防止するために、粉体粒
子の表面を異種の物質によって被覆して保護することが
一般的に行われている。この方法は、化学的、物理的、
あるいは物理化学的方法等に類別され、粉体の使用目的
、用途に応じて適宜な方法が用いられてきている。
またこの際に、被覆表面処理によって粉体の表面に新し
い物性、機能を付与し、表面改質することもしばしば行
われている。ドライコーティング、いわゆる気相被覆処
理法もこのうちの有力な方法の一つである。
い物性、機能を付与し、表面改質することもしばしば行
われている。ドライコーティング、いわゆる気相被覆処
理法もこのうちの有力な方法の一つである。
このドライコーティングは、液相処理に比べて処理プロ
セス、そのための装置がniで、かつ、コンパクトなも
のである。また、形成された被覆が強固で、ざらには液
相法のように処理液を処分することにともなう問題もな
い。この点で非常に有利な処理方法である。
セス、そのための装置がniで、かつ、コンパクトなも
のである。また、形成された被覆が強固で、ざらには液
相法のように処理液を処分することにともなう問題もな
い。この点で非常に有利な処理方法である。
しかしながら、従来の表面処理方法でおる真空蒸着、ス
パッタリング、イオンブレーティング法などでは、蒸発
物質が蒸発源から直接的に飛行するために、粉体粒子の
全表面を均一にコーティングすることは難しかった。
パッタリング、イオンブレーティング法などでは、蒸発
物質が蒸発源から直接的に飛行するために、粉体粒子の
全表面を均一にコーティングすることは難しかった。
また、これらの従来法においては、たとえば、0.1μ
7n以下の径の超微粒子の表面を処理することは全く考
えてもみなかったことでおる。超微粒子の表面に均一な
被膜を形成すること、ざらにはこの被膜に新しい機能を
付与することなど、とても考えられなかったのでおる。
7n以下の径の超微粒子の表面を処理することは全く考
えてもみなかったことでおる。超微粒子の表面に均一な
被膜を形成すること、ざらにはこの被膜に新しい機能を
付与することなど、とても考えられなかったのでおる。
このため、今後、増々その利用が進む超微粒子について
、優れた表面活性の維持と、ざらなる新たな機能を付与
するために、新しい表面処理方法、新しい超微粒子の製
造方法の実現が強く望まれていた。
、優れた表面活性の維持と、ざらなる新たな機能を付与
するために、新しい表面処理方法、新しい超微粒子の製
造方法の実現が強く望まれていた。
(発明の目的)
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
り、高い表面活性を維持するための、あるいは新しい表
面物性を付与し、表面改質することも可能とする表面に
被膜を有する超微粒子の製造法とそのための装置を提供
することを目的としている。
り、高い表面活性を維持するための、あるいは新しい表
面物性を付与し、表面改質することも可能とする表面に
被膜を有する超微粒子の製造法とそのための装置を提供
することを目的としている。
(発明の開示)
この発明は、上記の目的を連成するために、ガス中蒸発
によって超微粒子を製Nするにあたり、反応性ガスの存
在下に蒸発を行うことを特徴としている。
によって超微粒子を製Nするにあたり、反応性ガスの存
在下に蒸発を行うことを特徴としている。
使用する反応性ガスとしては、超微粒子の生成と同時に
その表面に被膜を形成しえるものであれば、その種類に
格別の限定はない。たとえば、炭化水素、−酸化炭素、
硫化水素、酸素、アンモニア、アミン、有機金属化合物
などの任意のものを用いることができる。不活性ガスを
共存ざゼることもできる。
その表面に被膜を形成しえるものであれば、その種類に
格別の限定はない。たとえば、炭化水素、−酸化炭素、
硫化水素、酸素、アンモニア、アミン、有機金属化合物
などの任意のものを用いることができる。不活性ガスを
共存ざゼることもできる。
超微粒子生成のための蒸発物質としては、金属、半金属
など適宜なものを用いることができる。
など適宜なものを用いることができる。
ガス中蒸発を行うため、一般的には減圧、高温の条件を
採用する。もちろん、被膜の厚さ、その組成、ざらには
新たに付与する物性については、使用する反応性ガス、
蒸発物質の種類、温度、圧力、時間を調整することによ
って所望のものとすることができる。
採用する。もちろん、被膜の厚さ、その組成、ざらには
新たに付与する物性については、使用する反応性ガス、
蒸発物質の種類、温度、圧力、時間を調整することによ
って所望のものとすることができる。
たとえば、好ましい反応性ガスの一つである炭化水素ガ
スを用いる場合には、これらの条イ1を調整することに
より原子状レベルの炭素薄膜を形成することができる。
スを用いる場合には、これらの条イ1を調整することに
より原子状レベルの炭素薄膜を形成することができる。
温度は、たとえば、300〜1200’C程度とし、1
〜400TOrr程度のガス圧で、アルゴン、ヘリウム
などの不活性ガスとの混合ガスを用いる。
〜400TOrr程度のガス圧で、アルゴン、ヘリウム
などの不活性ガスとの混合ガスを用いる。
ガス中蒸発は、アーク放電または抵抗加熱より好適に行
うことができる。
うことができる。
この方法においては、超微粒子表面への被膜形成、たと
えば炭素の付着は、粒子表面での活性化による反応であ
ると考えられる。このため、炭素被膜と粒子の密着性が
強く、安定した被膜が形成される。
えば炭素の付着は、粒子表面での活性化による反応であ
ると考えられる。このため、炭素被膜と粒子の密着性が
強く、安定した被膜が形成される。
また、鉄、ニッケル、コバルト等の触媒活性の高い遷移
元素の超微粒子を製造する場合には、例着した炭素被膜
は原子状のグラファイト描込を持つ結晶として成長する
。グラファイトの0面は粒子表面に平行て必る。
元素の超微粒子を製造する場合には、例着した炭素被膜
は原子状のグラファイト描込を持つ結晶として成長する
。グラファイトの0面は粒子表面に平行て必る。
グラファイトについては、その膜厚は、最小二原子層(
6,sA>から数10原子層にまで任意の膜厚に成長さ
せることができる。このようなグラフアイ1〜膜は、安
定で、かつ非磁性物質であるため、金属磁性粉末の表面
]−ティング膜形成法として極めて有効なものである。
6,sA>から数10原子層にまで任意の膜厚に成長さ
せることができる。このようなグラフアイ1〜膜は、安
定で、かつ非磁性物質であるため、金属磁性粉末の表面
]−ティング膜形成法として極めて有効なものである。
磁性を持つトナー材料、顔料、磁性流体を製造すること
もできる。また、この磁性粉体は、表面が活性でおるた
め、薬剤担体として、その表面に各種の薬剤を重合反応
によって容易にコーティングすることができる。
もできる。また、この磁性粉体は、表面が活性でおるた
め、薬剤担体として、その表面に各種の薬剤を重合反応
によって容易にコーティングすることができる。
もちろんこの発明の製造法は、炭素被膜形成の場合に限
定されるものではない。温度、圧力、ガス成分の調整に
J、って、炭化物、窒化物、硫化物、酸化物、ざらには
金属、半金属の被膜さえ可能となる。
定されるものではない。温度、圧力、ガス成分の調整に
J、って、炭化物、窒化物、硫化物、酸化物、ざらには
金属、半金属の被膜さえ可能となる。
次に、この発明の装置について説明すると、この装置は
、密閉容器と、この容器内部を排気する排気系と、反応
性ガス、または反応性ガスと不活性ガスとの容器内の導
入系と、超微粒子生成のための蒸発原料の支持台と、蒸
発原1す1の加熱手段と、被膜を有する超微粒子の捕集
器と、捕集のための吸引手段とからなり、捕集器によっ
て超微粒子を捕集した後のガスを密閉容器内に循環する
手段を備えていることを特徴としている。
、密閉容器と、この容器内部を排気する排気系と、反応
性ガス、または反応性ガスと不活性ガスとの容器内の導
入系と、超微粒子生成のための蒸発原料の支持台と、蒸
発原1す1の加熱手段と、被膜を有する超微粒子の捕集
器と、捕集のための吸引手段とからなり、捕集器によっ
て超微粒子を捕集した後のガスを密閉容器内に循環する
手段を備えていることを特徴としている。
添付した図面に沿って説明すると、第1図は、アーク放
電により加熱する装置の例を示している。
電により加熱する装置の例を示している。
蒸発原料の支持台(1)の上に原料(2〉を置く。密閉
容器(3)を排気系(4)によって排気する。ガス供給
系(5)により反応性ガスおJ、び不活性ガスを導入す
る。
容器(3)を排気系(4)によって排気する。ガス供給
系(5)により反応性ガスおJ、び不活性ガスを導入す
る。
原料(2)は、アーク放電用の電極をかねる。
もう一つの電漫(6)と一対をなす。この電傳(6)は
棒状のカーボンまたはタングステンで必る。この電極に
よってアーク放電(7)を発生させる。原料支持台(1
)と電極支持台(8)は水冷手段(9)(10)によっ
て冷却する。蒸発した原料はガス中で超微粒子になり、
被膜を形成する。この超微粒子はガスと共に吸引ポンプ
(11)によって吸引し、捕集器(12)で捕集する。
棒状のカーボンまたはタングステンで必る。この電極に
よってアーク放電(7)を発生させる。原料支持台(1
)と電極支持台(8)は水冷手段(9)(10)によっ
て冷却する。蒸発した原料はガス中で超微粒子になり、
被膜を形成する。この超微粒子はガスと共に吸引ポンプ
(11)によって吸引し、捕集器(12)で捕集する。
ガスは循環手段(13)によって密閉容器内に戻す。
第2図は抵抗加熱による装置の例である。
密閉容器(3)内の原料支持台(1)は抵抗加熱による
発熱ボートになっている。その他の手段 ゛は、第1図
に示したものと相違はない。
発熱ボートになっている。その他の手段 ゛は、第1図
に示したものと相違はない。
次に、この発明の実施例を示す。
もちろん、この実施例に発明が限定されることはない。
実施例
第1図に示した装置を用いてニッケルの超微粒子を製造
した。
した。
ガスの組成、圧力は、メタン(50Torr)、および
アルゴン(150Torr)とした。
アルゴン(150Torr)とした。
ニッケル超微粒子の周囲に、厚さ2OAのグラフアイ1
〜化した炭素被膜が形成された。この生成した被I模を
有するニッケル超微粒子の電子顕微鏡写= (25m:
100A>を第3図に示す。
〜化した炭素被膜が形成された。この生成した被I模を
有するニッケル超微粒子の電子顕微鏡写= (25m:
100A>を第3図に示す。
第1図および第2図は、この発明の装置の例を示してい
る。また、第3図は、ニッケル超微粒子の電子顕微鏡写
真でおる。 なお、図中の番号は次のものを示している。
る。また、第3図は、ニッケル超微粒子の電子顕微鏡写
真でおる。 なお、図中の番号は次のものを示している。
Claims (6)
- (1)ガス中蒸発による超微粒子の製造において、反応
性ガスの存在下に蒸発を行うことを特徴とする表面に被
膜を有する超微粒子の製造法。 - (2)炭化水素ガスまたは一酸化炭素ガスと不活性ガス
との混合ガス中で蒸発を行う特許請求の範囲第1項記載
の超微粒子の製造法。 - (3)金属または半金属を蒸発させる特許請求の範囲第
1項または第2項記載の超微粒子の製造法。 - (4)アーク放電または抵抗加熱によつて蒸発を行う特
許請求の範囲第1項ないし第3項記載の超微粒子の製造
法。 - (5)密閉容器と、この容器内部を排気する排気系と、
反応性ガス、または反応性ガスと不活性ガスとの容器内
への導入系と、超微粒子生成のための蒸発原料の支持台
と、蒸発原料の加熱手段と、被膜を有する超微粒子の捕
集器と、捕集のための吸引手段とからなり、捕集器によ
つて超微粒子を捕集した後のガスを密閉容器内に循環す
る手段を備えていることを特徴とする表面に被膜を有す
る超微粒子の製造装置。 - (6)加熱手段がアーク放電または抵抗加熱である特許
請求の範囲第5項記載の超微粒子の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61165421A JPS6320032A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 被膜を有する超微粒子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61165421A JPS6320032A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 被膜を有する超微粒子の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6320032A true JPS6320032A (ja) | 1988-01-27 |
JPH0511491B2 JPH0511491B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=15812103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61165421A Granted JPS6320032A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 被膜を有する超微粒子の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6320032A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02115306A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-27 | Nippon Steel Corp | カーボンによって被覆された金属超微粒子の製造方法 |
KR100695131B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 탄소함유 니켈 분말 및 그 제조 방법 |
JP2007126755A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-05-24 | Toyo Tanso Kk | 炭素被覆金属粒子及びその製造方法 |
JP2007138287A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Nisshin Seifun Group Inc | 超微粒子の製造方法 |
US7258721B2 (en) | 2003-11-25 | 2007-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Carbon-containing nickel-particle powder and method for manufacturing the same |
JP2008517147A (ja) * | 2004-08-04 | 2008-05-22 | ノバセントリックス コーポレイション | 炭素と金属とのナノ材料組成物および合成 |
JP2010212580A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Kurimoto Ltd | 磁気粘性流体 |
CN102974835A (zh) * | 2012-11-16 | 2013-03-20 | 中国科学院金属研究所 | 一种用金属氧化物为替代阳极制备金属纳米胶囊的方法 |
JP2013513730A (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-22 | テクノロジアン テュトキムスケスクス ヴェーテーテー | 金属ナノ粒子を炭素で表面被覆する方法 |
US8460603B2 (en) | 2008-05-20 | 2013-06-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing electrical discharge surface treatment-purpose electrode and electrical discharge surface treatment-purpose electrode |
JP2013227612A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
WO2015194579A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 炭素被覆金属粉末、炭素被覆金属粉末を含有する導電性ペースト及びそれを用いた積層電子部品、並びに炭素被覆金属粉末の製造方法 |
JP2019065390A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 粒子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5919032A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Osaka Totan Kk | 鋼板の歪み矯正方法 |
JPS60251928A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Toyota Motor Corp | 金属化合物超微粒子の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61165421A patent/JPS6320032A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5919032A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Osaka Totan Kk | 鋼板の歪み矯正方法 |
JPS60251928A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Toyota Motor Corp | 金属化合物超微粒子の製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02115306A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-27 | Nippon Steel Corp | カーボンによって被覆された金属超微粒子の製造方法 |
KR100695131B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 탄소함유 니켈 분말 및 그 제조 방법 |
US7258721B2 (en) | 2003-11-25 | 2007-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Carbon-containing nickel-particle powder and method for manufacturing the same |
US7572314B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Carbon containing nickel particle and conductive paste |
JP2008517147A (ja) * | 2004-08-04 | 2008-05-22 | ノバセントリックス コーポレイション | 炭素と金属とのナノ材料組成物および合成 |
JP2007138287A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Nisshin Seifun Group Inc | 超微粒子の製造方法 |
JP2007126755A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-05-24 | Toyo Tanso Kk | 炭素被覆金属粒子及びその製造方法 |
US8460603B2 (en) | 2008-05-20 | 2013-06-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing electrical discharge surface treatment-purpose electrode and electrical discharge surface treatment-purpose electrode |
JP2010212580A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Kurimoto Ltd | 磁気粘性流体 |
JP2013513730A (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-22 | テクノロジアン テュトキムスケスクス ヴェーテーテー | 金属ナノ粒子を炭素で表面被覆する方法 |
JP2013227612A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
CN102974835A (zh) * | 2012-11-16 | 2013-03-20 | 中国科学院金属研究所 | 一种用金属氧化物为替代阳极制备金属纳米胶囊的方法 |
CN102974835B (zh) * | 2012-11-16 | 2014-12-24 | 中国科学院金属研究所 | 一种用金属氧化物为替代阳极制备金属纳米胶囊的方法 |
JP5936091B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2016-06-15 | 昭栄化学工業株式会社 | 炭素被覆金属粉末、炭素被覆金属粉末を含有する導電性ペースト及びそれを用いた積層電子部品、並びに炭素被覆金属粉末の製造方法 |
WO2015194579A1 (ja) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 炭素被覆金属粉末、炭素被覆金属粉末を含有する導電性ペースト及びそれを用いた積層電子部品、並びに炭素被覆金属粉末の製造方法 |
KR20160084402A (ko) | 2014-06-20 | 2016-07-13 | 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 탄소 피복 금속분말, 탄소 피복 금속분말을 함유하는 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 전자부품, 및 탄소 피복 금속분말의 제조방법 |
KR20160114202A (ko) | 2014-06-20 | 2016-10-04 | 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 | 탄소 피복 금속분말의 제조방법 |
TWI584891B (zh) * | 2014-06-20 | 2017-06-01 | Shoei Chemical Ind Co | A metal powder coated with carbon, a conductive paste containing a metal powder coated with carbon, and a method for producing a metal powder coated with a metal powder and a metal powder coated with the same |
US9943909B2 (en) | 2014-06-20 | 2018-04-17 | Shoei Chemical Inc. | Carbon-coated metal powder, conductive paste containing carbon-coated metal powder and multilayer electronic component using same, and method for manufacturing carbon-coated metal powder |
EP3444048A1 (en) | 2014-06-20 | 2019-02-20 | Shoei Chemical Inc. | Carbon-coated-metal powder, electroconductive paste containing carbon-coated-metal powder, and layered electronic component in which said paste is used |
US10569333B2 (en) | 2014-06-20 | 2020-02-25 | Shoei Chemical Inc. | Carbon-coated metal-powder, conductive paste containing carbon-coated metal powder and multilayer electronic component using same, and method for manufacturing carbon-coated metal powder |
JP2019065390A (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 粒子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0511491B2 (ja) | 1993-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6320032A (ja) | 被膜を有する超微粒子の製造法 | |
RU2483022C2 (ru) | Способ изготовления функционализированной фуллеренами углеродной нанотрубки, композиционный материал, толстая или тонкая пленка, провод и устройство, выполненные с использованием получаемых нанотрубок | |
US7033650B2 (en) | Method of producing a nanotube layer on a substrate | |
US7794784B2 (en) | Forming nanostructures | |
EP0714999A1 (en) | Method for sublimating a solid material and a device for implementing the method | |
JP5847996B2 (ja) | 複合粒子の製造方法 | |
Medhisuwakul et al. | Development and application of cathodic vacuum arc plasma for nanostructured and nanocomposite film deposition | |
JPH0683780B2 (ja) | 有機物微粒子の製造方法 | |
Bakovets et al. | Mechanism of Ni film CVD with a Ni (ktfaa) 2 precursor on a copper substrate | |
JPS6320480A (ja) | 粉体または繊維状物質の表面処理法とその装置 | |
Feng et al. | Effect of carbon nanotube structural parameters on field emission properties | |
KR100593268B1 (ko) | 화학기상응축법에 의한 탄화물이 코팅된 철 나노분말제조공정 | |
JPH055896B2 (ja) | ||
Yang et al. | Amorphous hollow carbon spheres synthesized using radio frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition | |
JPS60210597A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
Cameron et al. | Capacitively coupled nonthermal plasma synthesis of aluminum nanocrystals for enhanced yield and size control | |
Yang et al. | Synthesis and characterization of amorphous hollow carbon spheres | |
JP2975145B2 (ja) | 熱プラズマ成膜方法 | |
JP2003277030A (ja) | カーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法 | |
JPH0410376B2 (ja) | ||
KR20100026151A (ko) | 탄소 나노튜브를 형성하기 위한 촉매 및 탄소 나노튜브 제조 방법 | |
JP2004269932A (ja) | 金属薄膜の形成方法および装置 | |
Ishii et al. | A new process for producing a granular material | |
RU2685564C1 (ru) | Способ синтеза наночастиц металлов осаждением на пористый углеродный материал | |
JPS60252721A (ja) | 炭素繊維の製造方法 |