JPS63199511A - 比較回路 - Google Patents
比較回路Info
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- JPS63199511A JPS63199511A JP62030672A JP3067287A JPS63199511A JP S63199511 A JPS63199511 A JP S63199511A JP 62030672 A JP62030672 A JP 62030672A JP 3067287 A JP3067287 A JP 3067287A JP S63199511 A JPS63199511 A JP S63199511A
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- Japan
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- collector
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- differential amplifier
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- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
- H03K5/2409—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors
- H03K5/2418—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using bipolar transistors with at least one differential stage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
比較回路であって、基準信号および人力信号が供給され
た差動増幅器と、その差動増幅器の出力信号がベースに
供給され、第１の電源手段が抵抗器を介してコレクタに
接続され、且つ、第２の電源手段がエミッタに接続され
たた共鳴トンネリングトランジスタと、を具備し、抵抗
器とトランジスタのコレクタとの接続個所から出力信号
を取り出すことによって、回路構成を簡単にすると共に
動作速度を向上させることを可能とする。
た差動増幅器と、その差動増幅器の出力信号がベースに
供給され、第１の電源手段が抵抗器を介してコレクタに
接続され、且つ、第２の電源手段がエミッタに接続され
たた共鳴トンネリングトランジスタと、を具備し、抵抗
器とトランジスタのコレクタとの接続個所から出力信号
を取り出すことによって、回路構成を簡単にすると共に
動作速度を向上させることを可能とする。
本発明は比較回路に関し、特に、共鳴トンネリングトラ
ンジスタ（Ｒｅｓｏｎａｎｔ−Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＲＴＴ ）を使用した比較回路に
関する。
ンジスタ（Ｒｅｓｏｎａｎｔ−Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＲＴＴ ）を使用した比較回路に
関する。
第５図は従来の比較回路の一例を示す回路図である。
第５図に示されるように、従来の比較回路は、例えば、
差動増幅器１０２および複数のトランジスタ１３１〜１
３４等で構成されている。差動増幅器１０２は、・２つ
の抵抗器１２１．１２２および２つのトランジスタ１２
３．１２４で構成され、トランジスタ１２３および１２
４のコレクタにはそれぞれ抵抗器１２１および１２゛２
を介して高電位の電源電圧Ｖ ｅｅが印加され、トラン
ジスタ１２３および１２４のエミッタはトランジスタ１
３３のコレクタに共通接続されている。そして、トラン
ジスラダ１２３のベースには人力信号Ｖｉａが供給され
、また、トランジスタ１２４のベースには基準信号Ｖ
ｒａｒが供給されている。
差動増幅器１０２および複数のトランジスタ１３１〜１
３４等で構成されている。差動増幅器１０２は、・２つ
の抵抗器１２１．１２２および２つのトランジスタ１２
３．１２４で構成され、トランジスタ１２３および１２
４のコレクタにはそれぞれ抵抗器１２１および１２゛２
を介して高電位の電源電圧Ｖ ｅｅが印加され、トラン
ジスタ１２３および１２４のエミッタはトランジスタ１
３３のコレクタに共通接続されている。そして、トラン
ジスラダ１２３のベースには人力信号Ｖｉａが供給され
、また、トランジスタ１２４のベースには基準信号Ｖ
ｒａｒが供給されている。
トランジスタ１２４のコレクタと抵抗器１２２との接続
個所からは出力信号Ｖ。ｔｌｆｆが取り出され、トラン
ジスタ１２３のコレクタと抵抗器１２１との接続個所か
らは反転された出力信号Ｖ。ｕｌが取り出されるように
なされている。出力信号ｖ、ｕＴはトランジスタ１３１
のベースおよびトランジスタ１３２のコレクタに供給さ
れ、また、反転された出力信号ＶＯ１ｌＴはトランジス
タ１３１のコレクタおよびトランジスタ１３２のベース
に供給され、さらに、トランジスタ１３１および１３２
のエミッタはトランジスタ１３４のコレクタに共通接続
されている。
個所からは出力信号Ｖ。ｔｌｆｆが取り出され、トラン
ジスタ１２３のコレクタと抵抗器１２１との接続個所か
らは反転された出力信号Ｖ。ｕｌが取り出されるように
なされている。出力信号ｖ、ｕＴはトランジスタ１３１
のベースおよびトランジスタ１３２のコレクタに供給さ
れ、また、反転された出力信号ＶＯ１ｌＴはトランジス
タ１３１のコレクタおよびトランジスタ１３２のベース
に供給され、さらに、トランジスタ１３１および１３２
のエミッタはトランジスタ１３４のコレクタに共通接続
されている。
トランジスタ１３３のベースにはクロック信号ＣＬＫが
供給され、また、トランジスタ１３４のベースには反転
されたクロック信号でＴＴが供給されている。そして、
トランジスタ１３３および１３４のエミッタは抵抗器１
０４を介して低電位の電源（例えば、アースＧＮＤ）に
接続されている。
供給され、また、トランジスタ１３４のベースには反転
されたクロック信号でＴＴが供給されている。そして、
トランジスタ１３３および１３４のエミッタは抵抗器１
０４を介して低電位の電源（例えば、アースＧＮＤ）に
接続されている。
第６図は第５図の比較回路の動作を説明するための図で
ある。
ある。
第６図から明らかなように、第５図に示した従来の比較
回路は、差動増幅器１０２に供給される入力信号Ｖｉａ
が基準信号Ｖ ｒｌｌｆよりも大きくなると、ランチが
働き出力信号ｖ ｏｕｔが下側の出力パルスから上側の
出力パルスに変化する。これにより、入力信号ＶｉＲと
基準信号Ｖ ｒａｆとの僅かなレベル差を出力パルスの
変化として取り出せ暮ようになされていた。
回路は、差動増幅器１０２に供給される入力信号Ｖｉａ
が基準信号Ｖ ｒｌｌｆよりも大きくなると、ランチが
働き出力信号ｖ ｏｕｔが下側の出力パルスから上側の
出力パルスに変化する。これにより、入力信号ＶｉＲと
基準信号Ｖ ｒａｆとの僅かなレベル差を出力パルスの
変化として取り出せ暮ようになされていた。
上述したように、従来の比較回路は、例えば、差動増幅
器１０２および複数のトランジスタ１３１〜１３４等で
構成されていて、回路構成が複雑となる問題点があった
。また、従来の比較回路では、入力信号Ｖａｎと基準信
号Ｖ１．．との僅かなレベル差を出力パルスの変化とし
て取り出すために、専用のクロック信号ＣＬＫを必要と
していた。さらに、従来の比較回路で体、入力信号ｖ！
、のレベルと基準信号Ｖ ｒａｆのレベルとが反転して
も、クロック信号ＣＬＫの次のパルス信号が出力される
まで出力信号Ｖ。ｕｔの出力パルスが変化せず、動作速
度が遅いという問題点があった。
器１０２および複数のトランジスタ１３１〜１３４等で
構成されていて、回路構成が複雑となる問題点があった
。また、従来の比較回路では、入力信号Ｖａｎと基準信
号Ｖ１．．との僅かなレベル差を出力パルスの変化とし
て取り出すために、専用のクロック信号ＣＬＫを必要と
していた。さらに、従来の比較回路で体、入力信号ｖ！
、のレベルと基準信号Ｖ ｒａｆのレベルとが反転して
も、クロック信号ＣＬＫの次のパルス信号が出力される
まで出力信号Ｖ。ｕｔの出力パルスが変化せず、動作速
度が遅いという問題点があった。
本発明は、上述した従来形の比較回路の有する問題点に
鑑み、基準信号と入力信号とが供給された差動増幅器と
、その差動増幅器の出力信号がベースに供給され、第１
の電源手段が抵抗器を介してコレクタに接続され、且つ
、第２の電源手段がエミッタに接続された共鳴トンネリ
ングトランジスタと、を具備し、抵抗器とトランジスタ
のコレクタとの接続個所から出力信号を取り出すことに
よって、回路構成を簡単にすると共に動作速度を向上さ
せることを目的とする。
鑑み、基準信号と入力信号とが供給された差動増幅器と
、その差動増幅器の出力信号がベースに供給され、第１
の電源手段が抵抗器を介してコレクタに接続され、且つ
、第２の電源手段がエミッタに接続された共鳴トンネリ
ングトランジスタと、を具備し、抵抗器とトランジスタ
のコレクタとの接続個所から出力信号を取り出すことに
よって、回路構成を簡単にすると共に動作速度を向上さ
せることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕・
第１図は本発明に係る比較回路の原理を示すブロック回
路図である。
路図である。
本発明によれば、第１の電源手段Ｖ ｃｃと、第２の電
源手段■１．と、抵抗器１と、基準信号Ｖ ｒａｆと入
力信号Ｖ １．とが供給された差動増幅器２と、該差動
増幅器２の出力信号がベースに供給され、前記第１の電
源手段ｖｃｃが前記抵抗器１を介してコレクタに接続さ
れ、且つ、前記第２の電源手段ｖ０．がエミッタに接続
されたた共鳴トンネリングトランジスタ３と、前記抵抗
器ｌと前記トランジスタ３のコレクタとの接続個所に設
けられた出力端子ｖ０．？とを有することを特徴とする
比較回路が提供される。
源手段■１．と、抵抗器１と、基準信号Ｖ ｒａｆと入
力信号Ｖ １．とが供給された差動増幅器２と、該差動
増幅器２の出力信号がベースに供給され、前記第１の電
源手段ｖｃｃが前記抵抗器１を介してコレクタに接続さ
れ、且つ、前記第２の電源手段ｖ０．がエミッタに接続
されたた共鳴トンネリングトランジスタ３と、前記抵抗
器ｌと前記トランジスタ３のコレクタとの接続個所に設
けられた出力端子ｖ０．？とを有することを特徴とする
比較回路が提供される。
上述した構成を有する本発明の比較回路によれば、共鳴
トンネリングトランジスタ３のベースには差動増幅器２
の出力信号が供給され、トランジスタ３のコレクタと抵
抗器１との接続個所に設けられた出力端子Ｖ。□からは
出力信号が直接取り出されるようになされている。これ
により、クロック信号を使用することなく、回路構成を
簡単にし、且つ、動作速度を向上させることができる。
トンネリングトランジスタ３のベースには差動増幅器２
の出力信号が供給され、トランジスタ３のコレクタと抵
抗器１との接続個所に設けられた出力端子Ｖ。□からは
出力信号が直接取り出されるようになされている。これ
により、クロック信号を使用することなく、回路構成を
簡単にし、且つ、動作速度を向上させることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る比較回路の一実施例
を説明する。
を説明する。
第２図は本発明の比較回路の一実施例を示す回路図であ
る。
る。
第２図に示されるように、本実施例の比較回路は、差動
増幅器２および１つの共鳴トンネリングトランジスタ３
を具備している。この共鳴トンネリングトランジスタ（
ＲＴＴ）は、例えば、ＲＨＥＴやＲＢＴ等の共鳴トンネ
リング障壁を電子の注入源とするトランジスタであり、
共鳴トンネリングトランジスタの特性を示す第３図のよ
うに、共鳴トンネリングトランジスタはベース・エミッ
タ間電圧に対するコレクタ電流が増加、減少および再増
加する特性を有している。
増幅器２および１つの共鳴トンネリングトランジスタ３
を具備している。この共鳴トンネリングトランジスタ（
ＲＴＴ）は、例えば、ＲＨＥＴやＲＢＴ等の共鳴トンネ
リング障壁を電子の注入源とするトランジスタであり、
共鳴トンネリングトランジスタの特性を示す第３図のよ
うに、共鳴トンネリングトランジスタはベース・エミッ
タ間電圧に対するコレクタ電流が増加、減少および再増
加する特性を有している。
差動増幅器２は、２つの抵抗器２１．２２および２つの
トランジスタ２３．２４で構成され、トランジスタ２３
および２４のコレクタにはそれぞれ抵抗器２１および２
２を介して高電位の電源電圧ｖｃｃが印加され、トラン
ジスタ２３および２４のエミッタはトランジスタ抵抗器
４の一端に共通接続されている。そして、トランジスタ
２３のベースには基準信号Ｖ ｒ＊ｆが供給され、また
、トランジスタ２４のベースには入力信号ＶＯＲが供給
されている。ここで、抵抗器４の他端は低電位の電源（
例えば、アースＧＮＤ）に接続されている。
トランジスタ２３．２４で構成され、トランジスタ２３
および２４のコレクタにはそれぞれ抵抗器２１および２
２を介して高電位の電源電圧ｖｃｃが印加され、トラン
ジスタ２３および２４のエミッタはトランジスタ抵抗器
４の一端に共通接続されている。そして、トランジスタ
２３のベースには基準信号Ｖ ｒ＊ｆが供給され、また
、トランジスタ２４のベースには入力信号ＶＯＲが供給
されている。ここで、抵抗器４の他端は低電位の電源（
例えば、アースＧＮＤ）に接続されている。
トランジスタ２３のコレクタと抵抗器２２との接続個所
から取り出される差動増幅器２の出力信号は共鳴トンネ
リングトランジスタ３のベースに供給されている。ここ
で、差動増幅器２の出力信号は、第３図の共鳴トンネリ
ングトランジスタの特性におけるピーク１１からバレー
１２に変化するベース・エミッタ間電圧に略一致するよ
うになされている。
から取り出される差動増幅器２の出力信号は共鳴トンネ
リングトランジスタ３のベースに供給されている。ここ
で、差動増幅器２の出力信号は、第３図の共鳴トンネリ
ングトランジスタの特性におけるピーク１１からバレー
１２に変化するベース・エミッタ間電圧に略一致するよ
うになされている。
共鳴トンネリングトランジスタ３のコレクタには抵抗器
１を介して高電位の電源電圧Ｖ ｃｃが印加され、トラ
ンジスタ３のエミッタにはアースＧＮＤよりも■１だけ
電位の高い電圧が印加されるようになされている。そし
て、抵抗器１とトランジスタ３のコレクタとの接続個所
から出力信号Ｖ。ａｔが取り出されるようになされてい
る。
１を介して高電位の電源電圧Ｖ ｃｃが印加され、トラ
ンジスタ３のエミッタにはアースＧＮＤよりも■１だけ
電位の高い電圧が印加されるようになされている。そし
て、抵抗器１とトランジスタ３のコレクタとの接続個所
から出力信号Ｖ。ａｔが取り出されるようになされてい
る。
このように、本実施例の比較回路は、クロック信号ＣＬ
Ｋが不要であり、少ない素子数で簡単に構成することが
できる。さらに、差動増幅器２のトランジスタ２３およ
び２４としてＲＨＥＴ。
Ｋが不要であり、少ない素子数で簡単に構成することが
できる。さらに、差動増幅器２のトランジスタ２３およ
び２４としてＲＨＥＴ。
ＲＢＴまたはＨＥＭＴ等の高速動作が可能なトランジス
タを使用すれば、高速動作が可能な共鳴トンネリングト
ランジスタ３とも相俟って、極めて応答時間の短い比較
回路を構成することができる。
タを使用すれば、高速動作が可能な共鳴トンネリングト
ランジスタ３とも相俟って、極めて応答時間の短い比較
回路を構成することができる。
ここで、比較回路は同一トランジスタ、例えば、ＲＢＴ
だけで構成することができるのはもちろんである。
だけで構成することができるのはもちろんである。
第４図は第２図の比較回路の動作を説明するための図で
ある。
ある。
第２図に示した比較回路は、差動増幅器２に供給される
入力信号ｖ！Ｍが基準信号Ｖ１．．よりも小さいと、差
動増幅器２のトランジスタ２３がスイッチオンとなり、
トランジスタ２３のコレクタは低レベルとなる。そして
、共鳴トンネリングトランジスタ３のベースは低レベル
（ベース・エミッタ間電圧がＶＩＥ。よりも低電位）と
なり、コレクタ電流が流れ、これにより、出力信号Ｖ。
入力信号ｖ！Ｍが基準信号Ｖ１．．よりも小さいと、差
動増幅器２のトランジスタ２３がスイッチオンとなり、
トランジスタ２３のコレクタは低レベルとなる。そして
、共鳴トンネリングトランジスタ３のベースは低レベル
（ベース・エミッタ間電圧がＶＩＥ。よりも低電位）と
なり、コレクタ電流が流れ、これにより、出力信号Ｖ。
ｕ７は低レベルとなる。
反対に、差動増幅器２に供給される入力信号Ｖｉａが基
準信号ＶＰ６ｆよりも大きいと、差動増幅器２のトラン
ジスタ２３がスイッチオフとなり、トランジスタ２３の
コレクタ電流が流れないのでコレクタは高レベル（高電
位の電源電圧Ｖ ｃｃの電位）となる、そして、共鳴ト
ンネリングトランジスタ３のベースは高レベル（ベース
、エミッタ間電圧が■、。よりも高電位）となり、コレ
クタ電流が流れないことにな°る。これにより、出力信
号■。ｕｌは高レベル（高電位の電源電圧Ｖ ｃｃの電
位）となる、ここで、入力信号ｖ！Ｒが基準信号ｖ７．
．よりも大きいときの差動増幅器２の出力信号（トラン
ジスタ３のベース、エミッタ間電圧）は、第３図に示す
トランジスタ３の特性曲線のバレー１２の近傍となって
いるのはもちろんである。
準信号ＶＰ６ｆよりも大きいと、差動増幅器２のトラン
ジスタ２３がスイッチオフとなり、トランジスタ２３の
コレクタ電流が流れないのでコレクタは高レベル（高電
位の電源電圧Ｖ ｃｃの電位）となる、そして、共鳴ト
ンネリングトランジスタ３のベースは高レベル（ベース
、エミッタ間電圧が■、。よりも高電位）となり、コレ
クタ電流が流れないことにな°る。これにより、出力信
号■。ｕｌは高レベル（高電位の電源電圧Ｖ ｃｃの電
位）となる、ここで、入力信号ｖ！Ｒが基準信号ｖ７．
．よりも大きいときの差動増幅器２の出力信号（トラン
ジスタ３のベース、エミッタ間電圧）は、第３図に示す
トランジスタ３の特性曲線のバレー１２の近傍となって
いるのはもちろんである。
このように、本実施例の比較回路は、入力信号Ｖｉａの
レベルと基準信号Ｖ□、のレベルとが反転すると、瞬時
に出力信号■。ａｔのレベルが変化することになり、ま
た、共鳴トンネリングトランジスタ３の動作速度は速く
、しかも、回路を構成する素子数も少ないので、極めて
応答時間の短いものである。
レベルと基準信号Ｖ□、のレベルとが反転すると、瞬時
に出力信号■。ａｔのレベルが変化することになり、ま
た、共鳴トンネリングトランジスタ３の動作速度は速く
、しかも、回路を構成する素子数も少ないので、極めて
応答時間の短いものである。
以上、詳述したように、本発明に係る比較回路は、基準
信号と入力信号とが供給された差動増幅器と、その差動
増幅器の出力信号がベースに供給され、第１の電源手段
が抵抗器を介してコレクタに接続され、且つ、第２の電
源手段がエミッタに接続された共鳴トンネリングトラン
ジスタと、を具備し、抵抗器とトランジスタのコレクタ
との接続個所から出力信号を取り出すようにすることに
よって、簡単な構成で動作速度を向上させることができ
る。
信号と入力信号とが供給された差動増幅器と、その差動
増幅器の出力信号がベースに供給され、第１の電源手段
が抵抗器を介してコレクタに接続され、且つ、第２の電
源手段がエミッタに接続された共鳴トンネリングトラン
ジスタと、を具備し、抵抗器とトランジスタのコレクタ
との接続個所から出力信号を取り出すようにすることに
よって、簡単な構成で動作速度を向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る比較回路の原理を示すブロック回
路図、 第２図は本発明の比較回路の一実施例を示す回路図、 第３図は本発明の比較回路に使用する共鳴トンネリング
トランジスタの特性を示す図、第４図は第２図の比較回
路の動作を説明するための図、 第５図は従来の比較回路の一例を示す回路図、第６図は
第５図の比較回路の動作を説明するための図である。 （符号の説明） １・・・抵抗器、 ２・・・差動増幅器、 ３・・・共鳴トンネリングトランジスタ、Ｖ ｃｃ・・
・第１の電源手段、 ■０．・・・第２の電源手段、 ｖ！ｆｉ・・・入力信号、 ■。ｌＪｔ・・・出力端子（出力信号）Ｖ ｒａｔ・・
・基準信号。
路図、 第２図は本発明の比較回路の一実施例を示す回路図、 第３図は本発明の比較回路に使用する共鳴トンネリング
トランジスタの特性を示す図、第４図は第２図の比較回
路の動作を説明するための図、 第５図は従来の比較回路の一例を示す回路図、第６図は
第５図の比較回路の動作を説明するための図である。 （符号の説明） １・・・抵抗器、 ２・・・差動増幅器、 ３・・・共鳴トンネリングトランジスタ、Ｖ ｃｃ・・
・第１の電源手段、 ■０．・・・第２の電源手段、 ｖ！ｆｉ・・・入力信号、 ■。ｌＪｔ・・・出力端子（出力信号）Ｖ ｒａｔ・・
・基準信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の電源手段（Ｖ＿ｃ＿ｃ）と、 第２の電源手段（Ｖ＿ｅ＿ｅ）と、 抵抗器（１）と、 基準信号（Ｖ＿ｒ＿ｅ＿ｆ）および入力信号（Ｖ＿ｉ＿
ｎ）が供給された差動増幅器（２）と、 該差動増幅器（２）の出力信号がベースに供給され、前
記第１の電源手段（Ｖ＿ｃ＿ｃ）が前記抵抗器（１）を
介してコレクタに接続され、且つ、前記第２の電源手段
（Ｖ＿ｅ＿ｅ）がエミッタに接続されたた共鳴トンネリ
ングトランジスタ（３）と、前記抵抗器（１）と前記ト
ランジスタ（３）のコレクタとの接続個所に設けられた
出力端子（Ｖ＿ｏ＿ｕ＿ｔ）とを有することを特徴とす
る比較回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62030672A JPH0795675B2 (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 比較回路 |
| US07/151,757 US4868418A (en) | 1987-02-14 | 1988-02-03 | Comparator circuit using resonant-tunneling transistor |
| EP88301144A EP0279587B1 (en) | 1987-02-14 | 1988-02-11 | Comparator circuit |
| DE8888301144T DE3880175T2 (de) | 1987-02-14 | 1988-02-11 | Komparatorschaltung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62030672A JPH0795675B2 (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 比較回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199511A true JPS63199511A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0795675B2 JPH0795675B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=12310214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62030672A Expired - Lifetime JPH0795675B2 (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 比較回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4868418A (ja) |
| EP (1) | EP0279587B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0795675B2 (ja) |
| DE (1) | DE3880175T2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162877A (en) * | 1987-01-27 | 1992-11-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit device and method of producing same |
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| JPH0795675B2 (ja) | 1995-10-11 |
| EP0279587B1 (en) | 1993-04-14 |
| US4868418A (en) | 1989-09-19 |
| DE3880175T2 (de) | 1993-08-05 |
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| EP0279587A2 (en) | 1988-08-24 |
| EP0279587A3 (en) | 1989-11-23 |
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