JPS63193552A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS63193552A JPS63193552A JP62026565A JP2656587A JPS63193552A JP S63193552 A JPS63193552 A JP S63193552A JP 62026565 A JP62026565 A JP 62026565A JP 2656587 A JP2656587 A JP 2656587A JP S63193552 A JPS63193552 A JP S63193552A
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- plating
- bonding surface
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 20
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 11
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、銅系の合金材料を素材とするリードフレーム
に関する。
に関する。
従来、この種のリードフレームは第２図に示すように構
成されている。これを同図および第３図に基づいて概略
説明すると、同図において、符号１で示すものは銅系の
合金材料（Ｃｕ −２％Ｓｎ−〇、２％Ｎ ｉ ）を素
材とする金属片で、半導体チップ２を接合するチップ接
合面３ａを有するダイパッド３と、このグイバンド３上
のチップ接合面３ａにＡｕ等のワイヤ４によって接続さ
れたワイヤ接合面５ａを有するインナリード５とからな
り、その全表面上にはニッケルによってめっき層６が形
成されている。この金属片１のめっき層６上には前記ワ
イヤ４との接合性を考慮して金あるいは銀等の貴金属に
よってめっき層７が形成されている。また、８は前記グ
イバッド３上に前記半導体チップ２を接合する接着剤で
ある。なお、符号Ａは前記半導体チップ２を樹脂封止す
るパッケージである。
成されている。これを同図および第３図に基づいて概略
説明すると、同図において、符号１で示すものは銅系の
合金材料（Ｃｕ −２％Ｓｎ−〇、２％Ｎ ｉ ）を素
材とする金属片で、半導体チップ２を接合するチップ接
合面３ａを有するダイパッド３と、このグイバンド３上
のチップ接合面３ａにＡｕ等のワイヤ４によって接続さ
れたワイヤ接合面５ａを有するインナリード５とからな
り、その全表面上にはニッケルによってめっき層６が形
成されている。この金属片１のめっき層６上には前記ワ
イヤ４との接合性を考慮して金あるいは銀等の貴金属に
よってめっき層７が形成されている。また、８は前記グ
イバッド３上に前記半導体チップ２を接合する接着剤で
ある。なお、符号Ａは前記半導体チップ２を樹脂封止す
るパッケージである。
ところで、この種のリードフレームにおいては、金属片
１の酸化を防止することから、またワイヤ４の接合性を
考慮して、２種の金属すなわちニッケル（Ｎｉ）、金（
Ａｕ）によってめっき処理が施されているため、２回の
めっき処理を必要とし、フレーム製造コストが嵩むとい
う問題があった。
１の酸化を防止することから、またワイヤ４の接合性を
考慮して、２種の金属すなわちニッケル（Ｎｉ）、金（
Ａｕ）によってめっき処理が施されているため、２回の
めっき処理を必要とし、フレーム製造コストが嵩むとい
う問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、めっき
処理を簡単に行うことができ、ちりでフレーム製造コス
トの低廉化を図ることができるリードフレームを提供す
るものである。
処理を簡単に行うことができ、ちりでフレーム製造コス
トの低廉化を図ることができるリードフレームを提供す
るものである。
本発明に係るリードフレームは、銅系の合金材料を素材
とする金属片のワイヤ接合面に銅箔層を形成し、この銅
箔層は９９％の純度をもち、かつ厚さが５００Å以上の
寸法に設定されているものである。
とする金属片のワイヤ接合面に銅箔層を形成し、この銅
箔層は９９％の純度をもち、かつ厚さが５００Å以上の
寸法に設定されているものである。
本発明においては、金属片のワイヤ接合面におけるめっ
き処理を１回で済ませることができる。
き処理を１回で済ませることができる。
第１図は本発明に係るリードフレームの要部を示す断面
図で、同図において第２図および第３図と同一の部材に
ついては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同
図において、符号１１で示すものは１ｉ４（Ｃｕ）から
なるめっき箔層で、硫酸銅系のめっき浴を使用すること
により、前記インナリード５のワイヤ接合面５ａに形成
されている。
図で、同図において第２図および第３図と同一の部材に
ついては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同
図において、符号１１で示すものは１ｉ４（Ｃｕ）から
なるめっき箔層で、硫酸銅系のめっき浴を使用すること
により、前記インナリード５のワイヤ接合面５ａに形成
されている。
このめっき箔層１１は、９９％の純度をもち、かつ厚さ
が５００Å以上の寸法に設定されている。
が５００Å以上の寸法に設定されている。
このように構成されたリードフレームにおいては、イン
ナリード５上にｌ１ｉｌ（Ｃｕ）からなるめっき箔層１
１しか形成されておらず、すなわちめっき処理は１回し
か施されておらず、このため金属片１のインナリード５
におけるめっき処理を１回で済ませることができる。
ナリード５上にｌ１ｉｌ（Ｃｕ）からなるめっき箔層１
１しか形成されておらず、すなわちめっき処理は１回し
か施されておらず、このため金属片１のインナリード５
におけるめっき処理を１回で済ませることができる。
因に、本実施例においては、めっき箔層１１によってワ
イヤ接合面５ａの酸化を防止することができるばかりか
、ワイヤボンディング工程でＡｕのワイヤ４を使用して
も、ワイヤ４をインナリード５のワイヤ接合面５ａに十
分に食い込ませることができると共に、ワイヤ４の切り
離しを円滑に行うことができることは勿論である。
イヤ接合面５ａの酸化を防止することができるばかりか
、ワイヤボンディング工程でＡｕのワイヤ４を使用して
も、ワイヤ４をインナリード５のワイヤ接合面５ａに十
分に食い込ませることができると共に、ワイヤ４の切り
離しを円滑に行うことができることは勿論である。
なお、本実施例においては、インナリード５のワイヤ接
合面５ａにのみめっき箔層１１を形成するものを示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、インナリ
ード５のワイヤ接合面５ａのみならずダイパッド３のチ
ップ接合面３ａにもめっき箔層１１を形成してもよく、
また金属片１の全表面に亘りめっき箔層１１を形成して
も何等差し支えない。
合面５ａにのみめっき箔層１１を形成するものを示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、インナリ
ード５のワイヤ接合面５ａのみならずダイパッド３のチ
ップ接合面３ａにもめっき箔層１１を形成してもよく、
また金属片１の全表面に亘りめっき箔層１１を形成して
も何等差し支えない。
以上説明したように本発明によれば、銅系の合金材料を
素材とする金属片のワイヤ接合面に銅箔層を形成し、こ
の銅箔層は９９％の純度をもち、かつ厚さが５００Å以
上の寸法に設定されているので、金属片のワイヤ接合面
におけるめっき処理を１回で済ませることができ、フレ
ーム製造コストの低廉化を図ることができる。
素材とする金属片のワイヤ接合面に銅箔層を形成し、こ
の銅箔層は９９％の純度をもち、かつ厚さが５００Å以
上の寸法に設定されているので、金属片のワイヤ接合面
におけるめっき処理を１回で済ませることができ、フレ
ーム製造コストの低廉化を図ることができる。
第１図は本発明に係るリードフレームの要部を示す断面
図、第２図は従来のリードフレームの要部を示す断面図
、第３図はその使用例を示す断面図である。 １・・・・金属片、２・・・・半導体チップ、３・・・
・ダイパッド、３ａ・・・・チップ接合面、４・・・・
ワイヤ、５・・・・インナリード、５ａ・・・・ワイヤ
接合面、１１・・・・めっき箔層。
図、第２図は従来のリードフレームの要部を示す断面図
、第３図はその使用例を示す断面図である。 １・・・・金属片、２・・・・半導体チップ、３・・・
・ダイパッド、３ａ・・・・チップ接合面、４・・・・
ワイヤ、５・・・・インナリード、５ａ・・・・ワイヤ
接合面、１１・・・・めっき箔層。
Claims (1)
- 半導体チップを接合するダイパッドおよびワイヤによっ
てダイパッド上の半導体チップに接続するリードを有し
銅系の合金材料を素材とする金属片からなり、この金属
片のワイヤ接合面に銅箔層を形成し、この銅箔層は９９
％の純度をもち、かつ厚さが５００Å以上の寸法に設定
されていることを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026565A JPS63193552A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026565A JPS63193552A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193552A true JPS63193552A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12197062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62026565A Pending JPS63193552A (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63193552A (ja) |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62026565A patent/JPS63193552A/ja active Pending
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