JPH0449261B2 - - Google Patents
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- JPH0449261B2 JPH0449261B2 JP26623986A JP26623986A JPH0449261B2 JP H0449261 B2 JPH0449261 B2 JP H0449261B2 JP 26623986 A JP26623986 A JP 26623986A JP 26623986 A JP26623986 A JP 26623986A JP H0449261 B2 JPH0449261 B2 JP H0449261B2
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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-
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、銅系の合金材料を素材とするリード
フレームに関する。
フレームに関する。
従来、この種のリードフレームは第４図および
第５図に示すように構成されている。これを同図
に基づいて概略説明すると、符号１で示すものは
銅系の合金材料（Cu−２％Sn−0.2％Ni）を素材
とするリードフレームとしての金属片で、半導体
チツプ２を接合するダイパツド３と、このダイパ
ツド３上のチツプ電極４にAu等のワイヤ５によ
つて接続されたインナリード６とからなり、その
全表裏面上にはニツケルによつてめつき層７が形
成されている。そして、この金属片１の表側めつ
き層７上には前記ワイヤ５との接合性を考慮して
金あるいは銀等の金属によつてめつき層８が形成
されている。また、９は前記ダイパツド３上に前
記半導体チツプ２を接合する接着剤である。
第５図に示すように構成されている。これを同図
に基づいて概略説明すると、符号１で示すものは
銅系の合金材料（Cu−２％Sn−0.2％Ni）を素材
とするリードフレームとしての金属片で、半導体
チツプ２を接合するダイパツド３と、このダイパ
ツド３上のチツプ電極４にAu等のワイヤ５によ
つて接続されたインナリード６とからなり、その
全表裏面上にはニツケルによつてめつき層７が形
成されている。そして、この金属片１の表側めつ
き層７上には前記ワイヤ５との接合性を考慮して
金あるいは銀等の金属によつてめつき層８が形成
されている。また、９は前記ダイパツド３上に前
記半導体チツプ２を接合する接着剤である。
ところで、この種のリードフレームにおいて
は、インナリード６のワイヤボンド部６ａがフレ
ーム硬度より大きい硬度をもつ金，銀等の金属に
よつてめつきされているため、ワイボンデイング
工程で金のワイヤ５を使用すると、ワイヤ５がワ
イヤボンド部６ａに十分食い込み接合性が良好な
ものになると共に、ワイヤテールの切り離しが円
滑に行われる。
は、インナリード６のワイヤボンド部６ａがフレ
ーム硬度より大きい硬度をもつ金，銀等の金属に
よつてめつきされているため、ワイボンデイング
工程で金のワイヤ５を使用すると、ワイヤ５がワ
イヤボンド部６ａに十分食い込み接合性が良好な
ものになると共に、ワイヤテールの切り離しが円
滑に行われる。
ところが、従来のリードフレームにおいては、
金属片１上にニツケルによるめつき層７および
金，銀によるめつき層８を形成する構造であるた
め、すなわち２種の金属によつてめつき処理を２
回行わなければならないため、フレームの製造コ
ストが嵩むという問題があつた。
金属片１上にニツケルによるめつき層７および
金，銀によるめつき層８を形成する構造であるた
め、すなわち２種の金属によつてめつき処理を２
回行わなければならないため、フレームの製造コ
ストが嵩むという問題があつた。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもの
で、金属片のインナリードにおけるめつき処理を
１回で済ませることができ、もつてフレーム製造
コストの低廉化を図ることができるリードフレー
ムを提供するものである。
で、金属片のインナリードにおけるめつき処理を
１回で済ませることができ、もつてフレーム製造
コストの低廉化を図ることができるリードフレー
ムを提供するものである。
本発明に係るリードフレームは、その表面に銅
めつき処理が施された銅系の合金材料を素材とす
る金属片からなり、この金属片のワイヤボンド部
におけるめつき層は硬さがビツカース硬度140よ
り小さい硬度をもち、かつ厚さが5μmより大きい
寸法に設定されているものである。
めつき処理が施された銅系の合金材料を素材とす
る金属片からなり、この金属片のワイヤボンド部
におけるめつき層は硬さがビツカース硬度140よ
り小さい硬度をもち、かつ厚さが5μmより大きい
寸法に設定されているものである。
本発明においては、ワイボンデイング工程でワ
イヤとして金からなる材料を使用しても、ワイヤ
をワイヤボンド部に十分に食い込ませることがで
きると共に、ワイヤテールの切り離しを円滑に行
うことができる。
イヤとして金からなる材料を使用しても、ワイヤ
をワイヤボンド部に十分に食い込ませることがで
きると共に、ワイヤテールの切り離しを円滑に行
うことができる。
第１図ａおよびｂは本発明に係るリードフレー
ムを示す平面図と断面図で、同図以下において第
４図および第５図と同一の部材については同一の
符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号１１で示すものは銅からなるめつき層
で、硫酸銅系のめつき浴を使用することにより前
記インナリード６のワイヤボンド部６ａに形成さ
れており、その硬さがビツカース硬度140より小
さい硬度をもち、かつその厚さが5μmより大きい
寸法に設定されている。なお、図中斜線はめつき
処理が施された部分を示す。
ムを示す平面図と断面図で、同図以下において第
４図および第５図と同一の部材については同一の
符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号１１で示すものは銅からなるめつき層
で、硫酸銅系のめつき浴を使用することにより前
記インナリード６のワイヤボンド部６ａに形成さ
れており、その硬さがビツカース硬度140より小
さい硬度をもち、かつその厚さが5μmより大きい
寸法に設定されている。なお、図中斜線はめつき
処理が施された部分を示す。
このように構成されたリードフレームにおいて
は、ワイヤボンデイング工程でワイヤ５に金から
なる材料を使用しても、ワイヤ５をインナリード
６のワイヤボンド部６ａに十分食い込ませること
ができると共に、ワイヤ５の切り離しを円滑に行
うことができる。
は、ワイヤボンデイング工程でワイヤ５に金から
なる材料を使用しても、ワイヤ５をインナリード
６のワイヤボンド部６ａに十分食い込ませること
ができると共に、ワイヤ５の切り離しを円滑に行
うことができる。
したがつて、本実施例においては、インナリー
ド６のワイヤボンド部６ａにおけるめつき処理を
１種の金属を使用して１回で済ませることができ
る。
ド６のワイヤボンド部６ａにおけるめつき処理を
１種の金属を使用して１回で済ませることができ
る。
ここで、ワイヤボンデイング工程は、金属片１
のダイパツド３上に半導体チツプ２を接合した後
で行われる。
のダイパツド３上に半導体チツプ２を接合した後
で行われる。
なお、本実施例においては、インナリード６の
ワイヤボンド部６ａにのみめつき層１１を形成す
るものを示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、第２図ａおよびｂに示すようにイン
ナリード６のワイヤボンド部６ａのみならずダイ
パツド３の表面上にめつき層１１を形成してもよ
く、また第３図ａおよびｂに示すように金属片１
の全表面に亘りめつき層１１を形成しても何等差
し支えない。
ワイヤボンド部６ａにのみめつき層１１を形成す
るものを示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、第２図ａおよびｂに示すようにイン
ナリード６のワイヤボンド部６ａのみならずダイ
パツド３の表面上にめつき層１１を形成してもよ
く、また第３図ａおよびｂに示すように金属片１
の全表面に亘りめつき層１１を形成しても何等差
し支えない。
以上説明したように本発明によれば、銅めつき
処理が施された銅系の合金材料を素材とする金属
片からなり、この金属片のワイヤボンド部におけ
るめつき層は、硬さがビツカース硬度140より小
さい硬度をもち、かつ厚さが5μmより大きい寸法
に設定されているので、ワイヤボンデイング工程
でワイヤとして金からなる材料を使用しても、ワ
イヤをワイヤボンド部に十分に食い込ませること
ができると共に、ワイヤの切り離しを円滑に行う
ことができる。したがつて、インナリードのワイ
ヤボンド部におけるめつき処理を１回で済ませる
ことができるから、フレーム製造コストの低廉化
を図ることができる。
処理が施された銅系の合金材料を素材とする金属
片からなり、この金属片のワイヤボンド部におけ
るめつき層は、硬さがビツカース硬度140より小
さい硬度をもち、かつ厚さが5μmより大きい寸法
に設定されているので、ワイヤボンデイング工程
でワイヤとして金からなる材料を使用しても、ワ
イヤをワイヤボンド部に十分に食い込ませること
ができると共に、ワイヤの切り離しを円滑に行う
ことができる。したがつて、インナリードのワイ
ヤボンド部におけるめつき処理を１回で済ませる
ことができるから、フレーム製造コストの低廉化
を図ることができる。
第１図ａおよびｂは本発明に係るリードフレー
ムを示す平面図と断面図、第２図ａおよびｂは第
２実施例を示す平面図と断面図、第３図ａおよび
ｂは第３実施例を示す平面図と断面図、第４図お
よび第５図は従来のリードフレームを示す平面図
と断面図である。 １…金属片、２…半導体チツプ、３…ダイパツ
ド、５…ワイヤ、６…インナリード、６ａ…ワイ
ヤボンド部、１１…めつき層。
ムを示す平面図と断面図、第２図ａおよびｂは第
２実施例を示す平面図と断面図、第３図ａおよび
ｂは第３実施例を示す平面図と断面図、第４図お
よび第５図は従来のリードフレームを示す平面図
と断面図である。 １…金属片、２…半導体チツプ、３…ダイパツ
ド、５…ワイヤ、６…インナリード、６ａ…ワイ
ヤボンド部、１１…めつき層。
Claims (1)
- １ その表面に銅めつき処理が施された銅系の合
金材料を素材とする金属片からなり、この金属片
のワイヤボンド部におけるめつき層は、硬さがビ
ツカース硬度140より小さい硬度をもち、かつ厚
さが5μmより大きい寸法に設定されていることを
特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26623986A JPS63120451A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26623986A JPS63120451A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63120451A JPS63120451A (ja) | 1988-05-24 |
| JPH0449261B2 true JPH0449261B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=17428204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26623986A Granted JPS63120451A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63120451A (ja) |
-
1986
- 1986-11-08 JP JP26623986A patent/JPS63120451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63120451A (ja) | 1988-05-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |