JPS63187650A - 集積回路パツケ−ジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ケ）技術分野 この発明は、１００Ｍｂ／ｓ以上の高速デジタル信号や
、５００ＭＨｚ以上の周波数を処理する集積回路を組込
むパッケージに関する。

半導体集積回路チップのパッケージには、次のような機
能がある。

（１）　　チップを環境から保護すること。

（１１）　　チップを機械的に支持すること。

（ｉｉｉ）　　電力供給手段を与える事。

＋１１ｉｉ）　　信号の入出力手段を与える事。

（Ｖ）　　外部回路などからチップを絶縁する事。

（Ｑ　　ＩＣチップから生ずる熱を放散する事。

などである。

ＩＣパッケージは大別して、 （ａ）　　プラスチックパッケージ （ｂ）　　サーディツプ（ＣＥＲＤＩＰ　）（ｃ）　　
セラミックパッケージ などがある。

（イ）従来技術 プラスチックパッケージを第４図に示す。ＳｉのＩＣチ
ップの電極部とリードフレームの電極部とが、Ａｕワイ
ヤで接続されている。ＩＣチップワイヤ、リードフレー
ムなどの全体を樹脂で覆っている。

リードフレームが側面に並んでいるものが多いが、これ
はＤＩＰ（Ｄｕａｌ　ｉｎ　１ｉｎｅ　ｐａｃｋａｇｅ
）という。

プラスチックパッケージは量的には、全パッケージ生産
量の内、８０％を占め汎用性に富む。安価で使いやすい
。

しかし、放熱性が悪いので、高速性を要するＩＣのパッ
ケージとしては不適である。

ＣＥＲＤ　Ｉ　Ｐパッケージの構造を第５図に示す。こ
れはセラミック板２枚を用いてパッケージとしたもので
ある。リードフレームは、セラミック板の両側に樹脂封
止されている。ＩＣの電極部とリードフレームの電極部
がＡβワイヤで接続されている。

セラミック板を使うから、熱放散性に優れる。

プラスチックパッケージよりも使用温度域が広い。

より高速動作するＩＣチップのパッケージとしても用い
る事ができる。生産量は全パッケージのうちの約１５％
である。セラミック製のパッケージであるが、セラミッ
クパッケージとはいわない。単にＣＥＲＤＩＰ　　とい
う。

第６図に示すのは、現在市販されているパッヶ−ジのう
ち、最も高級なものである。

セラミック板を４層以上積層してある。セラミック板が
多数積層されているので、Ｍｕｌｔｉ　Ｌａｍｉｎａｔ
ｅＣｅｒａｍｉｃ　ＰａｃＫａｇｅ（ＭＬＣＰ）と呼ぶ
。単にセラミックパッケージという事もある。

リードフレームは２方向又は４方向に平行して設けられ
ている。底板にはメタライズ面があり、これはグランド
とする事が多い。底板の上にＩＣチップをダイボンドし
てある。底板より上の開口のある第１セラミツク板の上
には信号線メタライズ配線と電源・グランドメタライズ
配線が同一平面上に設けられている。

メタライズ配線の内側端が、Ａｕワイヤにより、ＩＣチ
ップの電極部に接続される。メタライズ配線の外側端に
リードフレームがろう付けされる。

このようにメタライズ配線ｊ・でより、リードフレーム
とＩＣチップが仲介されることになる。

リードフレームよりもメタライズ配線は微細に形成でき
るから、ＩＣチップを収容する開口部が、ビン本の増加
とともに拡大するのを防ぐことができる。

またセラミックであるから、プラスチックよりも放熱性
がよい。

Ｍ　Ｌ　ＣＰは高級なパッケージで、高価である。量的
には、全ＩＣパッケージの内の約３％にすぎない。

（つ）発明が解決しようとする問題点 以上に説明したＩＣ用パッケージは、いずれも、５００
ＭＨ２というような高い周波数の信号を扱うＩＣのパッ
ケージとしては不適である。

高速、高周波で動作する集積回路用パッケージとして要
求される特性としては次のようなものがある。

（１）信号線を伝送、線路として取り扱う必要がある。

このため信号線を所定の特１１インピーダンスＺ。

になるようにしなければならない。

（１１）雑音の影響を少なくしなければならない。この
ため、信号線の間隔はできるかぎり広くシナければなら
ない。また信号線の長さはできるだけ短くしなければな
らない。パッケージはできるだけ小さくしなければなら
ない。

（１１０電源へ入る雑音を除去するため電源とグランド
ＧＮＤの間にできるだけ大きい容量のコンデンサのある
事が望ましい。

第４図〜第６図に示す従来のＩＣパッケージは、信号線
のインピーダンスが一定であるという（１）の条件を満
していない。

信号線や電源の数が多くなると、第４図〜第６図のＩＣ
パッケージは、（ｉｉ）の条件を満たす事ができない。

電源線、ＧＮＤ線は同一平面上にあるから第４図〜第６
図のものは（ｉｉＤの条件を満たす事ができない。

け）信号線・電源線分離型パッケージ 特願昭６０−２５３０７４号（Ｓ６０゜１１．１２出奮
）は、多層にセラミック板を重ね、その１枚は信号用メ
タライズ配線を全て設け、その他のセラミック板には電
源、グランドメタライズ面を四辺全体に設けたセラミッ
クパッケージを提案している。

このパッケージは極めて洗練された構造となっている。

前節の問題において、（１）、（ＩＩ）の問題は解決さ
れる。

しかしながら、０ｊ１）の問題については十分な解決を
与えていない。本発明者はこう考える。

００　　　目　　　　　的 集積回路の電源へ雑音が入りにくいようにするため、電
源とＧＮＤの間に大きい容量のコンデンサを形成した集
積回路パッケージを提供する事が本発明の第１の目的で
ある。

信号線のインピーダンスをある特定インピーダンスに合
致させ高周波、高速信号が通りやすくなっている集積回
路パッケージを提供する事が本発明の第２の目的である
。

ψ）構　成 本発明の集積回路パッケージの特徴は以下の如くである
。

電源供給用のメタライズ面を４辺に有するセラミック板
を、グランドメタライズ面を有するセラミック板で挾ん
で、電源とグランドの間に大きい容量のコンデンサを購
成する。

信号用配線は唯ひとつのセラミック板の上に集合させる
。電源メタライズ面をグランドメクライズ面で挾んだ組
を、信号用配線のセラミック板の上下に少くともひとつ
づつ設ける。

図式的に一般的な説明をする。

電源（ＶＴＴ、　”Ｓ５％　”ＤＤ％・・・）はそれぞ
れ１枚のセラミック板に対応させ、セラミック板の４辺
に電源メタライズ面を設ける。

グランドＧ　Ｎ　Ｄもメタライズ面として１枚のセラミ
ック板の全体に形成する。

つまり、電源面、グランド面は、セラミック板に一対一
の対応をする。

ｎ個の異なる電源があれば、少なくともｎ枚の電源用の
セラミック板が必要となる。

電源面、グランド面は、各セラミック板の上面全体に設
ける。１枚のセラミック板に、２以上の電源面が存在す
るという事はない。電源面とグランド面が共存するとい
う事もない。信号、線が電源、グランド面にあるという
事もない。

このようにセラミック板と、電源、グランド面、信号線
面が一対一に対応している。

従って、積層の順序を表現するため、電源面、グランド
面、信号線面が形成されたセラミック板の順序を述べる
かわりに、面自体の順序を述べる事ができる。

電源面をＫによって表現する。

グランド面をＧによって表現する。

信号線面をＳによって表現する。

本発明は、Ｋが必ずＧによって挾まれている事を要求す
る。つまりＧＫＧという層構造を要求しているのである
。

さらに、本発明は、これらの構造が信号線面の上下に少
なくとも１組ある、という事を要求している。

つまり、本発明の集積回路パッケージの一般構造は、下
から上への順で、次の積層構造として表現できる。

ＧＫＧＫ・・・ＧＳＧＫＧＫ・・・Ｇ（１）これが一般
式である。電源層、グランド層を区別する必要がある場
合は、次のように書く。

ＧｏＫ４ＧＢＫ２Ｇ２”’Ｇｊ−ＩＳＧｊＪ（ｇ＋１−
ＫｎＧｎ＋１　　　　（２）任意の電源面Ｋｉは、それ
より下のＧ１−１と、それより上のＧｉとの間にコンデ
ンサを形成する。上又は下だけにある場合に比べて、コ
ンデンサの８州は２倍になる。またＧＫ間の厚みを、通
常の場合の半分にすれば、これによって容量は２倍にな
る。

同じ表記法で特願昭６０−２５３０７４のパッケージの
ｔ！’ｉ造を表現すると、 Ｇ　Ｓ　Ｋ　Ｇ　　　　　　　　　　　（３）となる。

Ｓの上下に於て、本発明の要件を持っていない。

第４図〜第６図のパッケージは、ひとつの平面上に電源
、グランド、信号線が共存しているから、前記の表記で
は記述できない。

以下、実施例を示す図面によって説明する。

第１図は本発明の集積回路パッケージの斜視図、第２図
は縦断面図である。このパッケージは、中央に開口を有
するセラミック板１〜６を積層し、最下層に盲板である
底板７を貼付けたものである。

底板７は金属板であってもよいし、上面にメタライズ面
を設けたセラミック板であってもよい。

メタライズというのは、物体の表面に金属を被覆する、
という事である。ここでは、セラミック板の表面に導電
体を形成するために、金属層を形成する事である。

セラミックに接触する部分はタングステンＷである。外
部に露呈しない場合はタングステンだけでもよい。外部
に露出する場合は、さらに、金、・〜Ｕで被覆する。

一般に厚膜であって、１０μ〃Ｚ〜３０μｍの厚みがあ
る。

第１図に於てメタライズ面又はメタライズ線を示すため
に、斜線を付している。これは断面を表ワスハッチンで
はない。

底板７の上面は、グランド面となる。前述の説明では第
０グランド面Ｇｏであったものに当る。底板７が金属板
であっても、この上面がＧｏに当ることに変りはない。

メタライズ面であっても金、属であっても同じことであ
る。

第１セラミツク板１より上のセラミック板は全て中央に
開口Ｗ１、Ｗ２、〜■３、〜■４を有する。

第１セラミツク板１〜第３セラミツク’ＩＩ　３　ハ同
じ辺長Ｗ】の開口を有する。開口Ｗ１と底板７で囲まれ
る空間をキャビティ１２という。ここにＩＣチップをグ
イボンドするのである。

第４セラミツク板４の開口Ｗ２は、〜■１より太きい。

ここに第１段部Ｄ１が生ずる。

第５セラミツク板５の開口〜Ｖ３は、Ｗ２よりさらに大
きい。第４セラミツク仮４の内縁に第２段部Ｄ２が生ず
る。

第６セラミツク板６の開口Ｗ４は、Ｗ３よりも大きい。

第５セラミツク板５の内縁に第３段部Ｄ３が生ずる。

第３セラミツク板３までは外辺長が等しく、外側面ば而
−（つらいち）になっている。

第４セラミツク板４〜第６セラミツク板６までの外辺長
は等しく、第３セラミツク板３までのものより短い。そ
こで第３セラミツク板３の外縁に第４段部Ｄ４が生じる
。

第１セラミツクｔｉｉの上には電源メタライズ面に、が
形成されている。これは外部に露呈していない。この電
源メタライズ面はワイヤボンデングの対象とはならない
。単に、グランドとの間にコンデンサを形成するために
追加されたものである。

第２セラミツク板２の上面には、第１グランドメクライ
ズ面Ｇ１が形成されている。このグランドメタライズ面
Ｇ１も外部に露呈していない。ワイヤボンデングの対象
にならない。つまり、ＩＣチップにグランドレベルを与
えるためのグランド面ではない。単にコンデンサを形成
するためのものである。

コンデンサの極板距離である、第１セラミツク阪１、第
２セラミツク板の厚みＴ１、Ｔ２は十分に小さい。

第３セラミツク板３は重要なセラミック板である。これ
の上には、多数の信号メタライズ配線１１が形成されて
いる。信号メタライズ配５線１１）よ、線幅が一定で、
開口縁Ｗ、から放射状に延長し、外縁にまで至っている
。

信号メクライズ配線１１は、内縁に於ては、第１段部Ｄ
１に露呈し、外縁に於ては第４段部り、に露呈している
。

信号メクライズ配線１１は全てが第３セラミツク板３の
上にある。これが信号線面Ｓである。Ｄ４に於て、信号
メクライズ配線１１の外縁に、信号用リードフレーム８
がろう付けされている。

第３セラミツク板３の上には、信号メクライズ配線の他
に、電源用メタライズ面、線２６、グランド用メタライ
ズ配線２７が設けられている。

これらは、セラミック板を上下に貫くスルーホールによ
って、上下の電源メタライズ面、グランドメタライズ面
と電気的に接続される。

電源用メタライズ配線２６、グランド用メタライズ配線
２７は第３セラミツク板３の外縁から、中間部まで続い
ている。中央開口には至らない。

電源用メタライズ配線２６の外縁は、Ｄ４に於て、電源
用リードフレーム９にろう付けされる。

グランド用メタライズ配線２７の外縁はＸＤ４に於て、
グランド用リードフレーム１０にろう付けされる。

第４セラミツク板４の上面には、第２グランドメクライ
ズ面Ｇ２が形成されている。第２段部Ｄ２に於て、グラ
ンドメタライズ面Ｇ２の一部が露出している。この面Ｇ
２は、ＩＣチップのグランドのボンデインバッドとワイ
ヤボンドされるべき面である。

グランド面Ｇ２が、ＩＣチップを囲む４辺にあるから、
ＩＣチップのどの位置にグランドレベルを必要とする場
合であっても、最短のワイヤによってボンディングでき
る。

第５セラミツク板５の上面には、第２電源メタライズ而
に２　が形成されている。

電源メタライズ面に２　の内縁は、第３段部Ｄ３に露出
している。この電源面に２　は、ＩＣチップの電源用ポ
ンディングパッドとワイヤによって接、続される而であ
る。つまり、Ｋ２はＩＣに対する電源供給面である。

電源面はＩＣチップを囲む４辺にあるから、ＩＣチップ
のどの位置に電源用のパッドがあっても　Ａ”短のワイ
ヤによって接続できる。

第６セラミツク板６の上面は、第３グランドメタライズ
面Ｇ３となっている。

第６セラミツク板６の上には、蓋板（図示せず）が貼付
けられる。

第５セラミツク板５、第６セラミツク板６によって、６
２に２Ｇ３よりなるコンデンサが構成される。

これらのセラミック板５．６の厚みＴ５、Ｔ６は十分小
さい。

これらのグランド面Ｇｏ−０３、電源面Ｋｌ　、Ｒ２は
、スルーホールにより、信号線面Ｓ上の電源メタライズ
配線２６、グランドメタライズ配線２７と接続される。

電源メタライズ配線２６と、第１電源メタライズ面に１
、第２電源メタライズ而に２とは、スルーホール１ｇ、
１９によって結合される。

グランドメタライズ配線２７と、第１グランド面Ｇｏは
スルーホール２０によって結合される。グランドメタラ
イズ配線２７と、第１グランド而６１〜第３グランド而
Ｇ３は、スルーホール２１．２２．２３によって結合さ
れている。

第３セラミツク板、第４セラミツク板の厚みＴ３、Ｔ、
は、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ５、Ｔ６よりも厚い事が望ましい。

これは信号線面ＳをグランドＧＸＧから遠ざける、とい
う事である。

Ｔ１、Ｔ２、Ｔ５、Ｔ６はグランドと電源のコンデンサ
の厚みにあたる。これが薄い方が、コンデンサ容量が大
きくなる。望ましくは１００μｍ以下であるのがよい。

（ホ）他の構成 第３図に本発明の他の実施例を示す。

これは、第２グランド而Ｇ２と同一の面上の段部Ｄ２に
、終端抵抗Ｒ１、Ｒ２と、電極２８．２９を設けたもの
である。

第７図にこの部分の拡大部を示す。

Ｒ１はグランド面Ｇ２と電極２８を結ぶ。

Ｒ２は電極２８．２９を結ぶ。

ワイヤ３１により、１段下の信号用メタライズ配線１１
と電極２８を接続する。ワイヤ３２によって、１段上の
電源用メタライズ面に２と電極２９を接続する。

すると、信号用メタライズ配線１１の直流レベルは、電
源ＶＴＴを、抵抗Ｒ２とＲ１で分圧したものになる。

また、信号用メタライズ配線１１の、グランド間の終端
抵抗はＲ１とＲ２の並列抵抗になる。特性インピーダン
スをＺｏとすると Ｒ４Ｒ２Ｚ。

とする。Ｒ７とＲ２の比は、直流レベルの値で決まるか
ら、望ましいＲ１のＲ２の値が決まる。

こうして、信号線の終端は、その特性インピーダンスＺ
ｏで終端されることになる。

その池の構成は、第１図、第２図に表わされるものと同
様である。

一般にこのような抵抗は、Ｇｏを除き、６１〜Ｇｎの任
意のグランド面に設ける事ができる。Ｇｎ＋１は蓋板が
貼付けられるから除外される。抵抗を設ける場合、全面
にグランドメタライズすることはできない。４辺の外縁
のみにメタライズ面を形成することになる。

この例ではグランド面に抵抗を設けているが、電源面Ｋ
ｌ　、Ｒ２、・・・、Ｋｎであってもよい。

さらに、直流レベルに条件が課されない場合は、電極２
８と、抵抗Ｒ１だけにしてもよい。この場合、Ｒ１−Ｚ
ｏとする。電極２８を信号メタライズ配線１１　の始端
にワイヤで結合することにより、特性インピーダンスで
信号線が終端されることになる。

（り）実施例 第１図の例に於て、セラミック板１〜６の厚みＴ、〜Ｔ
６を次のようにしたパッケージを作成した。

Ｔ１＝　０．１　ｍ可 Ｔ２−０１騎 Ｔ３　＝　０．３　ｍｍ Ｔ４＝０．３間 Ｔｓ　＝　０．１　Ｍｙ Ｔ６＝０．１間 ここで、０．１間の厚みはコンデンサを形成する部分の
セラミックの厚さである。

０３朋の厚み（Ｔ３、Ｔ４）は信号線が、所定の特性イ
ンピーダンスを持つように決められた値である。セラミ
ックが４へ１２０３であり、誘電率が９．５である時、
信号用メタライズ線の幅が０．１２　ｍｍである場合、
０３”の厚みのセラミックで、信号線がり゛ランドと挾
まれた時、特性インピーダンスゲエフ７−が５００にな
る。

以」二の値に於て、電源とグランド間に形成される４つ
のコンデンサの容量の和は１５０９Ｆであった。

パッケージの一辺は７間のノζツケージである。

７×７間の外形のパッケージに於て、電源、グランド間
の容量が１５０ｐＦというのは極めて大きい値である。

次に、このパッケージに４〜１８ＧＨｚの帯域を有する
増幅器チップを着装した。この増幅器チップは４〜１８
　ＧＨｚの帯域でｇｄＢの利得をもつものである。

そして、５　ＧＨｚの入力信号に対する利得を測定した
。

電源、グランド間のコンデンサの効果を見るために、電
源には、直流電圧と、この直流電圧の１／１００の振幅
をもつ１０ＧＨｚの交流を雑音成分として加えた。

電源のとり方として、本発明のパッケージの（ａ）電源
用メタライズ面からチップに与えたもの（ｂ）　　信号
用メタライズ面のひとつを使ってチップに与えたもの の２つの場合について実験を行なった。（、）が本発明
の場合に当り、（ｂ）が従来例に当る。

（ａ）の場合、雑音成分は減衰して１／２ｏ以下であっ
た。出力波形の歪みもみられなかった。

（ｂ）の場合、雑音成分は減衰せず、出力波形の歪みが
著しかった。

ケ）効　果 本発明のパッケージは、内部に大きい容量のコンデンサ
を持つ。このｋめ電源が安定し、電源の雑音が問題とな
るような、高速、高周波用途の集積回路のパッケージと
して最適である。特に、高速デジタル信号を処理するＧ
ａ　Ａｓ集積回路のパッケージとして極めて有効である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例にかかるパッケージの斜視図。 第２図は同じものの縦断面図。 第３図は本発明の他の実施例にがかるノクツケージの斜
視図。 第４図は公知のプラスチックノぐツケージ（Ｐ−ＤＩＰ
）の１例を示す縦断面図。 第５図は公知のサーデイプ（ＣＥＲＤＩＰ）の１例を示
す縦断面図。 第６図は従来例にかかるセラミックパッケージの１例を
示す縦断面図。 第７図は第３図の実施例に於て、抵抗の部分のみを拡大
した平面図。 １　、、、、、、、、、第１セラミツク板２、、、．１
．−１．第２セラミツク板３・・・・・・・・・第３セ
ラミツク板４・・・・・・・・・第４セラミツク板５・
・・・・・・・・第５セラミ゛ンク仮６　・・・・・・
・・・第６セラミ゛ツク板７・・・・・・・・・底　　
板 ８　・・・・・・・・・前号用リードフレーム９　・・
・・・・・・・電源用リードフレーム１０　・・・・・
・・・・　グランド用リードフレーム１１　　・・・・
・・・・・信号メタライズ配線Ｇｏ、　Ｇ１〜Ｇｎ・・
・グランドメタライズ面に１〜Ｋｎ・・・・・・電源メ
タライズ面Ｓ　・・・・・・・・・　信　　号　　線　
　　面１８〜２３・・・・・・スルーホール ２６　　・・・・・・・・・電源用メタライズ面線２７
　・・・・・・・・・　グランド用メタライズ配線発　
　明　　者　　　　　後　　藤　　智　　用人　　塚　
　　　　昭

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも上面がグランド面Ｇ＿０となる導体で
   あつて盲板である底板７と、中央に開口を有し該中央開
   口から外縁に至る全ての信号メタライズ配線１１と中間
   部から外縁に至る電源用メタライズ配線２６及びグラン
   ド用メタライズ配線２７とよりなる信号線面Ｓを有する
   １枚のセラミック板と、中央に開口を有し四辺の全面或
   は一部に電源メタライズ面Ｋ＿１、Ｋ＿２、・・・、Ｋ
   ＿ｎを形成したｎ枚のセラミック板と、中央に開口を有
   し四辺の全面或は一部にグランドメタライズ面Ｇ＿１、
   Ｇ＿２、・・・、Ｇ＿ｎ＿＋＿１を形成した（ｎ＋１）
   枚のセラミック板と、信号線面Ｓを有するセラミック板
   の外縁に於て信号メタライズ配線１１、電源用メタライ
   ズ配線２６、グランド用メタライズ配線２７にそれぞれ
   接続される信号用リードフレーム８、電源用リードフレ
   ーム９、グランド用リードフレーム１０と、前記電源用
   メタライズ配線２６と電源メタライズ面Ｋ＿１、Ｋ＿２
   、・・・、Ｋ＿ｎとを結合するスルーホールと、前記グ
   ランド用メタライズ配線２７とグランドメタライズ面Ｇ
   ＿０、Ｇ＿１、Ｇ＿２、・・・、Ｇ＿ｎとを結合するス
   ルーホールとよりなり、電源メタライズ面Ｋがグランド
   メタライズ面Ｇによつて挾まれたＧＫＧの層構造を、信
   号線面Ｓの上下に少なくともひとつ以上有するようにセ
   ラミック板が積層されており、中央の開口部の底板上面
   のキャビティ１２に集積回路チップを収容できるように
   した事を特徴とする集積回路パッケージ。
2. （２）底板７が金属板であることを特徴とする特許請求
   の範囲第（１）項記載の集積回路パッケージ。
3. （３）底板７が上面にメタライズ面を形成したセラミッ
   ク板である事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
   載の集積回路パッケージ。
4. （４）電源メタライズ面Ｋとグランドメタライズ面Ｇの
   距離が、グランドメタライズ面Ｇと信号線面の距離より
   も小さい事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
   の集積回路パッケージ。
5. （５）電源メタライズ面Ｋとグランドメタライズ面Ｇと
   の距離が１００μｍ以下である事を特徴とする特許請求
   の範囲第（４）項記載の集積回路パッケージ。
6. （６）電源メタライズ面Ｋ＿１、Ｋ＿２、・・・、Ｋ＿
   ｎのうちのひとつの面に、信号メタライズ配線の特性イ
   ンピーダンスに等しい抵抗を電源メタライズ面から電極
   ２８に至るように形成してある事を特徴とする特許請求
   の範囲第（１）項又は第（４）項記載の集積回路パッケ
   ージ。
7. （７）グランドメタライズ面Ｇ＿１、Ｇ＿２、・・・、
   Ｇ＿ｎのうちのひとつの面に信号メタライズ配線の特性
   インピーダンスに等しい抵抗をグランドメタライズ面か
   ら電極２８に至るように形成した事を特徴とする特許請
   求の範囲第（１）項又は第（４）項記載の集積回路パッ
   ケージ。
8. （８）電源メタライズ面Ｋ＿１、Ｋ＿２、・・・、Ｋ＿
   ｎのうちのひとつの面に、該電源メタライズ面から抵抗
   Ｒ＿１を電極２８に至るように設け、電極２８から抵抗
   Ｒ＿２を電極２９に至るように設け、Ｒ＿１、Ｒ＿２の
   並列抵抗が信号メタライズ配線の特性インピーダンスに
   等しくなるようにしてある事を特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項又は第（４）項記載の集積回路パッケージ
   。
9. （９）グランドメタライズ面Ｇ、Ｇ＿２、・・・、Ｇ＿
   ｎのうちのひとつの面に、該グランドメタライズ面から
   抵抗Ｒ＿１を電極２８に至るように設け、電極２８から
   抵抗Ｒ＿２を電極２９に至るように設けＲ＿１、Ｒ＿２
   の並列抵抗が信号メタライズ配線の特性インピーダンス
   に等しくなるようにしてある事を特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項又は第（４）項記載の集積回路パッケー
   ジ。