JPS63187602A - サ−ミスタ - Google Patents
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- JPS63187602A JPS63187602A JP2030487A JP2030487A JPS63187602A JP S63187602 A JPS63187602 A JP S63187602A JP 2030487 A JP2030487 A JP 2030487A JP 2030487 A JP2030487 A JP 2030487A JP S63187602 A JPS63187602 A JP S63187602A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910001055 inconels 600 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高い温度雰囲気での使用に適するように耐熱性
を向上させたサーミスタに関する。
を向上させたサーミスタに関する。
(従来の技術)
サーミスタは、温度制御のための温度計測に広い利用分
野で使用されている。
野で使用されている。
熱時定数を小さくするためにサーミスタを小形化したい
という要請、より高い温度の測定を可能にし使用温度範
囲を拡大するために可熱性を向上させたいという要請、
また大皿の使用を可能にするために、量産性の良い構造
にしたいという要請がある。
という要請、より高い温度の測定を可能にし使用温度範
囲を拡大するために可熱性を向上させたいという要請、
また大皿の使用を可能にするために、量産性の良い構造
にしたいという要請がある。
通常300℃程度まで使用され、高温での安定性が要求
されるものに、ガラス被覆されたサーミスタがある。
されるものに、ガラス被覆されたサーミスタがある。
第2図は、よく知られているビード形のサーミスタの断
面図である。
面図である。
2本の白金等の貴金屈線11に酸化マンガン、酸化ニッ
ケル等の金応酸化物混合扮未が焼結されたサーミスタチ
ップ12が形成されている。
ケル等の金応酸化物混合扮未が焼結されたサーミスタチ
ップ12が形成されている。
前記貴金属線11の一端はジュメット線13に接続され
、ガラス管14で熔封されている。
、ガラス管14で熔封されている。
さらに他の形式のサーミスタとして、PSB形(Pel
let type Small Bead)と呼ばれて
いるサーミスタが知られている。
let type Small Bead)と呼ばれて
いるサーミスタが知られている。
この形式のサーミスタの構造および製造方法については
特公昭52−7535号に詳しく述べられている。
特公昭52−7535号に詳しく述べられている。
第3図は、前述のPSB形のサーミスタの一部を01断
して示した図である。
して示した図である。
このサーミスタのチップ15は、サーミスタ全屈酸化粉
末をウェーハ状に成形、焼成し両面に電極層を設けた後
に゛小片に切断したものである。
末をウェーハ状に成形、焼成し両面に電極層を設けた後
に゛小片に切断したものである。
サーミスタチップ15の電極層とリード線16は耐熱導
電塗料17で接続され、ガラス管18で熔封されている
。
電塗料17で接続され、ガラス管18で熔封されている
。
さらに他の形式のサーミスタとして、D HT(Dou
ble l1eat 5ink Thermister
)形のものが知られている。
ble l1eat 5ink Thermister
)形のものが知られている。
第4図はDHT形のサーミスタの断面図である。
サーミスタチップ19は前述したPSB形のサーミスタ
のそれと同様に製造される。
のそれと同様に製造される。
このサーミスタチップ190両面の電haとスラングリ
ード線20.20が熱圧着により強固に接続される。ス
ラングリード線20.20の頭部はガラス管21により
封看される。
ード線20.20が熱圧着により強固に接続される。ス
ラングリード線20.20の頭部はガラス管21により
封看される。
第2図に示したビード形のサーミスタは、非常に小形に
できるという特徴がある。
できるという特徴がある。
しかしサーミスタチップ12の密度を高くすることがで
きないために抵抗値のバラツキが大きく歩留りが極めて
悪い。さらにその構造から、手作業にたよる部分が多く
量産性に乏しい。
きないために抵抗値のバラツキが大きく歩留りが極めて
悪い。さらにその構造から、手作業にたよる部分が多く
量産性に乏しい。
第3図に示したPSB形のサーミスタはサーミスタチッ
プ15の密度を大きくすることができ、抵抗値のバラフ
キを非常に小さくできる。
プ15の密度を大きくすることができ、抵抗値のバラフ
キを非常に小さくできる。
また、構造上、比較的小形化に適し、量産性も良いとい
う長所はある。
う長所はある。
しかし、ガラス溶封時に耐熱導電塗料17とリード線の
酸化物がガラス中に分散し、耐電圧の劣化。
酸化物がガラス中に分散し、耐電圧の劣化。
および高温動作時の抵抗値変化が大きく、信頼性に欠け
る面がある。
る面がある。
第4図に示したDHT形のサーミスタは、量産性は極め
て優れている。
て優れている。
しかし小形化ができず、また高温動作時にスラングリー
ド線の頭部とリード線の溶接部22が酸化されやすく、
この酸化に原因してリードがとれるという問題を引き起
すおそれがある。
ド線の頭部とリード線の溶接部22が酸化されやすく、
この酸化に原因してリードがとれるという問題を引き起
すおそれがある。
(発明が解決しようとする問題点)
前述した各先行例はいずれも、サーミスタチップ部また
はチップ部をガラスで被覆して保護するという構造にな
っている。
はチップ部をガラスで被覆して保護するという構造にな
っている。
この被覆に用いられているガラスは、300〜500°
Cという高温においては、内部のイオンの動きが活発に
なり、電気的に不安定になり易いという問題がある。
Cという高温においては、内部のイオンの動きが活発に
なり、電気的に不安定になり易いという問題がある。
またガラスの転移点や軟化点付近では、機械的に不安定
となり、マイクロ・クランクの発生につながる。
となり、マイクロ・クランクの発生につながる。
また、高温に耐えるリード線と軟化点の高いガラスを使
い、高温でガラス熔融を行った場合においても、サーミ
スタチップおよびチップの変態点に近くなり、サーミス
タ自身の不安定さを招くことになる。
い、高温でガラス熔融を行った場合においても、サーミ
スタチップおよびチップの変態点に近くなり、サーミス
タ自身の不安定さを招くことになる。
本発明の目的は、高温処理または高温動作において問題
となる前述したガラス被覆に起因する問題を解決し、耐
熱性に優れ、小形化が可能であり、かつ量産性に優れた
サーミスタを提供することにある。
となる前述したガラス被覆に起因する問題を解決し、耐
熱性に優れ、小形化が可能であり、かつ量産性に優れた
サーミスタを提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
前記目的を達するために、本発明によるサーミスタは、
サーミスタチップの両面に形成されている電極層に耐熱
導電塗料で全屈リード線を接続し前記接続部を被覆した
サーミスタにおいて、前記被覆を有機珪素重合体とガラ
スフリットを含む金属酸化物充填剤との混合物のセラミ
ック化焼成体として構成されている。
サーミスタチップの両面に形成されている電極層に耐熱
導電塗料で全屈リード線を接続し前記接続部を被覆した
サーミスタにおいて、前記被覆を有機珪素重合体とガラ
スフリットを含む金属酸化物充填剤との混合物のセラミ
ック化焼成体として構成されている。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第1図は、本発明によるサーミスタの実施例を示す断面
図である。
図である。
サーミスタチップ1は、マンガン・ニッケル・アルミの
酸化物をウェーハ状に加圧成形し、1250°C程度で
焼成後、ウェーハの両面に銀・パラジューム・ペースト
を塗布し、約800℃で焼き付けたものを Q、5mmx0.5mmx0.3 (厚さ)mmに切
断して得られたものである。
酸化物をウェーハ状に加圧成形し、1250°C程度で
焼成後、ウェーハの両面に銀・パラジューム・ペースト
を塗布し、約800℃で焼き付けたものを Q、5mmx0.5mmx0.3 (厚さ)mmに切
断して得られたものである。
このサーミスタチップ1の両面には、電極層2が形成さ
れている。
れている。
リード線3.3として、直径が0.2mmで長さが25
mmの〔インコネル−600住友電工の前詰番号〕イン
コネル線を使用する。
mmの〔インコネル−600住友電工の前詰番号〕イン
コネル線を使用する。
インコネル線はNi、Cr、Fe、Aβの合金で高温で
°の使用に適している。
°の使用に適している。
リード線3.3は、前記サーミスタチップ1の電極層2
と、銀・バラジューム・ペースト4で粘着接続され、約
800℃で焼き付けて固着する。このときのサーミスタ
の電気的特性は B(150〜250’c)=5500KR(200’c
) −20にΩであった。
と、銀・バラジューム・ペースト4で粘着接続され、約
800℃で焼き付けて固着する。このときのサーミスタ
の電気的特性は B(150〜250’c)=5500KR(200’c
) −20にΩであった。
このようにリード線が接続されたサーミスタに次の配合
を施した有機硅素重合体と充愼剤の混合物を用意して、
被覆する。
を施した有機硅素重合体と充愼剤の混合物を用意して、
被覆する。
○混合物1
シリコーン樹脂(シリカ混合クイブzooz量部A!2
03 10 〃MgO10〃 なお前記シリコーン樹脂として信越化学(社)のKMC
80を用いた。
03 10 〃MgO10〃 なお前記シリコーン樹脂として信越化学(社)のKMC
80を用いた。
O混合物2
シリコーン樹脂くシリカ混合タイプ)100重口部Al
2O310// MgO5〃 ガラスフリット(コバー・ガラス)10=○混合物3 ポリボリシロキ4ノ・ン樹脂 100重量部
ラダー型シリコーン田脂 25 ・・Al
□03 10 //○混合物
4 ボリボリシロキザン樹脂 100重口部ラダ
ー型シリコーン樹脂 25 〃Aβ203
1077ガラスフリ・ノド
(コバー・ガラス) 10 〃前記各混合物をキシ
レン等の溶媒で適正粘度に調整し、その中に前記サーミ
スタチップとそのリード線接続部が十分に被覆されるま
で混合物溶液に浸漬する。
2O310// MgO5〃 ガラスフリット(コバー・ガラス)10=○混合物3 ポリボリシロキ4ノ・ン樹脂 100重量部
ラダー型シリコーン田脂 25 ・・Al
□03 10 //○混合物
4 ボリボリシロキザン樹脂 100重口部ラダ
ー型シリコーン樹脂 25 〃Aβ203
1077ガラスフリ・ノド
(コバー・ガラス) 10 〃前記各混合物をキシ
レン等の溶媒で適正粘度に調整し、その中に前記サーミ
スタチップとそのリード線接続部が十分に被覆されるま
で混合物溶液に浸漬する。
このようにして、混合物溶液で覆われた部分を100℃
で4時間乾燥l&350℃で1時間、650゛Cで1時
間の焼成を行うと前記混合物はセラミック化焼成体とな
り、チップ部はセラミック化焼成体の被覆層5により′
g1.覆される。
で4時間乾燥l&350℃で1時間、650゛Cで1時
間の焼成を行うと前記混合物はセラミック化焼成体とな
り、チップ部はセラミック化焼成体の被覆層5により′
g1.覆される。
このようにして得られた4種類のサーミスタについて、
以下の通りの試験を行った結果を表にまとめて示す。
以下の通りの試験を行った結果を表にまとめて示す。
○高温保管:500℃、1000時間保管する。
○冷熱サイクル:0°C(20分)と200°c(20
分)間の間に5分の當温期間をはさんで5回の冷熱サイ
クルを行う。
分)間の間に5分の當温期間をはさんで5回の冷熱サイ
クルを行う。
それぞれ200°Cでの抵抗値変化と、セラミンク化焼
成体のクラックの発生の有無を調べる。
成体のクラックの発生の有無を調べる。
表
混合物 高温、保管 冷熱サイクル抵抗値
変化 クランク 抵抗値変化 クラック1 □
あり +0.5% なし2 +0.9%
なし +0,4% なし3 □ あり
−0,1% なし4 +0.6% な
し +0.59’o なしく□は測定不能) この表からガラスフリソl−を混合したものは高温保管
時にクランクが発生しない。
変化 クランク 抵抗値変化 クラック1 □
あり +0.5% なし2 +0.9%
なし +0,4% なし3 □ あり
−0,1% なし4 +0.6% な
し +0.59’o なしく□は測定不能) この表からガラスフリソl−を混合したものは高温保管
時にクランクが発生しない。
これは、混合物1,3を用いたサーミスタではセラミッ
ク化焼成体に多数の小さい孔が発生しているのに対して
、混合物2.4(ガラスフリットを)足台したもの)を
用いたサーミスタは、前記多数の小さい孔がふさがれて
おり緻密な被aEが形成されていることによると考えら
れる。
ク化焼成体に多数の小さい孔が発生しているのに対して
、混合物2.4(ガラスフリットを)足台したもの)を
用いたサーミスタは、前記多数の小さい孔がふさがれて
おり緻密な被aEが形成されていることによると考えら
れる。
これにより、被覆層中に埋設保護されているリード線の
酸化の進行が防止されるので、クラックの発生が抑止さ
れていると思われる。
酸化の進行が防止されるので、クラックの発生が抑止さ
れていると思われる。
(発明の効果)
以上、説明したように本発明によるサーミスタは、全屈
リード線が接続されたサーミスタチップと前記リード線
との接続部は有機硅素重合体と充填剤の混合物で塗布・
焼成され、セラミック化した焼成体で被覆されている。
リード線が接続されたサーミスタチップと前記リード線
との接続部は有機硅素重合体と充填剤の混合物で塗布・
焼成され、セラミック化した焼成体で被覆されている。
したがって、次のような効果がある。
(1)高密度のサーミスタチップを使用することができ
るので、抵抗値のバラツキが少い特性のそろったサーミ
スタが得られる。また、小形化にも適している。
るので、抵抗値のバラツキが少い特性のそろったサーミ
スタが得られる。また、小形化にも適している。
(2)有機硅素重合体と充填剤の混合物を焼成する温度
は、低融点ガラスの場合と同程度であり、サーミスタの
変態点より、はるかに低い温度なのですSスフ自身の劣
化を促すことはない。
は、低融点ガラスの場合と同程度であり、サーミスタの
変態点より、はるかに低い温度なのですSスフ自身の劣
化を促すことはない。
(3)前記混合物を焼成し、セラミック化する際、ガラ
スと異なり、耐熱導電塗料とリード線の酸化物が焼成被
覆体に分散することは極めて少なく、耐電圧の劣化はな
い。
スと異なり、耐熱導電塗料とリード線の酸化物が焼成被
覆体に分散することは極めて少なく、耐電圧の劣化はな
い。
(4)前記焼成被覆体はセラミックなので、その変態点
はガラスより高温側にあり、300〜500°Cという
高温で動作させても、イオンの移動は少なく電気的に安
定であり、機械的にも強固であり高信頼性を有する。
はガラスより高温側にあり、300〜500°Cという
高温で動作させても、イオンの移動は少なく電気的に安
定であり、機械的にも強固であり高信頼性を有する。
(5)サーミスタ構造の第2例で述べたPSB形と同様
なリード線接続を行なうが、焼成被覆体の形成は、ガラ
ス管をかぶせ溶封するよりは、はるかに容易なので量産
性は高い。
なリード線接続を行なうが、焼成被覆体の形成は、ガラ
ス管をかぶせ溶封するよりは、はるかに容易なので量産
性は高い。
このように本発明によるサーミスタは耐熱性に優れてい
るので、燃焼制御用センサー等に広く利用することがで
きる。
るので、燃焼制御用センサー等に広く利用することがで
きる。
第1図は、本発明によるサーミスタの実施例を示す断面
図である。 第2図は、従来のビード形のサーミスタの断面図である
。 第3図は、従来のPSB形のサーミスタの断面図である
。 第4図は、従来のD HT形のサーミスタの断面図であ
る。 1・・・サーミスタチップ 2・・・電)侃層 3・・・リード線 4・・・耐熱導電塗料(l!す・バラジューム・ペース
日5・・・被覆層(セラミック化焼成体)特許出願人
株式会社 り ラ へ代理人 弁理士 井 ノ
ロ 壽才1図
図である。 第2図は、従来のビード形のサーミスタの断面図である
。 第3図は、従来のPSB形のサーミスタの断面図である
。 第4図は、従来のD HT形のサーミスタの断面図であ
る。 1・・・サーミスタチップ 2・・・電)侃層 3・・・リード線 4・・・耐熱導電塗料(l!す・バラジューム・ペース
日5・・・被覆層(セラミック化焼成体)特許出願人
株式会社 り ラ へ代理人 弁理士 井 ノ
ロ 壽才1図
Claims (4)
- (1)サーミスタチップの両面に形成されている電極層
に耐熱導電塗料で金属リード線を接続し前記接続部を被
覆したサーミスタにおいて、前記被覆を有機珪素重合体
とガラスフリットを含む金属酸化物充填剤との混合物の
セラミック化焼成体として構成したことを特徴とするサ
ーミスタ。 - (2)前記有機珪素重合体はシリカ混合形のシリコーン
樹脂である特許請求の範囲第1項記載のサーミスタ。 - (3)前記珪素重合体はポリボリシロキサン樹脂とラダ
ー型シリコーン樹脂である特許請求の範囲第1項記載の
サーミスタ。 - (4)前記金属酸化物はAl_2O_3またはAl_2
O_3とMgOの混合物である特許請求の範囲第1項記
載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2030487A JPS63187602A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2030487A JPS63187602A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | サ−ミスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63187602A true JPS63187602A (ja) | 1988-08-03 |
JPH0379844B2 JPH0379844B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=12023410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2030487A Granted JPS63187602A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63187602A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008050200A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | オゾン発生装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2030487A patent/JPS63187602A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008050200A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | オゾン発生装置 |
JP4709712B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | オゾン発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0379844B2 (ja) | 1991-12-20 |
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