JPS63182550U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63182550U JPS63182550U JP7406887U JP7406887U JPS63182550U JP S63182550 U JPS63182550 U JP S63182550U JP 7406887 U JP7406887 U JP 7406887U JP 7406887 U JP7406887 U JP 7406887U JP S63182550 U JPS63182550 U JP S63182550U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit device
- voltage detection
- detection circuit
- transistor
- utility
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図から第３図が本考案に関し、第１図は本
考案による電圧検出回路装置の原理回路図、第２
図は第１図の回路を集積回路に組み込んだ例を示
す本考案装置の縦断面図、第３図はその平面図で
ある。第４図は従来から電圧検出回路装置に用い
られて来た差動回路の回路図である。図において
、 １：基板、２：埋込拡散層、３：エピタキシヤ
ル層、４：分離層、５：絶縁膜、１０：電圧検出
用ｎｐｎトランジスタ、１１：ベース層、１２：
エミツタ層、１３：コレクタ接続層、２０：ポリ
シリコン抵抗、２１：ポリシリコン層、２２，２
３：ポリシリコン層の接続部、３０：入力抵抗、
３１：抵抗層、３２，３３：抵抗層の接続部、４
０：負荷抵抗、４１：抵抗層、４２，４３：抵抗
層の接続部、Ｂ：ベース、Ｃ：コレクタ、Ｅ：エ
ミツタ、Ｒｃ：ポリシリコン抵抗の抵抗値、Ｒｉ
：入力抵抗の抵抗値、Ｖｂ：ベース電圧、Ｖｉ：
検出すべき入力電圧、Ｖｏ：検出出力、Ｖｒ：基
準電位ないしは基準電位点、である。
考案による電圧検出回路装置の原理回路図、第２
図は第１図の回路を集積回路に組み込んだ例を示
す本考案装置の縦断面図、第３図はその平面図で
ある。第４図は従来から電圧検出回路装置に用い
られて来た差動回路の回路図である。図において
、 １：基板、２：埋込拡散層、３：エピタキシヤ
ル層、４：分離層、５：絶縁膜、１０：電圧検出
用ｎｐｎトランジスタ、１１：ベース層、１２：
エミツタ層、１３：コレクタ接続層、２０：ポリ
シリコン抵抗、２１：ポリシリコン層、２２，２
３：ポリシリコン層の接続部、３０：入力抵抗、
３１：抵抗層、３２，３３：抵抗層の接続部、４
０：負荷抵抗、４１：抵抗層、４２，４３：抵抗
層の接続部、Ｂ：ベース、Ｃ：コレクタ、Ｅ：エ
ミツタ、Ｒｃ：ポリシリコン抵抗の抵抗値、Ｒｉ
：入力抵抗の抵抗値、Ｖｂ：ベース電圧、Ｖｉ：
検出すべき入力電圧、Ｖｏ：検出出力、Ｖｒ：基
準電位ないしは基準電位点、である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) エミツタが基準電位点に接続されたバイポ
ーラトランジスタと、該トランジスタのベース・
エミツタ間に接続された温度補償用のポリシリコ
ン抵抗とを備えてなり、トランジスタのベースに
検出すべき電圧を入力抵抗を介して与え、トラン
ジスタのコレクタ側から検出出力信号を取り出す
ようにしたことを特徴とする電圧検出回路装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
において、トランジスタがエミツタ接地された単
一のｎｐｎトランジスタであることを特徴とする
電圧検出回路装置。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
において、トランジスタが集積回路装置内に組み
込まれ、ポリシリコン抵抗が集積回路装置内のト
ランジスタ領域間を分離する分離領域上に絶縁膜
を介して設けられることを特徴とする電圧検出回
路装置。 (4) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
において、入力抵抗が拡散抵抗であることを特徴
とする電圧検出回路装置。 (5) 実用新案登録請求の範囲第１項記載の装置
において、集積回路装置がＢｉＭＯＳ回路装置で
あることを特徴とする電圧検出回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406887U JPS63182550U (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406887U JPS63182550U (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182550U true JPS63182550U (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=30918955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7406887U Pending JPS63182550U (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63182550U (ja) |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP7406887U patent/JPS63182550U/ja active Pending
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