JPS6318231A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS6318231A JPS6318231A JP16299786A JP16299786A JPS6318231A JP S6318231 A JPS6318231 A JP S6318231A JP 16299786 A JP16299786 A JP 16299786A JP 16299786 A JP16299786 A JP 16299786A JP S6318231 A JPS6318231 A JP S6318231A
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- JP
- Japan
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- pressure sensor
- sensor chip
- pressure
- pedestal
- hole
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- Granted
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 9
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンの受圧ダイヤフラム上に拡散層によ
り抵抗素子をホイートストンブリッジに形成したいわゆ
る半導体圧力センサに関するものである。
り抵抗素子をホイートストンブリッジに形成したいわゆ
る半導体圧力センサに関するものである。
従来のこの種の圧力センサとしては、例えば第１図のよ
うに、シリコン板の裏面中央に凹陥部１を削成して中央
部に受圧ダイヤフラム２を形成すると共に、このダイヤ
フラム２０表面に拡散法によりゲージ部となる４個の抵
抗素子を形成した浅型キャップ状の圧力センサチップ３
をステム兼用の台座４上に接着固定するほか、台座４に
は貫通状態に端子５．５を植設してその基端と前記抵抗
素子の端部の電極とを抵抗素子がホイートストンブリッ
ジに形成されるようにリード線６により接続し、かつこ
れに対し導圧パイプ７があるほぼハツト状のカバー８を
前記圧力センサチップ３が覆われる状態のもとに台座４
に冠せかけ固着し、かつ台座４の中央には大気圧との連
通用の開放孔９を設けた表面加圧型のものがある。
うに、シリコン板の裏面中央に凹陥部１を削成して中央
部に受圧ダイヤフラム２を形成すると共に、このダイヤ
フラム２０表面に拡散法によりゲージ部となる４個の抵
抗素子を形成した浅型キャップ状の圧力センサチップ３
をステム兼用の台座４上に接着固定するほか、台座４に
は貫通状態に端子５．５を植設してその基端と前記抵抗
素子の端部の電極とを抵抗素子がホイートストンブリッ
ジに形成されるようにリード線６により接続し、かつこ
れに対し導圧パイプ７があるほぼハツト状のカバー８を
前記圧力センサチップ３が覆われる状態のもとに台座４
に冠せかけ固着し、かつ台座４の中央には大気圧との連
通用の開放孔９を設けた表面加圧型のものがある。
また第２図のよう各て、ハツト状カバー８に導圧パイプ
を設けることなく、圧力センサチツプ３の裏面に圧力を
加える目的のもとに台座４の中央に導圧パイプ７を設け
た裏面加圧型のものがある。
を設けることなく、圧力センサチツプ３の裏面に圧力を
加える目的のもとに台座４の中央に導圧パイプ７を設け
た裏面加圧型のものがある。
前記第１図のような表面加圧型は、センサ回路および配
線部分が被測定流体に接触する関係上、測定対象が非腐
蝕性、非導電性の流体に限定される不利があり、また第
２図のような裏面加圧型においては、表面加圧型のよう
に被測定流体の制限はないが、圧力センサチッグ３の裏
面に圧力が印加される関係上、圧力センサチップ３を台
座４から剥離する作用があり、従って信頼性が低下する
ばかりでなく、１０１＝ｖ／ｄ以上の高圧測定用として
は不適当である等の不利がある０ 〔目 的〕 本発明は、上記従来品の欠点に鑑み、腐蝕性流体あるい
は導電性流体を測定対象とすることができるばかりでな
く、高圧力の測定にも対応することができるこの種圧力
センサを安価に提供することを目的とするものである。
線部分が被測定流体に接触する関係上、測定対象が非腐
蝕性、非導電性の流体に限定される不利があり、また第
２図のような裏面加圧型においては、表面加圧型のよう
に被測定流体の制限はないが、圧力センサチッグ３の裏
面に圧力が印加される関係上、圧力センサチップ３を台
座４から剥離する作用があり、従って信頼性が低下する
ばかりでなく、１０１＝ｖ／ｄ以上の高圧測定用として
は不適当である等の不利がある０ 〔目 的〕 本発明は、上記従来品の欠点に鑑み、腐蝕性流体あるい
は導電性流体を測定対象とすることができるばかりでな
く、高圧力の測定にも対応することができるこの種圧力
センサを安価に提供することを目的とするものである。
本発明は、上記目的を達成するため、裏面加圧型を採用
すると共に、圧力センサチッグをそのセンサ回路がある
表面もしくは表向きの上向き接合面において台座に接着
固定したことを特徴とするものである。
すると共に、圧力センサチッグをそのセンサ回路がある
表面もしくは表向きの上向き接合面において台座に接着
固定したことを特徴とするものである。
以下、本発明の圧力上ンサを図示の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第３図の実施例は、シリコン板の裏面中央に凹陥部１１
を削成してダイヤフラム１２を形成すると共に、このダ
イヤフラム１２の表面に拡散法により４個の抵抗素子を
設けた圧力センサチップ１３については、従来の圧力セ
ンサチップと性質的に異なるところはないが、この実施
例においては、圧力センサチップ１３を台座１４に固定
する構造として、圧力センサチップ１３をその抵抗素子
によるセンサ回路が形成されている表面の周縁における
接合面において台座１４に接着するのであって、セラミ
ック製台座１４の中央部に圧力センサチップ１３の外形
よりも小形の通孔１９とこの通孔１９の周縁に段状の下
向き受面２０が形成されるような凹陥部２１とを設ける
と共に、台座１４の表面に端子１５．１５を立設し、か
つ圧力センサチッグ１３はこれをその表面周縁における
上向き接合面２２において前記台座１４における下向き
受面２０にガラスバインダ等により接着固定するほか、
圧力センサチップ１３の表面に形成されているセンサ回
路における電極と台座１４における端子１５とをリード
線１６により接続してなり、このリード線１６のボンデ
ィング作業は圧力センサチップ１３を台座１４に接着し
た後においても容易に実施することができるのであり、
なお導圧パイプ１７がある金属製カバー１８をその導圧
パイプ１７が圧力センサチップ１３の裏面に対応するよ
うに台座１４に接着により気密並びに液密的に確固に固
着し、これにより圧力センサチップ１３の裏面に被測定
圧力流体を導入するようにしてなるのである。
を削成してダイヤフラム１２を形成すると共に、このダ
イヤフラム１２の表面に拡散法により４個の抵抗素子を
設けた圧力センサチップ１３については、従来の圧力セ
ンサチップと性質的に異なるところはないが、この実施
例においては、圧力センサチップ１３を台座１４に固定
する構造として、圧力センサチップ１３をその抵抗素子
によるセンサ回路が形成されている表面の周縁における
接合面において台座１４に接着するのであって、セラミ
ック製台座１４の中央部に圧力センサチップ１３の外形
よりも小形の通孔１９とこの通孔１９の周縁に段状の下
向き受面２０が形成されるような凹陥部２１とを設ける
と共に、台座１４の表面に端子１５．１５を立設し、か
つ圧力センサチッグ１３はこれをその表面周縁における
上向き接合面２２において前記台座１４における下向き
受面２０にガラスバインダ等により接着固定するほか、
圧力センサチップ１３の表面に形成されているセンサ回
路における電極と台座１４における端子１５とをリード
線１６により接続してなり、このリード線１６のボンデ
ィング作業は圧力センサチップ１３を台座１４に接着し
た後においても容易に実施することができるのであり、
なお導圧パイプ１７がある金属製カバー１８をその導圧
パイプ１７が圧力センサチップ１３の裏面に対応するよ
うに台座１４に接着により気密並びに液密的に確固に固
着し、これにより圧力センサチップ１３の裏面に被測定
圧力流体を導入するようにしてなるのである。
圧力センサチップ１３と台座１４との接着構造について
は、前記第３図の実施例に限ることなく、例えば第４図
のように、台座１４に設ける下向き受面２０として下方
へ漸次拡開するテーパ状に形成すると共に、圧力センサ
チップ１３の外周縁に前記テーパ状下向き受面２０に対
応するテーパ状の斜め上向き接合面２２を形成して、こ
の接合面２２において前記受面２０に対接させた状態の
もとに接着するようにしてもよく、まだ第５図のように
、台座１４を第３図におけると同様に形成すると共に、
圧力センサチッグ１３の中段に段状の上向き接合面２２
を設けて、圧力センサチップ１３のセンサ回路表面が台
座１４の表面とほぼ一致する状態のもとに受面２０と接
合面２２とを接着するようにしてもよい。
は、前記第３図の実施例に限ることなく、例えば第４図
のように、台座１４に設ける下向き受面２０として下方
へ漸次拡開するテーパ状に形成すると共に、圧力センサ
チップ１３の外周縁に前記テーパ状下向き受面２０に対
応するテーパ状の斜め上向き接合面２２を形成して、こ
の接合面２２において前記受面２０に対接させた状態の
もとに接着するようにしてもよく、まだ第５図のように
、台座１４を第３図におけると同様に形成すると共に、
圧力センサチッグ１３の中段に段状の上向き接合面２２
を設けて、圧力センサチップ１３のセンサ回路表面が台
座１４の表面とほぼ一致する状態のもとに受面２０と接
合面２２とを接着するようにしてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、通孔の周縁に下
向き受面を形成した台座を採択すると共に１これに対し
圧力センサチッグをその周縁における上向き接合面にお
いて台座の下向き受面に接着固定し、かつ被測定圧力流
体を圧力センサチップの裏面に導入するようにしたから
０、これにより腐蝕性流体あるいは導電性流体の圧力測
定に適応すると同時に圧力センサチップの剥離を顧慮す
ることなく高圧力測定に適応する効果があり、しかも特
別の増設部材を使用することなく安価に製作することが
できる利点がある０
向き受面を形成した台座を採択すると共に１これに対し
圧力センサチッグをその周縁における上向き接合面にお
いて台座の下向き受面に接着固定し、かつ被測定圧力流
体を圧力センサチップの裏面に導入するようにしたから
０、これにより腐蝕性流体あるいは導電性流体の圧力測
定に適応すると同時に圧力センサチップの剥離を顧慮す
ることなく高圧力測定に適応する効果があり、しかも特
別の増設部材を使用することなく安価に製作することが
できる利点がある０
図面において、第１図および第２図はそれぞれ従来品を
各別に例示する縦断側面図、第３図は一実施例における
本発明圧力センサの縦断側面図、また第４図および第５
図は他の実施例を各別に示す要部だけの縦断側面図であ
る。 １２−・拳受圧ダイヤフラム １３−・番圧力センサチッグ １４・・・台座 １９・・・通孔 ２０・・・受面 ２１・・・接合面 躬１図 柘２図 第 ′３ 図
各別に例示する縦断側面図、第３図は一実施例における
本発明圧力センサの縦断側面図、また第４図および第５
図は他の実施例を各別に示す要部だけの縦断側面図であ
る。 １２−・拳受圧ダイヤフラム １３−・番圧力センサチッグ １４・・・台座 １９・・・通孔 ２０・・・受面 ２１・・・接合面 躬１図 柘２図 第 ′３ 図
Claims (1)
- 受圧ダイヤフラムの表面上に抵抗素子をホイートストン
ブリツジに形成してセンサ回路を構成した圧力センサチ
ップを使用した拡散型半導体圧力センサであつて、圧力
センサチップの外形よりも小さい通孔とこの通孔の周縁
に下向き受面とが形成された台座を設けると共に、この
台座の受面に前記圧力センサチップをそのセンサ回路が
上向きのまま周縁に形成した上向き接合面において接着
固定し、かつ圧力センサチップの裏面に被測定圧力流体
を導入するようにしてなる半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16299786A JPS6318231A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16299786A JPS6318231A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318231A true JPS6318231A (ja) | 1988-01-26 |
| JPH0566979B2 JPH0566979B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=15765235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16299786A Granted JPS6318231A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318231A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028723A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 圧力検出装置 |
| EP0552017A2 (en) * | 1992-01-13 | 1993-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| JP2002013997A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2010164364A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Denso Corp | センサ装置の製造方法およびセンサ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143786A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure, differential pressure transmitter |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP16299786A patent/JPS6318231A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143786A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure, differential pressure transmitter |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028723A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 圧力検出装置 |
| EP0552017A2 (en) * | 1992-01-13 | 1993-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| EP0552017A3 (ja) * | 1992-01-13 | 1994-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JP2002013997A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2010164364A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Denso Corp | センサ装置の製造方法およびセンサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566979B2 (ja) | 1993-09-22 |
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