JPS63181448A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63181448A JPS63181448A JP1472187A JP1472187A JPS63181448A JP S63181448 A JPS63181448 A JP S63181448A JP 1472187 A JP1472187 A JP 1472187A JP 1472187 A JP1472187 A JP 1472187A JP S63181448 A JPS63181448 A JP S63181448A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
第２図ａ −ｃの工程順断面図により、従来の製造方法
の一例をアルミニウム（Ａ［）配線１とシリコン（Ｓｉ
）基板２のコンタクト部で示す。Ｓｉ基板２の上に二酸
化シリコン（Ｓｉｇｈ）膜３．リンケイ酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜４およびケイ酸ガラス（ＮＳＣ）５膜を成長させ
た後、溶液エツチングによってコンタクト窓をあけると
、第２図ａのようになる。すなわち、５ｉ０２膜３はゆ
るい傾斜がつき、ＰＳＧ膜４はＮＳＧ膜５よりも内に入
り込んだ、いわゆる、オーバーハング形状になる。この
上に、第２図すのように、層間絶縁膜のＮＳＣ膜８を成
長させるとＰＳＧ膜４の入り込んだ部分に成長せず、Ｎ
ＳＧ膜８が段切れを起す。さらに、第２図Ｃのように、
この状態で、ＮＳＧ膜８上にＡｅ配線膜１を成長させて
も、ステップ部分で成長しないため、段切れとなり、電
気的に導通しない。
の一例をアルミニウム（Ａ［）配線１とシリコン（Ｓｉ
）基板２のコンタクト部で示す。Ｓｉ基板２の上に二酸
化シリコン（Ｓｉｇｈ）膜３．リンケイ酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜４およびケイ酸ガラス（ＮＳＣ）５膜を成長させ
た後、溶液エツチングによってコンタクト窓をあけると
、第２図ａのようになる。すなわち、５ｉ０２膜３はゆ
るい傾斜がつき、ＰＳＧ膜４はＮＳＧ膜５よりも内に入
り込んだ、いわゆる、オーバーハング形状になる。この
上に、第２図すのように、層間絶縁膜のＮＳＣ膜８を成
長させるとＰＳＧ膜４の入り込んだ部分に成長せず、Ｎ
ＳＧ膜８が段切れを起す。さらに、第２図Ｃのように、
この状態で、ＮＳＧ膜８上にＡｅ配線膜１を成長させて
も、ステップ部分で成長しないため、段切れとなり、電
気的に導通しない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、上述のように、ステップ部の形状を緩和して
、配線の段切れを防ぐものである。
、配線の段切れを防ぐものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するために、ステップ部に
気相反応成長法によって被膜を成長させる工程をそなえ
たものである。
気相反応成長法によって被膜を成長させる工程をそなえ
たものである。
作用
上記した手段により製造すれば、半導体装置内のステッ
プ部、とりわけ、オーバーハング形状の内側にも被膜成
長が可能であり、その形状がなだらかになり、したがっ
て、その上に均一な膜を形成しても段切れを生じない。
プ部、とりわけ、オーバーハング形状の内側にも被膜成
長が可能であり、その形状がなだらかになり、したがっ
て、その上に均一な膜を形成しても段切れを生じない。
実施例
本発明の一実施例を、第１図ａ−ｆの工程順断面図によ
って、従来の技術で示したものに゛対応させて、Ａｅ配
線１とＳｉ基板２とのコンタクト部分で示す。Ｓｉ基板
２上にＳｉＯ２膜３．ＰＳＧ膜４゜ＮＳＧ膜５を順次成
長した後、コンタクト膜をあけると、第１図ａのように
、ＰＳＧ膜４が内に入り込んだオーバーハング形状にな
る。
って、従来の技術で示したものに゛対応させて、Ａｅ配
線１とＳｉ基板２とのコンタクト部分で示す。Ｓｉ基板
２上にＳｉＯ２膜３．ＰＳＧ膜４゜ＮＳＧ膜５を順次成
長した後、コンタクト膜をあけると、第１図ａのように
、ＰＳＧ膜４が内に入り込んだオーバーハング形状にな
る。
次に、第１図すのように、この上に気相反応成長法によ
り、多結晶シリコン（ＰＳ）膜６を成長させる。ＰＳＳ
Ｏ２小さなすき間にも侵入して成長するため、ＰＳＧ膜
４の抜けたすき間を埋めることができる。その後、ＰＳ
ＳＯ２ドライエッチすると、ドライエッチは縦方向のエ
ッチ性があるため、第１図Ｃのように、ＰＳＧ膜４の抜
けたすき間に入ったＰＳＳＯ２エッチされずに残る。次
に、酸素（０２）ガス中で熱処理して、第１図ｄのよう
に、ＰＳ膜６表面に熱酸化によるＳｉ○２膜７を成長さ
せる。次に、第１図ｅのように、層間絶縁膜のＮＳＣ膜
８を成長すると、ステップ部においても均一な膜厚で覆
われる。さらに、第１図ｆのように、その上にＡｅ膜１
を成長させると、カバレージのよい膜ができ、段切れも
なくなる。
り、多結晶シリコン（ＰＳ）膜６を成長させる。ＰＳＳ
Ｏ２小さなすき間にも侵入して成長するため、ＰＳＧ膜
４の抜けたすき間を埋めることができる。その後、ＰＳ
ＳＯ２ドライエッチすると、ドライエッチは縦方向のエ
ッチ性があるため、第１図Ｃのように、ＰＳＧ膜４の抜
けたすき間に入ったＰＳＳＯ２エッチされずに残る。次
に、酸素（０２）ガス中で熱処理して、第１図ｄのよう
に、ＰＳ膜６表面に熱酸化によるＳｉ○２膜７を成長さ
せる。次に、第１図ｅのように、層間絶縁膜のＮＳＣ膜
８を成長すると、ステップ部においても均一な膜厚で覆
われる。さらに、第１図ｆのように、その上にＡｅ膜１
を成長させると、カバレージのよい膜ができ、段切れも
なくなる。
この例ではＰＳＳＯ２用いて、ステップ形状を緩和した
が、ＰＳＳＯ２限らず、微小なすき間でも侵入、成長で
きる材料であれば何でもよい。また、ＰＳ膜６成長後、
ＰＳＳＯ２表面を酸化したり、絶縁膜で覆ったりしたの
は、ＰＳＳＯ２導体であるため、他の導体（例えばＡｅ
配線９）と接触して電気特性に異常が発生しないように
するためである。ＰＳＳＯ２代わりに絶縁体を用いた場
合、この工程は必要な（なる。
が、ＰＳＳＯ２限らず、微小なすき間でも侵入、成長で
きる材料であれば何でもよい。また、ＰＳ膜６成長後、
ＰＳＳＯ２表面を酸化したり、絶縁膜で覆ったりしたの
は、ＰＳＳＯ２導体であるため、他の導体（例えばＡｅ
配線９）と接触して電気特性に異常が発生しないように
するためである。ＰＳＳＯ２代わりに絶縁体を用いた場
合、この工程は必要な（なる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、簡単な方法で
、各ステップ部を緩和でき、カバレージのよい構造にす
ることが可能となる。
、各ステップ部を緩和でき、カバレージのよい構造にす
ることが可能となる。
第１図ａ−ｆは本発明の実施例を示す工程順断面図、第
２図ａ −ｃは従来方法の工程順断面図である。 ■・・・・・・Ａｅ膜、２・・・・・・Ｓｉ基板、３，
７・・・・・・５ｉ０２膜、４・・・・・・ＰＳＧ膜、
５，８・・・・・・ＮＳＧ膜、６・・・・・・ＰＳ膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／ −Ａβ Ｚ−Ｓｔシ臥 、３−３乙０ど −ＰＳＧ
２図ａ −ｃは従来方法の工程順断面図である。 ■・・・・・・Ａｅ膜、２・・・・・・Ｓｉ基板、３，
７・・・・・・５ｉ０２膜、４・・・・・・ＰＳＧ膜、
５，８・・・・・・ＮＳＧ膜、６・・・・・・ＰＳ膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／ −Ａβ Ｚ−Ｓｔシ臥 、３−３乙０ど −ＰＳＧ
Claims (1)
- 半導体基板上に、食刻速度の異なる物質による多層絶
縁膜を形成し、前記多層絶縁膜に開孔パターンを食刻形
成し、前記開孔パターンの段差部に気相反応成長法によ
って被膜を形成する工程をそなえた半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1472187A JPS63181448A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1472187A JPS63181448A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181448A true JPS63181448A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11868993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1472187A Pending JPS63181448A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180250684A1 (en) * | 2015-09-09 | 2018-09-06 | Metso Minerals, Inc. | Split frame |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP1472187A patent/JPS63181448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180250684A1 (en) * | 2015-09-09 | 2018-09-06 | Metso Minerals, Inc. | Split frame |
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