JPS61187345A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS61187345A
JPS61187345A JP2867785A JP2867785A JPS61187345A JP S61187345 A JPS61187345 A JP S61187345A JP 2867785 A JP2867785 A JP 2867785A JP 2867785 A JP2867785 A JP 2867785A JP S61187345 A JPS61187345 A JP S61187345A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
groove
nitride film
vertical groove
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2867785A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Hori
隆 堀
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2867785A priority Critical patent/JPS61187345A/ja
Publication of JPS61187345A publication Critical patent/JPS61187345A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 所業上の利用分野 本発明は半導体装置に関するものである。
従来の技術 半導体基板の垂直溝の表面上に形成された絶縁体層を有
する一般的な半導体装置の断面図を第３図に示す。すな
わち、第３図において、半導体基板１の垂直溝２の内表
面上に絶縁層３が形成され、この絶縁層３上に導体層４
を設けて、溝２が埋められている。６は溝２の肩の部分
を示す。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の半導体装置では半導体基板１上の垂直
溝２の表面上に絶縁層３を形成すると、溝２の周辺部の
肩の部分５で絶縁層３の膜厚が不均一となり、溝の他の
箇所よりも薄くなる。このため、電気的耐圧の劣化など
の問題が起こっている。
本発明はこのような耐圧劣化を改善することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 このような従来の問題点を解決するため、本発明の半導
体装置は半導体基板の垂直溝とその溝の内表面上に形成
した絶縁層よりなり、その溝の肩の部分を選択酸化法に
より形成した絶縁層としたものである。
作　　用 このような構成により、本発明は半導体基板の垂直溝の
肩の部分に選択酸化法により形成された絶縁層を設ける
ことによって垂直溝の肩の部分で絶縁層が薄くなること
を防止し電気的耐圧や緒特性を大きく改善することがで
きる。
実施例 本発明の一実施例にかかる半導体装置の断面を第１図に
示す。第１図において第３図と同一構成部分には同一番
号を付して詳細な説明を省略する。本実施例の装置は半
導体基板１の垂直溝２の肩の部分６に、絶縁層４に加え
新たに選択酸化法で絶縁層７を形成する。
この実施例の半導体装置の製造方法を第２図に示す。半
導体基板１上に絶縁層５及び窒化膜層８を形成ｕａ）、
垂直な溝を形成する部分の窒化膜層８を除去し、選択酸
化法により垂直な溝を形成する部分の絶縁体層７を成長
させ５ｂ）。
その後、窒化膜層８をマスクとしてかかる絶縁層７及び
半導体基板１をエツチングし、垂直な溝２を形成する。
（Ｃ）。
最後に、窒化膜層８を除去し、絶縁層３を形成する（→
。こうして、溝２の肩の部分６に比較的厚い絶縁体層７
を形成することができる。
上記の垂直な溝２を形成する工程で、本実施例厚さは薄
いため十分に可能である。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体基板の垂直溝の内表面上
に絶縁層を形成した半導体装置であって、かかる溝の肩
の部分に選択酸化法により絶縁層を設けることによって
、半導体装置の電気的耐圧などの電気的緒特性が犬きく
改善される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の構造を
示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は同実施例装置の製
造工程を説明するための断面図、第３図はの 従莱′半導体装置の構造を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・垂直溝、３
・・・・・・絶縁層、６・・・・・・垂直溝の肩の部分
、６・・・・・・絶縁層、７・・・・・・選択酸化法に
より形成した絶縁層、８・・・・・・窒化膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第３図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体基板に設けた垂直溝の内表面上に絶縁層が形成
    され、前記垂直溝の肩の部分に、前記垂直溝の選択エッ
    チング用膜を用いて選択酸化を行なうことによって形成
    された選択酸化層を有することを特徴とする半導体装置
    。
JP2867785A 1985-02-15 1985-02-15 半導体装置 Pending JPS61187345A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0342121U (ja) * 1989-08-31 1991-04-22

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