JPS63178288A - マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置 - Google Patents

マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置

Info

Publication number
JPS63178288A
JPS63178288A JP62010381A JP1038187A JPS63178288A JP S63178288 A JPS63178288 A JP S63178288A JP 62010381 A JP62010381 A JP 62010381A JP 1038187 A JP1038187 A JP 1038187A JP S63178288 A JPS63178288 A JP S63178288A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bits
bit
data input
video ram
memory array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62010381A
Other languages
English (en)
Inventor
寿茂 安藤
笹沼 三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP62010381A priority Critical patent/JPS63178288A/ja
Publication of JPS63178288A publication Critical patent/JPS63178288A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Image Generation (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はマルチプレーンビデオRAM素子とその素子を
使用した描画装置において、 カラーデータ等を含む3次元表示対応の構成や多プレー
ン構成をとる際には並列にRAMを必要とするので回路
が大形化し、又、周辺の回路数を増やさなければプレー
ンごとにシリアルにアクセスしなければならないので高
速動作が不可能であった従来の問題点を解決するため、 外部からの1ピツトのデータ入力に対応する1つのメモ
リアレイ部に、1ビットの入力で、そのビットに対する
カラーデータなるk(2以上)ビットの情報を同時に書
込むことにより、少ない入力データ端子数で多プレーン
構成をとることができ、回路を小形化し得、又、高速動
作を可能にしたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオRAM1子とその素子を使用した描画
装置特に、複数プレーンを構成できるマルチプレーンビ
デオRAM1子とその描画装置に関する。一般のメモリ
素子と同様にビデオRAM素子も集積度が高くなってメ
モリ容品が増大する一方で、そのビデオRAMX子を使
用したエンジニアリングワークステーション等の描画装
置は高速、高機能、多数色表示と共に低コスト・が求め
られている。
このため、ビデオRAM素子としてはメモリ容ωを増加
させるだけでは甲に表示面積を増加させるだけであり、
その集積技術や大きいメモリ容量を活かし得ない。そこ
で、大きいメモリ容品を持ちながら高速でかつ周辺回路
を小形化し得るビデオRAM素子が必要とされる。
又、描画装置は、図形等を極力多数色で表現する要求が
強く、又、例えば全体の図形表示からその図形の一部を
更に詳細に表示する一方で、文字の表示を行なう等、多
彩な表現及び多様な使用が要求されており、高速な描画
、多プレーンが必要とされる。そこで、描画装置として
はこのような要求を満たす低コストで、小形の描画装置
が望まれている。
〔従来の技術〕
第7図は従来のビデオRAM1子の一例のブロック図を
示す。このものは、1ビデオRAM素子内を4分割し、
4ビット構成とし、各メ王リアレイ部(MA)は独立に
並列アクセス用入出力信号(MDX/DOX)及び直列
アクセス用入出力(SDX)信号の外部端子(MDO/
DO〜MD3/D3.SDO〜5D3)を持つ。CGは
クロックジェネレータ部、RCはリフレッシュコントロ
ール部、ABはアドレスバッファ部、RADは行アドレ
スデコーダ部、CD△は列デコーダアンプ部、RPはレ
ジスタポインタ部、IOBはI10バッファ部、WCG
はライトクロックジェネレータ部、TCはトランスファ
コントロール部である。
ここで、描画時は並列アクセスを行いローアドレススト
ローブ信号(1(△S)、カラムアドレスストローブ信
号(CAS)、アドレス信@(△×)、マスクイネーブ
ル/ライトイネーブル信号(ME/WE)、トランスフ
ァイネーブル/アウトプットイネーブル信号(TR10
E)の各制御信号によってMDXm子からのマスクデー
タを取込んで必要なビット単位に書込みの可否を決め、
次に、同じ端子より書込みデータを入力しでMAに書込
む。一方、表示装置への表示等への直列アクセスは上記
各制御信号によってRPにデータを読出し、シリアルア
クセスメモリストローブ(Mfl(SAS)の制御によ
ってRPに読出された1行のデータをSDX端子にシリ
アルに出力する。なお、百了はシリアルイネーブル信号
である。
第8図は従来のビデオRAM素子の他の例のブロック図
を示す。このものは並列アクセスデータにピット論理演
篩部(BO)を有し、予めRAS。
CASの制御のもとにA×のデータにより演算内容を決
め、次に続くアーリライトを始めとする各種のライトサ
・イクルで論理演算をし乍ら書込む。
■はビット演ロ部タイミング信号、Aはピット演筒部ア
ドレスである。
第9図は一般の描画装置のブロック図、第10図は従来
のフレームメモリの一例のブロック図を示す。第9図に
おいて、上位装置1からの描画指示を描画装置制御部2
で受け、各種l103を含めて描画装置を描画に必要な
状態とし、更に、描画制御部4に描画指示を出す。描画
制御部4は描画指示に基づき、描画メtり部5のフレー
ムメモリ(FM)の指示された番地に指示された図形及
び文字等の描画を行なう。FMの出力データは描画制御
部4の指示によって表示部6に順を追って入力され、更
に、表示部6から表示装置7へ出力される。
第10図中、FMCはフレームメモリ制御部、V RC
ハヒテオRA M ti’l II部、V RT ハヒ
7” ;t RAMタイミング制御部、VDCはビデオ
RAMデータ制御部、VACはビデオRAMアドレス制
御部、DCはデータ制御部、80はビット演算部、PD
CはビデオRAM表示データ制御部、VRはビデオRA
M5VPはビデオRAMプレーン部である。
従来のビデオRAM (1ビットがm行・n/4列で4
ビットからなる)を使用したFMは、1vPを、表示ビ
ット数を満足する個数、この例ではvR1〜VR8の8
個で構成し、かつ、このプレーンを並列にこの例ではV
P1〜VP4の4プレーンを置く。異なるアドレスによ
るアクセスで【よ4プレーン(1プレーンはmX (n
/4 )X4X8ビット)とし、又、同じアドレスによ
るアクセスでは16色1プレーンとしてカラー表示等を
行なう。
この様な構成において、描画制御部4からの指示はFM
のFMCによって各■Pのアクセスデータ、アドレス制
御信号を作り、各々をアクセスする。アクセスされた各
V P G、t V RCにて制御される。即ら、VR
の動作タイミングはVRTで制御され、書込み及び読出
しデータはvDCで制御Iされ、アドレスはVACで制
御される。なお、書込みデータ及び読出しデータをマス
ク付き論理演算回路で演算して再書込みする場合、FM
Cの制御下でVR1〜VR8から読出されたデータはD
Cを経てBOへ、又、書込みデータはFMCよりDCを
経てBOへ夫々入力され、BOにて論理演算後DCを経
て、VRへと書込まれる。
これらは16色構成の場合、4プレ一ン同時に対応する
同じアドレスにて行なわれる。同様に、表示動作として
は、16色表示の場合はFMCの制御の下に4プレーン
の各VR1〜VR8に書込まれたデータは指定のアドレ
スで同時に読出され、PDCを経て表示部6に送る。
又、プレーン構成方法としては同様のビデオRAMを複
数使用し、ビデオRAM内の外部端まで1ビットに相当
する1メモリアレイの同一行の列方向のビットをプレー
ン対応とし、例えば、4ビット単位に4プレーンのビッ
トとし、同一メモリ容aであれば32個でI VP4プ
レーン構成とし、各プレーンのアクセスはシリアル動作
とすること等で実現していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第7図及び第8図に示す従来のビデオRAM1子は、1
つのMAが表示画面に対し2次元配列対応であるために
素子の記憶容量を増加させた時、表示面積を同一容量と
すると書込みのための入力端子が相対的に少なくなり、
描画性能が入力端子数に逆比例して低下してしまう問題
点があった。
一方データ端子数を集積度に比例して増加するとパッケ
ージが大形化し、出力データの変化時の雑音が大きくな
る等実現困難となる問題点があった。
又、第10図において、表示画面に対し2次元配列対応
のビデオRAMを使用したFMでは多数色又は多プレー
ンを構成する場合は並列にビデオRAMを設けるか、又
は、ビデオRAMをシリアルアクセスして各プレーンを
構成する必要があり、使用素子数や周辺回路を多く必要
とし、高速動作が不可能である問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明になるマルチプレーンビデオRAM素子は、第1
図に示す如く、外部から与えられる複数ビットのデータ
入力のうちの1ビットのデータ入力とチップ上に記憶さ
れた情報とからk(但し、kは2以上)ビットの情報を
生成し、m行n(nはkより大)列からなるメモリアレ
イ部(MA)の行方向アドレス入力により選択された一
行のnビットのうちの列方向アドレス入力により選択さ
れたにビットに対して同時に書込む機能(MBO。
0DA)を有してなる。
〔作用〕
1つのMAをカラーデータ等を含む3次元表示に対応し
たアクセスができる構成とし、1人カデータで第3軸方
向(奥行方向)の複数ビットを同時に書込み得、少ない
入力データ端子数で多プレーン構成をとり得、周辺回路
を小形化し冑、高速動作可能にし得る。
〔実施例〕
第1図は本発明のブロック図を示し、同図中、第7図及
び第8図と同一構成部分には同一符号を付してその説明
を省略する。同図(A)はマルチプレーン・ビデオRA
M素子全体のブロック図、同図(B)は同図(A)中M
BO(マルチプレーン・ビット演樟部)の具体的ブロッ
ク図である。
このものは、例えば同時アクセスIMAで4ビット(列
方向の1アドレスで4ビット店込まれる。
このビットは3次元表示における第3軸例えば奥行方向
のデータとなる。)、かつ、同一素子内に4ビットある
場合の図で、理解し易くするために、MA及び周辺回路
を本来第2図(△)のように記すべきを同図(B)の様
に記す。第3図はタイミングチャートを示す。
先ず、モード指定信号(MOD)によりレジスタモード
(RM)にし、RAS、CAS、Ax。
Dx 、ME/WE、TR10E(7)各端子を従来の
ビデオRAMと同じライトサイクルのタイミングで活性
化し、第3図に示す如く、1GD(第1のレジスタデー
タ、以下これに準じる)、2GD。
3GD、4GD、5GDの各並列データを、その時の1
GA(第1のレジスタアドレス、以下これに準じる)、
2GA、3GA、4GA、5GAの各アドレスを指定し
乍らMBOのIR(第1のレジスタ、以下これに準じる
)、2R,3R,4R。
5Rの各レジスタにセットする。BTはマルチプレーン
ビット演算タイミング、B△はマルチプレーンビット演
算アドレス、BCTはビット演算コントロール部である
。1R、2R,3Rはk(=4)ビット長を有し、IO
Bの各入力端子のデータが1R、2R,3Rの各にビッ
トに夫々入力される。
次に、MODによりメモリアクセスモード(MM)にし
て描画動作にする。例えば破線を描く場合、5R(制御
レジスタ)の内容を「0」 (第4図)、4R(論理演
算内容指定レジスタ)の内容をrloloJ (第5図
)とし、又、素子当り複数ビット構成の場合は必要ビッ
トだけに描画するためにマクスデータ/並列入出力デー
タ(MD/D)よりマスクデータを入力する。このデー
タは10B、データ集合分配部(DAD)を経て3Rの
出力データとマスクデータ作成部(MG)で論理和をと
られ、ラスクオペレーション部(ROP)の動作を禁止
(マスク)する。
次に、例として1ビット(ビクセル)分の線分データを
入力する。このデータはIOB、DACを経てSICに
入力され、ここで5RのデータがrOJのためにソース
データマルチプレクサ(SMX)入力データ制御部(S
IC)は外部からの線分データをそのまま出力し、ソー
スデータマルチプレクサ(SMX)の選択端子に入力さ
れる。
線分データとしては、破線の実線部分は「1」、切れた
部分はrOJで入力され、IOBの1端子の110のデ
ータに応じて1R,2Rのデータが選択(例えば、「1
」では2R1「O」では1Rが選択〉される。1R,2
Rの奥行方向の各ビットはSMXの奥行方向の各ビット
に入力され、SMXの選択により、[OBの1ビットの
データ入力で奥行方向4ビットを持つ1R又は2Rのデ
ータが取出される。このデータはMGによって禁止され
ていないビットのみROPによって演算され、ODAに
よりMAに書込まれる。
この時、描画位置のアドレスは従来方法と同様に入力さ
れ、MAのビット位置の選択として入力されることは勿
論である。又、この時、IR。
2Rの突行き方向のカラーデータは同時に4ビット分M
Aに書込まれる。1ビデオRAMで4反子分ずなわち4
ビット分の線分データについて、各1ビット独立に同様
に行われる。
次に、外部からのソースデータ(S)と既にMAに書込
まれているデスティネーションデーシダ  (D〉とを
ビット対応で論即演算を行ない、再度デスティネーショ
ンデータ部分に内込む場合について説明する。先ず、各
レジスタのデータ設定を前記の如く行ない、5Rの内容
を「1」 (第4図)、4Rの内容を「1110」 (
論理和をとる場合)又はrlooOJ  (論F!!積
をとる場合) (第5図)とする。
次に、ソースデータ(S)として外部から10Bにデー
タを入力する。データはIOB、DADを経てSMXに
入力され、このデータはSICの&l IIIによって
出力として選択され、ROPの1入力になる。同時に、
MAからYステイネ−ジョンデータ(D)を読出し、M
A、ODAを経てROPの他の入力となり、ROPは4
Rの指定論理演騨モードによって演算を行ない、出力を
デスティネーションデータ(D)としてODAを経てM
Aに、デスティネーションデータ(D)の読出しと合わ
せてリードモディファイライ1〜動作で書込む。
このように本発明装置は、外部から与えられる1ビット
のデータ入力及びチップ上に記憶された情報から一定の
規則に従ってk(但し、kは2以上)ビットの情報を生
成し、m行n列からなるMAの行方向アドレス入力によ
り選択された一行のnビットのうちの列方向アドレス入
力により選択されたにビットに対して同時に出込むよう
にしたものである。従って、MAを画面素子における3
次元(X、Y、Z”)対応の構成とすることで1ビデオ
RAMで、カラーデータ、奥行きデータ等の3次元デー
タを書込むことができ、1人カデータで2方向の複数ビ
ットを同時に描画する機能とマスク付きのビットの論理
演算機能とを付加することで、複数プレーン構成及び論
理演算機能を持ち高速に描画できるマルチプレーン・ビ
デオRAM素子を少ない入力端子数で実現し得る。
第6図は本発明素子を用いた描画装置のフレームメモリ
のブロック図を示す。同図中、MVPはマルチプレーン
・ビデオRAMプレーン部、MVRCはマルチプレーン
・ビデオRAMfilIII1部、MVRTはマルチプ
レーン・ビデオRAMタイミング制御部、MVDC)は
マルチプレーン・ビデオRAMデータ制御部、MVAC
はマルチプレーン・ビデオRAMアドレス制御部、MV
Pはマルチプレーン・ビデオRAM部、MPDCはマル
チプレーン・ビデオRAM表示データ制御部である。
このものは、4ビットで、かつ、kが4の構成(7)M
VRをMVRl 〜MVR8(7)8ftN[]するも
ので、従来例のビデオRAMの4倍の記憶容量を持つ。
MVRCはMVRの各種レジスタを設定した後、各種メ
モリ動作を行なう。
このように本発明素子を用いた描画装置のフレームスt
りは、第1図(A)、(B)で説明したPビット入力の
ビデオRAMをQ個(例えば4ビット入力のMVR1〜
MVR8の8個)使用し、1プレーンをmx (n/k
)xpxQ、 つまり、mx (n/4)x4x8のビ
ット数で構成し、かつ、kプレーンを持つものである。
多数色表示等釜プレーン構成をとる場合に使用する素子
を1/kに減らし、かつ、多プレーンの描画をビット間
のマスク付き論理演nも同時に素子内で実現できるため
、フレームメモリを構成する制御部の回路数を減少し得
、かつ、高速動作を可能にし得る。
なお、前記に、nを2のべき乗に設定してもよい。
又、第1図<A)、(B)に示す様に実際に構成する場
合、複数のMAを同一チップ上に集積する場合は、1R
,2R(及び3R)を111のみ備えて複数のMAで共
用する。
又、第6図において、MVR1〜MvR8を並列にR個
使用し、k x Rのプレーン数を持たせるように構成
してもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、MAを画面表示における3次元対応に
アクセスできる構成とし、1人カデータで3次元方向の
データに相当する複数ビットを同時に書込み得、少ない
入力データ端子数で多プレーン構成をとり得、画面表示
における3次元対応の構成や多プレーン構成をとる場合
ビデオRAMを並列に設けなければならない従来例に比
して回路を小形にし得、又、描画装置等に適用した場合
、並列にビデオRAMを設けたり、ビデオRAMをシリ
アルにアクセスする従来例に比して使用素子や周辺回路
を簡単に構成し得、又、高速動作が可能である等の特長
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のビデオRAM素子のブロック図、 第2図はメモリアレイ11Q連部の表記法を示す図、第
3図は本発明のビデオRAM素子のタイミングチャート
、 第4図は制御レジスタの内容、 第5図は論理演算内容指定レジスタの内容、第6図は本
発明素子を用いた描画装置のフレームメモリのブロック
図、 第7図及び第8図は従来のビデオRAM素子のブロック
図、 第9図は一般の描画装置のブロック図、第10図は従来
のフレームメモリのブロック図である。 図において、 MAはメモリアレイ部、 RADは行アドレスデコーダ部、 ODAは列アドレスデコーダアンプ部、MBOはマルチ
プレーンビット演算部、IOBはI10バッファ部、 八Bはアドレスバッファ部、 CGはクロックジェネレータ部、 1R、2R,’3R,4R,5Rはレジスタ、S、I 
CはSMX入カデカデータ制御部Gはマスクデータ作成
部、 SMXはソースデ゛−タマルチブレクサ部、ROPはラ
スクオペレーション部、 CADはデータ集合分配部、 FMはフレームメモリ部、 MVPはマルチプレーンビデオRAMプレーン部、 FMCはフレームメモリ制御部、 MVRCはマルチプレーンビデオRA M 1lill
 t11部、MVR1〜MVR8はマルチプレーンビデ
オRAM部、 MPDCはマルチプレーンビデオRAM表示データ制御
部である。 (A)                  (B)メ
もリアに/T(M^)k這旬−赤1ε畝官示す間第2図 並J11デー?  瞑 胚p 籾 信模 匹V殺四−−
−−ア)1し^   KΔ π込 匹6 g込 設置シ
、CA−−−−(メモリすイ2?ンエユ上 ww  上
−−−−−)RM                 
 MML−ド 本を4−eつわ情1食子の夕づ之ン2−ト臂−1第3図 Otj”I[j!z c−)’ 1   tPlms−a−r 伸制御しジス?(5R)の内1弘 第4図 0011      百 0100     DANDS olol     百 0 1 10      DEOR5 01115;B tooo      DANDS 1001      DE)FIS lolo       5 1011    百ors 1100       D 1101      DorS 1 1 10      [krS l 111     °1# を断頌し軒茸内官暦Iヒレジス?(4尺)の内容第S図 −禾/)S把兼僅戸プロヤ2匈 W#9図

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部から与えられる複数ビットのデータ入力のう
    ちの1ビットのデータ入力とチップ上に記憶された情報
    とからk(但し、kは2以上)ビットの情報を生成し、
    m行n(nはkより大)列からなるメモリアレイ部(M
    A)の行方向アドレス入力により選択された一行のnビ
    ットのうちの列方向アドレス入力により選択されたkビ
    ットに対して同時に書込む機能(MBO、CDA)を有
    してなることを特徴とするマルチプレーンビデオRAM
    素子。
  2. (2)該k及び該nは、2のべき乗であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のマルチプレーンビデオ
    RAM素子。
  3. (3)該kビットの情報を生成する手段は、チップ上に
    設けられており該データ入力のビットに対応したkビッ
    ト長の2つのレジスタ(1R、2R)と、 該外部から与えられる1ビットのデータ入力の1/0に
    応じて該2つのレジスタ(1R、2R)のいずれか一方
    を選択して該1ビットデータ入力当りkビットのレジス
    タ出力を取出す選択手段(SMX)とよりなり、 該選択手段(SMX)にて選択されたレジスタに記憶さ
    れた情報を該メモリアレイ部(MA)に書込むことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のマルチプレーンビ
    デオRAM素子。
  4. (4)該kビットの情報を生成する手段は、チップ上に
    設けられており該データ入力のビットに対応したkビッ
    ト長の第1乃至第3のレジスタ(1R、2R、3R)と
    、 該外部から与えられる1ビットのデータ入力の1/0に
    応じて該第1、第2のレジスタ(1R、2R)のいずれ
    か一方を選択して該1ビットデータ入力当りkビットの
    レジスタ出力を取出す選択手段(SMX)と、 該選択されたkビットのうち該第3のレジスタ(3R)
    に記憶された状態に応じて書込み可能となっているビッ
    トのみに書込みを行ない、それ以外のビットは以前の状
    態を保持する禁止手段(MG、ROP)とよりなり、 該禁止手段(MG、ROP)からの情報を該メモリアレ
    イ部(MA)に書込むことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載のマルチプレーンビデオRAM素子。
  5. (5)該kビットの情報を生成する手段は、チップ上に
    設けられており該データ入力のビットに対応したkビッ
    ト長の第1及び第2のレジスタ(1R、2R)と、 該外部から与えられる1ビットのデータ入力の1/0に
    応じて該第1、第2のレジスタ(1R、2R)のいずれ
    か一方を選択して該1ビットデータ入力当りkビットの
    レジスタ出力を取出す選択手段(SMX)とよりなり、 該メモリアレイ部(MA)に書込む手段は、該メモリア
    レイ部(MA)に既に書込まれたkビットのデータを読
    出して該選択手段(SMX)の出力とビット対応に論理
    演算手段(ROP)による演算を行い書込む手段(BO
    U)であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のマルチプレーンビデオRAM素子。
  6. (6)該kビットの情報を生成する手段は、チップ上に
    設けられており該データ入力のビットに対応したkビッ
    ト長の第1乃至第3のレジスタ(1R、2R、3R)と
    、 該外部から与えられる1ビットのデータ入力の1/0に
    応じて該第1、第2のレジスタ(1R、2R)のいずれ
    か一方を選択して該1ビットデータ入力当りkビットの
    レジスタ出力を取出す選択手段(SMX)と、 該選択されたkビットのうち該第3のレジスタ(3R)
    に記憶された状態に応じて書込み可能となっているビッ
    トのみに書込みを行ない、それ以外のビットは以前の状
    態を保持する禁止手段(MG)とよりなり、 該メモリアレイ部(MA)に書込む手段は、該選択手段
    (SMX)にて選択されたレジスタに記憶された情報を
    書込み、又、該メモリアレイ部(MA)に既に書込まれ
    たkビットのデータを読出して論理演算手段(ROP)
    による演算を行い書込む手段(BOU)であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のマルチプレーンビ
    デオRAM素子。
  7. (7)該メモリアレイ部(MA)を複数個同一チップ上
    に集積し、該複数のレジスタを1組だけ備えて該複数の
    メモリアレイ部(MA)で共用した構成としてなること
    を特徴とする特許請求の範囲第3項乃至第6項のうちい
    ずれか一項記載のマルチプレーンビデオRAM素子。
  8. (8)外部から与えられる複数ビットのデータ入力のう
    ちの1ビットのデータ入力とチップ上に記憶された情報
    とからk(但し、kは2以上)ビットの情報を生成し、
    m行n(nはkより大)列からなるメモリアレイ部(M
    A)の行方向アドレス入力により選択された一行のnビ
    ットのうちの列方向アドレス入力により選択されたkビ
    ットに対して同時に書込む機能(MBO、CDA)を有
    してなるPビット入力のマルチプレーンビデオRAM素
    子を複数個使用したフレームメモリで構成されたことを
    特徴とする描画装置。
  9. (9)該複数個は直列に接続されたQ個で、1プレーン
    がm×(n/k)×P×Qのビット数よりなり、kプレ
    ーンを持つフレームメモリで構成されたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第8項記載の描画装置。
  10. (10)該複数個は直列に接続されたQ個を更に並列に
    R組接続したもので、1プレーンがm×(n/k)×P
    ×Qのビット数よりなり、(k×R)プレーンを持つフ
    レームメモリで構成されたことを特徴とする特許請求の
    範囲第8項記載の描画装置。
  11. (11)該書込む機能(MBO)である、マスク付き多
    プレーン描画機能(MG、SMX)及びマスク付き論理
    演算結果による描画機能(MG、SMX、ROP)によ
    り描画することを特徴とする特許請求の範囲第8項記載
    の描画装置。
JP62010381A 1987-01-20 1987-01-20 マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置 Pending JPS63178288A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62010381A JPS63178288A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62010381A JPS63178288A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63178288A true JPS63178288A (ja) 1988-07-22

Family

ID=11748548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62010381A Pending JPS63178288A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63178288A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970005410B1 (ko) 온-칩 입력 데이타 레지스터를 갖고 있는 해독/기입 메모리
KR100279039B1 (ko) 개선된 메모리 구조, 장치, 시스템 및 이를 사용하는 방법
JPH01111279A (ja) 記憶装置
US5590083A (en) Process of writing data from a data processor to a memory device register that is separate from the array
EP0279693B1 (en) Multi-plane video ram
JP2593060B2 (ja) ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアクセス方法及びシステム
US5257237A (en) SAM data selection on dual-ported DRAM devices
JPS61288240A (ja) 半導体記憶装置
US5991186A (en) Four-bit block write for a wide input/output random access memory in a data processing system
JPH09198862A (ja) 半導体メモリ
JPS63178288A (ja) マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置
JPH09508745A (ja) 連続ページランダムアクセスメモリと、連続ページランダムアクセスメモリを使用するシステムおよび方法
JP5133073B2 (ja) 半導体記憶装置及びデータの格納方法
JPS61289596A (ja) 半導体記憶装置
JPS649636B2 (ja)
JPS63178291A (ja) マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置
JPS63178290A (ja) マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置
JP3075280B2 (ja) 情報処理システム
JPS61264425A (ja) 記憶回路
JPS63178289A (ja) マルチプレ−ンビデオram素子とその描画装置
JPH01188962A (ja) 電子機器
JPS63204594A (ja) マルチプレ−ンビデオram構成方式
JPH08106414A (ja) メモリ・システム、グラフィックス・システムおよびデータ書き込み方法
JP3285033B2 (ja) 情報処理システム
JPH0554636A (ja) 半導体記憶装置