JPS6317259A - 窒化珪素焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化珪素焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6317259A JPS6317259A JP61160557A JP16055786A JPS6317259A JP S6317259 A JPS6317259 A JP S6317259A JP 61160557 A JP61160557 A JP 61160557A JP 16055786 A JP16055786 A JP 16055786A JP S6317259 A JPS6317259 A JP S6317259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- sintered body
- powder
- nitride sintered
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 47
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 45
- QVOIJBIQBYRBCF-UHFFFAOYSA-H yttrium(3+);tricarbonate Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O QVOIJBIQBYRBCF-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 229910001719 melilite Inorganic materials 0.000 description 8
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 101100084030 Mus musculus Alpl gene Proteins 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UAMZXLIURMNTHD-UHFFFAOYSA-N dialuminum;magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3] UAMZXLIURMNTHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N oxoaluminum Chemical compound O1[Al]O[Al]1 WHOPEPSOPUIRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011208 reinforced composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052566 spinel group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、窒化珪素焼結体の製造方法の改良に関する。
［従来技術］
窒化珪素焼結体は、構造用セラミックスとして注目され
ている。この窒化珪素焼結体の高強度を実現する方法と
して、優れた焼結助剤の開発、窒化珪素粉末の改良等が
図られている。例えば、特公昭４９−２１０９１、特公
昭４８−３８４４８号明細書には、焼結助剤として酸化
イツトリウムを用いた５ｉｓＮ４−Ｙ２Ｏ２−Ａ＋２０
３系耐熱性強化複合材料の製造方法が示されている。
ている。この窒化珪素焼結体の高強度を実現する方法と
して、優れた焼結助剤の開発、窒化珪素粉末の改良等が
図られている。例えば、特公昭４９−２１０９１、特公
昭４８−３８４４８号明細書には、焼結助剤として酸化
イツトリウムを用いた５ｉｓＮ４−Ｙ２Ｏ２−Ａ＋２０
３系耐熱性強化複合材料の製造方法が示されている。
「発明が解決しようとする問題点〕
上記した従来の窒化珪素焼結体の製造方法で製造できる
窒化珪素焼結体の曲げ強度は４０〜８０ｋｇ／ｍｍ２程
度である。本発明は、従来よりさらに強度の優れた窒化
珪素焼結体の製造方法を捉供することを目的とする。
窒化珪素焼結体の曲げ強度は４０〜８０ｋｇ／ｍｍ２程
度である。本発明は、従来よりさらに強度の優れた窒化
珪素焼結体の製造方法を捉供することを目的とする。
［問題点を解決する作用及び手段］
本発明の製造方法は主剤としての窒化珪素粉末と、焼結
助剤としての炭酸イツトリウム粉末とを含む温合粉末を
成形して成形体を形成する成形工程と、該成形体を焼成
して窒化珪素焼結体を形成する焼成工程とからなること
を特徴とする。焼結助剤として炭酸イツトリウム粉末を
使用することに特色がある。炭酸イツトリウム粉末は熱
分解しやすい材料であり、分解の際に分子状に微細化、
分散拡散し、窒化珪素粉末とよく混合、融合して窒化珪
素粉末の最表面にＳ ｉｏｒ層が形成されることを防止
し、結合相にメリライト相を形成させる。このメリライ
ト相は従来の窒化珪素焼結体にも見られるものであるが
、本発明の方法により製造した窒化珪素焼結体には多量
のメリライト相が存在し、優れた強度ををもつものとな
る。
助剤としての炭酸イツトリウム粉末とを含む温合粉末を
成形して成形体を形成する成形工程と、該成形体を焼成
して窒化珪素焼結体を形成する焼成工程とからなること
を特徴とする。焼結助剤として炭酸イツトリウム粉末を
使用することに特色がある。炭酸イツトリウム粉末は熱
分解しやすい材料であり、分解の際に分子状に微細化、
分散拡散し、窒化珪素粉末とよく混合、融合して窒化珪
素粉末の最表面にＳ ｉｏｒ層が形成されることを防止
し、結合相にメリライト相を形成させる。このメリライ
ト相は従来の窒化珪素焼結体にも見られるものであるが
、本発明の方法により製造した窒化珪素焼結体には多量
のメリライト相が存在し、優れた強度ををもつものとな
る。
本発明の窒化珪素焼結体の製造方法で使用する混合粉末
は、主剤としての窒化珪素粉末と、焼結助剤としての炭
酸イツトリウム粉末とを混合して得られる混合粉末を成
形して成形体を含む。
は、主剤としての窒化珪素粉末と、焼結助剤としての炭
酸イツトリウム粉末とを混合して得られる混合粉末を成
形して成形体を含む。
原料粉末の主剤を構成する窒化珪素粉末は、従来の窒化
珪素焼結体の製造方法において用いられるものと同じも
のを用いることができる。物性の面からみると窒化珪素
粉末は表面酸化のできるだけ少ないかつ粒径の小さいも
のが良い。待に粒径３μｍ以下のものが好ましい。
珪素焼結体の製造方法において用いられるものと同じも
のを用いることができる。物性の面からみると窒化珪素
粉末は表面酸化のできるだけ少ないかつ粒径の小さいも
のが良い。待に粒径３μｍ以下のものが好ましい。
焼結助剤として用いられる炭酸イツトリウム粉末につい
ても、一般に知られているものを用いることができる。
ても、一般に知られているものを用いることができる。
粒径は５μｍ以下のものが好ましい。この炭酸イツトリ
ウムは焼結時の温度により熱分解し、分子状で窒化珪素
に固溶していくものと考えられる。炭酸イツトリウム以
外の焼結助剤として酸化ランタン、酸化セリウム、アル
ミナ、シリカ、マグネシャ、アルミナマグネシアスピネ
ル等のスピネル、特殊な例として金屈シリコン、炭化珪
素（ｓ ｌ Ｃ）等の炭化物、窒化アルミニウム（ＡＩ
Ｎ”）等の窒化物を使用目的に応じて配合することがで
きる。
ウムは焼結時の温度により熱分解し、分子状で窒化珪素
に固溶していくものと考えられる。炭酸イツトリウム以
外の焼結助剤として酸化ランタン、酸化セリウム、アル
ミナ、シリカ、マグネシャ、アルミナマグネシアスピネ
ル等のスピネル、特殊な例として金屈シリコン、炭化珪
素（ｓ ｌ Ｃ）等の炭化物、窒化アルミニウム（ＡＩ
Ｎ”）等の窒化物を使用目的に応じて配合することがで
きる。
原料粉末中における窒化珪素粉末の配合量は８０〜９８
重日％（以下％は重置％を示す。）程度が好ましい。ま
た、原料粉末中における炭酸イツトリウムの配合量は１
〜１５％が好ましい。
重日％（以下％は重置％を示す。）程度が好ましい。ま
た、原料粉末中における炭酸イツトリウムの配合量は１
〜１５％が好ましい。
成形工程においてはスリップキャスティング、セラミッ
ク射出成形、押出成形、圧縮成形等の従来公知の成形方
法を採用することができる。
ク射出成形、押出成形、圧縮成形等の従来公知の成形方
法を採用することができる。
焼成工程も従来と同一条件で焼成できる。すなわち、焼
成温度１４００〜１９００℃で窒素または不活性ガス雰
囲気下で所定時間焼結を行う。
成温度１４００〜１９００℃で窒素または不活性ガス雰
囲気下で所定時間焼結を行う。
本発明の製造方法で製造できる窒化珪素焼結体は室温に
おける曲げ強度が１００ｋｇ／ｍｍ２以上と極めて強い
。そして得られた窒化珪素焼結体には多量のメリライト
相が存在する。
おける曲げ強度が１００ｋｇ／ｍｍ２以上と極めて強い
。そして得られた窒化珪素焼結体には多量のメリライト
相が存在する。
「実施例］
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
（実施例１）
平均粒径０．９μｍの窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末（信
越化学製ＫＳＮ＝１０）９５％に平均粒径３ａｍの炭酸
イツトリウム（Ｙ２ （Ｃｏｘ ） ３ ）粉末３％、
平均粒径０．５μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）（大町化
学製ＴＭ−１０）２％を配合し、ボールミルで十分に混
合して原料粉末とした。この原料粉末を使用し、樹脂バ
インダを加えてよく混練し、通常のセラミックス射出成
形で軸付円盤モデルの成形体とした。この成形体を通常
の方法で脱脂した後、窒素雰凹気下で１７５０℃にて６
時間焼成し、第２図に示す軸径２０ｍｍ、円盤直径２２
０ｍｍ、円盤厚さ２０ｍｍの軸付円盤モデルの焼結体を
製造した。
越化学製ＫＳＮ＝１０）９５％に平均粒径３ａｍの炭酸
イツトリウム（Ｙ２ （Ｃｏｘ ） ３ ）粉末３％、
平均粒径０．５μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）（大町化
学製ＴＭ−１０）２％を配合し、ボールミルで十分に混
合して原料粉末とした。この原料粉末を使用し、樹脂バ
インダを加えてよく混練し、通常のセラミックス射出成
形で軸付円盤モデルの成形体とした。この成形体を通常
の方法で脱脂した後、窒素雰凹気下で１７５０℃にて６
時間焼成し、第２図に示す軸径２０ｍｍ、円盤直径２２
０ｍｍ、円盤厚さ２０ｍｍの軸付円盤モデルの焼結体を
製造した。
得られた焼結体より３ｘ４ｘ４Ｑｍｍの柱状の試験片を
切り出し、Ｊ ｌ５−Ｒ−１６０１に規定されたセラミ
ックス材料の抗折試験法により三点曲げ強度を測定し、
１１０〜１３０ｋＱ／ｍｍ２の結果を得た。また、得ら
れた焼結体をＸ線回折によって焼結体のＸ線回折図を得
た。これを第１図に示す。この図より回折角２θが３２
度、２９度、３７度にピークがみられる。これらのピー
クはメリライト相に特有のものである。なお、次に参考
として示す酸化イツトリウムを焼結助剤として使用した
焼結体のＸ線回折図（図示せず）にも同じメリライト相
のピークがみられるが、本実施例の焼結体のメリライト
相のピークは一層強いものである。
切り出し、Ｊ ｌ５−Ｒ−１６０１に規定されたセラミ
ックス材料の抗折試験法により三点曲げ強度を測定し、
１１０〜１３０ｋＱ／ｍｍ２の結果を得た。また、得ら
れた焼結体をＸ線回折によって焼結体のＸ線回折図を得
た。これを第１図に示す。この図より回折角２θが３２
度、２９度、３７度にピークがみられる。これらのピー
クはメリライト相に特有のものである。なお、次に参考
として示す酸化イツトリウムを焼結助剤として使用した
焼結体のＸ線回折図（図示せず）にも同じメリライト相
のピークがみられるが、本実施例の焼結体のメリライト
相のピークは一層強いものである。
参考までに上記実施例で使用した窒化珪素粉末９５％と
平均粒径１μｍの酸化イツトリウム（ＹｘＯ３）３％お
よび実施例１と同じアルミナ３％とを配合し原料粉末を
調製し実施例１と同じ方法で焼結して焼結体を１９だ。
平均粒径１μｍの酸化イツトリウム（ＹｘＯ３）３％お
よび実施例１と同じアルミナ３％とを配合し原料粉末を
調製し実施例１と同じ方法で焼結して焼結体を１９だ。
そして実施例１と同じ方法で得られた焼結体の抗折曲げ
強度を測定し７３ｋＱ／ｍｍ２（Ｄ値ヲ得り。
強度を測定し７３ｋＱ／ｍｍ２（Ｄ値ヲ得り。
（実施例２）
平均粒径１μｍの窒化珪素粉末（電気化学製５Ｎ−７８
）９８％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末１％、
平均粒径０．５μｍのアルミナ（住友化学製ＡＫＰ−２
０）１％を配合して十分に混合し原料粉末をｇｌｌ￥Ｊ
した。この原料粉末を実施例と同じ方法で成形体とした
。そしてこの成形体を窒素雰囲気下で１８００℃にて１
時間焼成し、焼結体を製造した。得られた焼結体の抗折
曲げ強度を実施例１と同じ方法で測定し、１２５ｋＱ／
ｍｍ２の値を得た。
）９８％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末１％、
平均粒径０．５μｍのアルミナ（住友化学製ＡＫＰ−２
０）１％を配合して十分に混合し原料粉末をｇｌｌ￥Ｊ
した。この原料粉末を実施例と同じ方法で成形体とした
。そしてこの成形体を窒素雰囲気下で１８００℃にて１
時間焼成し、焼結体を製造した。得られた焼結体の抗折
曲げ強度を実施例１と同じ方法で測定し、１２５ｋＱ／
ｍｍ２の値を得た。
（実施例３）
平均粒径４μｍの窒化珪素粉末（日本電工製Ｎ−４）９
０％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末５％、Ｍｇ
ＡＩｚＯ＊スピネル（岩谷化学製）５％を配合し十分に
混合して原料粉末を調製した。
０％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末５％、Ｍｇ
ＡＩｚＯ＊スピネル（岩谷化学製）５％を配合し十分に
混合して原料粉末を調製した。
この原料粉末を使用し、樹脂バインダを加えてよく混練
し、通常のセラミックス射出成形でガスタービンロータ
を成形した。そしてこの成形体を脱脂後、窒素雰囲気下
で１６５０’Ｃで５時間焼結し、第３図に示す長さ１５
０ｍｍ直径２００ｍｍのガスタービンロータを製造した
。次にこの得られたガスタービンロータをスピンテスタ
ーに取り付け、１２００℃の温度で最高２５万回転／分
に回転した。このタービンロータは１２００”Ｃで２５
万回転／分の回転速度に耐えた。なお、同じ焼結体を使
用し実施例１と同じ方法で抗折曲げ試験を実施し、曲げ
強度１１５ｋＱ／ｍｍ’の値を得た。
し、通常のセラミックス射出成形でガスタービンロータ
を成形した。そしてこの成形体を脱脂後、窒素雰囲気下
で１６５０’Ｃで５時間焼結し、第３図に示す長さ１５
０ｍｍ直径２００ｍｍのガスタービンロータを製造した
。次にこの得られたガスタービンロータをスピンテスタ
ーに取り付け、１２００℃の温度で最高２５万回転／分
に回転した。このタービンロータは１２００”Ｃで２５
万回転／分の回転速度に耐えた。なお、同じ焼結体を使
用し実施例１と同じ方法で抗折曲げ試験を実施し、曲げ
強度１１５ｋＱ／ｍｍ’の値を得た。
（実施例４）
平均粒径０．６μｍの窒化珪素粉末（東洋曹達製ＴＳ＝
１０）８０％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末１
５％、平均粒径１μｍの酸化ランタン２％、平均粒径０
．４μｍのアルミナ（住友アルミニウム製、Ａ−ＨＰＳ
３０）３％を配合し、十分に混合して原料粉末をｗＡ製
した。この原料粉末を使用し実施例１と同じ方法で成形
して成形体とし、ヘリウム雰囲気下で１８５０’Ｃにて
４時間焼成し、焼結体を得た。この焼結体の曲げ強度は
１２０ｋｇ／ｍｍ２Ｆあった。
１０）８０％に実施例１と同じ炭酸イツトリウム粉末１
５％、平均粒径１μｍの酸化ランタン２％、平均粒径０
．４μｍのアルミナ（住友アルミニウム製、Ａ−ＨＰＳ
３０）３％を配合し、十分に混合して原料粉末をｗＡ製
した。この原料粉末を使用し実施例１と同じ方法で成形
して成形体とし、ヘリウム雰囲気下で１８５０’Ｃにて
４時間焼成し、焼結体を得た。この焼結体の曲げ強度は
１２０ｋｇ／ｍｍ２Ｆあった。
（評価）
実施例１の参考として示したように、従来の窒化珪素焼
結体の製造方法で知られている酸化イツトリウムを焼結
助剤に用いた場合は７３ｋａ／ｍｍ２程度の曲げ強度し
か示さなかったのに対し、本発明の方法により製造した
焼結体では実施例１〜４に示すように１１５〜１３０ｋ
ｑ／ｍｍ２というはるかに高い曲げ強度を示すことが認
められた。また、実施例４で示したように本発明の製造
方法で製造した窒化珪素焼結体で構成されたタービンブ
レードは驚くべきことに１２００℃で２５万回転／分の
高速回転に耐えることができた。
結体の製造方法で知られている酸化イツトリウムを焼結
助剤に用いた場合は７３ｋａ／ｍｍ２程度の曲げ強度し
か示さなかったのに対し、本発明の方法により製造した
焼結体では実施例１〜４に示すように１１５〜１３０ｋ
ｑ／ｍｍ２というはるかに高い曲げ強度を示すことが認
められた。また、実施例４で示したように本発明の製造
方法で製造した窒化珪素焼結体で構成されたタービンブ
レードは驚くべきことに１２００℃で２５万回転／分の
高速回転に耐えることができた。
また実施例１で得られた窒化珪素焼結体のＸ１１回折に
より、本発明の方法で製造した焼結体では、回折角２θ
が２９度、３２度、３７度付近にメリライト相特有のピ
ークを示し、このピーク値は、従来の酸化イツトリウム
を使用する窒化珪素焼結体の製造方法により得られた窒
化珪素焼結体に比べかなり強いものであることが認めら
れた。
より、本発明の方法で製造した焼結体では、回折角２θ
が２９度、３２度、３７度付近にメリライト相特有のピ
ークを示し、このピーク値は、従来の酸化イツトリウム
を使用する窒化珪素焼結体の製造方法により得られた窒
化珪素焼結体に比べかなり強いものであることが認めら
れた。
「発明の効果」
本発明の窒化珪素焼結体の製造方法では、焼結助剤とし
て炭酸イツトリウム粉末を用いることにより、三点曲げ
試験による曲げ強度が１１５〜１３０ｋｑ／ｍｒｎ２と
いう極めて高強度の窒化珪素焼結体が得られることが確
認された。従来の窒化珪素焼結体の製造方法で得られる
窒化珪素焼結体の曲げ強度が５０〜８０ｋｇ／ｍｍ２で
あることから、本発明の窒化珪素焼結体の製造方法は極
めて高強度の窒化珪素焼結体を製造するのに有効である
ことがわかる。
て炭酸イツトリウム粉末を用いることにより、三点曲げ
試験による曲げ強度が１１５〜１３０ｋｑ／ｍｒｎ２と
いう極めて高強度の窒化珪素焼結体が得られることが確
認された。従来の窒化珪素焼結体の製造方法で得られる
窒化珪素焼結体の曲げ強度が５０〜８０ｋｇ／ｍｍ２で
あることから、本発明の窒化珪素焼結体の製造方法は極
めて高強度の窒化珪素焼結体を製造するのに有効である
ことがわかる。
第１図は、本発明の実施例１に示す方法により製造した
窒化珪素焼結体のＸ線回折図、第２図は実施例１で製造
した軸付円盤モデル部品の斜視図、第３図は実施例４で
製造したタービンブレードの斜視図である。
窒化珪素焼結体のＸ線回折図、第２図は実施例１で製造
した軸付円盤モデル部品の斜視図、第３図は実施例４で
製造したタービンブレードの斜視図である。
Claims (4)
- （１）主剤としての窒化珪素粉末と、焼結助剤としての
炭酸イットリウム粉末とを含む混合粉末を成形して成形
体を形成する成形工程と、 該成形体を焼成して窒化珪素焼結体を形成する焼成工程
とからなることを特徴とする窒化珪素焼結体の製造方法
。 - （２）前記第１項記載の製造方法において、該窒化珪素
粉末は粒径３μｍ以下、該炭酸イットリウム粉末は粒径
５μｍ以下である窒化珪素焼結体の製造方法。 - （３）前記第１項記載の製造方法において、該焼成工程
は１４００〜１９００℃で行う窒化珪素焼結体の製造方
法。 - （４）前記第１項記載の製造方法において、該混合粉末
は、アルミナ粉末、スピネル粉末、酸化ランタン粉末、
酸化セリウム粉末の１種または２種以上を助剤として含
む窒化珪素焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160557A JPS6317259A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61160557A JPS6317259A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317259A true JPS6317259A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15717566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160557A Pending JPS6317259A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317259A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420568A (en) * | 1992-03-31 | 1995-05-30 | Kansei Corporation | Wireless door locking and unlocking system for motor vehicles having theft alarm device |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61160557A patent/JPS6317259A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420568A (en) * | 1992-03-31 | 1995-05-30 | Kansei Corporation | Wireless door locking and unlocking system for motor vehicles having theft alarm device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6317259A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPH0212893B2 (ja) | ||
| JPS6077174A (ja) | 窒化けい素焼結体の製造法 | |
| JPS61186263A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS59232971A (ja) | 耐摩耗性のすぐれたサイアロン基セラミツクス | |
| JP3202670B2 (ja) | 積層セラミックスの製造方法 | |
| JP2665755B2 (ja) | β−サイアロン質複合セラミックスの製造方法 | |
| JPS5860675A (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPH06116045A (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
| JPS5895652A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS62216969A (ja) | 繊維強化Ｓｉ３Ｎ４セラミツクス及びその製造方法 | |
| JP2801455B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
| JPS62105986A (ja) | ジルコニアセラミツクスの黒色化法 | |
| JP2001302354A (ja) | タービンロータ及びその製造方法 | |
| JPS61270260A (ja) | 窒化珪素質セラミツクスの製造方法 | |
| JPS6126569A (ja) | 窒化珪素系焼結体の製造方法 | |
| JPS59169972A (ja) | セラミツクス焼結体の製造方法 | |
| JPH0517210A (ja) | アルミナ基複合焼結体の製造方法及びアルミナ基複合焼結体 | |
| JPS60155576A (ja) | 高靭性窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JPH0832590B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体およびその製法 | |
| JPS58185483A (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS63170262A (ja) | ＺｒＯ↓２−ＴｉＣ−ＳｉＣ系焼結体の製造方法 | |
| JPS63195170A (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 | |
| JPS6283375A (ja) | 窒化珪素の焼結助剤及びそれを用いた窒化珪素焼結体の製法 | |
| JPH0568428B2 (ja) |