JPS63164245A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPS63164245A JPS63164245A JP30843486A JP30843486A JPS63164245A JP S63164245 A JPS63164245 A JP S63164245A JP 30843486 A JP30843486 A JP 30843486A JP 30843486 A JP30843486 A JP 30843486A JP S63164245 A JPS63164245 A JP S63164245A
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- case
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- resin
- electronic component
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品、特にケース内にゲルを充填すると
ともに、このゲル上にレジンを封止した構造の電子部品
に関する。
ともに、このゲル上にレジンを封止した構造の電子部品
に関する。
電子部品のパッケージ形態として、キャン封止。
セラミック封止、レジン封止等種々あるが、その一つと
して、ケース内に素子を搭載した基板を配置するととも
に、レジンを充填した構造がある。
して、ケース内に素子を搭載した基板を配置するととも
に、レジンを充填した構造がある。
この構造の電子部品については、たとえば、工業調査会
発行[電子材料J 1973年3月号、昭和48年3月
1日発行、P149に示されている。
発行[電子材料J 1973年3月号、昭和48年3月
1日発行、P149に示されている。
本発明者は、これはまだ公知とされた技術ではないが、
第6図に示されるような電子部品を開発している。この
電子部品は、下部両端に取付用フランジlを有する矩形
筒状のプラスチックからなるケース2を有している。こ
のケース2の下面には、その縁は段差が設けられ、この
一段窪んだ段差3部分にヘッダー4の主面側が嵌め込ま
れかつ気密的に固定されるようになっている。また、前
記ヘッダー4の主面には、半導体素子(チップ)や導体
層等を上面(主面)に取り付けたセラミック基板5が半
田6を介して固定されている。この図では、前記セラミ
ックuvi5の主面にCuからなる導体層7が設けられ
た状態が示されている。
第6図に示されるような電子部品を開発している。この
電子部品は、下部両端に取付用フランジlを有する矩形
筒状のプラスチックからなるケース2を有している。こ
のケース2の下面には、その縁は段差が設けられ、この
一段窪んだ段差3部分にヘッダー4の主面側が嵌め込ま
れかつ気密的に固定されるようになっている。また、前
記ヘッダー4の主面には、半導体素子(チップ)や導体
層等を上面(主面)に取り付けたセラミック基板5が半
田6を介して固定されている。この図では、前記セラミ
ックuvi5の主面にCuからなる導体層7が設けられ
た状態が示されている。
また、この導体層7にはり−ド8の下端が半田9を介し
て固定されている。このリード8の下部はコの字状に屈
曲し、リード8の上端が後述するレジンの膨張変位によ
っても、柔軟に変形して対処することができるようにな
っている。また、前記ケース2内にシリコーン等絶縁性
のゲル10が途中深さまで充填されている。さらに、こ
のゲル10上にはエポキシ樹脂からなるレジン11が充
填されている。このレジン11はベーキングされて硬化
し、前記ケース2の開口部を塞いでいる。リード8の上
端はこのレジン11上に突出している。
て固定されている。このリード8の下部はコの字状に屈
曲し、リード8の上端が後述するレジンの膨張変位によ
っても、柔軟に変形して対処することができるようにな
っている。また、前記ケース2内にシリコーン等絶縁性
のゲル10が途中深さまで充填されている。さらに、こ
のゲル10上にはエポキシ樹脂からなるレジン11が充
填されている。このレジン11はベーキングされて硬化
し、前記ケース2の開口部を塞いでいる。リード8の上
端はこのレジン11上に突出している。
しかし、このような電子部品にあっては、つぎのような
点において問題があることが本発明者によってあきらか
にされた。。
点において問題があることが本発明者によってあきらか
にされた。。
すなわち、前記ゲルとして高粘度レジンを使用すると、
注入性が悪く作業性が低いとともに、熱の影響によって
ゲルが膨張した場合、ワイヤに大きな力が加わり、ワイ
ヤがその接続部分で剥離してしまう。
注入性が悪く作業性が低いとともに、熱の影響によって
ゲルが膨張した場合、ワイヤに大きな力が加わり、ワイ
ヤがその接続部分で剥離してしまう。
また、低粘度レジンを用いると、前記問題点は解消され
るが、低粘度故に新たな問題が派生する。
るが、低粘度故に新たな問題が派生する。
低粘度レジンは、第7図に示されるように、ケース2の
直立した内壁を表面張力によって這い上がる。この這い
上がり12は、常温下でも生しるが、熱が加わると一層
顕著となる。この結果、組立時、ゲル10がケース2外
に溢れ出てしまったり、あるいは製品となった状態で前
記レジン11の厚さが、前記ゲル10の5式い上がり1
2のためケース2の内壁部分で薄(なってしまい、プレ
ッシャ・クック・テスト (PCT)で不良と判定され
てしまう。
直立した内壁を表面張力によって這い上がる。この這い
上がり12は、常温下でも生しるが、熱が加わると一層
顕著となる。この結果、組立時、ゲル10がケース2外
に溢れ出てしまったり、あるいは製品となった状態で前
記レジン11の厚さが、前記ゲル10の5式い上がり1
2のためケース2の内壁部分で薄(なってしまい、プレ
ッシャ・クック・テスト (PCT)で不良と判定され
てしまう。
前記ゲル10の這い上がり12は、ケース2がモールド
型を利用して製造されるため、ケース2の内壁面は垂直
な壁とはならず、モールド型の抜は勾配を勘案している
結果、わずかではあるが傾斜していること、さらには内
壁面が粗い面となっているごとによって、ゲル10の這
い上がりが増長されていることも判明した。
型を利用して製造されるため、ケース2の内壁面は垂直
な壁とはならず、モールド型の抜は勾配を勘案している
結果、わずかではあるが傾斜していること、さらには内
壁面が粗い面となっているごとによって、ゲル10の這
い上がりが増長されていることも判明した。
本発明の目的は封止性能の高い電子部品を提供すること
にある。
にある。
本発明の他の目的は封止歩留りが高い構造の電子部品を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において118示される発明のうち代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の電子部品にあっては、ケースの内周
壁の全周に亘って、前記ゲルの這い上がりを防止する溝
構造のゲル這上がり防止用返し部が設けられている。
壁の全周に亘って、前記ゲルの這い上がりを防止する溝
構造のゲル這上がり防止用返し部が設けられている。
上記した手段によれば、本発明の電子部品にあっては、
ケースの内周壁の全周に亘って前記ゲルの這い上がりを
防止する溝構造のゲル這上がり防止用返し部が設けられ
ているため、ゲルは前記溝の垂直面となる溝底面に沿っ
て這い上がっても、庇状に張り出した上部溝側面に至る
と、ゲル自体の自重もあることから、常温であるいは熱
が加わってゲル全体が膨潤しても、上部溝側面に遮られ
て、溝を乗り越えて上方に這い上がらなくなる。
ケースの内周壁の全周に亘って前記ゲルの這い上がりを
防止する溝構造のゲル這上がり防止用返し部が設けられ
ているため、ゲルは前記溝の垂直面となる溝底面に沿っ
て這い上がっても、庇状に張り出した上部溝側面に至る
と、ゲル自体の自重もあることから、常温であるいは熱
が加わってゲル全体が膨潤しても、上部溝側面に遮られ
て、溝を乗り越えて上方に這い上がらなくなる。
したがって、ゲル上に重ねられるようにして設けられた
レジンの厚さは、ケースの界面部分でも所望の厚さ以上
となる。
レジンの厚さは、ケースの界面部分でも所望の厚さ以上
となる。
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例による電子部品を示す断面図
、第2図は同じく電子部品を示す斜視図、第3図は同じ
く電子部品の一部を示す拡大斜視図である。
、第2図は同じく電子部品を示す斜視図、第3図は同じ
く電子部品の一部を示す拡大斜視図である。
この実施例では、電子部品としてパワーモジュールに本
発明を適用した例を示す。
発明を適用した例を示す。
パワーモジュールは、第1図〜第3図に示されるように
、主面にセラミンク基Fi5を半田6によって固定した
ヘソグー4と、前記セラミック基板5上に取り付けられ
た半導体素子(チップ)13やリード8等と、前記チッ
プ13やリード8等を取り囲みかつ前記ヘッダー4上に
固定される矩形筒状のケース2、さらには、前記ケース
2上に充填されるゲル10およびケース2開口部分を塞
ぐレジン11とからなっている。
、主面にセラミンク基Fi5を半田6によって固定した
ヘソグー4と、前記セラミック基板5上に取り付けられ
た半導体素子(チップ)13やリード8等と、前記チッ
プ13やリード8等を取り囲みかつ前記ヘッダー4上に
固定される矩形筒状のケース2、さらには、前記ケース
2上に充填されるゲル10およびケース2開口部分を塞
ぐレジン11とからなっている。
前記セラミック基板5上には、第3図に示されるように
、熱伝導性が良好なCu等からなる導体層7が所望パタ
ーンに形成され、その一つには熱伝導性が良好なCu等
の金属からなるヒートシンク14が半田15を介して固
定されている。また、このヒートシンク14上には、半
田16を介して前記チンブ13が固定されている。この
チンプ13の電極は、ワイヤ17を介して前記リード8
が取り付けられた導体層7の一端に電気的に接続されて
いる。なお、前記リード8にあっては、導体層7との接
続部近傍は、コの字状に屈曲した構造となり、ゲル10
の熱による膨張変位によって加わる応力を変形によって
緩和する役割を果す。この実施例では、リード8は4本
面列に配設されている。
、熱伝導性が良好なCu等からなる導体層7が所望パタ
ーンに形成され、その一つには熱伝導性が良好なCu等
の金属からなるヒートシンク14が半田15を介して固
定されている。また、このヒートシンク14上には、半
田16を介して前記チンブ13が固定されている。この
チンプ13の電極は、ワイヤ17を介して前記リード8
が取り付けられた導体層7の一端に電気的に接続されて
いる。なお、前記リード8にあっては、導体層7との接
続部近傍は、コの字状に屈曲した構造となり、ゲル10
の熱による膨張変位によって加わる応力を変形によって
緩和する役割を果す。この実施例では、リード8は4本
面列に配設されている。
一方、前記ケース2は、下部両端に取付用フランジlを
有する矩形筒状のプラスチックによって構成されていて
、下面には、その縁は段差が設けられている。この一段
窪んだ段差3部分には、ヘッダー4の主面側が嵌め込ま
れかつ気密的に固定されるようになっている。また、こ
れが本発明の特徴的なことであるが、前記ケース2の内
壁には、その全周に亘ってゲル這上がり防止用返し部と
しての溝18が設けられている。この溝18は矩形断面
となっているとともに、この溝18はヘッダー4とケー
ス2によって形成された充填空間内に注入されるゲル1
0の液面の高さ、あるいはそれ以上高い位置に配設され
ている。第1図に示されるように、同図では、溝18の
中間高さにゲル10の平らな液面が位置するようになっ
ている。また、この溝18の溝底はゲル10が這い上が
る面であることから、その這い上がりを少しでも少なく
するために、鏡面に仕上げておくことが望ましい。しか
し、溝底が粗面であっても、後述する本発明の効果を妨
げるものではない。
有する矩形筒状のプラスチックによって構成されていて
、下面には、その縁は段差が設けられている。この一段
窪んだ段差3部分には、ヘッダー4の主面側が嵌め込ま
れかつ気密的に固定されるようになっている。また、こ
れが本発明の特徴的なことであるが、前記ケース2の内
壁には、その全周に亘ってゲル這上がり防止用返し部と
しての溝18が設けられている。この溝18は矩形断面
となっているとともに、この溝18はヘッダー4とケー
ス2によって形成された充填空間内に注入されるゲル1
0の液面の高さ、あるいはそれ以上高い位置に配設され
ている。第1図に示されるように、同図では、溝18の
中間高さにゲル10の平らな液面が位置するようになっ
ている。また、この溝18の溝底はゲル10が這い上が
る面であることから、その這い上がりを少しでも少なく
するために、鏡面に仕上げておくことが望ましい。しか
し、溝底が粗面であっても、後述する本発明の効果を妨
げるものではない。
このような溝18の存在は、ケース2内にゲル10を所
定量充填した場合、ケース2の内壁である溝18の底面
に沿って這い上がるゲル10の這い上がり12の這い上
がり端は、溝18の庇状に張り出した上部側面に達する
と、水平方向に這いだすしかないことから、張り出し量
が多くなると、自重も手伝って落下するため、ゲルIO
の這い上がりはこの溝18の上部側面で阻止される。な
お、この溝18の上部側面とゲル10の水平面との間隔
旦が狭すぎると、ゲル10はこの溝18を乗り越えて這
い上がってしまう。したがって、実際には、充填するゲ
ル10の粘度、膨張係数等の特性を考慮して、?818
の溝幅、溝深さを選択決定する必要がある。また、この
実施例では、前記ゲルlOの水平面が溝18よりも下方
に存在するように、ゲル10の量を選んで注入し、這い
上がって来たゲル10の這い上がり12を溝18で阻止
するようにしてもよい。なお、前記溝18の上部側面お
よび下部側面は、ゲル10を注入する際の注入量の目安
にもできる実益がある。
定量充填した場合、ケース2の内壁である溝18の底面
に沿って這い上がるゲル10の這い上がり12の這い上
がり端は、溝18の庇状に張り出した上部側面に達する
と、水平方向に這いだすしかないことから、張り出し量
が多くなると、自重も手伝って落下するため、ゲルIO
の這い上がりはこの溝18の上部側面で阻止される。な
お、この溝18の上部側面とゲル10の水平面との間隔
旦が狭すぎると、ゲル10はこの溝18を乗り越えて這
い上がってしまう。したがって、実際には、充填するゲ
ル10の粘度、膨張係数等の特性を考慮して、?818
の溝幅、溝深さを選択決定する必要がある。また、この
実施例では、前記ゲルlOの水平面が溝18よりも下方
に存在するように、ゲル10の量を選んで注入し、這い
上がって来たゲル10の這い上がり12を溝18で阻止
するようにしてもよい。なお、前記溝18の上部側面お
よび下部側面は、ゲル10を注入する際の注入量の目安
にもできる実益がある。
他方、前記ゲルlO上には、ケース2の開口部を塞ぐた
めに、エポキシ樹脂等からなるレジン11が注入されか
つベーキングされる。図では、レジン11の注入硬化作
業は、図示しない治具を用いて行われるため、レジン1
1にあっては、ケース2の内壁に沿う周縁部分が一段高
くなっている。
めに、エポキシ樹脂等からなるレジン11が注入されか
つベーキングされる。図では、レジン11の注入硬化作
業は、図示しない治具を用いて行われるため、レジン1
1にあっては、ケース2の内壁に沿う周縁部分が一段高
くなっている。
また、前記溝18は、このレジンitのベーキング時の
熱によってゲル10が膨張して這い上がり12の量が増
大しても、這い上がり12の這い上がりを確実に阻止す
る。このレジン11の充填によっても、リード8の上端
は一定の長さ突出し、外部端子となる。
熱によってゲル10が膨張して這い上がり12の量が増
大しても、這い上がり12の這い上がりを確実に阻止す
る。このレジン11の充填によっても、リード8の上端
は一定の長さ突出し、外部端子となる。
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
る。
(1)本発明のパワーモジュールにあっては、ケースの
内壁全周に沿ってゲル這上がり防止用返し部として溝が
設けられているため、組立時、ケース内に注入されたゲ
ルの這い上がりは前記溝の上部側面によって阻止される
という効果が得られる。
内壁全周に沿ってゲル這上がり防止用返し部として溝が
設けられているため、組立時、ケース内に注入されたゲ
ルの這い上がりは前記溝の上部側面によって阻止される
という効果が得られる。
(2)上記(1)により、本発明によれば、作業性の高
くかつワイヤ剥離がし難い低粘度レジンのゲルを使用だ
場合でも、ゲルの這い上がりが溝で止まるため、組立の
作業が向上するという効果が得られる。
くかつワイヤ剥離がし難い低粘度レジンのゲルを使用だ
場合でも、ゲルの這い上がりが溝で止まるため、組立の
作業が向上するという効果が得られる。
(3)上記(1)により、本発明によれば、前記ゲル上
に充填したレジンのベーキングの際のゲルの膨張によっ
ても、ゲルの這い上がりは溝で阻止されるという効果が
得られる。
に充填したレジンのベーキングの際のゲルの膨張によっ
ても、ゲルの這い上がりは溝で阻止されるという効果が
得られる。
(4)上記(1)および(3)により、本発明のパワー
モジュールにあっては、ゲルの這い上がりは溝で阻止さ
れるため、前記ケース内壁面に沿うレジンの厚さは設計
通りの厚さとなり、耐湿性が向上するという効果が得ら
れる。したがって、プレッシャ・タック・テスト製品が
不良と判定されることは少なくなる。
モジュールにあっては、ゲルの這い上がりは溝で阻止さ
れるため、前記ケース内壁面に沿うレジンの厚さは設計
通りの厚さとなり、耐湿性が向上するという効果が得ら
れる。したがって、プレッシャ・タック・テスト製品が
不良と判定されることは少なくなる。
(5)上記(1)および(3)により、本発明のパワー
モジュールにあっては、ゲルの這い上がりは溝で阻止さ
れるため、その組立時、ゲルがケースから溢れ出るよう
なこともなく、歩留りが向上するという効果が得られる
。
モジュールにあっては、ゲルの這い上がりは溝で阻止さ
れるため、その組立時、ゲルがケースから溢れ出るよう
なこともなく、歩留りが向上するという効果が得られる
。
(6)上記(1)〜(5)により、本発明によれば、耐
湿性が高い信頼度の高いパワーモジュールを安価に提供
することができるという相乗効果が得られる。
湿性が高い信頼度の高いパワーモジュールを安価に提供
することができるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第4図に示さ
れるように、ゲル迫上がり防止用返し部として、前記溝
に替えて、突起19とし、この突起19の下面を前記?
nIBの上部側面と同様にゲルlOの這い上がり12を
阻止する面としても前記実施例同様な効果が得られる。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第4図に示さ
れるように、ゲル迫上がり防止用返し部として、前記溝
に替えて、突起19とし、この突起19の下面を前記?
nIBの上部側面と同様にゲルlOの這い上がり12を
阻止する面としても前記実施例同様な効果が得られる。
また、第5図に示されるように、斜面20でゲル迫上が
り防止用返し部を構成しても、ゲル10の這い上がり1
2を阻止できる。
り防止用返し部を構成しても、ゲル10の這い上がり1
2を阻止できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるパワーモジュールの
製造技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。
をその背景となった利用分野であるパワーモジュールの
製造技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではない。
本発明は少なくともケース内にゲルを充填するとともに
、このゲル上にレジンを充填して封止を行う構造であれ
ば、電子部品に限らず適用できる。
、このゲル上にレジンを充填して封止を行う構造であれ
ば、電子部品に限らず適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
本発明の電子部品にあっては、ケースの内周壁の全周に
亘って前記ゲルの這い上がりを防止する溝構造のゲル迫
上がり防止用返し部が設けられているため、ゲルは前記
溝の垂直面となる溝底面に沿って這い上がっても、庇状
に張り出した上部溝側面に至ると、ゲル自体の自重もあ
ることから、常温であるいは熱が加わってゲル全体が膨
潤しても、上部溝側面に遮られて、溝を乗り越えて上方
に這い上がらな(なる。したがって、作業性の良好な低
粘度レジンからなるゲルを用いて組立が行えるとともに
、ゲルがケースから溢れ出るようなこともなくなり組立
の歩留りが向上する。また、製品となった状態では、ゲ
ル上に重ねられるようにして設けられたレジンの厚さは
、ゲルの這い上がりを抑止できるためケースの界面部分
をも含めて所望の厚さ以上となり、電子部品の耐湿性も
向上する。
亘って前記ゲルの這い上がりを防止する溝構造のゲル迫
上がり防止用返し部が設けられているため、ゲルは前記
溝の垂直面となる溝底面に沿って這い上がっても、庇状
に張り出した上部溝側面に至ると、ゲル自体の自重もあ
ることから、常温であるいは熱が加わってゲル全体が膨
潤しても、上部溝側面に遮られて、溝を乗り越えて上方
に這い上がらな(なる。したがって、作業性の良好な低
粘度レジンからなるゲルを用いて組立が行えるとともに
、ゲルがケースから溢れ出るようなこともなくなり組立
の歩留りが向上する。また、製品となった状態では、ゲ
ル上に重ねられるようにして設けられたレジンの厚さは
、ゲルの這い上がりを抑止できるためケースの界面部分
をも含めて所望の厚さ以上となり、電子部品の耐湿性も
向上する。
第1図は本発明の一実施例による電子部品を示す断面図
、 第2図は同じく電子部品を示す斜視図、第3図は同じく
電子部品の一部を示す拡大斜視図、 第4図は本発明の他の実施例による電子部品の一部を示
す断面図、 第5図は本発明の他の実施例による電子部品の一部を示
す断面図、 第6図は本出願人の開発による電子部品を示す断面図、 第7図は同じくゲルの這い上がり現象が発生した状態を
示す断面図である。 1・・・取付用フランジ、2・・・ケース、3・・・段
差、4・・・ヘッダー、5・・・セラミツク基板、6・
・・半田、7・・・導体層、8・・・リード、9・・・
半田、・・・10・・・ゲル、11・・・レジン、12
・・・這い上がり、13・・・チップ、14・・・ヒー
トシンク、15.16・・・半田、17・・・ワイヤ、
18・・・溝、19・・・突起、20・・・斜面。 第 2 閃 θ−リーY゛ 第 3 図 θ 第 4 図 第5図
、 第2図は同じく電子部品を示す斜視図、第3図は同じく
電子部品の一部を示す拡大斜視図、 第4図は本発明の他の実施例による電子部品の一部を示
す断面図、 第5図は本発明の他の実施例による電子部品の一部を示
す断面図、 第6図は本出願人の開発による電子部品を示す断面図、 第7図は同じくゲルの這い上がり現象が発生した状態を
示す断面図である。 1・・・取付用フランジ、2・・・ケース、3・・・段
差、4・・・ヘッダー、5・・・セラミツク基板、6・
・・半田、7・・・導体層、8・・・リード、9・・・
半田、・・・10・・・ゲル、11・・・レジン、12
・・・這い上がり、13・・・チップ、14・・・ヒー
トシンク、15.16・・・半田、17・・・ワイヤ、
18・・・溝、19・・・突起、20・・・斜面。 第 2 閃 θ−リーY゛ 第 3 図 θ 第 4 図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ケースと、このケース内に注入されたゲルと、この
ゲル上に設けられかつケース開口部を塞ぐレジンと、を
有する電子部品であって、前記ケースの内壁には、全周
に亘ってゲル這上がり防止用返し部が設けられているこ
とを特徴とする電子部品。 2、前記ケースの表面は鏡面となっていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30843486A JPS63164245A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30843486A JPS63164245A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63164245A true JPS63164245A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=17980998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30843486A Pending JPS63164245A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63164245A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01125836A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP0608051A2 (en) * | 1993-01-13 | 1994-07-27 | Fuji Electric Co. Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
KR100344225B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-07-24 | 주식회사 케이이씨 | 전력 반도체 모듈의 수분침투 방지장치 |
JP2012238750A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Denso Corp | モールドパッケージ |
JP2018032739A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | フィルムコンデンサ |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30843486A patent/JPS63164245A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01125836A (ja) * | 1987-09-30 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP0608051A2 (en) * | 1993-01-13 | 1994-07-27 | Fuji Electric Co. Ltd. | Resin-sealed semiconductor device |
EP0608051A3 (en) * | 1993-01-13 | 1994-09-21 | Fuji Electric Co Ltd | Resin-sealed semiconductor device. |
US5606200A (en) * | 1993-01-13 | 1997-02-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Resin sealed semiconductor device with improved structural integrity |
KR100344225B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-07-24 | 주식회사 케이이씨 | 전력 반도체 모듈의 수분침투 방지장치 |
JP2012238750A (ja) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Denso Corp | モールドパッケージ |
JP2018032739A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | フィルムコンデンサ |
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