JPS63160245A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS63160245A JPS63160245A JP31547986A JP31547986A JPS63160245A JP S63160245 A JPS63160245 A JP S63160245A JP 31547986 A JP31547986 A JP 31547986A JP 31547986 A JP31547986 A JP 31547986A JP S63160245 A JPS63160245 A JP S63160245A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にポリシリコンとＲメタル
また／／ｉＲメタルシリサイドの２層構造の配線とその
製造方法に関するものである。
また／／ｉＲメタルシリサイドの２層構造の配線とその
製造方法に関するものである。
〔従来のＭＬ？Ｆｒ）
第８図は、例えばモリブデンシリサイドを用いたＭＯ８
ＥＰＩ！：Ｔのゲート部の断面図を示す。従来のものは
、次のような方法で作られる。シリコン基板山上に分離
酸化暎＋２１ ′ｆ：Ｌ ＯＯＯ８法によって形成する
。その後、前記分離酸化＃ １２１上に写真製版による
バターニングで第一電極１３）全形成する。次に、熱酸
化を施し、シリコン酸化膜＋４１ｉ形成する。次に、ポ
リシリコン１６）を上記シリコン酸化膜１４）上に形成
し、このポリシリコン１６）上にスパッタ法によりモリ
ブデンシリサイド（６１を形成する。この構造がいわゆ
るポリシリサイド構造である。このポリシリサイド膜に
適当なパターニングを施した後、層間絶縁膜（７１を堆
積する。
ＥＰＩ！：Ｔのゲート部の断面図を示す。従来のものは
、次のような方法で作られる。シリコン基板山上に分離
酸化暎＋２１ ′ｆ：Ｌ ＯＯＯ８法によって形成する
。その後、前記分離酸化＃ １２１上に写真製版による
バターニングで第一電極１３）全形成する。次に、熱酸
化を施し、シリコン酸化膜＋４１ｉ形成する。次に、ポ
リシリコン１６）を上記シリコン酸化膜１４）上に形成
し、このポリシリコン１６）上にスパッタ法によりモリ
ブデンシリサイド（６１を形成する。この構造がいわゆ
るポリシリサイド構造である。このポリシリサイド膜に
適当なパターニングを施した後、層間絶縁膜（７１を堆
積する。
従来のＲメタルシリサイド？用いたＭＯ８ＦＦＪＴのゲ
ートは上記のように形成され、層間絶縁膜（７）を熱処
理して形成させる際、酸素が上記モリブデンシリサイド
（６）の段差部において生じているモリブデンシリサイ
ド不整合面１１０）から浸入し上記モリブデンシリサイ
ド１６１と反応して酸化膜を形成し、配線抵抗が上昇し
たりあるいに、断線が発生しゃすい・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のよりなＲメタルシリサイドを用いたＭＯＥＩＦＥ
Ｔのゲートでは、断差部において、モリブデンシリサイ
ドの不整合面が存在し、層間絶縁膜を形成させるときＶ
Ｃ１酸素が上記そりブデンシリサイドの不整合面から浸
入し、上記モリブデンシリサイドと反応し、配線抵抗が
異常に高くなったり、あるいに、断線を起こすなどの問
題があった。
ートは上記のように形成され、層間絶縁膜（７）を熱処
理して形成させる際、酸素が上記モリブデンシリサイド
（６）の段差部において生じているモリブデンシリサイ
ド不整合面１１０）から浸入し上記モリブデンシリサイ
ド１６１と反応して酸化膜を形成し、配線抵抗が上昇し
たりあるいに、断線が発生しゃすい・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のよりなＲメタルシリサイドを用いたＭＯＥＩＦＥ
Ｔのゲートでは、断差部において、モリブデンシリサイ
ドの不整合面が存在し、層間絶縁膜を形成させるときＶ
Ｃ１酸素が上記そりブデンシリサイドの不整合面から浸
入し、上記モリブデンシリサイドと反応し、配線抵抗が
異常に高くなったり、あるいに、断線を起こすなどの問
題があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、配線抵抗の低い半導体装置を得ることを目的
とする。
たもので、配線抵抗の低い半導体装置を得ることを目的
とする。
甘な、配線抵抗の低い半導体装置を簡単な工程で容易に
形成することを目的とする。
形成することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、Ｒメタルまた［Ｒメタル
シリサイドの段差部に窒化膜が形成されている。
シリサイドの段差部に窒化膜が形成されている。
この発明に係る半導体装置の製造方法け、Ｒメタルまた
は、Ｒメタルシリサイド上に窒化膜を形成させた後、異
方性エツチングにより上記Ｒメタル筐九＃−１Ｒメタル
シリサイドの段差部にのみ窒化膜が形成したことである
。
は、Ｒメタルシリサイド上に窒化膜を形成させた後、異
方性エツチングにより上記Ｒメタル筐九＃−１Ｒメタル
シリサイドの段差部にのみ窒化膜が形成したことである
。
この発明においてに、モリブデンシリサイド膜の断差部
ヲ窒化膜でおおうことは、モリブデンシリサイド断差部
の不整合面における酸素の浸入を阻止すると々で、段差
部でのモリブデンシリサイドの酸化を防ぐように作用す
る。
ヲ窒化膜でおおうことは、モリブデンシリサイド断差部
の不整合面における酸素の浸入を阻止すると々で、段差
部でのモリブデンシリサイドの酸化を防ぐように作用す
る。
以下、この発明の一実施例全図に従って説明する。第１
図は、この発明の一実施例による半導体装置の断面構造
を示し、シリコン基板田土に分離酸化膜１２１ケ形成し
た後、第１電極（３）ケ形成し、亡の陵シリコン酸化暎
ｆ４１．次に、モリブデンシリサイド１６）を堆積させ
、さらに、異方性エツチングで形成した窒化膜（８）の
上にＩｍ間絶縁嘆（７）を形成させた状態である。第２
図は、その製造フローに従った断面構造の変化を示す。
図は、この発明の一実施例による半導体装置の断面構造
を示し、シリコン基板田土に分離酸化膜１２１ケ形成し
た後、第１電極（３）ケ形成し、亡の陵シリコン酸化暎
ｆ４１．次に、モリブデンシリサイド１６）を堆積させ
、さらに、異方性エツチングで形成した窒化膜（８）の
上にＩｍ間絶縁嘆（７）を形成させた状態である。第２
図は、その製造フローに従った断面構造の変化を示す。
第２図１０１は、シリコン基板Ｉｌ＋及び分離酸化膜１
２；上に形成した第１電極（３）の上に酸化膜１４１を
形成し、ポリシリコン＋５１ ｋ形成した後、スパッタ
法によりモリブデンシリサイド（６）全形成した状態で
ある。この後、減圧ＣｖＤによる窒化膜（８）を形成さ
せたものが第２図１０１である。次に、異方性エツチン
グによって、上記窒化膜（８）の全面エッチを行ない、
第２図１０１のように断差部にのみ窒化膜（９）を代こ
す。
２；上に形成した第１電極（３）の上に酸化膜１４１を
形成し、ポリシリコン＋５１ ｋ形成した後、スパッタ
法によりモリブデンシリサイド（６）全形成した状態で
ある。この後、減圧ＣｖＤによる窒化膜（８）を形成さ
せたものが第２図１０１である。次に、異方性エツチン
グによって、上記窒化膜（８）の全面エッチを行ない、
第２図１０１のように断差部にのみ窒化膜（９）を代こ
す。
この上から熱処理によって層間絶縁膜（７１を形成する
と、第１図に示した（構造を得ることができる。
と、第１図に示した（構造を得ることができる。
上記実施例に示した第１図の構造から、この実施例にお
いては、モリブデンシリサイドの断差部に窒化膜（９）
を形成しており、熱処理によって層間絶縁膜１７）を形
成する際、そりプデンシリサイドの不整合面（ｌＯ）に
酸素が浸入するのを阻（Ｈし、モリブデンシリサイドの
断差部の酸化による配線抵抗の上昇や断線を抑・制する
ことができるＯ なお、上記￥施−ｊでは、モリブデンシリサイドの場合
についてこの発明を過用したが、他のＲメタル及びＲメ
タルシリサイドでもこの発明を晒用することができる。
いては、モリブデンシリサイドの断差部に窒化膜（９）
を形成しており、熱処理によって層間絶縁膜１７）を形
成する際、そりプデンシリサイドの不整合面（ｌＯ）に
酸素が浸入するのを阻（Ｈし、モリブデンシリサイドの
断差部の酸化による配線抵抗の上昇や断線を抑・制する
ことができるＯ なお、上記￥施−ｊでは、モリブデンシリサイドの場合
についてこの発明を過用したが、他のＲメタル及びＲメ
タルシリサイドでもこの発明を晒用することができる。
この場合にも上述の効Ｊ４Ｌ ｆ得ることができる。
以上のように、この発明によれば、ＲメタルまたはＲメ
タルシリサイド断差部に窒化膜を形成することにより、
Ｒメタルまた［Ｒメタルシリサイド不整合面への酸素の
浸入を防ぎ、配線砥杭の上昇、あるい汀、断保を抑制し
之半導体装置が得られる効果がある。
タルシリサイド断差部に窒化膜を形成することにより、
Ｒメタルまた［Ｒメタルシリサイド不整合面への酸素の
浸入を防ぎ、配線砥杭の上昇、あるい汀、断保を抑制し
之半導体装置が得られる効果がある。
管た、この発明の製造方法では、ＲメタルまたはＲメタ
ルシリサイドの段差部における窒化膜は、上記Ｒメタル
またはＲメタルシリサイド上に窒化膜全形成し、次Ｋ、
異方性エツチングを行なって形成したので、容易にこの
発明の半導体装置の構造を得ることができる。
ルシリサイドの段差部における窒化膜は、上記Ｒメタル
またはＲメタルシリサイド上に窒化膜全形成し、次Ｋ、
異方性エツチングを行なって形成したので、容易にこの
発明の半導体装置の構造を得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置の断面
図、第２図は、その製造工程に従った断面図、第３図は
従来の半導体装置を示す断面図である。 ｉｌ＋シリコン基板、１２１分離酸化幌、（３）第１電
極１４１シリコン酸化’漢、＋５１ポリシリコン、６１
モリブデンシリサイド、（７）層間絶縁膜、ｆ８１窒化
膜、（９１窒化膜、 ＋Ｉ０１モリブデンシリサイド不
整合不整冷面、各図中同一符号は同一または相当部分を
示す。
図、第２図は、その製造工程に従った断面図、第３図は
従来の半導体装置を示す断面図である。 ｉｌ＋シリコン基板、１２１分離酸化幌、（３）第１電
極１４１シリコン酸化’漢、＋５１ポリシリコン、６１
モリブデンシリサイド、（７）層間絶縁膜、ｆ８１窒化
膜、（９１窒化膜、 ＋Ｉ０１モリブデンシリサイド不
整合不整冷面、各図中同一符号は同一または相当部分を
示す。
Claims (4)
- （１）ポリシリコンとこのポリシリコン上に形成したＲ
メタルまたはＲメタルシリサイドから成る配線層の段差
部において、ＲメタルまたはＲメタルシリサイド上に窒
化膜を形成したことを特徴とする半導体装置。 - （２）ＲメタルまたはＲメタルシリサイドの各Ｒメタル
がモリブデン、タングステンまたはタンタルから成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 - （３）ポリシリコンとＲメタルまたはＲメタルシリサイ
ドを有する配線が、トランジスタのゲートに直接接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の半導体装置。 - （４）次のＡ〜Ｃの工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 Ａ、ＲメタルまたはＲメタルシリサイド上に窒化膜を形
成する工程。 Ｂ、上記窒化膜を異方性エッチングにより上記Ｒメタル
またはＲメタルシリサイドの断差部にのみ残こす工程。 Ｃ、上記窒化膜上に熱処理によつて層間絶縁膜を形成す
る工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31547986A JPS63160245A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31547986A JPS63160245A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160245A true JPS63160245A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=18065854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31547986A Pending JPS63160245A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160245A (ja) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31547986A patent/JPS63160245A/ja active Pending
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