JPS63158501A - 光デイスク基板の製造方法 - Google Patents

光デイスク基板の製造方法

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JPS63158501A
JPS63158501A JP61305446A JP30544686A JPS63158501A JP S63158501 A JPS63158501 A JP S63158501A JP 61305446 A JP61305446 A JP 61305446A JP 30544686 A JP30544686 A JP 30544686A JP S63158501 A JPS63158501 A JP S63158501A
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liquid resin
resin
radiation
manufacturing
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Kazunari Sakai
一成 酒井
Yoshio Yokogawa
横川 義雄
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はrイスクメモリー等として用すられる元ディス
ク基板の製造方法に関し、更に詳しくはスタンパ−等の
複製型に刻印され穴部巻状あるいは同心円状の案内溝を
忠実に転写し、かつ、透明性基板と放射線硬化性樹脂層
の密着性に優れ、しかも放射線硬化性樹脂層の上に金属
系記録層を形成した後に耐熱試験を行なっても記録層に
版の発生の無い光ディスク用基板の製造方法に一関する
ものである。
〔従来技術の問題点〕
一般にデジタルオーディオディスク又はビデオディスク
用の情報記録担体はディスク表面に光情報を多数の微細
な信号ピットとして刻設したものである。
また、元情報の記録・再生、あるいは消去可能なディス
クメモリー用の情報記録担体は、通常、光情報そのもの
をディスク表面にビットとして刻設されたものではない
が、光学ヘッドを高精細にトラッキングさせるための案
内溝(プレグループンが光ディスク表面に刻設されてい
る。
これら精細な信号ピットや案内溝が刻設された元情報記
録担体tl−量産する方法としては、従来、先ず信号ピ
ット又は案内溝の設けられた転写用母型を作成し、次に
、これを金型として、グラスチックス全射出成形又は圧
縮成形する方法が用いられている。
しかしながら、射出成形法又は圧縮成形法では成形機が
大型である上、転写精度が低いという欠点を有していた
これらの点を改善する九め信号ピットを放射線硬化性樹
脂層に形成する転写方法がポリダラム株式会社やフィリ
ップス株式会社で研究され、その内容は特開昭51−1
40601(ポリダラム)、特開昭53−116105
(フィリップス)、特開昭54〜130902(フィリ
ップス)、%開昭54−138406(フィリップス)
、%開昭55−4793(フィリップス〕等に開示され
ている。
この方法は原盤ま念はスタンパ−(電鋳法にニジ原盤か
ら転写されてでき念金属成形型)などの転写用母型の表
面に液状の放射線硬化性樹脂N7iを薄く設け、この樹
脂層の上に無色透明なプラスチック基板を載せて、樹脂
層を挟持し文状態で放射Isを照射して樹脂NfIを硬
化させる。次に信号ピットが転写されている硬化樹脂層
と、これと一体に接合したプラスチック基板を転写用母
型から剥離して情報記録担体全製造していた(以下レプ
リカ取りという)。
しかしながら、放射線硬化性樹脂とグラスチック基板と
は一般に密着が悪い。
特に、プラスチック基板として、使用温度範囲が広く吸
湿によるそシが発生しにくい等の元情報記録担体として
好ましい性質を有する熱硬化性樹脂基板を採用する場合
、放射線硬化性樹脂層との密着性が悪い。又、蒸着te
はスパッタリング等の手段で放射線硬化樹脂層の上に金
属系記録層(例えば光凪気記録層)1−設けた後に耐熱
試験を行なうと、原因は不明であるが記録層に微細な皺
が発生し易い。発生した皺は記録再生を行なう時の雑音
成分に寄与し、信号対雑音比(SNあるいはCN比)を
著しく低下させる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので高湿、高温
環境中において長期間使用しても渦巻状あるいは同心円
状の案内溝が形成された放射線硬化樹脂層と透明性基板
との密着性が維持され、長寿命化を図ることができると
共に、放射線硬化樹脂層の上に金属記録層を設けた後に
耐熱試験を行なっても記録層に微細な皺が発生せず、従
って高い信号対雑音比が維持される元ディスク基板の製
造方法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、上記目的を達成すぺく、種々の製造方法
で光ディスク基板を製造し、その特性を検討した結果、
放射線硬化の後に加熱重合を行なうことにより透明性基
板との密着性に優れ、放射線硬化樹脂層の上に金属記録
層を設けた後に耐熱試験を行なっても記録層に微細な皺
が発生しないという事実を見出し、本発明を完成した。
即ち、上記問題点を解決するため本発明は表面に渦巻状
あるいは同心円状の案内溝が刻印された元ディスク用基
板の製造方法において、放射線の作用によシ硬化可能な
末端にアクリル基およびまたはメタクリル基を有する液
状樹脂を複製金型と透明性基板の間に注入する工程、透
明性基板側から放射線を照射することにより硬化させる
工程、複製金型から成形品を引きはがす工程、得られた
成形品を加熱によす熱重合させる工程よりなる。
〔作用〕
本発明に使用する放射線の作用によシ硬化可能な末端に
アクリル基かよGまたはメタアクリル基を有する液状樹
脂としては、エポキシ樹脂のアクリル酸お工び/または
メタクリル酸エステル、ポリエステル樹脂のアクリル酸
および/またはメタクリル酸エステル、ポリエーテル樹
脂のアクリル酸および/またはメタクリル酸エステル、
ポリブタジェン樹脂のアクリル酸および/またはメタク
リル酸エステル、分子末端にアクリル基および/ま九は
メタクリル基を有するポリウレタン樹脂が含まれる。
これらの放射線の作用により硬化可能な末端にアクリル
基および/またはメタクリル基を有する反応性オリゴマ
ー及びポリマーは粘度が高い為必要に応じアクリル基お
工び/またはメタクリル基含有する放射線に対する反応
性モノマーで希釈して用いられる。反応性モノマーとし
ては、例えば、エチル(メタ)アクリレート、ヒドロキ
シエチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)ア
クリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチ
ルヘキシル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)ア
クリレート、フェニルセロソルブ(メタ)アクリレート
、n−ビニルピロリPン、インボルニル(メタ)アクリ
レート、ジシクロペンタジェンオキシエチル(メタコア
クリレート等の単官能性モノマー、ジエチレングリコー
ルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
メタアクリレート、1.6−ヘキサンシオールジメタア
クリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレ−
)、2.2−ビス(4−メタアクリロイルオキシポリエ
チレンオキシフェニル)プロノ!ン、2.2−ビス(4
−メタアクリロイルオキシポリプロピレンオキシフェニ
ル)foパン、等の2官能性モノマー、トリメチロール
プロパントリメタアクリレート、トリメチa−ルエタン
トリ(メタンアクリレート等o3官能aモノマー、ペン
タエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等の4官
能性モノマー等が挙げられる。かかる反応性オリゴマー
及びポリマーとして低分子量のものを用い、かつ反応性
モノマーとして多官能性のものを用いた放射線硬化樹脂
においては、透明樹脂基板、特にエポキシビニルエステ
ル樹脂、エポキシ樹脂、不飽和、71Jエステル樹脂か
らなる透明基板との密着性は著しく劣り実用に供しない
一方、密着性の高い放射線硬化樹脂は反応性オリゴマー
及びポリマーとして高分子量のものと反応性モノマーと
して単官能性のもの全主体としたものである。この放射
線硬化樹脂はエポキシビニルエステル樹脂、エポキシ樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂からなる透明基板との密着
性にすぐれている。しかしながら、この放射線硬化樹脂
は紫外線等の通常の照射によシ硬化するものの、 At
等の金Me蒸着した後耐熱試験を行なうと微細な皺が発
生する。
この欠点は紫外線等により硬化させた後、100℃以上
200″C以下の温度範囲において密着性の高いこの放
射線硬化樹脂を加熱重合させることにより除くことがで
きる。さらにペンゾイルノ!−オキサイド、ターシャル
ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート等の有機
過酸化物を加えることにより加熱重合の工程時間を短縮
できる。さらに、コバルト錯体、アミン等の硬化促進剤
の添加も有効である。
なおこの放射線硬化樹脂には、透明基材との密着性、及
び耐熱性を損なわない範囲において、液状樹脂の脱泡剤
、スタンパ−との濡れをよくする界面活性剤、硬化収縮
を小さくする為の非反応性熱可塑性樹脂の添加を行なっ
てよいのはもちろんである。
本発明に使用する透明基板としては、エポキシビニルエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂基板が挙げられる。
またポリメチルメタクリレート樹脂等の熱可塑性樹脂基
材は本発明の加熱処理において基材の変形奮起こさない
範囲で有効である。さらにガラス基板においては、加熱
による変形は無いが割れやすい欠点があるが用途におい
て限定すれば使用可能である。即ち、本発明の光ディス
ク基板の製造方法を適用する透明基板としては熱硬化性
樹脂基板が好ましい。
次に、本発明の光ディスク基板の製造方法を添付図面を
参照しながら説明する。
第1図は本発明の光ディスク基板の製造方法の一例を示
す説明図である。
本発明の光ディスク基板を得るには、先ず、転写用型2
を用意し、この型2の光情報記録面に前記放射線硬化性
液状樹脂層3t−5例えば、湿式塗布法によって設ける
次に、この放射線硬化性液状樹脂層3の上に、例えば、
透明性基板4を設置する〔第1図a〕。
このようにして、放射線硬化液状樹脂層3を基板4と転
写用型2の間に挟持した状態で、透明性基板4全通して
電子線、r線、X線、紫外線等の放射線5を照射し、放
射線硬化液状樹脂層3を硬化せしめる(第1図b)。
次に、渦巻状あるいは同心円状の案内溝が転写されてい
る放射線硬化樹脂層3を、基板4と共に転写用型2から
離型せしめる(第1図C)。
最後に、得られた案内溝付き基板を加熱によシ熱重合さ
せる。力り熱処理温度には特に限定はないが、100℃
以上200℃以下の温度範囲で行なうことが望ましい。
加熱処理温度が100℃以下であれば、充分な熱重合を
完了するためには長時間ヲ要し、生産性が劣る。加熱処
理温度が200℃以上であれば、熱重合を完了する為の
時M」は短時間である為生産性には優れるものの、放射
lfM硬化性樹脂漕及び透明基板の着色が著しい。
当該加熱処理を行なわない場合には、放射線硬化樹脂層
の上に金属系記録層を設けた後に耐熱試験を行なうと記
録層に微細な皺が発生し実用に供しない。
〔実施例〕
以下、本発明の元ディスク基板の製造方法を実施例に沼
って説明する。
〔実施例1〜8〕 表面に渦巻き状の案内溝を有した厚さ0.3 mmのニ
ッケルスタンパ−上に表1に示した放射線硬化性液状樹
脂を滴下し、表1に示した各種の透明基板により放射線
硬化性液状樹脂を押し広ける。放射線硬化性液状樹脂層
の厚みが50ミクロンに達し之後、ニッケルスタンパ!
−と透明基板を固定する。この状態で透明基板を通して
80 W/cm高圧水銀ランプを15秒間照射した。次
に放射線硬化樹脂層トニッケルスタンパーとの界面から
脱型し、得られた案内溝付き透明基板を表1に示した温
度で表1に示した時間加熱処理し、光ディスク基板を作
表した。放射線硬化樹脂層と各at透明基板との密着性
を、基盤目テープ剥離テストで調べた。
また、得られた元ディスク基板上にマグネトロンスパッ
ター法により以下の条件で光情報記録面及び保護層を成
膜し念。
Tb−Fe−Co糸光磁気記録層成膜条件膜   厚 
     1000X 成膜方法      高周波マグネトロンスパッタ法チ
ャンバー内真空度  5xlOTorr導入Ar圧  
 5 X 10  Torr高周波電力   250W ターゲット組成    Tb2iFa66Co5(at
% )S13N4系保題層成膜条件 膜   厚      1000X 成膜方法      高周波マダネトロンスパッタ法チ
ャンバー内真空度  5X10  Torr高周波電力
   600W ターゲット組成   S 1 s N4以上の条件で光
ディスク基板上に形成された光a気記録層と保麟層を内
側にして同じ材質の基板を接着剤にてはりあわせた後1
元磁気ディスクとした。本光磁気ディスクを用いて、8
5℃100時間、100℃100時間の耐熱試験を実施
し、シワ発生の有無を調べた。また5時間ごとの加熱試
験によりシワの発生する温度を調べ表1に示した。
(注) *1(樹脂1)重量平均分子量5,000の2官能性ウ
レタンアクリレ−)3011S、$オペンチルグリコー
ルジアクリレート10 部、ヒドロキシエチルアクリレート 30部、N−ビニルピロリドン30 部 *2(樹脂2)樹脂1100部にベンゾイルパーオキサ
イド1部を加えたもの *3   5時間放置してもシワの発生の起こらなかつ
友上限の温度 *4   25個の基板口による七づ一プの剥離試験 25 剥離なし O全部剥離 〔比較例1〜5〕 表2に示した放射線硬化樹脂、透明基板により実施例1
〜8と同様の成型工程を行ない、加熱処理の工程のみを
省略し光ディスク基板とし念。その後、実施例1〜8と
同じ光磁気記録層、保護層全成膜し同じ材質の基板にて
はりあわせた後、実施例1〜8と同じ耐熱試験及び装態
性試験を行ないシワの発生の有無と接着性を調べ念。表
2に比較例1〜5の試験結果を示す。
実施例1〜8は放射線硬化樹脂鳥と透明基板の密着は良
好であり、85℃100hr、100℃100hrの耐
熱試験を行なってもシワの発生は起こりていない。
実施例4では熱処理温度が低いために120℃以上の温
度に加熱することはできない。実施例3の様に有機過酸
化物を含む樹脂2を用いることにより低い熱処理温度、
短かい熱処理時間にエフシワの発生を効果的に抑制する
ことが可能である。
実施例5は基板に多少の着色が見られるが、光の波長7
80 nm〜830 nmの領域において光線透過率は
加熱前とtlぼ同じであシ、実用上問題とはならない。
実施例8は基板が’PMMAであり、高い温度での熱処
理ができないために耐熱性は劣っているが、実施例8は
通常の環境においては問題のない耐熱性を示している。
比較例1〜5Fi熱処理全行なっていないために70℃
5時間以上の耐熱試験によりシワの発生が起こり、記録
媒体として使用不可能であった。
実施例3により得られた光ディスク基板を用いて作製し
た光嶽気ディスクの特性を測定した所1800 rpm
のディスク回転数、l MHzの信号を6mWのレーザ
光量で書き込み、1 mWの再生光量信号を再生し、バ
ンド巾30 kHzの条件でスペクトラムアナライザー
によりCN比を測定し、56dBの値を得た。
85℃100 hrの耐熱試験後もCN比の劣化は見ら
れなかったが、100℃100 hrの耐熱試験におい
ては約3 dBのCN比劣化が見られたが実用上は問題
がない。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかな通り1本発明の製造方法は、放
射線硬・化樹脂鳥と透明基板の密着性に優れ、複製金型
に刻印された案内溝が忠実に転写され、しかも、放射線
硬化樹脂壜の上に金属合金と窒化物等の積層した記録層
を設けた後に耐熱試験によυ立証された如く、高温下に
おいても記録層にシワが発生せず、高いcp比(信号対
雑音比)が維持される極めて優れた光ディスク基鈑の製
造方法を提供するものであり、その産業上の利用性は極
めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図a、b、cは本発明方法を説明する図であり、図
中、2はスタンパ−13は放射線硬化性樹脂、4は透明
性基板、5は放射線を夫々示す。 代理人 弁理士 高 橋 勝 刹 第 1 図 手続補正書(自発) 昭和62年9月IO日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 特願昭61−305446号 2、発明の名称 光ディスク基板の製造方法 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 〒174東京都板橋区坂下三丁目35番58号(288
)大日本インキ化学工業株式会社代表者用村茂邦 4、代理人 〒103東京都中央区日本橋三丁目7番20号大日本イ
ンキ化学工業株式会社内 56補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄並
びに図面 6、補正の内容 1)別紙全文訂正明細書の通り。 2)別紙訂正図面通シ。 7、添付書類の目録 1)全文訂正明細′4I      1通2)訂正図面
         1通 全文訂正明細書 10発明の名称 光ディスク基板の製造方法 2、特許請求の範囲 (1)表面に渦巻状あるいは同心円状の案内溝が性基板
の間に注入する工程、透明性基板側から放射線を照射す
ることにょシ硬化させる工程、複製金型から成形品を引
きはがす工程、得られた成形方法において、放射線及び
熱にょシ硬化可能な液たけメタクリル基を有する液状樹
脂と有機過酸化用基板の製造方法。 (2)  透明性基板が、エポキシビニルエステル樹脂
基板であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
載の光ディスク基板の製造方法。 (3ン  透明性基板が、エポキシ樹脂基板であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光ディスク
基板の製造方法。 (4)透明性基板が不飽和ポリエステル樹脂基板である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディス
ク基板の製造方法。 (5)熱重合を100℃以上160℃以下の温度範囲に
おいておこなうことを特徴とする請求の範囲第1項記載
の光ディスク基板の製造方法。 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はディスクメモリー等として用いられる光ディス
ク基板の製造方法に関し、更に詳しくはスタンパ−等の
複製型に刻印された渦巻状あるいは同心円状の案内溝を
忠実に転写し,かつ、透明性基板と液状樹脂混合物層の
密着性に優れ,しかも液状樹脂混合物の硬化物層の上に
金属系記録層を形成した後に耐熱試験を行なっても記録
層に皺の発生の無い光ディスク用基板の製造方法に関す
るものである。 〔従来技術の問題点〕 一般にデジタルオーディオディスク又はビデオディスク
用の情報記録担体はディスク表面に光情報を多数の微細
を信号ピットとして刻設したものである。 また、光情報の記録・再生,あるいは消去可能なf”イ
スクメモリー用の情報記録担体は、通常、光情報そのも
のをディスク表面にビットとして刻設されたものではな
いが,光学ヘッドを高精細にトラッキングさせるための
案内溝(プレグループ〕が光ディスク表面に刻設されて
いる。 これら精細な信号ピットや案内溝が刻設され九九情報記
録担体を量産する方法としては,従来。 先ず信号ピット又は案内溝の設けられた転写用母屋を作
成し、次に、これを金型として、プラスチックスを射出
成形又は圧縮成形する方法が用いられている。 しかしながら、射出成形法又は圧縮成形法では成形機が
大型である上、転写精度が低いという欠点を有していた
。 これらの点を改善する九め信号ピットを放射線硬化性樹
脂層に形成する転写方法がポリダラム株式会社や2イリ
ッグス株式会社で研究され、その内容は特開昭51−1
40601(Jリフラム)、特開昭53−116105
(フィリップス)、特開昭54−130902(2イリ
ツプス)、特開昭54−138406(フィリップス)
、%開昭55ー4793(フィリップス)等に開示され
ている。 この方法は原盤またはスタンパ−(電鋳法によシ原盤か
ら転写されてできた金属成形型)などの転写用母型の表
面に液状の放射線硬化性樹脂層を薄く設け、この樹脂層
の上に無色透明なグラスチック基板を載せて、樹脂層を
挾持した状態で放射線を照射して樹脂層を硬化させる.
次に信号ピットが転写されている硬化樹脂層と,これと
一体に接合したグラスチック基板を転写用母型から剥離
して情報記録担体を製造していた。 しかしながら、放射線硬化性樹脂とプラスチック基板と
は一般に密着が悪い。 特に、グラスチック基板として、使用温度範囲が広く吸
湿によるそシが発生しにくい等の光情報記録担体として
好ましい性質を有する熱硬化性樹脂基板を採用する場合
、放射線硬化性樹脂層との密着性が悪い。 密着性を完全なものとする為、放射線硬化樹脂を柔軟な
構造にする手段が有る。しかしながら。 放射線硬化樹脂を柔軟な構造にした場合特に、蒸着また
はスパッタリング等の手段で放射線硬化樹脂層の上に金
属系記録層、例えば光磁気記録層を設けた後に、耐熱試
験を行なうと、原因は不明であるが記録層に微細な皺が
発生し易い1発生した皺は記録再生を行なう時の雑音成
分に寄与し、信号対雑音比(SNあるいはCN比)を著
しく低下させる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので高湿、高温
環境中において長期間使用しても渦巻状あるいは同心円
状の案内溝が形成された液状樹脂混合物の硬化物層と透
明性基板との密着性が維持され、長寿命化を図ることが
できると共に、液状樹脂混合物の硬化物層の上に金属記
録ノーを設けた後に耐熱試験を行なっても記録層に微細
な皺が発生せず、従って高い信号対雑音比が維持される
光ディスク基板の製造方法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、上記目的を達成すべく1種々の製造方法
で光ディスク基板を製造し、その特性を検討した結果、
特定の液状樹脂混合物を放射線硬化させた後に加熱重合
を行なうことによシ透明性基板との密着性に優れ、硬化
した液状樹脂層の上に金属記録層を設けた後に耐熱試験
を行なっても記録層に微細な皺が発生しないという事実
を見出し1本発明を完成した。 即ち、上記問題点を解決するため本発明は、表面に渦巻
状あるいは同心円状の案内溝が刻印された光ディスク用
基板を、放射線及び熱によシ硬化可能な液状樹脂混合物
を複製金型と透明性基板の間に注入する工程、透明性基
板側から放射線を照射することによシ硬化させる工程、
複製金型から成形品を引きはがす工程、得られた成形品
を加熱によシ熱重合させる工程によシ製造する方法にお
いて、放射線及び熱によシ硬化可能な液状樹脂混合物と
して、末端にアクリル基およびまたはメタクリル基を有
する液状樹脂と有機過酸化物の混合物を用いることを特
徴とする光ディスク用基板の製造方法よシなる。 本発明に使用する放射線及び熱の作用によシ硬化可能な
末端にアクリル基および/またはメタアクリル基を有す
る液状樹脂としては、エポキシ樹脂のアクリル酸および
/またはメタクリル酸エステル、ポリエステル樹脂のア
クリル酸および/またはメタクリル酸エステル、Iリエ
ーテル樹脂のアクリル酸および/iたはメタクリル酸エ
ステル、ポリブタツエン樹脂のアクリル酸および/また
はメタクリル酸エステル、分子末端にアクリル基および
/またはメタクリル基を有するポリウレタン樹脂が含ま
れる。 これらの放射線及び熱の作用によシ硬化可能な末端にア
クリル基および/lたはメタクリル基金有する反応性オ
リがマー及びポリマーは粘度が高い為必要に応じアクリ
ル基および/またはメタクリル基を有する放射線及び熱
に対する反応性上ツマ−で希釈して用すられる0反応性
モノマートシては、例えば、エチル(メタ)アクリレー
ト、ヒドロキシエチル(メタコアクリレート、n−ブチ
ル(メタコアクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレー
ト、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレ−)、フェニ
ル(メタ)アクリレート、クエニルセロソルプ(メタ)
アクリレート、n−ビニルピロリドン、インボルニル(
メタ)アクリレート。 ジシクロペンタツエンオキシエチル(メタ)アクリレー
ト等の単官能性モノマー、ジエチレングリコールジ〔メ
タコアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)
アクリレート、1.6−ヘキサンシオールノ(メタ)ア
クリレート、ポリエチレングリコールソ(メタ)アクリ
レ−)、2.2−ビス(4−(メタ)アクリロイルオキ
シポリエチレンオキシフェニル)プロパン%2,2−ビ
ス(4−(メタ)アクリロイルオキシポリグロピレンオ
キシフェニル)グロノアミン、等の2官能性モノマー、
トリメチロールグロノ々ントリ(メタ)アクリレート、
トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート等の3
官能性七ツマ−、ペンタエリスリトールテトラ(メタン
アクリレート等の4官能性モノマー等が挙げられる。 かかる反応性オリゴマー及び反応性ポリマーと反応性モ
ノマーを適切に組み合わせることによシ放射線及び熱に
よシ硬化可能な液状樹脂層の柔軟性を任意に調整するこ
とができる。放射線及び熱によシ硬化可能な液状樹脂層
を柔軟な構造にすると透明性基板との完全な密着性が得
られる。 しかし、かかる柔軟な構造を有する液状樹脂を放射線の
みによシ硬化させた場合、硬化した液状樹脂層の上に蒸
着またはスバ、タリング等の手段で金属系記録層を設け
た後に耐熱試験を行なうと、記録層に微細な皺が発生す
る。 液状樹脂を放射線によシ硬化させた後、成形品を複製金
型から引きはがし、得られた成形品を加熱処理する方法
が特開60−113345に開示されているが、上記皺
の発生の解決には致らない。 すなわち、放射線及び熱の作用により硬化可能な末端に
アクリル基および/lたはメタアクリル基を有する液状
樹脂に有機過酸化物を混合したものを用いることにより
て始めて上記皺の問題を解決することが可能となる。 本発明に使用する有機過酸化物としてはメチルエチルケ
トン/?−オキサイド、ンクロヘキサノンノ臂−オキサ
イド、3,3.5−トリメチル/クロヘキサノソノ母−
オキサイド、メチルンクロヘキサノンノ9−オキサイド
、アセチルアセトンツヤ−オキサイドなどのケトソノ4
−オキサイド類、1.1−ビス(t−ブチルパ−オキシ
)3,3゜5−トリメチルフクロヘキサン、1,1−ビ
ス(t−ブチル/4’−オキシ)シクロヘキサン、n−
ブチル4,4−ビス(t−プチルノ9−オキシ)ノ々レ
レート、2,2−ビス(t−プチルノ9−オキ7)ブタ
ンなどのパーオキシケタール類、 t−プチルノ1イドロノや一オキサイド、クメンノ・イ
ドロバ−オキサイド、ジ−インゾロピルベンゼンハイド
ロパーオキサイド、p−メンタンノーイドコノ9−オキ
サイド、2,5−ジメチルヘキサン2゜5−シバイドロ
バ−オキサイド、1,1.3.3−テトラメチルブチル
ハイドロパーオキサイドなどのハイドロノ母−オキサイ
 ド類、 ジーL−ブチルノ4−オキサイド、t−ブチルクミルパ
ーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、α、α′−ビ
ス(1−プチルパーオキシイングロビル)ベンゼン、2
,5−ジメチル−2,5−ジ(1−ブチルパーオキシ)
ヘキサン、2.5−ジメチル−2,5−ジ(1−プチル
ノI−オキシ)ヘキシン−3などのジアルキルパーオキ
サイド類、アセチル/4’−オキサイド、インブチリル
パーオキサイド、オクタノイルノ9−オキサイド、デカ
ノイルノや一オキサイド、ラウロイルノぐ−オキサイド
、3.5.5−)リメチルヘキサノイルパーオキサイド
、4)ゾイルパーオキサイド、2,4−ジクロロペンソ
イルノ!−オキサイド、m−トルオイルノや一オキサイ
ドなどのノアシルバーオキサイド類、ジイソプロピルノ
臂−オキシジカル?ネート、ジー2−エチルヘキシルノ
譬−オキシジカルゲネート、ジーn−プロピルノ臂−オ
キシシカルビネート、ジー2−エトキシエチルパーオキ
シジカル?ネート、ジメトキシイソゾロピルパーオキシ
ジカルゴネート、ジ(3−メチlL/−3メトキシブチ
ル)・9−オキシジカル?ネート、アセチルシクロヘキ
シルスルホニルパーオキサイドなどのパーオキシジカル
ゴネート類。 t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキ
シイソブチレート、t−ブチルパーオキシピバレート、
t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、t−
ブチルパーオキシラウレート、t−fチルパーオキシベ
ンゾニー)、2.5−ジメチル−2,5−ジ(ベンゾイ
ルパーオキシ)ヘキサンなどのパーオキシエステル類、
α、α′−7ゾピスイソプテロニトリルなどのアゾビス
化合物類、 などである。 また、コバルト錯体アミン等の硬化促進剤を有構過酸化
物に併用すると熱重合時間を大幅に短縮することができ
る。 さらに1本発明の液状樹脂混合物に光重合開始剤、脱泡
剤、スタンパ−との濡れをよくする界面活性剤、硬化収
縮を小さくするための非反応性熱可塑性樹脂の添加を行
なってもよいのはもちろんである。 本発明に使用する透明基板としては、エポキシビニルエ
ステル樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂基板が挙げられる。 またポリメチルメタクリレート樹脂等の熱可塑性樹脂基
材は本発明の加熱処理において基材の変形を起こさない
範囲で有効である。即ち、本発明の光ディスク基板の製
造方法を適用する透明基板としては熱硬化性樹脂基板が
好ましい。 次に1本発明の光ディスク基板の製造方法を添付図面を
参照しながら説明する。 第1図は本発明の光fイスク基板の製造方法の一例を示
す説明図である・ 本発明の光ディスク基板を得るには、先ず、転写用型2
を用意し、この型2の光情報記録面に前記液状樹脂混合
物層3を、例えば、湿式塗布法によって設ける。 次に、この液状樹脂混合物層3の上に1例えば。 透明性基板4を設置する(第1図a)。 このようにして、液状樹脂混合物/#3を基板4と転写
用型2の間に挾持した状態で、透明性基板4を通して電
子線、r線、X線、紫外線等の放射線5を照射し、液状
樹脂混合物層3を硬化せしめる(第1図b)。 次に、渦巻状あるいは同心円状の案内溝が転写されてい
る液状樹脂混合物の硬化物層3を、基板4と共に転写用
型2から離型せしめる(第五図c)。 最後に、得られた案内溝付き基板を加熱により熱重合さ
せる。加熱処理温度には特に限定はないが、100℃以
上160℃以下の温度範囲で行なうことが望ましい、加
熱処理温度が100℃以下であれば、充分な熱重合を完
了するためには長時間を要し、生産性が劣る。加熱処理
温度が160℃以上であれば、熱重合を完了する為の時
間は短時間である為生産性には優れるものの、液状樹脂
混合物の硬化物層及び透明基板の着色が著しい。 当該加熱処理を行なわない場合には、液状樹脂混合物の
硬化物層の上に金属系記録層を設けた後に耐熱試験を行
なうと記録層に微細表皺が発生し実用に供しない。 〔実施例〕 以下1本発明の光ディスク基板の製造方法を実施例に沿
って説明する。 〔実施例1〜7〕 表面に渦巻き状の案内溝を有した厚さ0.3mのニッケ
ルスタンパ−上に表1に示した液状樹脂混合物を滴下し
1表1に示した各種の透明基板によシ液状樹脂混合物層
を押し広げる。液状樹脂混合物層の厚みが50ミクロン
に達した後、ニッケルスタンパ−と透明基板を固定する
。この状態で透明基板を通して80 W/cm高圧水銀
ラングを15秒間照射した0次に液状樹脂混合物の硬化
物層とニッケルスタンパ−との界面から脱型し、得られ
た案内溝付き透明基板を表1に示した温度で表1に示し
た時間加熱処理し、光ディスク基板を炸裂した。液状樹
脂混合物層と各種透明基板との密着性を、基盤目チーブ
剥離テストで調べた結果及び加熱処理による基板の着色
の桟度を表1に示す。 また、得られ九九ディスク基板上にマグネトロンスパッ
ター法によシ以下の条件で光磁気記録層及び保護層を成
膜した。 Tb−F・−Co系光磁気記録層成膜条件膜   厚 
     1000X 成膜方法      高周波マグネトロンスパッタ法チ
ャンバー内真空度  5XlOTorr導入Ar圧  
  5 X 10””Torr高周波電力   250
W ター1’yト組成    Tb2.−Fe68−Co5
(at%)S 1 sN 4系保穫層成膜条件 膜   厚      1000X 成膜方法     高周波マグネトロンスパッタ法チャ
ンバー内真空度  5XIOTorr高周波電力   
600W ターゲット組成    513N4 以上の条件で光ディスク基板上に形成された光磁気記録
層と保護層を内側にして同じ材質の基板を接着剤にては
シあわせた後、光磁気ディスクとした6本光黴気ディス
クを用いて、85℃100時間、100℃100時間の
耐熱試験を実施し。 シワ発生の有無を調べた。また5時間の加熱試験により
シワの発生する温度を調べ表1に示した。 (注) −1(樹脂1)重量平均分子量5,000の2官能性ウ
レタンアクリレ一ト30部、ネオペンチルグリコールジ
アクリレート10部、ヒドロキシエチルアクリレ−)3
0部、N−ビニルピロリド9ン30部、パーブチルO(
日本油脂株式会社製)1部、イルガキュア651(チバ
ガイギー社製)2部 −2(樹脂2)重量平均分子i3,000の2官能性ウ
レタンアクリレ一ト30部、ジプロピレングリコールジ
アクリレー)30部、ヒドロキシエチルアクリレート1
0部、N−ビニルピロリド0730部、パーブチル01
部、イルガキュア6512部 傘55時間放置してもシワの発生の起こらなかった上限
の温度 −425個の基板口によるセロハンテーゾの剥離試験 25 剥離なし 0 全部剥離 〔比較例1〜7〕 表2に示した液状樹脂混合物、透明基板により実施例1
〜7と同様の成型工程を行ない、光rイスク基板を作成
した。ただし比較例3,7においては加熱処理の行程を
省略した。接着性試験及び基板の着色の評価を行なった
後、実施例1〜7と同じ光磁気記録層、保護層を成膜し
、同じ材質の基板を貼り合わせた後、実施例1〜7と同
じ耐熱試験を行ない、皺の発生の有無を調べた。表2に
その結果を示す。 7フ (注) 傘5樹脂3 樹脂1よりパーブチルOのみを除いたもの 傘6樹脂4 重量平均分子量1,000の2官能性ウレ
タンアクリレ一ト30部、ネオペンチルグリコールジア
クリレートSO部、ヒドロキシエチルアクリレート10
部、イルガキュア6512部 実施例1〜6は、液状樹脂混合物層と透明基板の密着は
良好であり、また85℃、100時間、100℃、10
0時間の耐熱試験を行なっても皺は発生しない、実施例
4では充分な耐熱性を得る為に長時間の熱処理を要した
が問題のない程度である。実施例5は、基板に多少の着
色が見られるが、780 nm〜830 nmの波長領
域において光線透過率は熱処理前とほぼ同じであり実用
上問題とならない。実施例7け基板がポリメチルメタク
リレートであシ、高い温度での熱処理ができない為耐熱
性が多少劣るが、通常の環境においては問題のない耐熱
性を示している。 比較例1,2は液状樹脂混合物中に有機過酸化物を含ま
ない為、熱処理を行なっても耐熱試験によシ皺が発生す
る。比較例3.4は、それぞれ熱処理を行なっていない
為及び熱処理温度が低すぎる為、耐熱試験によシ皺が発
生する。比較例5は熱処理温度が高すぎる為基板の着色
が著しく実用に供さない。比較例6は基板が熱処理によ
り変形してしまった。比較例7は液状樹脂混合物として
、低分子量のウレタンアクリレート及び多官能性モノマ
ーを主体に採用した為、加熱処理を行なわなくても高い
耐熱性を示すが、基板との接着性が悪く実用に供しない
。 実施例3により得られた光ディスク基板を用いて炸裂し
た光磁気ディスクの特性を測定した所1800 rpm
のディスク回転数、I MHzの信号を6 mWのレー
ザ光量で書き込み、1 mWの再生光量信号を再生し、
バンド巾30 kHzの条件でスペクトラムアナライザ
ーによりCN比を測定し、56dBの値を得た。 85℃100 hrの耐熱試験後もCN比の劣化は見ら
れなかったが、100℃100 hrの耐熱試験におい
ては約3 dBのCN比劣化が見られたが実用上は問題
がない。 〔発明の効果〕 以上の説明から明らかな通り、本発明の製造方法は、液
状樹脂混合物の硬化物層と透明基板の密着性に優れ、複
製金型に刻印された案内溝が忠実に転写され、しかも、
液状樹脂混合物の硬化物層の上に金属合金と窒化物等の
積層した記録層を設けた後の耐熱試4験により立証され
た如く、高温下においても記録層にシワが発生せず、高
いCN比(信号対雑音比)が維持される極めて優れた元
ディスク基板の製造方法を提供するものであり、その産
業上の利用性は極めて犬である。 4、図面の簡単な説明 第1図a、b、cは本発明方法を説明する図であり、図
中、2はスタンパ−13は液状樹脂混合物、4は透明性
基板、5は放射線を夫々示す。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面に渦巻状あるいは同心円状の案内溝が刻印さ
    れた光ディスク用基板の製造方法において放射線の作用
    により硬化可能な末端にアクリル基およびまたはメタク
    リル基を有する液状樹脂を複製金型と透明性基板の間に
    注入する工程、透明性基板側から放射線を照射すること
    により硬化させる工程、複製金型から成形品を引きはが
    す工程、得られた成形品を加熱により熱重合させる工程
    よりなることを特徴とする光ディスク用基板の製造方法
  2. (2)透明性基板が、エポキシビニルエステル樹脂基板
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    光ディスク基板の製造方法。
  3. (3)透明性基板が、エポキシ樹脂基板であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の光ディスク基板
    の製造方法。
  4. (4)透明性基板が不飽和ポリエステル樹脂基板である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディス
    ク基板の製造方法。
  5. (5)熱重合を100℃以上200℃以下の温度範囲に
    おいておこなうことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の光ディスク基板の製造方法。
  6. (6)紫外線の作用により硬化可能なアクリル基または
    メタクリル基を有する液状樹脂内に有機過酸化物を含有
    させることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
    ディスク基板の製造方法。
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