JPH0419839A - 記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、特に光学的記録及び／又は再生に用いられる
光記録媒体の製造方法に関するものである。

【発明の背景】

レーザー光により情報信号を再生若しくは記録する光デ
ィスクには、ビデオディスク、コンパクトディスク等の
再生専用ディスク、追記可能な追記型光ディスク、記録
、再生可能な光ディスク若しくは光磁気ディスク等があ
る。 このようなディスクは、基板材料として、例えばポリカ
ーボネートのようなプラス千ツク材料が使用される場合
、応力及びそれによる変形が大きく、ディスク内部に拡
散した水分及び酸素が記録層を酸化する恐れが有り、ピ
ットエラーの原因となり、長期保存性が大きく低下する
。 この為、光ディスクの開発においては、如何にして記録
層を空気中の水分と酸素から保護するかが問題であり、
実用化が迫っている光磁気ディスクにおいては多くの研
究が行われている。 例えば、光磁気記録媒体の記録層には、■垂直磁化し易
い、■大きなるＲ気光学効果を示すと言った特長を有す
ることから、希土類・遷移金属（例えばＴｂＦｅＣｏ）
の薄膜が用いられている。 しかしながら、この希土類・遷移金属の薄膜は、非常に
酸化（腐食）され易いという欠点を持っており、この為
耐久性、長朋信軌性に大きな問題が残されている。 そこで、記録層上に、保護層として数百人厚の誘電体１
！ｉ！（ＳｉＮやＡｊ２Ｎ等）あるいは前記誘電体膜と
Ａｆ膜（反射層も兼ねる）を真空成膜する方法が提案さ
れたが、記録層と保護層との熱膨張率の差に起因する応
力の問題や、製造時の塵埃の問題により、前記誘電体膜
、前記Ａｌ膜にクラックやピンホールの発生は避けられ
ない。こノ為、高温、高湿の雰囲気下では記録層の腐食
が進行する。 それ故、前記誘電体膜あるいは前記Ａｌ膜上に、さらに
数μｍ以上の厚さのアクリレート系、ウレタンアクリレ
ート系、エポキシ系の有機保護膜（オーバーコート膜）
を形成し、貼り合わせて用いる方法が提案されている。 尚、媒体の簡素化から、又、磁界変調方式などの理由か
ら、このような貼り合わせ方式ではなく、単板方式であ
ることが好ましい。 ところで、前記有機保護膜の成膜方法は、放射線硬化法
、中でも装置の簡便さから光重合開始剤を含んだ樹脂材
料をスピンコード法により塗布し、紫外線照射により硬
化させる方法が好ましいと考えられる。 すなわち、オーバーコート１１ｇは、ペンヅフエノン、
アセトフェノン等の光重合開始剤を含んだアクリレート
系のモノマー、オリゴマーを１０〜２０μｍ厚塗布し、
紫外線を照射して硬化させているのであるが、このよう
にして構成されたオーバーコート膜は、極性基同士の凝
集力と三次元のネットワーク構造により、通常、高いガ
スバリヤ−性を示しているものの、高湿下におかれた場
合は、極性基に水蒸気が吸着し、膜のネットワーク構造
が押し広げられ、バリヤー性が劣化、いわゆる水蒸気可
塑を起こしてしまう。 実際、ＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮ上に、上記のよう
なオーバーコート膜を構成し、８０°Ｃ１８５％ＲＨと
いった高温高湿の雰囲気下に放置し７、耐久性試験を行
ったところ、数十時間で記録層の腐食が認められ、記録
層の保磁力が低下している。

【発明の開示】

本発明の目的は、高温高湿の雰囲気下に放置されていて
も、記録層に腐食が起きにくい記録媒体を提供すること
である。 この記録媒体は、光重合開始剤を含む紫外線硬化型樹脂
材料を記録層上に設けた後、紫外線照射を行う工程と、
電子線照射を行う工程とを具備することを特徴とする記
録媒体の製造方法により得られる。 そして、このようにして製造された記録媒体は、保護層
の架橋度が高くなり、その結果、水蒸気や酸素分子が拡
散しにくい構造になっているものと考えられ、上記本発
明の目的が達成される。 尚、光重合開始剤としては、例えばヘンシフエノン、ア
セトフェノン、ベンヅインメチルエーテル、ベンヅイン
エチルエーテル、２．２−ジェトキシアセトフェノン、
４°−フェノキシ−２，２ジクロロアセトフエノン、２
−ヒドロキシ−２メチルプロピオフエノン、４°　−イ
ソプロピル２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノ
ン、１−ヒドロキンシクロへキシルフェニルケトン、ヘ
ンシルジメチルケトン、２−エチルアントラキノン、２
−クロルアントラキノン、２−クロルチオキサントン、
２．４−ジエチルチオキサントン等があり、又、紫外線
硬化型樹脂材料としては、例えばウレタンアクリレート
、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート等
のプレポリマーとアクリル酸エステル〔トリメチロール
プロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンポ
リエトキシトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リアクリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリ
レート等）の混合物等が用いられる。 すなわち、本発明者は、光重合開始剤を含んだアクリレ
ート系のモノマー、オリゴマーに紫外線を照射して硬化
を行わせ、その後その上から透過性の高い電子線を照射
して、膜中の残留二重結合の量を低下させることにより
、膜の架橋度を高め、更に結合の再編より水茎気バリヤ
ー性を向上させることを試みたところ、このものは極め
て良好な水蒸気バリヤー性を示したことから、この技術
思想を光記録媒体のオーバーコート膜として応用すれば
、優秀な記録媒体が得られるであろうとの啓示を得、本
発明が達成されたのである。 つまり、紫外線ｕ、ｑ射によりウレタンアクリレート等
の樹脂の硬化を行わせる場合、一方向より紫外線を照射
して硬化を行う為、構造の不均一化が生じ、例えば膜厚
が数μｍ以内の場合は、紫外線が保護膜と膜コート面ま
で比較的減衰することなく到達するから、均一に硬化す
るものの、記録媒体の保護膜として用いられる場合には
、膜厚が１０μｍ以上のものとなり、このような厚い場
合には、紫外線を多量に照射しても、水蒸気バリヤー特
性に関しては総照射量に対しある一定値で飽和してしま
う。特に、保！！１１１／記録層界面に近い部分付近に
反応性の二重結合が残留しており、事実、ＦＴ−Ｉ　Ｒ
により調べると、１０％程度の反応性二重結合が膜中に
残留していることが確認されている。 そして、この残留二重結合の存在は、バリヤー性を劣化
させ、記録層を直接腐食させる原因になる。 この解決策として、多量の高エネルギーの紫外線照射を
行うことが考えられたのであるが、この方法では熱発生
を伴い、プラスチック基板の反り、膜の剥離といった悪
影響をもたらす。 又、透過性の高い電子線により硬化を行う方法も考えた
のであるが、重合と共にモノマーの分解、ポリカーボネ
ート基板の黄変といった副反応を伴う。 そこで、さらに検討を押し進めて行った結果、紫外線に
より膜の硬化を十分に行った後、適量の電子線を照射す
ることにより、オーバーコート膜の記録層側の残留二重
結合の量をさらに減少させ、これにより膜の水蒸気バリ
ヤー性を向上させ、記録層の腐食を防ぎ、耐久性が向上
することが判ったのである。 尚、紫外線照射後の電子線の照射量としては、約０．５
〜１０Ｍｒａｄ、望ましくは１〜３Ｍｒａｄ、さらに望
ましくは１〜２Ｍｒａｄの範囲である。

【実施例】

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る記録媒体の製造
方法の１実施例を示す工程図である。 まず、第１図（ａ）に示す如く、例えばポリカーボネー
ト基板１上に記録層２を形成する。 この後、第１図（ｂ）に示す如く、記録層２上に光磁気
ディスク用市販オーバーコート剤（大日本インキ化学工
業■製５Ｄ３０１）をスピンコード法により１０μｍｆ
ｆ塗布して、保護層３を形成する。 そして、第１図（ｃ）に示す如く、約３００〜１５００
ｍＪ／ｃｍ”程度の紫外線を照射し、その・後筒１Ｅ（
ｄ）に示す如く、０．５〜３Ｍｒａｄ程度の電子線を照
射し、光記録媒体を得た。

【特性】 上記のようにして得た光記録媒体及び比較の為に電子線
を照射していない、紫外線照射のみの光記録媒体につい
て、保護層３の水蒸気透過度を調べたので、その結果を
第２図及び第３図に示す。 尚、第２図及び第３図における保護層３の水蒸気ｉ３過
度は、Ｌｙｓｓｙ水蒸気透過度テスターＬ８０−４００
０により３０°Ｃ２相対湿度９０％ＲＨで測定したもの
であり、又、保護層３の残留二重結合量は、ＦＴ−Ｉ　
Ｒ（ＡＴＲ法）により１４００ｃｒｒｒ’付近のＨ，Ｃ
−ＣのＣ−Ｈの面内はさみ変角振動より定量したもので
ある。 これによれば、第２図に示す如く、紫外線照射量が増加
するに伴い水蒸気ｉ３過量が減少するが、約１２００〜
１５００ｍＪ／ｃｍ！程度の照射量で水蒸気透過に対す
るバリアー特性は飽和し、これ以上紫外線を照射しても
バリアー特性の大幅な向上は認められない。 又、紫外線照射量が増加するにイ１′い残留二重結合量
も減少するが、約１２００＝１５００ｍＪ／ｃｍｉ程度
の照射量で残留二重結合量も１０％程度まで減少して飽
和してしまう。すなわち、二重結合が１０％程度残って
しまうのである。 そこで、１５０ｋＶの電子線を紫外線照射後に照射し、
保護層３の硬化が促進せしめられた結果が第３図に示さ
れている訳であるが、０．５Ｍｒａｄ程度の照射量で水
蒸気透過度は減少し始め、特に１〜２Ｍｒ　ａ　ｄの照
射量で水蒸気ｉ３過度は大幅に減少していることが判る
。 尚、１〜２Ｍｒａｄの照射量で残留二重結合量は３〜４
％程度であった。 これより、光重合開始剤を含む紫外線硬化型樹脂材料を
記録層上に設けた後、紫外線照射を行い、電子線照射を
行うことにより、水蒸気や酸素といった気体分子が拡散
しにくい緻密な膜構造を有する保護層が形成され、記録
層の腐食が防がれ、高耐久性の光磁気ディスクが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る記録媒体の製造方
法の１実施例を示す工程図であり、第２図は紫外線照射
量による水蒸気透過度及び残留二重結合量の変化を示す
グラフ、第３図は１２００ｍｊ／ｃＪの紫外線を照射後
、０．７〜３Ｍｒａｄ（１５０ｋｖ）の電子線を照射し
た時の水蒸気透過度を示すグラフである。 １・・・ポリカーボネート基板、２・・・記録層、３・
・・保護層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光重合開始剤を含む紫外線硬化型樹脂材料を記録層上に
   設けた後、紫外線照射を行う工程と、電子線照射を行う
   工程とを具備することを特徴とする記録媒体の製造方法
   。