JPS63157451A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents
Lead frame for semiconductor deviceInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置用リードフレームに係り、特に、
キャビティを樹脂成形する際のボイドの発生及びリード
フレームのメッキ部表面上への樹脂被膜の形成を防止す
るリードフレームの構造に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, and in particular,
The present invention relates to a structure of a lead frame that prevents the generation of voids when molding a cavity with resin and the formation of a resin film on the surface of a plated portion of the lead frame.
（従来の技術）
従来、この分野の技術としては、以下に示されるような
ものがあった。(Prior Art) Conventionally, there have been the following technologies in this field.
以下、その構成を図を用いて説明する。The configuration will be explained below using figures.
第７図は従来の半導体装置用リードフレームを示す斜視
図、第８図は第１図の■−■断面図、第９図は従来の樹
脂成形された半導体装置用リードフレームの斜視図、第
１Ｏ図は第９図のＸ−ＸｖＡ断面図である。FIG. 7 is a perspective view showing a conventional lead frame for semiconductor devices, FIG. 8 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. Figure 1O is a sectional view taken along line X-XvA in Figure 9.
これらの図において、１はリードフレームのアイランド
、２はアイランドサポート、３はリードフレームのイン
ナーリード、４は樹脂である。In these figures, 1 is an island of the lead frame, 2 is an island support, 3 is an inner lead of the lead frame, and 4 is a resin.
従来の半導体装置用リードフレームは、第７図に示され
るように、アイランド１、アイランドサポート２及びイ
ンナーリード３の周辺部は切り立った形状をしている。In a conventional lead frame for a semiconductor device, as shown in FIG. 7, the peripheral portions of the island 1, the island support 2, and the inner lead 3 have a steep shape.
なお、この点については、例えば、特開昭６０−７７４
７号に示されている。Regarding this point, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-774
It is shown in No. 7.
そこで、このようなリードフレームを用いてキャビティ
は、第９図及び第１０図に示されるように、樹脂４によ
って成形される。Therefore, using such a lead frame, a cavity is molded with resin 4, as shown in FIGS. 9 and 10.
その後、半導体素子を銀ペーストによってアイランドに
固着し、しかる後に半導体素子１３１ｍ部とリードフレ
ームのインナーリード先端部を金属細線によって接続し
、蓋を接着剤によって接着することによって、パフケー
ジを製造するようにしていた。After that, the semiconductor element is fixed to the island with silver paste, and then the semiconductor element 131m part and the inner lead end of the lead frame are connected with a thin metal wire, and the lid is bonded with adhesive to manufacture a puff cage. was.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の半導体装置用リードフレーム構造
ではキャビティ成形時に金型内部のガスを効率よく逃が
すことができないため、ボイドが発生する。即ち、アイ
ランド１とアイランドサポート２及びインナーリード部
は金型によって挾持されているので、第１１図及び第１
２図に示されるように、樹脂はアイランド１とアイラン
ドサポート ２の接続箇所には流れ難く、気泡６が発
生し、アイランド１の周辺は切り立った直方体であるた
め、発生した気泡６は逃げ難く、ボイド発生となる。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-mentioned lead frame structure for a semiconductor device, voids occur because the gas inside the mold cannot be efficiently released during cavity molding. That is, since the island 1, the island support 2, and the inner lead part are sandwiched between the molds, FIGS.
As shown in Figure 2, it is difficult for the resin to flow to the connection point between the island 1 and the island support 2, and air bubbles 6 are generated.Since the periphery of the island 1 is a steep rectangular parallelepiped, the generated air bubbles 6 are difficult to escape. A void is generated.
そして、パッケージ内にボイドが発生すると、バフケー
ジに応力が加わった場合、ボイド発生部に応力が集中し
てしまい、クランクが発生する。すると、このクランク
により金線が傷つけられてしまい、断線、短絡等が発生
する。If a void occurs in the package and stress is applied to the buff cage, the stress will be concentrated at the portion where the void occurs, causing a crank. Then, the gold wire is damaged by this crank, resulting in disconnection, short circuit, etc.
更に、樹脂は、第１２図に示されるように、発生した気
泡６の上を越えてアイランド１上に流れ、リードフレー
ムのメッキ部表面上に樹脂被膜が形成されるため、金属
細線の接合部の接合強度のバラツキが大きくなり、例え
ば、温度サイクル試験（−６５℃×３０分〜１５０℃×
３０分）で接合部から剥離するといった問題があった。Furthermore, as shown in FIG. 12, the resin flows over the generated air bubbles 6 and onto the island 1, and a resin film is formed on the surface of the plated part of the lead frame. For example, temperature cycle test (-65℃ x 30 minutes to 150℃ x
There was a problem in that it peeled off from the joint after 30 minutes).
本発明は、以°上述べたボイドの発生とリードフレーム
のメッキ部表面上に樹脂被膜が形成されるという問題点
を除去し、ボイドの発生とリードフレームのメッキ部表
面上への樹脂被膜の形成を防止し、信頼性の優れた半導
体装置用リードフレームを提供することを目的とする。The present invention eliminates the above-mentioned problems of the generation of voids and the formation of a resin film on the surface of the plated part of the lead frame, and eliminates the problem of the generation of voids and the formation of a resin film on the surface of the plated part of the lead frame. It is an object of the present invention to provide a lead frame for a semiconductor device that prevents the formation of oxidation and has excellent reliability.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、半導体装置用
リードフレームのアイランド、そのアイランドサポート
及びインナーリードの各周辺の厚さをそれらの中央部に
比較して薄くなるように構成したものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention compares the thickness of each periphery of an island, its island support, and inner lead of a lead frame for a semiconductor device with their central part. It is designed to be thin.
（作用）
本発明によれば、半導体装置用リードフレームのアイラ
ンド、そのアイランドサポート及びインナーリードの各
周辺の厚さをそれらの中心部に比較して薄く、例えば、
メサ型或いは両面テーパー状にしたので、それらの周辺
部と金型間の空間に封止樹脂が入り込み難くなり、リー
ドフレームの挟持面への樹脂被膜の形成を阻止すること
ができる。また、気泡は傾斜した周辺部を移動し、ガス
抜きから抜けるため、良好な樹脂成形を行うことができ
る。(Function) According to the present invention, the thickness of each periphery of the island, its island support, and inner lead of a lead frame for a semiconductor device is thinner than the center thereof, for example,
Since the lead frame has a mesa shape or a tapered shape on both sides, it is difficult for the sealing resin to enter the space between the peripheral portion and the mold, and it is possible to prevent the formation of a resin film on the clamping surface of the lead frame. In addition, since the bubbles move along the inclined peripheral portion and escape through gas venting, good resin molding can be performed.
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置用リードフ
レームの斜視図、第２図は第１図の■−■線断面図であ
る。FIG. 1 is a perspective view of a lead frame for a semiconductor device showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG.
図中、１１は半導体装置用リードフレームのアイランド
、１２はそのアイランドサポート、１３はインナーリー
ドである。In the figure, 11 is an island of a lead frame for a semiconductor device, 12 is an island support thereof, and 13 is an inner lead.
この実施例においては、半導体装置用リードフレームの
アイランド１１、アイランドサポート１２及びインナー
リード１３の周辺をメサ形に形成する。In this embodiment, the periphery of an island 11, an island support 12, and an inner lead 13 of a lead frame for a semiconductor device is formed into a mesa shape.
このように形成するためには、第３図に示されるように
、リードフレーム材１４の主表面のみをマスク１５によ
りマスクしてリードフレーム材１４の主表面からのみエ
ツチングすればよい。In order to form it in this manner, as shown in FIG. 3, it is sufficient to mask only the main surface of the lead frame material 14 with a mask 15 and etch only from the main surface of the lead frame material 14.
このように構成すると、第４図に示されるように、樹脂
はアイランド１１とアイランドサポート１２の接続箇所
においても円滑に流れ、ボイドの発生を低減することが
できる。With this configuration, as shown in FIG. 4, the resin flows smoothly even at the connection point between the island 11 and the island support 12, and the occurrence of voids can be reduced.
更に、ボイドが発生するような場合を考慮して、第５図
に示されるようにメサ形のアイランド２１の周辺から内
側に向かって発生した気泡２５が移動するための、樹脂
は通らない微小の気泡移動溝２３を連通し、中央部のガ
ス抜き口２４より気泡２５を外部に排出するように構成
することができる。なお、図中、２２はアイランドサポ
ートを、２６は樹脂の流れを示している。Furthermore, in consideration of the possibility that voids may occur, a microscopic structure that does not allow the resin to pass through is used to allow air bubbles 25 generated from the periphery of the mesa-shaped island 21 to move inward, as shown in FIG. It can be constructed so that the bubble movement grooves 23 are communicated with each other and the bubbles 25 are discharged to the outside from the gas vent 24 in the center. In addition, in the figure, 22 indicates an island support, and 26 indicates a flow of resin.
また、金型で挾持されたリードフレームにおいて、挟持
面に樹脂の被膜が形成されないようにするためには、基
本的には、
（１）挟持面に隙間が発生しないように金型を強く圧縮
する。In addition, in order to prevent a resin film from forming on the sandwiched surfaces of a lead frame that is sandwiched between molds, basically: (1) strongly compress the mold to prevent gaps from forming on the sandwiched surfaces; do.
（２）挟持面近傍のリードフレーム端面に負荷される樹
脂注入圧を小さくする。(2) Reduce the resin injection pressure applied to the end face of the lead frame near the clamping surface.
（３）金型内の樹脂温度を低下させ、溶融樹脂の流動性
を下げる。(3) Lower the resin temperature in the mold and lower the fluidity of the molten resin.
の方法が考えられる。Possible methods are:
つまり、リードフレーム挟持面近傍に達した樹脂の流動
を鈍化又は阻止する工夫が必要である。In other words, it is necessary to take measures to slow down or prevent the flow of the resin that has reached the vicinity of the lead frame clamping surface.
この点に関して、本発明の場合は、成形機の一定の型締
力により、リードフレームを圧縮挾持した時、リードフ
レームのアイランド及びインナーリード部周辺が中央部
に比較して薄くなるようにエツチングされているので、
金型で圧縮挾持している投影面積が減少し、それに反比
例してリードフレーム単位面積当たりの挟持圧は増大し
、上記（１）を満足することができる。Regarding this point, in the case of the present invention, when the lead frame is compressed and clamped by a constant mold clamping force of the molding machine, the periphery of the island and inner lead portion of the lead frame is etched so that it is thinner than the central portion. Because
The projected area compressed and clamped by the mold decreases, and the clamping pressure per unit area of the lead frame increases in inverse proportion to this, making it possible to satisfy the above (1).
次に、圧縮挟持後、金型内に射出注入を行うが、キャビ
ティ内に注入してきた樹脂溶融材料は、挾持しているリ
ードフレーム周辺部分に達してくる。Next, after compression and clamping, injection injection is performed into the mold, and the molten resin material injected into the cavity reaches the peripheral portion of the lead frame being clamped.
材料の流動性は樹脂温度と、注入圧に略比例して大きく
なるが、キャビティが充填完了する前の樹脂圧は小さい
ので、流動性は小さい。更に、第６図に示されるように
、下金型３１と上金型３２によるリードフレーム３０の
挟持面周辺の傾斜によって形成される溝３３は薄いので
、その溝の入口で樹脂圧は減圧され流動性が低下する。The fluidity of the material increases approximately in proportion to the resin temperature and the injection pressure, but since the resin pressure is low before the cavity is completely filled, the fluidity is low. Furthermore, as shown in FIG. 6, since the groove 33 formed by the slope around the sandwiching surface of the lead frame 30 between the lower mold 31 and the upper mold 32 is thin, the resin pressure is reduced at the entrance of the groove. Liquidity decreases.
因に、この溝の深さｈに対する流動性はｈ’（ｎ＞１）
以上で表されることから考えても薄い溝により流動性が
著しく低下することが判る。流動性の低下により、溶融
樹脂が一定距離進むのに多くの時間を要するが、それに
伴って樹脂の冷却固化までの時間が短縮される。Incidentally, the fluidity with respect to the depth h of this groove is h'(n>1)
Considering the above expression, it can be seen that thin grooves significantly reduce fluidity. Due to the decrease in fluidity, it takes a longer time for the molten resin to travel a certain distance, but the time required for the resin to cool and solidify is shortened accordingly.
また、樹脂の冷却速度は理論上厚さの２乗に反比例する
から渭い溝に入った樹脂の冷却速度は著しく大きい、従
って、薄い溝から挟持面へ浸入する以前に固化してしま
う、そのため、キャビティへ充填完了後キャビティ内に
大きな保持圧が負荷されても薄い溝によって形成される
隙間以上に樹脂が浸入することはない。つまり、上記＜
２） 、 （３）を満足することができる。In addition, since the cooling rate of resin is theoretically inversely proportional to the square of the thickness, the cooling rate of the resin that has entered the thin groove is extremely high, so it will solidify before it enters the clamping surface from the thin groove. Even if a large holding pressure is applied to the cavity after filling the cavity, the resin will not penetrate beyond the gap formed by the thin groove. In other words, the above <
2) and (3) can be satisfied.
上記したように、金型によるリードフレームの挟持時に
、挟持面周辺に薄い溝が形成されることにより、圧縮挾
持圧が高まり、挟持面の隙間を低下させ、かつ、薄い溝
に樹脂を誘導することにより、挟持部周辺への注入圧を
減少させ、そして、冷却速度を促進し、結果として、挟
持部周辺を固化樹脂で封止することになり、挟持面への
摺脂浸人を阻止することになる。As mentioned above, when the lead frame is clamped by the mold, a thin groove is formed around the clamping surface, which increases the compression clamping pressure, reduces the gap between the clamping surfaces, and guides the resin into the thin groove. This reduces the injection pressure around the clamping part, accelerates the cooling rate, and as a result seals the clamping part around the clamping part with solidified resin, preventing the resin from soaking into the clamping surface. It turns out.
これらの点を考慮して、また、半導体装置用リードフレ
ームのアイランド、アイランドサポート及びインナーリ
ードの周辺部の形状は、第１３図に示されるように、リ
ードフレーム４０の周辺を両面ともメサ型に形成し、周
辺部先端を尖らすように形成すると共に、主表面の勾配
を裏面の勾配よりなだらかなものにするようにしてもよ
い。このような形状にするには、第１４図に示されるよ
うに、リードフレーム材４１の主表面にマスク４２、リ
ードフレーム材４１の裏面にマスク４３を設けてマスキ
ングエリアの大きさを裏面より主表面を小さくして両面
よりエツチングすることによって実現できる。Taking these points into consideration, the shapes of the islands, island supports, and peripheral parts of the inner leads of the lead frame for semiconductor devices are such that the peripheral parts of the lead frame 40 are mesa-shaped on both sides, as shown in FIG. The peripheral portion may be formed to have a sharp edge, and the slope of the main surface may be gentler than that of the back surface. To obtain such a shape, as shown in FIG. 14, a mask 42 is provided on the main surface of the lead frame material 41, and a mask 43 is provided on the back surface of the lead frame material 41, so that the size of the masking area is made larger than the back surface. This can be achieved by making the surface smaller and etching it from both sides.
更に、アイランド、アイランドサポート及びインナーリ
ードの周辺部の形状は、プレス加工によって、第１５図
に示されるように、リードフレーム４５は台形になるよ
うにテーパ４６を形成するようにしたり、第１６図に示
されるように、リードフレーム４７は主表面及び裏面か
ら同じ傾斜を有するテーパ４８を形成するようにしても
よい。Furthermore, the shapes of the peripheral parts of the island, island support, and inner leads are changed by press working, such as forming a taper 46 so that the lead frame 45 has a trapezoidal shape as shown in FIG. As shown in , the lead frame 47 may form a taper 48 having the same slope from the main surface and the back surface.
また、第１７図及び第１８図に示されるように、アイラ
ンド５１の周辺及びインナーリード５２の周辺の主表面
をエツチングすることによって段部５４を有する形状に
し、その裏面にはテーパ５５を形成するようにしてもよ
い。このように構成すると、アイランド裏面に発生した
ボイドはテーパ部を回り込み外部に排出することができ
る。また、アイランド主表面にボイドが発生してもアイ
ランド上なので問題はなく、金型との間に形成される溝
は薄いので、封止樹脂が入り難り、金型を押し上げるま
でには至らない。Further, as shown in FIGS. 17 and 18, the main surfaces around the island 51 and around the inner leads 52 are etched to form a shape having a step 54, and a taper 55 is formed on the back surface thereof. You can do it like this. With this configuration, voids generated on the back surface of the island can go around the tapered portion and be discharged to the outside. In addition, even if voids occur on the main surface of the island, there is no problem because it is on the island, and the groove formed between it and the mold is thin, so it is difficult for the sealing resin to enter, and it does not push the mold up. .
また、本発明においては、インナーリード先端部周辺を
薄く形成するが、その薄くする領域は、第９図に示され
るＡ点から外側に数ｍｌの箇所からインナーリード先端
部までである。Further, in the present invention, the area around the tip of the inner lead is made thin, and the area to be made thin is from a location several ml outward from point A shown in FIG. 9 to the tip of the inner lead.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。Note that the present invention is not limited to the above embodiments,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, the following effects can be achieved.
（１）アイランド、アイランドサポート及びインナーリ
ードの各周辺部と金型間の空間に封止樹脂が入り込み難
くなり、リードフレームの挟持面に樹脂被膜が形成され
ることがなくなる。(1) It becomes difficult for the sealing resin to enter the space between the peripheral parts of the island, island support, and inner lead and the mold, and a resin film is not formed on the clamping surface of the lead frame.
（２）気泡は傾斜したリードフレームの周辺部を移動し
、ガス抜きから抜けるため、問題を解消できる。即ち、
パッケージに応力が加わった場合でも、ボイドがないた
め、一部分に応力集中が起こることがな（、応力による
クランク発生はない。従って、ボンディング線の断線、
短絡等が発生しない信頼性の高い半導体装置用リードフ
レームを提供することができる。(2) The problem can be solved because the bubbles move around the periphery of the inclined lead frame and escape through the gas vent. That is,
Even if stress is applied to the package, since there are no voids, stress will not be concentrated in one area (there will be no cranking due to stress. Therefore, there will be no breakage of the bonding wire,
A highly reliable lead frame for a semiconductor device that does not cause short circuits or the like can be provided.
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの斜視
図、第２図は第１図のｎ −ｎ ＆１断面図、第３図は
メサ形周辺部の製造説明図、第４図は本発明のリードフ
レームの樹脂成形時の樹脂の流れを示す拡大斜視図、第
５図は本発明の気泡の流れを示す上面図、第６図は本発
明のリードフレームの樹脂成形状態を示す断面図、第７
図は従来の半導体装置用リードフレームを示す斜視図、
第８図は第７図の■−■断面図、第９図は従来の樹脂成
形された半導体装置用リードフレームの斜視図、第１０
図は第９図のＸ−Ｘ＆！断面図、第１１図は従来のリー
ドフレームの樹脂成形時の上面図、第１２図は従来のリ
ードフレームの樹脂の流れを示す拡大斜視図、第１３図
は本発明の第２実施例を示すリードフレームの断面図、
第１４図は本発明の第２実施例を示すリードフレームの
製法説明図、第１５図は本発明の第３実施例を示すリー
ドフレームの断面図、第１６図は本発明の第４実施例を
示すリードフレームの断面図、第１７図は本発明の第５
実施例を示すリードフレームの斜視図、第１８図は第１
７図のＡ−Ａ線断面図である。
１１、２１．５１・・・アイランド、１２．２２・・・
アイランドサポート、１３．５２・・・インナーリード
、１４．４１・・・リードフレーム材、１５．４２．４
３・・・マスク、２３・・・気泡移動溝、２４・・・ガ
ス抜き口、２５・・・気泡、２６・・・樹脂の流れ、３
０．４０．４５．４７・・・リードフレーム、３１・・
・下金型、３２・・・上金型、３３・・・溝、４６．４
８．５５・・・テーパ、５４・・・段部。[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a perspective view of a lead frame showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view taken along n - n &1 of Fig. 1, and Fig. 3 is a manufacturing of a mesa-shaped peripheral part. Explanatory drawings, FIG. 4 is an enlarged perspective view showing the flow of resin during resin molding of the lead frame of the present invention, FIG. 5 is a top view showing the flow of bubbles of the present invention, and FIG. 6 is the lead frame of the present invention. 7th sectional view showing the state of resin molding of
The figure is a perspective view showing a conventional lead frame for semiconductor devices.
FIG. 8 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 7, FIG. 9 is a perspective view of a conventional resin-molded lead frame for a semiconductor device, and FIG.
The figure is XX&! in Figure 9. 11 is a top view of a conventional lead frame during resin molding, FIG. 12 is an enlarged perspective view showing the flow of resin in a conventional lead frame, and FIG. 13 is a second embodiment of the present invention. Cross-sectional view of lead frame,
Fig. 14 is an explanatory diagram of the manufacturing method of a lead frame showing a second embodiment of the present invention, Fig. 15 is a sectional view of a lead frame showing a third embodiment of the invention, and Fig. 16 is a fourth embodiment of the invention. FIG. 17 is a sectional view of the lead frame showing the fifth embodiment of the present invention.
A perspective view of a lead frame showing an example, FIG.
FIG. 7 is a sectional view taken along line A-A in FIG. 7; 11, 21.51... Island, 12.22...
Island support, 13.52... Inner lead, 14.41... Lead frame material, 15.42.4
3...Mask, 23...Bubble movement groove, 24...Gas vent, 25...Bubble, 26...Resin flow, 3
0.40.45.47...Lead frame, 31...
・Lower mold, 32... Upper mold, 33... Groove, 46.4
8.55...Taper, 54...Stepped portion.
Claims (1)
ードの各周辺の厚さをそれらの中央部に比較して薄く形
成するようにしたことを特徴とする半導体装置用リード
フレーム。1. A lead frame for a semiconductor device, characterized in that the peripheral parts of an island, a support of the island, and an inner lead are formed to be thinner than a central part thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30383086A JPS63157451A (en) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30383086A JPS63157451A (en) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | Lead frame for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157451A true JPS63157451A (en) | 1988-06-30 |
Family
ID=17925821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30383086A Pending JPS63157451A (en) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | Lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157451A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234780A (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Lead frame and resin-sealed semiconductor device |
| JP2009060093A (en) * | 2007-08-06 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | Semiconductor device |
| JP2018152503A (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | エイブリック株式会社 | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30383086A patent/JPS63157451A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234780A (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Lead frame and resin-sealed semiconductor device |
| JP4739989B2 (en) * | 2006-02-28 | 2011-08-03 | 新電元工業株式会社 | Lead frame and resin-encapsulated semiconductor device |
| JP2009060093A (en) * | 2007-08-06 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | Semiconductor device |
| JP2018152503A (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | エイブリック株式会社 | Semiconductor device |
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