JPH0722561A - Semiconductor device lead frame and manufacture of semiconductor device employing lead frame - Google Patents

Semiconductor device lead frame and manufacture of semiconductor device employing lead frame

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JPH0722561A
JPH0722561A JP5163457A JP16345793A JPH0722561A JP H0722561 A JPH0722561 A JP H0722561A JP 5163457 A JP5163457 A JP 5163457A JP 16345793 A JP16345793 A JP 16345793A JP H0722561 A JPH0722561 A JP H0722561A
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JP
Japan
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lead frame
resin
semiconductor device
resin injection
frame
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Application number
JP5163457A
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Japanese (ja)
Inventor
Takekazu Shiotani
剛和 塩谷
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0722561A publication Critical patent/JPH0722561A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate resin flashes produced on the outer edge of the part of an outer frame which touches a resin casting path by a method wherein the width of a chamfer so formed on the outer edge as to have the thickness of its cross-section reduced gradually toward the upstream side of the resin casting direction is larger than the width of the resin casting path. CONSTITUTION:A lead frame 3 to which a semiconductor chip 2 is attached is placed inside a lower mold 10 and, in that state, held between the lower mold 10 and an upper mold 11. At that time, the lead frame 3 is so placed as to have its outer frame 5 fitted to a recess 22 formed along the outer circumference of the cavity 12 of the lower mold 10. A chamfer is so formed on the outer edge 5' of the upstream side of the resin casting direction of the part of the outer frame 5 which touches a resin casting path as to have the thickness of its cross-section reduced gradually toward the upstream side of the resin casting direction. The width of the chamfer is larger than the width of the resin casting path. With this chamfer, cured resin can be removed without being left on the outer edge 5'.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型の半導体
装置に使用されるリードフレームとこれを用いた半導体
装置の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame used for a resin-sealed semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の樹脂封止型半導体装置
は、一般的に、次のようにして製造される。すなわち、
上記樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに半導体
素子を取付け、この半導体素子が取付けられたリードフ
レームを樹脂で封止することによって製造される。上記
樹脂封止型の半導体装置100は、図10に示すよう
に、リードフレーム101のタブ102上に半導体素子
103を載置した状態で、この半導体素子103の各電
極とリード104とを、図示しないワイヤボンディング
によって互いに接続する。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of resin-encapsulated semiconductor device is generally manufactured as follows. That is,
The resin-sealed semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor element on a lead frame and sealing the lead frame on which the semiconductor element is mounted with resin. In the resin-encapsulated semiconductor device 100, as shown in FIG. 10, each electrode of the semiconductor element 103 and the lead 104 are illustrated with the semiconductor element 103 placed on the tab 102 of the lead frame 101. Do not connect to each other by wire bonding.

【0003】そして、この半導体素子103が取付けら
れたリードフレーム101を、図11に示すように、下
モールド金型105と上モールド金型106によって挟
持する。その際、上記リードフレーム101は、その外
枠107を下モールド金型105のキャビティ108外
周に形成された凹所109に嵌合した状態で配置される
が、この凹所109は、リードフレーム101の外枠1
07を挟持したときに、上下のモールド金型105、1
06間に隙間が発生するのを防止するため、及びリード
フレーム101が浮き上がることなく完全に挟持可能と
するため、その深さDがリードフレーム101の厚さT
より浅く設定されている。そのため、上記下モールド金
型105、106の凹所109にリードフレーム101
の外枠107を嵌合した状態で、リードフレーム101
の外枠107の外縁107’が図11に示すように下モ
ールド金型105のパーテイング面から一部分突出する
ようになっている。
Then, the lead frame 101 to which the semiconductor element 103 is attached is sandwiched by a lower mold die 105 and an upper mold die 106, as shown in FIG. At this time, the lead frame 101 is arranged with its outer frame 107 fitted in a recess 109 formed on the outer periphery of the cavity 108 of the lower molding die 105. This recess 109 is formed by the lead frame 101. Outer frame 1
When sandwiching 07, upper and lower mold dies 105, 1
In order to prevent a gap from being generated between the lead frames 101 and to allow the lead frame 101 to be completely sandwiched without being lifted, the depth D is equal to the thickness T of the lead frame 101.
It is set shallower. Therefore, the lead frame 101 is provided in the recess 109 of the lower mold dies 105 and 106.
With the outer frame 107 of the lead frame 101 fitted.
An outer edge 107 ′ of the outer frame 107 is partially projected from the parting surface of the lower molding die 105 as shown in FIG. 11.

【0004】このように、半導体素子103が取付けら
れたリードフレーム101を、上下のモールド金型10
5、106によって挟持した状態で、図10及び図11
に示すように、上モールド金型106にリードフレーム
101の外枠107を越えるように形成されたランナ部
110及びゲート部111を介して、図11に示すよう
に、封止用の樹脂112を上下のモールド金型105、
106間に形成されたキャビティ108内に注入充填す
る。その際、上記キャビティ108内の空気は、上モー
ルド金型106に設けられたエアベンド部113から外
部に除去され、空気抜きが行われる。次に、樹脂112
が硬化した後、上下のモールド金型105、106を開
いて、リードフレーム101と一体化したキャビティ部
108の樹脂112aと共にランナ部110及びゲート
部111の樹脂112b、112cを、モールド金型1
05、106から取り出す。そして、最後に不必要なラ
ンナ部110及びゲート部111に充填硬化された樹脂
112を、図12に示すように、リードフレーム101
の表面から機械的に取り除き、半導体装置100の樹脂
封止部115を形成する。
As described above, the lead frame 101 to which the semiconductor element 103 is attached is attached to the upper and lower molding dies 10.
FIG. 10 and FIG.
As shown in FIG. 11, a resin 112 for encapsulation is provided on the upper molding die 106 through a runner portion 110 and a gate portion 111 formed so as to extend over the outer frame 107 of the lead frame 101, as shown in FIG. Upper and lower mold 105,
It is injected and filled into the cavity 108 formed between 106. At that time, the air in the cavity 108 is removed to the outside from the air bend portion 113 provided in the upper molding die 106, and air is removed. Next, the resin 112
After curing, the upper and lower molding dies 105 and 106 are opened, and the resin 112a of the cavity 108 integrated with the lead frame 101 and the resins 112b and 112c of the runner 110 and the gate 111 are molded together.
It is taken out from 05 and 106. Finally, as shown in FIG. 12, the lead frame 101 is filled with the resin 112 which is filled and cured in the unnecessary runner portion 110 and the gate portion 111.
Then, the resin encapsulation portion 115 of the semiconductor device 100 is formed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
の場合には、次のような問題点を有している。すなわ
ち、上記従来の樹脂封止型半導体装置100は、リード
フレーム101を上下のモールド金型105、106に
よって挟持した状態で樹脂封止が行われるが、上下のモ
ールド金型105、106を開いて樹脂封止されたリー
ドフレーム101を取り出す際、リードフレーム101
と一体化したキャビティ部108の樹脂112aと共
に、モールド金型106のランナ部110やゲート部1
11に相当する部分に不必要な硬化樹脂112b、11
2cが残る。そのため、このモールド金型106のラン
ナ部110やゲート部111に相当する部分に残った硬
化樹脂112b、112cを機械的に除去する必要があ
るが、モールド金型106のランナ部110は、図11
に示すように、リードフレーム101の外枠107を越
えるように形成されているため、モールド金型106の
ランナ部110で硬化する樹脂112bは、リードフレ
ーム101の外枠107の外縁107’に付着した状態
で硬化する。したがって、モールド金型106のランナ
部110等に残った硬化樹脂112bを機械的に除去す
る際に、図12及び図13に示すように、リードフレー
ム外枠107の外縁107’のエッジに硬化した樹脂1
16が引っ掛かり、硬化樹脂116がバリとなって残っ
てしまう。
However, the above-mentioned prior art has the following problems. That is, in the conventional resin-encapsulated semiconductor device 100 described above, resin encapsulation is performed with the lead frame 101 sandwiched between the upper and lower molds 105 and 106, but the upper and lower molds 105 and 106 are opened. When removing the resin-sealed lead frame 101, the lead frame 101
Together with the resin 112a of the cavity portion 108 integrated with the runner portion 110 and the gate portion 1 of the molding die 106.
Unnecessary cured resin 112b, 11 for the portion corresponding to 11
2c remains. Therefore, it is necessary to mechanically remove the cured resins 112b and 112c remaining in the runner portion 110 and the gate portion 111 of the molding die 106, but the runner portion 110 of the molding die 106 is not shown in FIG.
As shown in FIG. 3, since the resin 112b is formed so as to extend over the outer frame 107 of the lead frame 101, the resin 112b that cures at the runner portion 110 of the molding die 106 adheres to the outer edge 107 ′ of the outer frame 107 of the lead frame 101. It cures in the condition. Therefore, when the cured resin 112b remaining on the runner portion 110 of the molding die 106 is mechanically removed, as shown in FIGS. 12 and 13, it is cured to the edge of the outer edge 107 ′ of the lead frame outer frame 107. Resin 1
16 is caught, and the cured resin 116 remains as burr.

【0006】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム101は、図14に示すように、ガイドレール12
0、121によって保持された状態で、次のリードトリ
ミング及びリードフォーミング工程等に移るが、リード
フレーム101の外枠107の外縁107’は、リード
フレーム101の搬送時にガイドレール120と接触す
る。そのため、リードフレーム外枠107の外縁10
7’に付着した樹脂バリ116は、次工程へリードフレ
ーム101を搬送する際に、ガイドレール120等と接
触して製造装置内に脱落することがあり、この脱落した
樹脂バリ116が例えばトリミング及びフォーミング金
型のパーテイング面に付着して、上下トリミング及びフ
ォーミングモールド金型のクランプ不良やトリミング及
びフォーミング金型の損傷を招いたり、他の部分に付着
してリードフレーム101の搬送不良等を発生させると
いう問題点があった。
By the way, as shown in FIG. 14, the lead frame 101 after resin sealing has a guide rail 12
While being held by 0 and 121, the process proceeds to the next lead trimming and lead forming steps, etc., but the outer edge 107 ′ of the outer frame 107 of the lead frame 101 comes into contact with the guide rail 120 when the lead frame 101 is transported. Therefore, the outer edge 10 of the lead frame outer frame 107
When the lead frame 101 is conveyed to the next step, the resin burr 116 attached to 7'may come into contact with the guide rail 120 or the like and fall off into the manufacturing apparatus. Adhesion to the parting surface of the forming die may lead to vertical trimming and clamp failure of the forming mold die, damage to the trimming and forming die, and adhesion to other parts to cause poor conveyance of the lead frame 101. There was a problem.

【0007】そこで、この発明は、上記従来技術の問題
点を解決するためになされたもので、その目的とすると
ころは、樹脂封止工程においてリードフレームの外枠の
中でモールド金型の樹脂注入経路と接する外縁部分に樹
脂バリが発生するのを防止することができるか、または
リードフレームの外枠に樹脂バリが発生した場合でも、
リードフレームの外枠に付着した樹脂バリによって不都
合が発生するのを防止可能な半導体装置用リードフレー
ムと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
Therefore, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its object is to mold the resin of the molding die in the outer frame of the lead frame in the resin sealing step. It is possible to prevent the occurrence of resin burr on the outer edge portion that contacts the injection path, or even if resin burr occurs on the outer frame of the lead frame,
An object of the present invention is to provide a lead frame for a semiconductor device capable of preventing the occurrence of inconvenience due to a resin burr attached to the outer frame of the lead frame, and a semiconductor device manufacturing method using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項第1項
記載の発明は、一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くなるよ
うに断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路の幅
よりも広く形成するように構成されている。
That is, the invention according to claim 1 is a lead frame for a semiconductor device which is sandwiched between a pair of molding dies and resin-sealed, and an outer frame of the lead frame. Of these, the outer edge of the outer frame in contact with the resin injection path of the molding die on the upstream side in the resin injection direction, a chamfer having a cross-sectional shape formed so that the thickness becomes thinner toward the upstream side in the resin injection direction, It is configured to be formed wider than the width of the resin injection path.

【0009】また、請求項第2項記載の発明は、樹脂注
入経路と、半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビテ
ィと、リードフレームを嵌合状態に配置するためのリー
ドフレームの厚さよりも浅い凹所とをそのパーテイング
面の一方に有する一対のモールド金型を用い、この一対
のモールド金型間にリードフレームを凹所に嵌合した状
態で挟持し、上記樹脂注入経路から半導体装置の樹脂封
止部に対応したキャビティ内に樹脂を注入硬化させて半
導体装置を製造する方法において、上記リードフレーム
の外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接す
る外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方
向上流側に向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成
された面取りを、樹脂注入経路の幅よりも広く形成した
リードフレームを用い、このリードフレームを一対のモ
ールド金型間に挟持した状態で樹脂封止を行った後、当
該樹脂封止されたリードフレームを一対のモールド金型
から取り出した状態で、モールド金型の樹脂注入経路内
で硬化した樹脂を、リードフレームの外枠の外縁に形成
された面取りによって、当該リードフレームの外枠の外
縁に残すことなく一体的に除去可能としたことを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
According to the second aspect of the present invention, the resin injection path, the cavity corresponding to the resin sealing portion of the semiconductor device, and the thickness of the lead frame for arranging the lead frame in a fitted state are more preferable. A pair of molding dies having a shallow recess on one of its parting surfaces is used, and a lead frame is sandwiched between the pair of molding dies while being fitted in the recess, and the semiconductor device is inserted from the resin injection path. In a method of manufacturing a semiconductor device by injecting and curing a resin into a cavity corresponding to a resin sealing portion, an outer frame of the outer frame of the lead frame, which is in contact with a resin injection path of the molding die, is upstream in a resin injection direction. A lead frame with a chamfer whose cross-sectional shape is formed so as to become thinner toward the upstream side in the resin injection direction at the outer edge of the side is formed wider than the width of the resin injection path. After performing resin sealing with this lead frame sandwiched between a pair of molding dies, the resin of the molding dies is removed with the resin-sealed lead frame taken out from the pair of molding dies. The resin cured in the injection path can be integrally removed by chamfering formed on the outer edge of the outer frame of the lead frame without being left on the outer edge of the outer frame of the lead frame. It is a manufacturing method.

【0010】さらに、請求項第3項記載の発明は、一対
のモールド金型間に挟持されて樹脂封止される半導体装
置用のリードフレームにおいて、このリードフレームの
外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する
外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向
の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも広
く形成したことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ムである。
Further, according to a third aspect of the present invention, in a lead frame for a semiconductor device which is sandwiched between a pair of molding dies and resin-sealed, the molding metal is included in an outer frame of the lead frame. For a semiconductor device, characterized in that a notch toward the downstream side in the resin injection direction is formed wider than the width of the resin injection path at the outer edge of the outer frame in contact with the resin injection path of the mold on the upstream side in the resin injection direction. It is a lead frame.

【0011】また、請求項第4項記載の発明は、樹脂注
入経路と、半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビテ
ィと、リードフレームを嵌合状態に配置するためのリー
ドフレームの厚さよりも浅い凹所とをそのパーテイング
面の一方に有する一対のモールド金型を用い、この一対
のモールド金型間にリードフレームを凹所に嵌合した状
態で挟持し、上記樹脂注入経路から半導体装置の樹脂封
止部に対応したキャビティ内に樹脂を注入硬化させて半
導体装置を製造する方法において、上記リードフレーム
の外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接す
る外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方
向の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも
広く形成したリードフレームを用い、このリードフレー
ムを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封止を
行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一対の
モールド金型から取り出した状態で、モールド金型の樹
脂注入経路内で硬化した樹脂を除去する際に、リードフ
レームの外枠の外縁に形成された切り欠きに硬化樹脂が
残るようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
Further, according to a fourth aspect of the present invention, the resin injection path, the cavity corresponding to the resin sealing portion of the semiconductor device, and the thickness of the lead frame for arranging the lead frame in a fitted state are more preferable. A pair of molding dies having a shallow recess on one of its parting surfaces is used, and a lead frame is sandwiched between the pair of molding dies while being fitted in the recess, and the semiconductor device is inserted from the resin injection path. In a method of manufacturing a semiconductor device by injecting and curing a resin into a cavity corresponding to a resin sealing portion, an outer frame of the outer frame of the lead frame, which is in contact with a resin injection path of the molding die, is upstream in a resin injection direction. A lead frame having a notch toward the downstream side in the resin injection direction wider than the width of the resin injection path is used on the outer edge of the side. After resin encapsulation while sandwiched between the molds, remove the cured resin in the resin injection path of the mold with the resin-sealed lead frame taken out from the pair of molds. In this case, the cured resin is left in the notch formed in the outer edge of the outer frame of the lead frame.

【0012】[0012]

【作用】この発明の請求項第1項記載の半導体装置用リ
ードフレームにおいては、リードフレームの外枠のう
ち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の樹
脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向上流側に
向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成された面取
りを、樹脂注入経路の幅よりも広く形成するように構成
されているので、このリードフレームを一対のモールド
金型間に挟持した状態で樹脂封止を行った後、当該樹脂
封止されたリードフレームを一対のモールド金型から取
り出した状態で、モールド金型の樹脂注入経路内で硬化
した樹脂を、リードフレームの外枠の外縁に形成された
面取りによって、当該リードフレームの外枠の外縁に残
すことなく一体的に除去することができる。
In the lead frame for a semiconductor device according to claim 1 of the present invention, an outer edge of the outer frame of the lead frame, which is in contact with the resin injection path of the molding die, is located on the upstream side in the resin injection direction. Since the chamfer whose cross-sectional shape is formed so as to become thinner toward the upstream side in the resin injection direction is formed to be wider than the width of the resin injection path, this lead frame is After performing resin sealing with the resin sandwiched between the molding dies, remove the resin-sealed lead frame from the pair of molding dies, and set the cured resin in the resin injection path of the molding dies. The chamfering formed on the outer edge of the outer frame of the lead frame allows the lead frame to be integrally removed without being left on the outer edge of the outer frame.

【0013】また、この発明の請求項第3項記載の半導
体装置用リードフレームにおいては、リードフレームの
外枠のうち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する
外枠の樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向
の下流側に向けた切り欠きを樹脂注入経路の幅よりも広
く形成するように構成されているので、このリードフレ
ームを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封止
を行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一対
のモールド金型から取り出した状態で、モールド金型の
樹脂注入経路内で硬化した樹脂を除去する際に、リード
フレームの外枠の外縁に形成された切り欠きに硬化樹脂
が残るが、この切り欠きは、リードフレームの外枠のう
ち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の樹
脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向の下流側
に向けて形成されているので、当該切り欠きに残った硬
化樹脂は、リードフレームを搬送するためのガイドレー
ル等と接触することがなく、リードフレームの外枠に付
着した樹脂バリによって不都合が発生するのを防止する
ことができる。
Further, in the lead frame for a semiconductor device according to claim 3 of the present invention, the outer frame of the outer frame of the lead frame, which is in contact with the resin injection path of the molding die, is located on the upstream side in the resin injection direction. Since the notch facing the downstream side in the resin injection direction is formed on the outer edge so as to be wider than the width of the resin injection path, the lead frame is sandwiched between the pair of molding dies and the resin. When the resin-sealed lead frame is taken out from the pair of molding dies after sealing, the outer frame of the lead frame is used to remove the cured resin in the resin injection path of the molding dies. The cured resin remains in the notch formed on the outer edge of the lead frame. This notch is located on the upstream side of the outer frame of the lead frame, which is in contact with the resin injection path of the molding die, in the resin injection direction. Since the outer edge is formed toward the downstream side in the resin injection direction, the cured resin remaining in the notch does not come into contact with the guide rail for carrying the lead frame, etc. It is possible to prevent inconvenience from occurring due to the resin burr attached to the frame.

【0014】[0014]

【実施例】以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to illustrated embodiments.

【0015】図2はこの発明に係る半導体装置用リード
フレームを適用した樹脂封止型の半導体装置の一実施例
を示すものである。
FIG. 2 shows an embodiment of a resin-sealed semiconductor device to which the semiconductor device lead frame according to the present invention is applied.

【0016】図2において、1は半導体装置を示すもの
であり、この半導体装置1は、半導体素子2が取付けら
れたリードフレーム3を、合成樹脂4で封止することに
よって構成されている。上記リードフレーム3として
は、複数の半導体装置1を一連に製造可能なように、複
数の半導体装置1に対応した複数のリードフレーム3を
帯状に連設したものが使用されている。
In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a semiconductor device, which is formed by sealing a lead frame 3 to which a semiconductor element 2 is attached with a synthetic resin 4. As the lead frame 3, a plurality of lead frames 3 corresponding to the plurality of semiconductor devices 1 are continuously connected in a strip shape so that the plurality of semiconductor devices 1 can be manufactured in series.

【0017】上記リードフレーム3は、図1に示すよう
に、その両側に互いに平行に配置された幅の広い外枠
5、5と、これらの外枠5、5間を互いに連結して1つ
の半導体装置1に相当する領域を区画するダム6、6
と、中央に配置された半導体素子2を載置するための平
面正方形状のタブ7と、半導体素子2の電極と図示しな
いワイヤボンディングによって互いに接続される複数本
のリード8とを、一体的に備えている。
As shown in FIG. 1, the lead frame 3 has wide outer frames 5 and 5 arranged on both sides thereof in parallel with each other, and these outer frames 5 and 5 are connected to each other to form one lead frame 3. Dams 6, 6 partitioning a region corresponding to the semiconductor device 1.
A tab 7 having a square shape in a plane for mounting the semiconductor element 2 arranged in the center, and a plurality of leads 8 connected to each other by an electrode of the semiconductor element 2 by wire bonding (not shown) I have it.

【0018】このリードフレーム3は、その中央部に形
成されたタブ7上に半導体素子2が載置され、この半導
体素子2は、その電極がリードフレーム3のタブ7の周
囲にまで延在された複数本のリード8と、図示しないワ
イヤボンディングによって互いに接続される。
In the lead frame 3, the semiconductor element 2 is placed on the tab 7 formed in the central portion thereof, and the electrode of the semiconductor element 2 extends to the periphery of the tab 7 of the lead frame 3. The plurality of leads 8 are also connected to each other by wire bonding (not shown).

【0019】このように、半導体素子2が取付けられた
リードフレーム3は、図3に示すように、下モールド金
型10と上モールド金型11によって挟持され、上下の
モールド金型10、11間に形成されるキャビティ12
に、上モールド金型11に設けられた樹脂注入経路とし
てのランナ部13及びゲート部14を介して、封止用の
合成樹脂15を注入して硬化させることによって、樹脂
封止部16が形成される。
Thus, the lead frame 3 to which the semiconductor element 2 is attached is sandwiched between the lower mold die 10 and the upper mold die 11 as shown in FIG. Cavity 12 formed in
Then, the synthetic resin 15 for sealing is injected and cured through the runner portion 13 and the gate portion 14 as the resin injection path provided in the upper mold 11 to form the resin sealing portion 16. To be done.

【0020】ところで、この実施例では、上記リードフ
レームの外枠の外側端であって、上モールド金型の樹脂
注入経路に面した部分に、リードフレームの外側に向け
て薄くなるような面取り部を、モールド金型のランナ部
よりも幅広く形成するように構成されている。
By the way, in this embodiment, at the outer end of the outer frame of the lead frame, which faces the resin injection path of the upper molding die, a chamfered portion which becomes thinner toward the outer side of the lead frame. Is formed to be wider than the runner portion of the molding die.

【0021】すなわち、上記リードフレーム3の外枠5
の外側端5’には、図1及び図4に示すように、上モー
ルド金型11のランナ部13に面した部分に面取り部2
0が設けられている。この面取り部20は、リードフレ
ーム3の外側に向けて薄くなるように形成されており、
しかもその幅bがモールド金型11のランナ部13の幅
aよりも広く形成されている。上記面取り部20は、リ
ードフレーム3を製造する際のエッチング処理や、プレ
ス加工等によって形成される。
That is, the outer frame 5 of the lead frame 3
As shown in FIGS. 1 and 4, the outer end 5 ′ of the chamfered portion 2 is provided at a portion facing the runner portion 13 of the upper molding die 11.
0 is provided. The chamfered portion 20 is formed to be thin toward the outside of the lead frame 3,
Moreover, the width b is formed wider than the width a of the runner portion 13 of the molding die 11. The chamfered portion 20 is formed by etching, pressing, or the like when manufacturing the lead frame 3.

【0022】以上の構成において、この実施例に係る樹
脂封止型の半導体装置は、上記の如く構成されたリード
フレームを用いて、次のようにして製造される。まず、
半導体素子2が取付けられたリードフレーム3は、図3
に示すように、下モールド金型10の内部に配置された
状態で、下モールド金型10と上モールド金型11によ
って挟持される。その際、上記リードフレーム3は、そ
の外枠5を下モールド金型10のキャビティ12外周に
形成された凹所22に嵌合した状態で配置される。この
凹所22は、リードフレーム3の外枠5を挟持したとき
に、上下のモールド金型10、11間に隙間が発生する
のを防止するため、及びリードフレーム3が浮き上がる
ことなく完全に挟持可能とするため、その深さがリード
フレーム3の厚さより僅かに浅く設定されている。その
ため、上記下モールド金型10の凹所22にリードフレ
ーム3の外枠5を嵌合した状態で、リードフレーム3の
外枠5の外縁5’が図3に示すように一部下モールド金
型10のパーテイング面から突出するようになってい
る。
In the above structure, the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment is manufactured as follows using the lead frame structured as described above. First,
The lead frame 3 to which the semiconductor element 2 is attached is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the lower mold die 10 is sandwiched between the lower mold die 10 and the upper mold die 11 while being arranged inside the lower mold die 10. At that time, the lead frame 3 is arranged with the outer frame 5 thereof fitted in the recess 22 formed in the outer periphery of the cavity 12 of the lower molding die 10. The recess 22 prevents the clearance between the upper and lower molding dies 10 and 11 when the outer frame 5 of the lead frame 3 is clamped, and the lead frame 3 is completely clamped without rising. In order to make it possible, the depth is set to be slightly shallower than the thickness of the lead frame 3. Therefore, with the outer frame 5 of the lead frame 3 fitted in the recess 22 of the lower mold 10, the outer edge 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 is partially undermolded as shown in FIG. It is designed to project from the 10 parting surface.

【0023】そして、上記の如く半導体素子2が取付け
られたリードフレーム3は、上下のモールド金型10、
11によって挟持した状態で配置され、上下のモールド
金型10、11間に形成されたキャビティ12内には、
図3に示すように、上モールド金型11にリードフレー
ム3の外枠5を越えるように形成されたランナ部13及
びゲート部14を介して、封止用の合成樹脂15が注入
充填される。その際、上記キャビティ12内の空気は、
上モールド金型11に設けられたエアベンド部23から
外部除去され、空気抜きが行われる。次に、樹脂15が
硬化した後、上下のモールド金型10、11を開いて、
リードフレーム3と一体化したキャビティ部12の樹脂
15a、ランナ部13及びゲート部14の樹脂15b、
15cを、モールド金型10、11から取り出す。そし
て、最後に不必要なランナ部13やゲート部14に充填
硬化された樹脂15b、15cを、図5及び図6に示す
ように、リードフレーム3の表面から機械的に取り除
き、図2に示すように、半導体装置1の樹脂部16を形
成する。
The lead frame 3 to which the semiconductor element 2 is attached as described above is provided with the upper and lower molding dies 10,
It is arranged in a state of being sandwiched by 11, and inside the cavity 12 formed between the upper and lower mold dies 10, 11,
As shown in FIG. 3, the upper molding die 11 is filled with a synthetic resin 15 for sealing through a runner portion 13 and a gate portion 14 formed so as to extend over the outer frame 5 of the lead frame 3. . At that time, the air in the cavity 12 is
The air is removed from the air bend portion 23 provided in the upper molding die 11 to the outside. Next, after the resin 15 is cured, the upper and lower mold dies 10 and 11 are opened,
The resin 15a of the cavity portion 12 integrated with the lead frame 3, the resin 15b of the runner portion 13 and the gate portion 14,
15c is taken out from the molding dies 10 and 11. Then, finally, the unnecessary resin 15b, 15c filled and cured in the runner portion 13 and the gate portion 14 is mechanically removed from the surface of the lead frame 3 as shown in FIGS. Thus, the resin portion 16 of the semiconductor device 1 is formed.

【0024】その際、上記リードフレーム3の外枠5の
外側端5’には、図4に示すように、上モールド金型1
1のランナ部13に面した部分に面取り部20が設けら
れている。そのため、上記モールド金型11のランナ部
13等に相当する部分に残った硬化樹脂15b、15c
を機械的に除去するときに、リードフレーム3の外枠5
の外縁5’で硬化した樹脂15bは、この外枠5の外縁
5’に引っ掛かることがなく、面取り部20からランナ
部13で硬化した樹脂15bと一体的に除去されるの
で、リードフレーム3の外枠5の外縁5’に硬化樹脂1
5bがバリとなって残るのを確実に防止することができ
る。
At this time, as shown in FIG. 4, the upper mold 1 is attached to the outer end 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3.
The chamfered portion 20 is provided in the portion facing the runner portion 13. Therefore, the cured resins 15b and 15c remaining in the portion of the molding die 11 corresponding to the runner portion 13 and the like.
The outer frame 5 of the lead frame 3 when mechanically removing the
The resin 15b cured at the outer edge 5'of the lead frame 3 is removed from the chamfered portion 20 and the resin 15b cured at the runner portion 13 without being caught by the outer edge 5'of the outer frame 5. Cured resin 1 on the outer edge 5'of the outer frame 5
It is possible to reliably prevent 5b from remaining as burr.

【0025】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム5は、図7に示すように、ガイドレール30、31に
よって保持された状態で、次のリードトリミング及びフ
ォーミング工程等へと搬送されるが、リードフレーム3
の外枠5の外縁5’には、樹脂バリが付着することがな
い。そのため、リードフレーム外枠5の外縁5’に付着
した樹脂バリが、次工程へリードフレーム3を搬送する
際に、ガイドレール30等と接触して製造装置内に脱落
し、この脱落した樹脂バリが例えば上下トリミング及び
フォーミング金型のパーテイング面に付着して、上下ト
リミング及びフォーミング金型のクランプ不良やトリミ
ング及びフォーミング金型の損傷を招いたり、他の部分
に付着してリードフレーム3の搬送不良等を発生させる
のを確実に防止することができる。
By the way, as shown in FIG. 7, the lead frame 5 after resin sealing is carried to the next lead trimming and forming steps while being held by the guide rails 30 and 31. Lead frame 3
No resin burr is attached to the outer edge 5'of the outer frame 5. Therefore, when the lead frame 3 is conveyed to the next step, the resin burr attached to the outer edge 5 ′ of the lead frame outer frame 5 comes into contact with the guide rail 30 or the like and drops into the manufacturing apparatus. Adheres to the parting surface of the upper and lower trimming and forming dies, for example, resulting in defective clamping of the upper and lower trimming and forming dies, damage to the trimming and forming dies, and poor conveyance of the lead frame 3 due to attachment to other parts. It is possible to reliably prevent the occurrence of such problems.

【0026】このように、上記実施例に係る半導体装置
用リードフレームにおいては、リードフレームの外枠の
うち、上記モールド金型の樹脂注入経路と接する外枠の
樹脂注入方向上流側の外縁に、当該樹脂注入方向上流側
に向けて厚さが薄くなるように断面形状が形成された面
取りを設けるように構成されているので、このリードフ
レームを一対のモールド金型間に挟持した状態で樹脂封
止を行った後、当該樹脂封止されたリードフレームを一
対のモールド金型から取り出した状態で、モールド金型
の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を、リードフレームの
外枠の外縁に形成された面取りによって、当該リードフ
レームの外枠の外縁に残すことなく一体的に除去するこ
とができる。
As described above, in the lead frame for a semiconductor device according to the above-mentioned embodiment, the outer frame of the lead frame, which is in contact with the resin injection path of the molding die, has an outer edge on the upstream side in the resin injection direction, Since the chamfer having the cross-sectional shape is formed so that the thickness becomes thinner toward the upstream side in the resin injection direction, the lead frame is sandwiched between the pair of molding dies and the resin sealing is performed. After stopping, the resin-sealed lead frame is taken out from the pair of molding dies, and the resin cured in the resin injection path of the molding dies is formed on the outer edge of the outer frame of the lead frame. By chamfering, the lead frame can be integrally removed without being left on the outer edge of the outer frame.

【0027】図8はこの発明の他の実施例を示すもので
あり、前記実施例と同一の部分には同一の符号を付して
説明すると、この実施例では、リードフレームの外枠の
外側端であって、上モールド金型の樹脂注入経路に面し
た部分に、リードフレームの内側に向けた切り欠き部
を、モールド金型のランナ部よりも幅広く形成し、この
切り欠き部の外側端にリードフレームの外側に向けて薄
くなるような面取り部を形成するように構成されてい
る。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention. The same parts as those of the above embodiment are designated by the same reference numerals. In this embodiment, the outer side of the outer frame of the lead frame is shown. At the end that faces the resin injection path of the upper mold, a notch part facing the inside of the lead frame is formed wider than the runner part of the mold, and the outer end of this notch part The chamfered portion is formed so as to become thinner toward the outside of the lead frame.

【0028】すなわち、上記リードフレーム3の外枠5
の外側端5’には、図8に示すように、上モールド金型
11のランナ部13に面した部分に切り欠き部40が設
けられており、この切り欠き部40は、その幅bがモー
ルド金型11のランナ部13の幅aよりも広く形成され
ている。また、上記切り欠き部40は、上モールド金型
のランナ部13の樹脂注入方向に対して傾斜するように
形成されている。さらに、この切り欠き部40の外側端
5’には、図4に示すように、面取り部20が設けられ
ている。この面取り部20は、リードフレーム3の外側
に向けて薄くなるように形成されている。上記切り欠き
部40及び面取り部20は、リードフレーム3を製造す
る際のエッチング処理や、プレス加工等によって形成さ
れる。
That is, the outer frame 5 of the lead frame 3
As shown in FIG. 8, a notch 40 is provided on the outer end 5 ′ of the upper mold die 11 facing the runner portion 13, and the notch 40 has a width b. It is formed wider than the width a of the runner portion 13 of the molding die 11. Further, the cutout portion 40 is formed so as to be inclined with respect to the resin injection direction of the runner portion 13 of the upper molding die. Further, as shown in FIG. 4, a chamfered portion 20 is provided on the outer end 5 ′ of the cutout portion 40. The chamfered portion 20 is formed so as to become thinner toward the outside of the lead frame 3. The notch portion 40 and the chamfered portion 20 are formed by an etching process or a press working when manufacturing the lead frame 3.

【0029】そして、このように構成されるリードフレ
ーム3を用いて半導体装置を製造する際に、次のように
して、上モールド金型のランナ部13に相当する部分に
樹脂バリが発生するのが防止される。
Then, when a semiconductor device is manufactured using the lead frame 3 thus constructed, resin burrs are generated in a portion corresponding to the runner portion 13 of the upper mold die as follows. Is prevented.

【0030】すなわち、上記上モールド金型11のラン
ナ部13で硬化した樹脂15bを、リードフレーム3の
表面から機械的に取り除く際、リードフレーム3の外枠
5の外側端5’には、図8に示すように、上モールド金
型11のランナ部13に面した部分に切り欠き部40及
び面取り部20が設けられている。そのため、上記モー
ルド金型11のランナ部13等に相当する部分に残った
硬化樹脂15b、15cを機械的に除去するときに、リ
ードフレーム3の外枠5の外縁5’で硬化した樹脂15
bは、この外枠5の外縁5’に引っ掛かることがなく、
面取り部20からランナ部13で硬化した樹脂15bと
一体的に除去されるのは勿論のこと、この面取り部20
は、ランナ部13に対して傾斜するように設けられた切
り欠き部40の外側端に形成されている。したがって、
上記リードフレーム3の外枠5の外縁5’で硬化した樹
脂15bは、ランナ部13に対して傾斜する切り欠き部
40の外側端側から徐々に剥離されるので、リードフレ
ーム3の外枠5の外縁5’に硬化樹脂15bがバリとな
って残るのを一層確実に防止することができる。
That is, when the resin 15b cured in the runner portion 13 of the upper molding die 11 is mechanically removed from the surface of the lead frame 3, the outer end 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 has a As shown in FIG. 8, a cutout portion 40 and a chamfered portion 20 are provided in a portion of the upper molding die 11 facing the runner portion 13. Therefore, when the cured resin 15b, 15c remaining in the portion corresponding to the runner portion 13 of the molding die 11 is mechanically removed, the resin 15 cured at the outer edge 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 is removed.
b does not get caught on the outer edge 5'of the outer frame 5,
Of course, the chamfered portion 20 is integrally removed with the resin 15b cured in the runner portion 13, and the chamfered portion 20 is also removed.
Is formed at the outer end of the notch portion 40 that is provided so as to be inclined with respect to the runner portion 13. Therefore,
The resin 15b cured at the outer edge 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 is gradually peeled off from the outer end side of the cutout portion 40 inclined with respect to the runner portion 13, and thus the outer frame 5 of the lead frame 3 is formed. It is possible to more reliably prevent the cured resin 15b from remaining as burrs on the outer edge 5'of the.

【0031】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
The other structure and operation are the same as those of the above-mentioned embodiment, and the description thereof will be omitted.

【0032】図9はこの発明の請求項第 項に記載の発
明の一実施例を示すものであり、前記発明の実施例と同
一の部分には同一の符号を付して説明すると、この発明
の実施例では、リードフレームの外枠の外側端であっ
て、上モールド金型の樹脂注入経路に面した部分に、リ
ードフレームの内側に向けた切り欠き部を、モールド金
型のランナ部よりも幅広く形成するように構成されてい
る。
FIG. 9 shows an embodiment of the invention set forth in the claims of the present invention. The same parts as those of the embodiment of the invention will be designated by the same reference numerals and will be described below. In the embodiment of the above, a cutout portion directed to the inside of the lead frame is formed on the outer end of the outer frame of the lead frame, facing the resin injection path of the upper molding die, from the runner portion of the molding die. Is also configured to be widely formed.

【0033】すなわち、上記リードフレーム3の外枠5
の外側端5’には、図9に示すように、上モールド金型
11のランナ部13に面した部分に切り欠き部40が設
けられており、この切り欠き部40は、その幅bがモー
ルド金型11のランナ部13の幅aよりも広く形成され
ている。また、上記切り欠き部40は、上モールド金型
のランナ部13の樹脂注入方向に対して直交するように
形成されている。さらに、この切り欠き部40とリード
フレーム3の外枠5と角部40aは、切り欠き部40が
ガイドレール30等に引っ掛かるのを防止するため、リ
ードフレーム3の外枠5から切り欠き部40側へ向けて
更に切り欠かれている。上記切り欠き部40は、リード
フレーム3を製造する際のエッチング処理や、プレス加
工等によって形成される。
That is, the outer frame 5 of the lead frame 3
As shown in FIG. 9, a notch 40 is provided at the outer end 5 ′ of the upper mold die 11 facing the runner portion 13, and the notch 40 has a width b. It is formed wider than the width a of the runner portion 13 of the molding die 11. The cutout portion 40 is formed so as to be orthogonal to the resin injection direction of the runner portion 13 of the upper molding die. Further, the cutout portion 40, the outer frame 5 of the lead frame 3, and the corner portion 40a prevent the cutout portion 40 from being caught by the guide rail 30 or the like, so that the cutout portion 40 is removed from the outer frame 5 of the lead frame 3. It is further cut away toward the side. The notch 40 is formed by etching, pressing, or the like when manufacturing the lead frame 3.

【0034】そして、このように構成されるリードフレ
ーム3を用いて半導体装置を製造する際に、次のように
して、上モールド金型のランナ部13に相当する部分に
発生した樹脂バリが次工程でトラブルを発生させるのが
防止される。
When a semiconductor device is manufactured using the lead frame 3 having the above-described structure, resin burrs generated in a portion corresponding to the runner portion 13 of the upper mold die will be described below. Trouble is prevented from occurring in the process.

【0035】すなわち、上記上モールド金型11のラン
ナ部13で硬化した樹脂15bを、リードフレーム3の
表面から機械的に取り除く際、リードフレーム3の外枠
5の外側端5’には、図9に示すように、上モールド金
型11のランナ部13に面した部分に切り欠き部40が
設けられている。そのため、上記モールド金型11のラ
ンナ部13等に相当する部分に残った硬化樹脂15b、
15cを機械的に除去するときに、リードフレーム3の
外枠5の外縁5’で硬化した樹脂15bは、切り欠き部
40の外縁40’に引っ掛かり、硬化樹脂15bがバリ
となって残ってしまう。
That is, when the resin 15b cured in the runner portion 13 of the upper molding die 11 is mechanically removed from the surface of the lead frame 3, the outer end 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 has As shown in FIG. 9, a cutout portion 40 is provided in a portion of the upper molding die 11 facing the runner portion 13. Therefore, the cured resin 15b remaining in the portion of the molding die 11 corresponding to the runner portion 13 and the like,
When mechanically removing 15c, the resin 15b cured at the outer edge 5'of the outer frame 5 of the lead frame 3 is caught by the outer edge 40 'of the notch 40, and the cured resin 15b remains as burrs. .

【0036】ところで、上記樹脂封止後のリードフレー
ム3は、図7に示すように、ガイドレール30、31に
よって保持された状態で、次のリードトリミング及びフ
ォーミング工程等に移るが、リードフレーム3の外枠5
の外縁5’は、リードフレーム3の搬送時にガイドレー
ル30と接触するが、樹脂バリ15bが付着した切り欠
き部40は、リードフレーム3の外枠5の外縁5’より
も凹んでいる。そのため、切り欠き部40に付着した樹
脂バリ15bは、次工程でリードフレーム3を搬送する
際に、ガイドレール30等と接触する虞れがなく、樹脂
バリ15bが製造装置内に脱落することはない。したが
って、リードフレーム3の切り欠き部40に樹脂バリ1
5bが付着しても、この樹脂バリ15bが例えば上下ト
リミング及びフォーミング金型のパーテイング面等に脱
落して付着することがないので、上下トリミング及びフ
ォーミング金型のクランプ不良やトリミング及びフォー
ミング金型の損傷を招いたり、他の部分に付着してリー
ドフレーム3の搬送不良等を発生するのを防止すること
ができる。
By the way, as shown in FIG. 7, the lead frame 3 after the resin sealing is held by the guide rails 30 and 31, and is subjected to the next lead trimming and forming steps. Outer frame 5
The outer edge 5 ′ of the above contacts the guide rail 30 when the lead frame 3 is conveyed, but the notch 40 to which the resin burr 15 b is attached is recessed from the outer edge 5 ′ of the outer frame 5 of the lead frame 3. Therefore, the resin burr 15b attached to the notch 40 is not likely to come into contact with the guide rail 30 or the like when the lead frame 3 is conveyed in the next step, and the resin burr 15b does not drop into the manufacturing apparatus. Absent. Therefore, the resin burr 1 is formed in the cutout portion 40 of the lead frame 3.
Even if 5b adheres, the resin burr 15b does not fall off and adhere to, for example, the parting surface of the upper and lower trimming and forming dies. It is possible to prevent damage and adhesion of the lead frame 3 to other parts, which may result in defective conveyance of the lead frame 3.

【0037】その他の構成及び作用は、前記実施例と同
様であるので、その説明を省略する。
The other structure and operation are the same as those of the above-mentioned embodiment, and the description thereof will be omitted.

【0038】[0038]

【発明の効果】この発明は以上の構成及び作用よりなる
もので、樹脂封止工程においてリードフレームの外枠の
中でモールド金型の樹脂注入経路と接する外縁部分に樹
脂バリが発生するのを防止することができるか、または
リードフレームの外枠に樹脂バリが発生した場合でも、
リードフレームの外枠に付着した樹脂バリによって不都
合が発生するのを防止可能な半導体装置用リードフレー
ムと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
とができる。
The present invention has the above-described structure and operation, and prevents resin burrs from being generated in the outer edge portion of the outer frame of the lead frame which is in contact with the resin injection path of the molding die in the resin sealing step. Can be prevented or even if resin burr occurs on the outer frame of the lead frame,
It is possible to provide a lead frame for a semiconductor device capable of preventing the occurrence of inconvenience due to a resin burr attached to the outer frame of the lead frame, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 図1はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの一実施例を示す平面構成図である。
FIG. 1 is a plan configuration diagram showing an embodiment of a lead frame for a semiconductor device according to the present invention.

【図2】 図2は半導体装置を示す断面構成図である。FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram showing a semiconductor device.

【図3】 図3は半導体装置を製造するためのモールド
金型を示す断面構成図である。
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram showing a molding die for manufacturing a semiconductor device.

【図4】 図4はこの実施例に係るリードフレームの要
部を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a main part of a lead frame according to this embodiment.

【図5】 図5は樹脂封止後のリードフレームを示す断
面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a lead frame after resin sealing.

【図6】 図6は樹脂封止後のリードフレームから樹脂
バリを除去する状態を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which a resin burr is removed from the lead frame after resin sealing.

【図7】 図7は樹脂封止されたリードフレームの搬送
状態を示す構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram showing a conveyance state of a resin-sealed lead frame.

【図8】 図8はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの他の実施例を示す平面構成図である。
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the lead frame for a semiconductor device according to the present invention.

【図9】 図9はこの発明に係る半導体装置用のリード
フレームの更に他の実施例を示す平面構成図である。
FIG. 9 is a plan configuration diagram showing still another embodiment of a lead frame for a semiconductor device according to the present invention.

【図10】 図10は従来の半導体装置用リードフレー
ムを示す平面構成図である。
FIG. 10 is a plan configuration diagram showing a conventional lead frame for a semiconductor device.

【図11】 図11は半導体装置を製造するためのモー
ルド金型を示す断面構成図である。
FIG. 11 is a cross-sectional configuration diagram showing a molding die for manufacturing a semiconductor device.

【図12】 図12は樹脂封止後のリードフレームから
樹脂バリを除去する状態を示す断面構成図である。
FIG. 12 is a cross-sectional configuration diagram showing a state in which a resin burr is removed from the lead frame after resin sealing.

【図13】 図13は同じく樹脂封止後のリードフレー
ムから樹脂バリを除去する状態を示す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a state in which resin burrs are removed from the lead frame after resin sealing as well.

【図14】 図14は樹脂封止されたリードフレームの
搬送状態を示す構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram showing a conveyance state of a resin-sealed lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置、3 リードフレーム、5 外枠、1
0、11 上下のモールド金型、12 キャビティ、1
3 ランナ部、14 ゲート部、15 樹脂、20 面
取り部。
1 semiconductor device, 3 lead frame, 5 outer frame, 1
0, 11 upper and lower molds, 12 cavities, 1
3 runner part, 14 gate part, 15 resin, 20 chamfered part.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くなるよ
うに断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路の幅
よりも広く形成したことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。
1. A lead frame for a semiconductor device, which is sandwiched between a pair of molding dies and resin-sealed, of an outer frame of the lead frame, the outer frame being in contact with a resin injection path of the molding die. A semiconductor characterized in that an outer edge on the upstream side in the resin injection direction is formed with a chamfer having a cross-sectional shape formed so as to become thinner toward the upstream side in the resin injection direction, wider than the width of the resin injection path. Lead frame for equipment.
【請求項2】 樹脂注入経路と、半導体装置の樹脂封止
部に対応したキャビティと、リードフレームを嵌合状態
に配置するためのリードフレームの厚さよりも浅い凹所
とをそのパーテイング面の一方に有する一対のモールド
金型を用い、この一対のモールド金型間にリードフレー
ムを凹所に嵌合した状態で挟持し、上記樹脂注入経路か
ら半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビティ内に樹
脂を注入硬化させて半導体装置を製造する方法におい
て、上記リードフレームの外枠のうち、上記モールド金
型の樹脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の
外縁に、当該樹脂注入方向上流側に向けて厚さが薄くな
るように断面形状が形成された面取りを、樹脂注入経路
の幅よりも広く形成したリードフレームを用い、このリ
ードフレームを一対のモールド金型間に挟持した状態で
樹脂封止を行った後、当該樹脂封止されたリードフレー
ムを一対のモールド金型から取り出した状態で、モール
ド金型の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を、リードフレ
ームの外枠の外縁に形成された面取りによって、当該リ
ードフレームの外枠の外縁に残すことなく一体的に除去
可能としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. A resin injection path, a cavity corresponding to a resin sealing portion of a semiconductor device, and a recess for arranging the lead frame in a fitted state, which is shallower than the thickness of the lead frame. A pair of molding dies, the lead frame is sandwiched between the pair of molding dies in a state of being fitted in the recess, and is inserted from the resin injection path into a cavity corresponding to the resin sealing portion of the semiconductor device. In the method of manufacturing a semiconductor device by injecting and curing a resin, in the outer frame of the lead frame, the outer frame in contact with the resin injection path of the molding die has an upstream edge in the resin injection direction, the upstream side in the resin injection direction. Using a lead frame with a chamfer whose cross-sectional shape is formed so as to become thinner toward the side, wider than the width of the resin injection path. After performing resin sealing with the resin sandwiched between the molding dies, remove the resin-sealed lead frame from the pair of molding dies, and set the cured resin in the resin injection path of the molding dies. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it can be integrally removed without being left on the outer edge of the outer frame of the lead frame by chamfering formed on the outer edge of the outer frame of the lead frame.
【請求項3】 一対のモールド金型間に挟持されて樹脂
封止される半導体装置用のリードフレームにおいて、こ
のリードフレームの外枠のうち、上記モールド金型の樹
脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の外縁
に、当該樹脂注入方向の下流側に向けた切り欠きを樹脂
注入経路の幅よりも広く形成したことを特徴とする半導
体装置用リードフレーム。
3. A lead frame for a semiconductor device, which is sandwiched between a pair of mold dies and sealed with a resin, wherein an outer frame of the lead frame, which is in contact with a resin injection path of the mold dies. A lead frame for a semiconductor device, characterized in that a notch toward the downstream side in the resin injection direction is formed at the outer edge on the upstream side in the resin injection direction so as to be wider than the width of the resin injection path.
【請求項4】 樹脂注入経路と、半導体装置の樹脂封止
部に対応したキャビティと、リードフレームを嵌合状態
に配置するためのリードフレームの厚さよりも浅い凹所
とをそのパーテイング面の一方に有する一対のモールド
金型を用い、この一対のモールド金型間にリードフレー
ムを凹所に嵌合した状態で挟持し、上記樹脂注入経路か
ら半導体装置の樹脂封止部に対応したキャビティ内に樹
脂を注入硬化させて半導体装置を製造する方法におい
て、上記リードフレームの外枠のうち、上記モールド金
型の樹脂注入経路と接する外枠の樹脂注入方向上流側の
外縁に、当該樹脂注入方向の下流側に向けた切り欠きを
樹脂注入経路の幅よりも広く形成したリードフレームを
用い、このリードフレームを一対のモールド金型間に挟
持した状態で樹脂封止を行った後、当該樹脂封止された
リードフレームを一対のモールド金型から取り出した状
態で、モールド金型の樹脂注入経路内で硬化した樹脂を
除去する際に、リードフレームの外枠の外縁に形成され
た切り欠きに硬化樹脂が残るようにしたことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
4. A resin injection path, a cavity corresponding to a resin sealing portion of a semiconductor device, and a recess shallower than the thickness of the lead frame for arranging the lead frame in a fitted state, on one of the parting surfaces thereof. A pair of molding dies, the lead frame is sandwiched between the pair of molding dies in a state of being fitted in the recess, and is inserted from the resin injection path into a cavity corresponding to the resin sealing portion of the semiconductor device. In the method of manufacturing a semiconductor device by injecting and curing a resin, in the outer frame of the lead frame, the outer frame in contact with the resin injection path of the molding die has an outer edge on the upstream side in the resin injection direction of the resin injection direction. Use a lead frame with a notch facing the downstream side wider than the width of the resin injection path, and seal the resin with this lead frame sandwiched between a pair of molding dies. After removing the resin-sealed lead frame from the pair of molds, the outer edge of the outer frame of the lead frame is removed when the cured resin is removed in the resin injection path of the mold. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the cured resin is left in the cutout formed in the above.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013021227A (en) * 2011-07-13 2013-01-31 Toyota Motor Corp Lead frame, semiconductor device, and manufacturing method
CN111293043A (en) * 2018-12-07 2020-06-16 富士电机株式会社 Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

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