JPS63155213A - 半導体デイスク装置の電源製御方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は半導体メモリを使用した半導体ディスク装置に
おいて、交流電源が停電しバフテリ電源に切り替えられ
た時、直ちに半導体メモリの内容をマイクロディスクユ
ニット等の不揮発性メモリに退避させないで、バッテリ
容量が成る値になる迄半導体メモリをスタンドバイ状態
にして記憶内容のみ保持されるようにして、短時間の停
電における無用の退避動作を省き、復電時の迅速な動作
回復とバフテリの長寿命化を図るものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は半導体メモリを使用した半導体ディスク装置の
電源制御方式に関し、特にメモリのバッテリバンクアッ
プ制御方式に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体ディスク装置（以下ＳＳＯと略称する）は半導体
メモリと共に、マイクロディスクユニット（以下ＭＤと
略称する）を内蔵しており、電源オフ時、または停電時
に半導体メモリ上のデータをＭＤへ転送し、データの不
揮発性を保っている。

ＳＳＤの使用上における問題点は、ＭＤへ対するデータ
セーブ（データ救済）およびその逆のＭＤから半導体メ
モリ上へのりセーブに長い時間を要することである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述のデータセーブまたはりセーブの時（通常各々ｌＯ
分程度必要）には、半導体メモリは通常のメモリとして
の動作はしないから稼動効率が悪いことになる。従来方
式の装置は短い停電時間の場合も例外なくセーブおよび
リセーブを行うのでこの傾向は一層増長される。また停
電の際用いられるバッテリは前述のセーブおよびリセー
ブを繰り返すと、その寿命が短縮される。本発明はこれ
らの問題点を解決しようとするものである。

従って本発明の目的は、短い停電にはデータセーブおよ
びリセーブを行わないで、半導体メモリをバフテリ電源
で待機させ、装置の稼動効率を向上させると共に、バッ
テリの充放電量を少なくし長寿命化を実現することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明においては、半導体メモリ、半導体メモリの内容
を退避させるための不揮発性記憶ユニット、停電検出手
段、バフテリの容量を監視する手段、半導体メモリの内
容を不揮発性記憶ユニットへ転送しかつ不揮発性記憶ユ
ニットから半導体メモリへ再転送する手段、および停電
時にバッテリから電力を供給する手段を具備する半導体
ディスク装置において、第１図に示すように、停電時に
バッテリから電力を供給するように切換え（１２）、第
１の信号ＰＦＩを発信しく１３）、半導体メモリをスタ
ンドバイ状態に切換え（１４）、バッテリの容量が所定
の値に達した時（１５）第２の信号ＰＦ２を発信しく１
６）、半導体メモリを動作状態へ戻すよう切換え（１７
）、半導体メモリの内容を不揮発性記憶ユニットへ転送
しく１８）、転送完了後電源をオフする（１９）ように
した半導体ディスク装置の電源制御方式が提供される。

〔作　用〕

前述の電源制御方式を用いれば、半導体ディスク装置の
作動時に、停電が発生した時、直ちにその停電が停電検
出手段によって検出され、装置の電源がバッテリから供
給されるようになり、第１の信号ＰＦＩが発信され、半
導体メモリはスタンドバイ状態に切換えられる。半導体
メモリはスタンドバイ状態では通常の動作はしないが記
憶された内容は保持される。また半導体メモリはスタン
ドバイ状態では消費電力が極めて少な（ですむ。この状
態で停電が回復すると装置は直ちに動作を回復する。長
時間にわたって停電が回復しない場合は、バッテリ容量
を監視する手段により残余のバッテリ容量を求め所定値
に達した時に、第２の信号ＰＦ２を発信し、半導体メモ
リの状態を動作状態に戻し、その内容を不揮発性記憶ユ
ニットへ転送し、転送が完了した復電・源をオフする。

このようにして、短い停電の場合には、半導体メモリを
スタンドバイ状態にして記憶内容を保持し、バッテリの
負荷を軽減し、停電回復時に直ちに動作を回復するよう
にし、長時間の停電の場合は、バッテリの許容する時間
迄スタンドバイ状態を続け、それを超えた時には不揮発
性記憶ユニットへの転送を行うようにして記憶内容を保
全し、装置の稼動効率の向上とバフテリの長寿命化が実
現される。

〔実施例〕

本発明を行う一実施例としてのＳＳＤのブロック回路図
が第２図に示される。本装置は、整流回路３１、電源回
路３２、停電検出回路３３、電源制御回路３４、直流ス
イッチ回路３５、バッテリ容量監視回路３６、メモリ制
御回路３７１．半導体メモリ３８、不揮発性記憶ユニッ
トとしてのＭＤ４０、およびデータセーブ制御回路３９
を具備する０図中太い線は電力供給線を示し、他は制御
信号線を示す。

交流電源は整流回路３１で整流され電源回路３２へ供給
される。停電時に使用されるバッテリからの直流電源は
直流スイッチ回路３５を介して電源回路３２へ供給され
る。交流電源が停電した時は、停電検出回路３３が検出
し電源制御回路３４を介して直流スイッチ回路３５を導
通させてバフテリからの電源が電源回路３２に供給され
るようになる。電源回路３２は装置内の各回路の電源を
供給するが、電力消費量としては半導体メモリ３８が大
部分を占める。

停電検出回路３３からの停電検出信号を受けると電源制
御回路３４は直流スイッチ回路３５への出力のほかに、
メモリ制御回路３７へＰＦＩ信号を送信し、半導体メモ
リ３８の動作状態をスタンドバイ状態へ切換える。スタ
ンドバイ状態に切換えられた半導体メモリ３８は電力消
費量が通常の動作状態に比較して、例えば１／１０程度
に減少する。

停電が短時間で終わり交流電源が通電されるとスタンド
バイ状態から通常の動作状態に回復する。

停電が長く続きバフテリの残存容量（アンペアＸ時間）
が所定値（例えば半導体メモリからＭＤへのデータセー
ブが可能な値）まで減少した時は、バッテリ容量監視回
路３６から信号ＰＦ２が電源制御回路３４を介してメモ
リ制御回路３７へ供給され、半導体メモリ３８のスタン
ドバイ状態を通常の動作状態に復帰させる０次いで電源
制御回路３４からデータセーブ制御回路３９を介してメ
モリ制御回路３７を制御し、半導体メモリ３８の記憶内
容を不揮発性記憶ユニットであるＭＤ４０へ退避させる
ようデータセーブを開始する。データセーブは例えば通
常１０分程度の時間を必要とする。

データセーブが終了すると電源をオフしてバッテリの放
電を停止させる。この後、交流電源が回復すれば、本装
置はＭＤ４０に退避された記憶内容を半導体メモリ３．
８へ戻すリセーブを行う。リセーブはセーブと同様に通
常１０分程度の時間を必要とする。リセーブが終了する
と装置は停電前の状態に回復する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、短い停電にはデータセーブおよびリセ
ーブを行わないで、半導体メモリをバフテリ電源で記憶
内容を保持したまま低電力消費状態で即時復旧可能な状
態で待機させ、それにより装置の稼動効率を向上し、バ
ッテリの充放電量を少なくして長寿命化を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の各段階の流れを説明する流れ図、およ
び 第２図は本発明を行う一実施例としての半導体ディスク
装置のブロック回路図である。 図において、 ３１・・・整流回路、 ３２・・・電源回路、 ３３・・・停電検出回路、 ３４・・・電源制御回路、 ３５・・・直流スイッチ回路、 ３６・・・バフテリ容量監視回路、 ３７・・・メモリ制御回路、 ３８・・・半導体メモリ、 ３９・・・データセーブ制御回路、 ４０・・・マイクロディスクユニット。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体メモリ（３８）、該半導体メモリ（３８）の内容
   を退避させるための不揮発性記憶ユニット（４０）、停
   電を検出する手段（３３）、バッテリの容量を監視する
   手段（３６）、該半導体メモリ（３８）の内容を該不揮
   発性記憶ユニット（４０）へ転送しかつ該不揮発性記憶
   ユニット（４０）から該半導体メモリ（３８）へ再転送
   する手段（３７）、および停電時にバッテリから電力を
   供給する手段（３５）を具備する半導体ディスク装置の
   電源制御方式において、 停電時（１１）にバッテリから電力を供給するように切
   換え（１２）、同時に第１の信号（ＰＦ１）を発信し（
   １３）、該半導体メモリ（３８）をスタンドバイ状態に
   切換える（１４）段階、 バッテリの容量が所定の値に達した時（１５）、第２の
   信号（ＰＦ２）を発信し（１６）、該半導体メモリ（３
   ８）を動作状態へ戻すよう切換え（１７）、該半導体メ
   モリ（３８）の内容を不揮発性記憶ユニット（４０）へ
   転送する（１８）段階、および 転送完了後電源をオフする（１９）段階、を具備するこ
   とを特徴とする半導体ディスク装置の電源制御方式。