JPS63154693A - ２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドの製造方法 - Google Patents
２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドの製造方法Info
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- JPS63154693A JPS63154693A JP62301639A JP30163987A JPS63154693A JP S63154693 A JPS63154693 A JP S63154693A JP 62301639 A JP62301639 A JP 62301639A JP 30163987 A JP30163987 A JP 30163987A JP S63154693 A JPS63154693 A JP S63154693A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
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- C07F9/42—Halides thereof
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- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
で表ワされる２−クロロエタンホスホン酸エステルまた
は上記２つのエステルの混合物を塩化チオニルと６０な
いし１６０℃の温度において反応せしめることによって
２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドを製造する方
法に関する。
は上記２つのエステルの混合物を塩化チオニルと６０な
いし１６０℃の温度において反応せしめることによって
２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドを製造する方
法に関する。
２−クロロエタンホスホン酸ジクロライド加水分解によ
って植物生長促進剤として重要な２−クロロエタンホス
ホン酸が得られる。ヒドロキシアルキル−またはメルカ
プトアルキル化合物との反応によって、ホスホネートま
たはチオホスホネートが得られる。そのような化合物は
、防炎剤または植物保護剤として使用される。
って植物生長促進剤として重要な２−クロロエタンホス
ホン酸が得られる。ヒドロキシアルキル−またはメルカ
プトアルキル化合物との反応によって、ホスホネートま
たはチオホスホネートが得られる。そのような化合物は
、防炎剤または植物保護剤として使用される。
更に、２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドからＨ
ＣＩ脱離によってビニルホスホン酸ジクロライドが製造
され（スイス国特許第８９１，６９９号、ドイツ特許出
願公開筒１，５６８，９４５号公報参照）、それは今度
はビニルホスホン酸まで加水分解されうる。このものは
、防炎剤の製造の際の重要な中間、生成物である。更に
、それは単一または共重合の製造の際の重要な単量体で
ある。
ＣＩ脱離によってビニルホスホン酸ジクロライドが製造
され（スイス国特許第８９１，６９９号、ドイツ特許出
願公開筒１，５６８，９４５号公報参照）、それは今度
はビニルホスホン酸まで加水分解されうる。このものは
、防炎剤の製造の際の重要な中間、生成物である。更に
、それは単一または共重合の製造の際の重要な単量体で
ある。
そのような重合体は、塗料、合成樹脂、腐食防止剤およ
び被覆剤において重要である。
び被覆剤において重要である。
上記（７）２−クロロエタンホスホン酸−ビスー２−ク
ロロエチルエステルから塩化チオニルを用いて２−クロ
ロエタンホスホン酸ジクロライドを製造することが米国
特許第４，２１８，９２２号から知られている。その際
、触媒として第三アミン、Ｎ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド
またはＮ，Ｎ−ジ置換リン酸トリアミドが使用される。
ロロエチルエステルから塩化チオニルを用いて２−クロ
ロエタンホスホン酸ジクロライドを製造することが米国
特許第４，２１８，９２２号から知られている。その際
、触媒として第三アミン、Ｎ，Ｎ−ジ置換ホルムアミド
またはＮ，Ｎ−ジ置換リン酸トリアミドが使用される。
しかしながら、収量は、長い反応時間にもかかわらず上
記の文献の例４が示すように極めて低い。
記の文献の例４が示すように極めて低い。
ドイツ特許出願公開筒２，１８２，９６２号から塩化チ
オニルの代シにホスゲンを用いる上記の反応が知られて
いる。その際、触媒としてなかんず（トリフェニルホス
フィンオキシドのようなリン（Ｖ）化合物が使用される
。これらの触媒は、米国特許第４，２１３，９２２号の
優先臼においてすでに公知技術であったが、それらはこ
の米国特許による方法においては利用されていない。す
なわち、塩化チオニルを使用する場合には、リン（ｖ）
化合物の存在は、有利であるとは考えられてい力かった
ことは明らかである。
オニルの代シにホスゲンを用いる上記の反応が知られて
いる。その際、触媒としてなかんず（トリフェニルホス
フィンオキシドのようなリン（Ｖ）化合物が使用される
。これらの触媒は、米国特許第４，２１３，９２２号の
優先臼においてすでに公知技術であったが、それらはこ
の米国特許による方法においては利用されていない。す
なわち、塩化チオニルを使用する場合には、リン（ｖ）
化合物の存在は、有利であるとは考えられてい力かった
ことは明らかである。
５一
驚くべきことには本発明者らは、前記の２一クロロエタ
ンホスホン酸エステルかラ、好マシくはアルカリ金属−
またはアルカリ土類金属のハロゲン化物と組合せて、ホ
スフィンオキシドの存在下に塩化チオニルを用いて２−
クロロエタンホスエン酸ジクロライドを比較的短かい反
応時間において高い収量で製造しうろことを見出した。
ンホスホン酸エステルかラ、好マシくはアルカリ金属−
またはアルカリ土類金属のハロゲン化物と組合せて、ホ
スフィンオキシドの存在下に塩化チオニルを用いて２−
クロロエタンホスエン酸ジクロライドを比較的短かい反
応時間において高い収量で製造しうろことを見出した。
しかしながら、第三ホスフィンまたはアルカリ金属−ま
たはアルカリ土類金属のハロゲン化物の使用下における
上記の反応は未だ公開されていないドイツ特許出願Ｐ８
６２９５７９．５に記載されている。
たはアルカリ土類金属のハロゲン化物の使用下における
上記の反応は未だ公開されていないドイツ特許出願Ｐ８
６２９５７９．５に記載されている。
従って、本発明の対象は、式
で表ワされる２−クロロエタンホスホン酸エステルまだ
はこれらの２つのエステルの混合物を塩化チオニルと６
０ないし１６０℃の温度において反応せしめることによ
って２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドを製造す
る方法において、反応を一般式 ％式％ （上式中、基Ｒ、ＲおよびＲは同一または相異なること
ができモして直鎖状または分枝鎖状ｃ１−Ｃ１Ｑ −フ
ルキル、フェニル、マタハハロゲン、Ｃ１−Ｃじアルキ
ルまたはｃｌ−ｃジアルコキシ基で置換されたフェニル
を意味する） で表わされるホスフィンオキシトを含有する触媒の存在
下に反応を行なうことを特徴とする上記２−クロロエタ
ンホスホン酸ジクロライドの製造である。
はこれらの２つのエステルの混合物を塩化チオニルと６
０ないし１６０℃の温度において反応せしめることによ
って２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドを製造す
る方法において、反応を一般式 ％式％ （上式中、基Ｒ、ＲおよびＲは同一または相異なること
ができモして直鎖状または分枝鎖状ｃ１−Ｃ１Ｑ −フ
ルキル、フェニル、マタハハロゲン、Ｃ１−Ｃじアルキ
ルまたはｃｌ−ｃジアルコキシ基で置換されたフェニル
を意味する） で表わされるホスフィンオキシトを含有する触媒の存在
下に反応を行なうことを特徴とする上記２−クロロエタ
ンホスホン酸ジクロライドの製造である。
好ましくは、触媒は、ホスフィンオキシトに加うるにな
おアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物
、特に臭化リチウムを含有する。
おアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物
、特に臭化リチウムを含有する。
Ｒ’、Ｒ２およびＲ３は、好ましくはＣ１−Ｃ４−アル
キル基、フェニル基または上記のように置換されたフェ
ニル基である。
キル基、フェニル基または上記のように置換されたフェ
ニル基である。
反応温度は、６０〜１６０℃、好ましくは６０〜１４０
℃、特に８０〜１３０℃である。使用されたエステルに
対する塩化チオニルのモル比は、２：１ないし４：１、
好ましくは２．５＋１ないし８．５：１である。触媒量
は、使用されたエステルに対して０．１ないし１０モル
％、好ましくは０．５ないし４モル％である。
℃、特に８０〜１３０℃である。使用されたエステルに
対する塩化チオニルのモル比は、２：１ないし４：１、
好ましくは２．５＋１ないし８．５：１である。触媒量
は、使用されたエステルに対して０．１ないし１０モル
％、好ましくは０．５ないし４モル％である。
以下のホスフィンオキシトが゛特に好適であるニトリフ
ェニルホスフィンオキシト、トリス（４−フルオロフェ
ニル）ホスフィンオキシト、ト！Ｊス（４−ト’Ｊル）
ホスフィンオキシト、トリス（４−メトキシフェニル）
ホスフィンオキシト、（Ｎ、Ｎ−ジエチル）アミンメチ
ルジフェニルホスフィンオキシト、トリーｎ−ブチルホ
スフィンオキシト、ビス（４−メトキシフェニル）メチ
ルホスフィンオキシド。特に好適なものは、トリフェニ
ルホスフィンオキシトであシ、なかんずく臭化リチウム
と１０：１ないし１：１０、好ましくは１：１ないし１
： ５ （Ｐｈ３ＰＯ： ＬｉＢｒ）のモル比で組合
わされたものである。周成分は、協同的に作用する。そ
れによってトリフェニルホスフィンオキ７ドを別個に使
用した場合に比較して、温度の低下が可能でおるかある
いはより短縮された反応時間が達成される。
ェニルホスフィンオキシト、トリス（４−フルオロフェ
ニル）ホスフィンオキシト、ト！Ｊス（４−ト’Ｊル）
ホスフィンオキシト、トリス（４−メトキシフェニル）
ホスフィンオキシト、（Ｎ、Ｎ−ジエチル）アミンメチ
ルジフェニルホスフィンオキシト、トリーｎ−ブチルホ
スフィンオキシト、ビス（４−メトキシフェニル）メチ
ルホスフィンオキシド。特に好適なものは、トリフェニ
ルホスフィンオキシトであシ、なかんずく臭化リチウム
と１０：１ないし１：１０、好ましくは１：１ないし１
： ５ （Ｐｈ３ＰＯ： ＬｉＢｒ）のモル比で組合
わされたものである。周成分は、協同的に作用する。そ
れによってトリフェニルホスフィンオキ７ドを別個に使
用した場合に比較して、温度の低下が可能でおるかある
いはより短縮された反応時間が達成される。
比較的反応のにぷいホスホン酸エステルのために十分な
反応時間を保証するために、塩化チオニルは、好ましく
は予め装入されたエステル中に導入される。塩化チオニ
ルを反応容器の底部に予め仕込まれたエステル中に導入
することが特に好ましい。
反応時間を保証するために、塩化チオニルは、好ましく
は予め装入されたエステル中に導入される。塩化チオニ
ルを反応容器の底部に予め仕込まれたエステル中に導入
することが特に好ましい。
調整された反応温度において留去されそして供給量の増
大と共に塩化チオニルを反応容器から搬出する反応中に
脱離されるジクロルエタンは、好ましくは凝縮されそし
て再循環される。
大と共に塩化チオニルを反応容器から搬出する反応中に
脱離されるジクロルエタンは、好ましくは凝縮されそし
て再循環される。
未反応の塩化チオニルのそのように行なわれる循環によ
って、このものは、最適に利用しつくされる。
って、このものは、最適に利用しつくされる。
反応を不活性溶媒の存在下に行なうこともできる。例と
して以下のものが挙げられる：クロロベンゼン、ジクロ
ロベンゼンまたハ炭化水素。
して以下のものが挙げられる：クロロベンゼン、ジクロ
ロベンゼンまたハ炭化水素。
好ましくは、８０ないし１３０℃において操作される。
反応の終了は、Ｓ０２およびＨＣＩの発生の停止によっ
て認められる。
て認められる。
反応混合物を精製するために、生成したジクロロエタン
および場合によっては未反応の塩化チオニルを留去する
。生成された２−クロロエタンホスホン酸ジクロライド
は１、蒸留によって精製されうる。
および場合によっては未反応の塩化チオニルを留去する
。生成された２−クロロエタンホスホン酸ジクロライド
は１、蒸留によって精製されうる。
以下の例によって本発明を更に詳細に説明する。出発物
質としては、トリス−２−クロロエチルホスファイトＰ
（ＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ１）３ （ドイツ特許出願公開筒２
．１８２．９６２号；ホウベン−ワイル（Ｈｏｕｂｅｎ
−Ｗｅｙｌ）、第■／１巻（１９６８年）第８８９頁参
照〕のアルプソウ（Ａｒｂｕｓｏｗ）転位の際に１４０
℃に加熱することによって得られるような粗製トリス−
２−１０口エタンホスホン酸−ビス−クロー１〇− ロエチルエステルが使用された。上記の粗製エステルは
、約５５％まで下記２−クロロエタンホスホン酸−ビス
−２−１０ロエチルエステル：からなシ、そして約３８
％まで２−クロロエタンホスホン酸モノ−２−クロロエ
チル−モノ−（２−クロロエタンホスホン酸−ビス−２
−クロロエチルエステル）エステル： からなっていた。
質としては、トリス−２−クロロエチルホスファイトＰ
（ＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ１）３ （ドイツ特許出願公開筒２
．１８２．９６２号；ホウベン−ワイル（Ｈｏｕｂｅｎ
−Ｗｅｙｌ）、第■／１巻（１９６８年）第８８９頁参
照〕のアルプソウ（Ａｒｂｕｓｏｗ）転位の際に１４０
℃に加熱することによって得られるような粗製トリス−
２−１０口エタンホスホン酸−ビス−クロー１〇− ロエチルエステルが使用された。上記の粗製エステルは
、約５５％まで下記２−クロロエタンホスホン酸−ビス
−２−１０ロエチルエステル：からなシ、そして約３８
％まで２−クロロエタンホスホン酸モノ−２−クロロエ
チル−モノ−（２−クロロエタンホスホン酸−ビス−２
−クロロエチルエステル）エステル： からなっていた。
すべてのバッチおよび収量は、９３％の正味含量を基準
とするものであった。
とするものであった。
例１
粗Ｍ２−クロロエタンホスホン酸−ビスークロロエチル
エステル１５０ｇオよヒ塩化チオニル１４９．１ ｇ
（１，２５モル）をトリフェニルホスフィンオキシト１
．１ｇの存在下に３０分以内に１３０℃壕で加熱した。
エステル１５０ｇオよヒ塩化チオニル１４９．１ ｇ
（１，２５モル）をトリフェニルホスフィンオキシト１
．１ｇの存在下に３０分以内に１３０℃壕で加熱した。
脱離されたジクロロエタンおよび未反応の塩化チオニル
は塔から受は器に蒸留され、そして浸漬管を経て反応容
器の底部の反応混合物に還流された。未反応の塩化チオ
ニルから絶えず再循環させながら更に５．５時間加熱し
、そして次にまず常圧でそして次に１５０〜２５０ミリ
バールおよび５０〜７０℃において反応混合物から易揮
発性の成分が蒸留された。なお２０，６％の未反応の塩
化チオニルを含有する留出物１０７．４ｇが得られた。
は塔から受は器に蒸留され、そして浸漬管を経て反応容
器の底部の反応混合物に還流された。未反応の塩化チオ
ニルから絶えず再循環させながら更に５．５時間加熱し
、そして次にまず常圧でそして次に１５０〜２５０ミリ
バールおよび５０〜７０℃において反応混合物から易揮
発性の成分が蒸留された。なお２０，６％の未反応の塩
化チオニルを含有する留出物１０７．４ｇが得られた。
次いで、４〜５ミリバールおよび４２〜８３℃において
主留出物として無色の液体８１．５ｇ（理論量の８４％
）が得られ、このものは９０重量％まで２−クロロエタ
ンホスホン酸ジクロリドからなシそして１０重量％まで
ビニルホスホン酸ジクロリドからなっていた。
主留出物として無色の液体８１．５ｇ（理論量の８４％
）が得られ、このものは９０重量％まで２−クロロエタ
ンホスホン酸ジクロリドからなシそして１０重量％まで
ビニルホスホン酸ジクロリドからなっていた。
例２
例１と類似方法で粗製２−クロロエタンホスフェン酸−
ビス−クロロエチルエステル１５０ｇおよび塩化チオニ
ル１４９．１ ｇ （１，２５モル）をＬｉＢｒ ０．
９９ｇ（１１，４ミリモル）およびトリフェニルホスフ
ィンオキシト１．１ｇ（３，９６ミリモル）の存在下に
３０分以内に１００℃まで加熱し、そして反応混合物を
この温度において５．５時間保った。塩化チオニルおよ
びジクロロエタンヨシなる留去された混合物は、この時
間の間連続的に浸漬管を経て反応容器の底部において循
環流として再循環された。例１において記載されている
ような、蒸留による精製において、ジクロロエタン７９
．８ ｇおよび塩化チオニル２４．２ｇよりなる前留出
物１０４．０ｇが得られる。主留分として２−クロロエ
タンホスホン酸ジクロリド７８．５ｇ（理論量の８０％
）およびビニルホスホン酸ジクロリドが９７＝３の重量
比で得られた。
ビス−クロロエチルエステル１５０ｇおよび塩化チオニ
ル１４９．１ ｇ （１，２５モル）をＬｉＢｒ ０．
９９ｇ（１１，４ミリモル）およびトリフェニルホスフ
ィンオキシト１．１ｇ（３，９６ミリモル）の存在下に
３０分以内に１００℃まで加熱し、そして反応混合物を
この温度において５．５時間保った。塩化チオニルおよ
びジクロロエタンヨシなる留去された混合物は、この時
間の間連続的に浸漬管を経て反応容器の底部において循
環流として再循環された。例１において記載されている
ような、蒸留による精製において、ジクロロエタン７９
．８ ｇおよび塩化チオニル２４．２ｇよりなる前留出
物１０４．０ｇが得られる。主留分として２−クロロエ
タンホスホン酸ジクロリド７８．５ｇ（理論量の８０％
）およびビニルホスホン酸ジクロリドが９７＝３の重量
比で得られた。
例８
例２と類似方法で粗製２−クロロエタンホスホン酸−ビ
ス−クロロエチルエステル１５註よび塩化チオニル１４
９．１ ｇ （ １． ２ ５モル）をトリフェニルホ
スフィンオキシト２． １ ２ ｇ （ ７、８５ミリ
モル）の存在下に３０分以内に１００℃に加熱した。１
００℃において５．５時間攪拌し、その際塩化チオニル
およびジクロロエタンよリナル留去された混合物を連続
的に浸漬管を経て反応容器の底部において循環流として
再循環された。
ス−クロロエチルエステル１５註よび塩化チオニル１４
９．１ ｇ （ １． ２ ５モル）をトリフェニルホ
スフィンオキシト２． １ ２ ｇ （ ７、８５ミリ
モル）の存在下に３０分以内に１００℃に加熱した。１
００℃において５．５時間攪拌し、その際塩化チオニル
およびジクロロエタンよリナル留去された混合物を連続
的に浸漬管を経て反応容器の底部において循環流として
再循環された。
例２と類似方法で蒸留による精製によって、ジクロロエ
タン６ ６． ６ ｇおよび塩化チオニル８８、７ｇよ
シなる前留出物１００．８ｇが得られた。
タン６ ６． ６ ｇおよび塩化チオニル８８、７ｇよ
シなる前留出物１００．８ｇが得られた。
主留分として２−クロロエタンホスホン酸ジクロリド４
ｇ．５ｇ（理論量の４９％）およびビニルホスホン酸ジ
クロリドが９７：３の重量比で得られた。
ｇ．５ｇ（理論量の４９％）およびビニルホスホン酸ジ
クロリドが９７：３の重量比で得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２−クロロエタンホスホン酸エステルまた
は上記の２つのエステルの混合物を６０ないし１６０℃
の温度において塩化チオニルと反応せしめることによっ
て２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドを製造する
方法において、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （上式中、基Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は同一または
相異なることができそして直鎖状または分枝鎖状Ｃ＿１
−Ｃ＿１＿０−アルキル、フェニル、またはハロゲン、
Ｃ＿１−Ｃ＿４−アルキルまたはＣ＿１−Ｃ＿４−アル
コキシ基で置換されたフェニルを意味する）で表わされ
るホスフィンオキシドを含有する触媒の存在下に反応を
行なうことを特徴とする上記２−クロロエタンホスホン
酸ジクロライドの製造方法。 ２、ホスフィンオキシドのほかになおアルカリ金属また
はアルカリ土類金属のハロゲン化物を含有する触媒を使
用する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、ホスフィンオキシドのほかになお臭化リチウムを含
有する触媒を使用する特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ４、触媒としてトリフェニルホスフィンオキシドまたは
トリフェニルホスフィンオキシドと臭化リチウムとの組
合せを使用する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、反応の間に脱離されそして留去されたジクロロエタ
ンを凝縮しそして再循環せしめる特許請求の範囲第１項
ないし第４項のいずれかに記載の方法。 ６、予め仕込んだエステル中に塩化チオニルを導入する
特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の
方法。 ７、反応容器の底部に予め仕込んだエステル中に塩化チ
オニルを導入する特許請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19863641100 DE3641100A1 (de) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | Verfahren zur herstellung von 2-chlorethanphosphonsaeuredichlorid |
| DE3641100.0 | 1986-12-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63154693A true JPS63154693A (ja) | 1988-06-27 |
| JPH0826051B2 JPH0826051B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=6315251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301639A Expired - Lifetime JPH0826051B2 (ja) | 1986-12-02 | 1987-12-01 | ２−クロロエタンホスホン酸ジクロライドの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4855087A (ja) |
| EP (1) | EP0270041B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0826051B2 (ja) |
| KR (1) | KR950006547B1 (ja) |
| CA (1) | CA1304406C (ja) |
| DE (2) | DE3641100A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| US7415917B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-08-26 | Raytheon Company | Fixed deployed net for hit-to-kill vehicle |
| KR100594875B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2006-06-30 | 주식회사 누리플랜 | 아스콘 접합부용 전처리 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| BE592086A (ja) * | 1959-06-20 | |||
| DE1568945C3 (de) * | 1966-12-23 | 1975-10-09 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung ungesättigter Phosphonsäuredichloride |
| US3972923A (en) * | 1971-06-15 | 1976-08-03 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for the preparation of phosphonic acid dihalides |
| DE2132962C3 (de) * | 1971-07-02 | 1979-11-22 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von 2-Chloräthanphosphonsäuredichlorid |
| CS166044B2 (ja) * | 1971-06-15 | 1976-01-29 | ||
| US4213922A (en) * | 1978-09-20 | 1980-07-22 | Ciba-Geigy Corporation | Process for producing phosphonic acid halides |
| DE3033614A1 (de) * | 1980-09-06 | 1982-04-29 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von vinylphosphonsaeuredichlorid und 2-chlorethanphosphonsaeuredichlorid |
| DE3541627A1 (de) * | 1985-11-26 | 1987-05-27 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von phosphonsaeuredichloriden |
| GB8603549D0 (en) * | 1986-02-13 | 1986-03-19 | Vickers Plc | Phosphonic acid derivatives |
-
1986
- 1986-12-02 DE DE19863641100 patent/DE3641100A1/de active Granted
-
1987
- 1987-11-28 DE DE8787117625T patent/DE3767140D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-28 EP EP87117625A patent/EP0270041B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-30 KR KR1019870013516A patent/KR950006547B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-12-01 JP JP62301639A patent/JPH0826051B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-01 CA CA000553205A patent/CA1304406C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-01 US US07/127,175 patent/US4855087A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0826051B2 (ja) | 1996-03-13 |
| EP0270041B1 (de) | 1990-12-27 |
| KR890005134A (ko) | 1989-05-13 |
| KR950006547B1 (ko) | 1995-06-16 |
| EP0270041A2 (de) | 1988-06-08 |
| US4855087A (en) | 1989-08-08 |
| EP0270041A3 (en) | 1988-08-17 |
| DE3641100A1 (de) | 1988-06-09 |
| DE3767140D1 (de) | 1991-02-07 |
| CA1304406C (en) | 1992-06-30 |
| DE3641100C2 (ja) | 1988-09-15 |
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