JPS62135483A - ホスホン酸ジクロリドの製造法 - Google Patents
ホスホン酸ジクロリドの製造法Info
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- JPS62135483A JPS62135483A JP61278937A JP27893786A JPS62135483A JP S62135483 A JPS62135483 A JP S62135483A JP 61278937 A JP61278937 A JP 61278937A JP 27893786 A JP27893786 A JP 27893786A JP S62135483 A JPS62135483 A JP S62135483A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
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- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ホスホン酸ジクロリドの製造法、評言すれば
一般式Ｉ： コ（−ＰＣ）２ （Ｉ）〔式
中、Ｒは１〜１２個のＣ原子を有する、直鎖状または分
枝状、場合によりハロゲン置換されたアルキル−、アル
ケニル、アラルキル−またはア゛リール基會表わす〕で
示されるホスホン酸ジクロリド？、塩化チオニルを一般
式■；○ 〔式中、Ｒは前記のものを表わし Ｂｌは１〜４個のＣ
原子を有する直鎖状または分枝状、場合によりハロゲン
置換されたアルキル基金表わス〕で示されるホスホン酸
シアルキルエステルと触媒の存在で反応させることによ
り製造する方法に関する。
一般式Ｉ： コ（−ＰＣ）２ （Ｉ）〔式
中、Ｒは１〜１２個のＣ原子を有する、直鎖状または分
枝状、場合によりハロゲン置換されたアルキル−、アル
ケニル、アラルキル−またはア゛リール基會表わす〕で
示されるホスホン酸ジクロリド？、塩化チオニルを一般
式■；○ 〔式中、Ｒは前記のものを表わし Ｂｌは１〜４個のＣ
原子を有する直鎖状または分枝状、場合によりハロゲン
置換されたアルキル基金表わス〕で示されるホスホン酸
シアルキルエステルと触媒の存在で反応させることによ
り製造する方法に関する。
従来の技術
一般式１のホスホン酸ジクロリドを、一般式■の相応す
るエステルを塩化チオニルと反応させることにより製造
することは公知である〔ツウベン・ワイル（Ｈｏｕｄｅ
ｎ Ｗｅｙ］）著１メトーデン・デア・オルガニツシエ
ン・ヒエミー（Ｍｅ↑、ｈｏ−ｄｅｎ ｄｅｒ Ｏｒｇ
ａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ ）’、第２版、第６
１１頁（１９８２年）、チーメ（Ｇ、 Ｔｈｉｅｍｅ、
）出版社、シュトットガルト（Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ ）
在）１この場合に、アミンまたはアミド、たとえばトリ
エチルアミン、ピリジンまたはジメチルホルムアミドの
添加は反応全促進し、たとえばメタンホスホン酸ジクロ
リドの製造の際に、触媒添加なしの８０％（米国特許第
４２１３９２２号明細書）と比べて、蒸留後の収率′？
！−９４％に増加させる。
るエステルを塩化チオニルと反応させることにより製造
することは公知である〔ツウベン・ワイル（Ｈｏｕｄｅ
ｎ Ｗｅｙ］）著１メトーデン・デア・オルガニツシエ
ン・ヒエミー（Ｍｅ↑、ｈｏ−ｄｅｎ ｄｅｒ Ｏｒｇ
ａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ ）’、第２版、第６
１１頁（１９８２年）、チーメ（Ｇ、 Ｔｈｉｅｍｅ、
）出版社、シュトットガルト（Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ ）
在）１この場合に、アミンまたはアミド、たとえばトリ
エチルアミン、ピリジンまたはジメチルホルムアミドの
添加は反応全促進し、たとえばメタンホスホン酸ジクロ
リドの製造の際に、触媒添加なしの８０％（米国特許第
４２１３９２２号明細書）と比べて、蒸留後の収率′？
！−９４％に増加させる。
この公−、印作業法の欠点は 、ｑ′ｆｉ媒添誼にもか
かかわらず、反応に対して比較的長い反応時間を必要と
することである。それで定量的反応全達成するために、
たとえばメタンホスホン酸ジクロリ１１モルヲ、メタン
ホスホン酸ジメチルエステルおよび塩化チオニルから、
触媒としてジメチルホルムアミドの存在で製造するには
、２時間の配置時間の後に、なお沸、惨温度で７．５時
間の反応段階が必要である。
かかわらず、反応に対して比較的長い反応時間を必要と
することである。それで定量的反応全達成するために、
たとえばメタンホスホン酸ジクロリ１１モルヲ、メタン
ホスホン酸ジメチルエステルおよび塩化チオニルから、
触媒としてジメチルホルムアミドの存在で製造するには
、２時間の配置時間の後に、なお沸、惨温度で７．５時
間の反応段階が必要である。
この方法のもう１つの欠点は、そ、へ比較蒸留によりホ
スホン酸ジハロゲニド’ｋｌ’ｌ製する際に、その比較
的筒い蒸気圧に基づき、留出物の汚染′ｆＩ：惹起しう
る物質が、触媒として使用することである。
スホン酸ジハロゲニド’ｋｌ’ｌ製する際に、その比較
的筒い蒸気圧に基づき、留出物の汚染′ｆＩ：惹起しう
る物質が、触媒として使用することである。
発明が解決しようとする問題点
したがって本発明の課題は、ホスホン酸ジクロリドｔホ
スホン酸ジエステルと塩化チオニルとの反応によ！ｌｌ
裂造するための、ち媒作用ケ有し、反応時間を明らかに
短縮し、高い収率ｖｉ−提供しかつ実際に揮発性でない
ので、触媒が生成留出物を汚染しないで、蒸留残滓中に
残留し、かつこの残滓と一緒に次の反応パッチのために
使用することのできる物質金兄い出すことであった。
スホン酸ジエステルと塩化チオニルとの反応によ！ｌｌ
裂造するための、ち媒作用ケ有し、反応時間を明らかに
短縮し、高い収率ｖｉ−提供しかつ実際に揮発性でない
ので、触媒が生成留出物を汚染しないで、蒸留残滓中に
残留し、かつこの残滓と一緒に次の反応パッチのために
使用することのできる物質金兄い出すことであった。
問題点を解決するための手段
ところで意外にも、この課題は、上記方法において触媒
として一般式ＩＮ、ｆｆまたはＶ：ＲＩＲ２Ｒ３Ｒ’Ｐ
Ｘ （Ｉ）ＲＲＲＰ
（ＩＶ）ＲＩＲ２Ｐ３ＰＯ（Ｖ） 〔式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は１〜８個のＣ原子を有
する同じかまたは異なるアルキル基またはアリール基を
表わし、Ｘは塩素または臭素を宍わし、Ｒ４はＲ１−Ｒ
３と同じかまたは塩素または臭素である〕で示される化
合物全使用する場合に、解決しうることが見い出された
。
として一般式ＩＮ、ｆｆまたはＶ：ＲＩＲ２Ｒ３Ｒ’Ｐ
Ｘ （Ｉ）ＲＲＲＰ
（ＩＶ）ＲＩＲ２Ｐ３ＰＯ（Ｖ） 〔式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は１〜８個のＣ原子を有
する同じかまたは異なるアルキル基またはアリール基を
表わし、Ｘは塩素または臭素を宍わし、Ｒ４はＲ１−Ｒ
３と同じかまたは塩素または臭素である〕で示される化
合物全使用する場合に、解決しうることが見い出された
。
好ましくは、一般式Ｎの化合物としてはテトラブチルホ
スホニウムクロリドまたはテトラブチルホスホニウムプ
ロミド、一般式ＩＶの化合物としてはトリフェニルホス
フィン、かつ一般式■の化合物としてはトリオクチルホ
スファンオキシドがそれぞれ触媒として使用される。
スホニウムクロリドまたはテトラブチルホスホニウムプ
ロミド、一般式ＩＶの化合物としてはトリフェニルホス
フィン、かつ一般式■の化合物としてはトリオクチルホ
スファンオキシドがそれぞれ触媒として使用される。
ホスホン酸ジアルキルエステル、塩化チオニルおよび触
媒を物質量化１：２〜３ ： ０．００ に〇、１、殊
に物質量化１ ： ２．５ ： ０．０１で使用しかつ
反応を温度７０〜１５０℃および常圧で実施するのが有
利であると判明した。
媒を物質量化１：２〜３ ： ０．００ に〇、１、殊
に物質量化１ ： ２．５ ： ０．０１で使用しかつ
反応を温度７０〜１５０℃および常圧で実施するのが有
利であると判明した。
その際、ホスホン酸シアルキルニステルト触媒との混合
物全装入し、塩化チオニル？約８０℃に加熱した混合物
に添加するか、または逆に塩化チオニルを触媒と一緒に
装入し、沸騰加熱し、次にホスホン酸エステルを配量す
ることが推奨される。
物全装入し、塩化チオニル？約８０℃に加熱した混合物
に添加するか、または逆に塩化チオニルを触媒と一緒に
装入し、沸騰加熱し、次にホスホン酸エステルを配量す
ることが推奨される。
反応の際に生成するガス状反応生成物は、燃焼ないしは
カ性ンーダ洗浄に供給することができる。出発物質の配
量に、最高１５０°Ｃまでの温度における還流粂件下で
の後反応段階が伏く。
カ性ンーダ洗浄に供給することができる。出発物質の配
量に、最高１５０°Ｃまでの温度における還流粂件下で
の後反応段階が伏く。
その後、過剰の塩化チオニルおよび場合によりなお溶解
しているガス状反応生成物が真空中で除去される。残留
するホスホン酸ジクロリドは場合により蒸留により精製
することができ、この場合生じる蒸留残滓は使用された
触媒量全実際に定量的に含有し、従って後のバッチに使
用することができる。
しているガス状反応生成物が真空中で除去される。残留
するホスホン酸ジクロリドは場合により蒸留により精製
することができ、この場合生じる蒸留残滓は使用された
触媒量全実際に定量的に含有し、従って後のバッチに使
用することができる。
公知の物質と比べて、本発明によ、り使用される化合物
は極めて有効な触媒であることが立証されたが、このこ
とは明らかに短縮された反応時間およびホスホン酸ジエ
ステルのホスホン酸ジクロリドへの定量的に進行する反
応に表われる。
は極めて有効な触媒であることが立証されたが、このこ
とは明らかに短縮された反応時間およびホスホン酸ジエ
ステルのホスホン酸ジクロリドへの定量的に進行する反
応に表われる。
こうして廉価に得られるホスホン酸ジクロリドは、多数
の植物保護剤および防炎剤合成の有用な反応性中間生成
物である。
の植物保護剤および防炎剤合成の有用な反応性中間生成
物である。
本発明による方法を次の実施例によジ詳説する。
実施例
レリ １
攪拌機、滴下漏斗、還流冷却器および内部温度計を有す
る５００ｍ１の多口フラスコ中に［化チオニル２９７．
５１ （２，５モル）とテトラブチルホスホニウムクロ
リド２．９５ ｇ（０，０１モル）とからなる混合物を
装入し、沸騰加熱する。２時間に、メタンホスホン酸ジ
メチルエステル１２４ｇ（１モル）を滴加する。配量時
間の終わジに、反応混合物の温度は連続的熱供給で９４
°Ｃに上昇する。この時点で、３１Ｐ核磁気共鳴スペク
トルにより、テトラブチルホスホニウムクロリド（１Ｐ
％）の他に、メタンホスホン酸ジクロリド（２３Ｐ％）
、メタンホスホン酸メチルエステルクロリド（５４Ｐ％
）、ポリメタンホスホン酸エステルおよびポリメタンホ
スホン酸エステルクロリド（２２Ｐ％）全検出すること
かできる。
る５００ｍ１の多口フラスコ中に［化チオニル２９７．
５１ （２，５モル）とテトラブチルホスホニウムクロ
リド２．９５ ｇ（０，０１モル）とからなる混合物を
装入し、沸騰加熱する。２時間に、メタンホスホン酸ジ
メチルエステル１２４ｇ（１モル）を滴加する。配量時
間の終わジに、反応混合物の温度は連続的熱供給で９４
°Ｃに上昇する。この時点で、３１Ｐ核磁気共鳴スペク
トルにより、テトラブチルホスホニウムクロリド（１Ｐ
％）の他に、メタンホスホン酸ジクロリド（２３Ｐ％）
、メタンホスホン酸メチルエステルクロリド（５４Ｐ％
）、ポリメタンホスホン酸エステルおよびポリメタンホ
スホン酸エステルクロリド（２２Ｐ％）全検出すること
かできる。
次の２時間の後反応において、反応混合物の温度金緩漫
に１４０°Ｃに上昇させることができる。こ′の時点で
、粗生成物は３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによればテト
ラブチルホスホニラムク１：Ｉ ！７ ト１Ｐ％の他に
、メタンホスホン酸ジクロリド９９Ｐ％からなる。
に１４０°Ｃに上昇させることができる。こ′の時点で
、粗生成物は３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによればテト
ラブチルホスホニラムク１：Ｉ ！７ ト１Ｐ％の他に
、メタンホスホン酸ジクロリド９９Ｐ％からなる。
蒸留により、純粋なメタンホスホン酸ジクロリド金単離
し、蒸留残滓はメタンホスホン酸ジクロリドの他に、触
媒として使用されたテトラブチルホスホニウムクロリド
金定量的に含有する。
し、蒸留残滓はメタンホスホン酸ジクロリドの他に、触
媒として使用されたテトラブチルホスホニウムクロリド
金定量的に含有する。
例 ２
例１と同様に、塩化チオニル２９７．５ ｇ（２，５モ
ル）ラメタンホスホン酸ジメチルエステル１２４ｇ（１
モル）とテトラブチルホスホニウムプロミド３．４ ｇ
（０，０１モル）の存在で反応させる。２時間の配量時
間および２時間の１４０℃までの後反応の後に、反応生
成物はテトラブチルホスホニウムプロミド１Ｐ％の他に
メタンホスホン酸ジクロリド９９Ｐ％からなり、テトラ
ブチルホスホニウムプロミドからメタンホスホン酸ジク
ロリドを蒸留により分離する。
ル）ラメタンホスホン酸ジメチルエステル１２４ｇ（１
モル）とテトラブチルホスホニウムプロミド３．４ ｇ
（０，０１モル）の存在で反応させる。２時間の配量時
間および２時間の１４０℃までの後反応の後に、反応生
成物はテトラブチルホスホニウムプロミド１Ｐ％の他に
メタンホスホン酸ジクロリド９９Ｐ％からなり、テトラ
ブチルホスホニウムプロミドからメタンホスホン酸ジク
ロリドを蒸留により分離する。
ｅ２リ ３
例１と同僚に、塩化チオニル１１９ｇ（１％ル）とオク
タンホスホン酸ジエチルエステル１２５ｇ（０−５モル
）とをテトラブチルホスホニウムクロリド１．５ｇ（０
，００５モル）の存在で反応させる。６時間の後反応段
階の後に、粗生成物は３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによ
ればテトラブチルホスホニウムクロリド１Ｐ％の他に９
９Ｐ％がオクタンホスホン酸ジクロリドからなジ、テト
ラブチルホスホニウムクロリドカラオクタンホスホン酸
ジクロリドｔｇ留によジ分離する。
タンホスホン酸ジエチルエステル１２５ｇ（０−５モル
）とをテトラブチルホスホニウムクロリド１．５ｇ（０
，００５モル）の存在で反応させる。６時間の後反応段
階の後に、粗生成物は３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによ
ればテトラブチルホスホニウムクロリド１Ｐ％の他に９
９Ｐ％がオクタンホスホン酸ジクロリドからなジ、テト
ラブチルホスホニウムクロリドカラオクタンホスホン酸
ジクロリドｔｇ留によジ分離する。
例 ４
例１と同様に、塩化チオニル１１９ｇ（１モル）を２−
クロルエタンホスホン酸ビス−（２−クロロエチルエス
テル）１２！Ｍ（０，５モル）とテトラブチルホスホニ
ウムクロリド１．５ｇ（０，００５モル）を添加して反
応させる。粗生成物は、３ｌ−ｐ−核磁気共鳴スペクト
ルによれば２−クロルエタンホスホン酸ジクロリド８２
Ｐ％全含有し、これ全蒸留により触媒から分離する。
クロルエタンホスホン酸ビス−（２−クロロエチルエス
テル）１２！Ｍ（０，５モル）とテトラブチルホスホニ
ウムクロリド１．５ｇ（０，００５モル）を添加して反
応させる。粗生成物は、３ｌ−ｐ−核磁気共鳴スペクト
ルによれば２−クロルエタンホスホン酸ジクロリド８２
Ｐ％全含有し、これ全蒸留により触媒から分離する。
例 ５
例１と同様に、塩化チオニル２９７．５９（、２，５モ
ル）全トリオクチルホスホンオキシド８．９ ｇ（０，
０１モル）と−緒に装入し、沸騰加熱し、１時間にメタ
ンホスホン酸ジメチルエステル１２４．！ｉ’（１モル
）を添加する。連続的熱供給でさらに１時間後に１３７
℃の反応温度全達成する。粗生成物は、３１Ｐ核磁気共
鳴スペクトルによれば、ジクロルトリオクチルホスホン
ＩＰ％の他にメタンホスホン酸ツクロリド９９Ｐ％から
なり、このものをジクロルトリオクチルホスホンから蒸
留により定量的に分離する。
ル）全トリオクチルホスホンオキシド８．９ ｇ（０，
０１モル）と−緒に装入し、沸騰加熱し、１時間にメタ
ンホスホン酸ジメチルエステル１２４．！ｉ’（１モル
）を添加する。連続的熱供給でさらに１時間後に１３７
℃の反応温度全達成する。粗生成物は、３１Ｐ核磁気共
鳴スペクトルによれば、ジクロルトリオクチルホスホン
ＩＰ％の他にメタンホスホン酸ツクロリド９９Ｐ％から
なり、このものをジクロルトリオクチルホスホンから蒸
留により定量的に分離する。
例 ６
例１．と同様に、塩化チオニル２９７．５ ｇ（２，５
モル）ｋ）リフェニルホスホン２．６ ｇ（０，０１モ
ル）と−緒に装入し、沸騰加熱し、メタンホスホン酸ジ
メチルエステル１２４ｇ（１モル）を滴加する。配量終
了してから２時１′！Ｊ＠に、反応温度は連続的熱供給
で１４０℃に上昇した。
モル）ｋ）リフェニルホスホン２．６ ｇ（０，０１モ
ル）と−緒に装入し、沸騰加熱し、メタンホスホン酸ジ
メチルエステル１２４ｇ（１モル）を滴加する。配量終
了してから２時１′！Ｊ＠に、反応温度は連続的熱供給
で１４０℃に上昇した。
この時点で粗生成物は ３１ｐ核磁気共鳴スペクトルに
よれば、触ａ：１ｐ％の他に、９９Ｐ％がメタンホスホ
ン酸ジクロリドからなる。
よれば、触ａ：１ｐ％の他に、９９Ｐ％がメタンホスホ
ン酸ジクロリドからなる。
例 ７（比較例）
例１と同様に、塩化チオニル２９７．５ ｇ（２，５モ
ル）に沸騰加熱時にメタンホスホン酸ジメチルエステル
１２４ｇ（１モル）ｔ、触１添加なしに、２時間に配量
する。
ル）に沸騰加熱時にメタンホスホン酸ジメチルエステル
１２４ｇ（１モル）ｔ、触１添加なしに、２時間に配量
する。
例１と比べて、配量の終了後に次のホスホン酸誘導体を
３１ｐ核磁気共鳴スペクトルにより検出することができ
る：メタンホスホン酸ジクロリド（４゜４Ｐ％）、メタ
ンホスホン酸メチルエステルクロリド（４６，２Ｐ％）
、ポリメタンホスホン酸メチルエステル２よびポリメタ
ンホスホン酸メチルエステルクロリド（４９，４ｐ％）
。
３１ｐ核磁気共鳴スペクトルにより検出することができ
る：メタンホスホン酸ジクロリド（４゜４Ｐ％）、メタ
ンホスホン酸メチルエステルクロリド（４６，２Ｐ％）
、ポリメタンホスホン酸メチルエステル２よびポリメタ
ンホスホン酸メチルエステルクロリド（４９，４ｐ％）
。
沸騰温度で７時間の後反応後に、反応生成物はメタンホ
スホン酸ジクロリド（１６Ｐ％）、メタンホスホン酸メ
チルエステルクロリド（０，３Ｐ％）およびポリメタン
ホスホン酸クロリド（８６，’７ Ｐ％）からなる。
スホン酸ジクロリド（１６Ｐ％）、メタンホスホン酸メ
チルエステルクロリド（０，３Ｐ％）およびポリメタン
ホスホン酸クロリド（８６，’７ Ｐ％）からなる。
例 ８（比較例）
公知技術に応じて、例１と同様に塩化チオニル２９７．
５ ｇ（２，５モル）とジメチルホルムアミド０．８
、！９ （０，０１モル）とからなる混合物に沸騰加熱
時に、メタンホスホン酸ジメチルエステル１２４ｇ（１
モル）金２時間に配量する。
５ ｇ（２，５モル）とジメチルホルムアミド０．８
、！９ （０，０１モル）とからなる混合物に沸騰加熱
時に、メタンホスホン酸ジメチルエステル１２４ｇ（１
モル）金２時間に配量する。
例１と比べて、配量後、反応生成物は、３１Ｐ核磁気共
鳴スペクトルによれば、メタンホスホン酸ジクロリド（
１８，９ｐ％）、メタンホスホン酸メチルエステルクロ
リド（７６，９Ｐ％）、ポリメタンホスホン酸メチルエ
ステル２よびポリメタンホスホン酸メチルエステルクロ
！Ｊ ）’ （４，２Ｐ％）からなる。例１においては
、２時間の後反応後に定量的にメタンホスホン酸ジクロ
リドが生成したが１．ここでは同じ時間に次のホスホン
酸誘導体が３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによす検出する
ことができる；メタンホスホン酸ジぐロリド（５１，５
Ｐ％）、メタンホスホン酸メチルエステルクロリド（３
０，９Ｐ％）、ポリメタンホスホン酸メチルエステルお
よびポリメタンホスホン酸メチルエステルクロリド（１
７，６Ｐ％）。
鳴スペクトルによれば、メタンホスホン酸ジクロリド（
１８，９ｐ％）、メタンホスホン酸メチルエステルクロ
リド（７６，９Ｐ％）、ポリメタンホスホン酸メチルエ
ステル２よびポリメタンホスホン酸メチルエステルクロ
！Ｊ ）’ （４，２Ｐ％）からなる。例１においては
、２時間の後反応後に定量的にメタンホスホン酸ジクロ
リドが生成したが１．ここでは同じ時間に次のホスホン
酸誘導体が３１ｐ核磁気共鳴スペクトルによす検出する
ことができる；メタンホスホン酸ジぐロリド（５１，５
Ｐ％）、メタンホスホン酸メチルエステルクロリド（３
０，９Ｐ％）、ポリメタンホスホン酸メチルエステルお
よびポリメタンホスホン酸メチルエステルクロリド（１
７，６Ｐ％）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中、Ｒは１〜１２個のＣ原子を有する直鎖状または
分枝状、場合によりハロゲン置換されたアルキル−、ア
ルケニル、アラルキル−またはアリール基を表わす〕で
示されるホスホン酸ジクロリドを、塩化チオニルと一般
式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、Ｒは前記のものを表わし、Ｒ＾１は１〜４個の
Ｃ原子を有する直鎖状または分枝状、場合によりハロゲ
ン置換されたアルキル基を表わす〕で示されるホスホン
酸ジアルキルエステルとを触媒の存在で反応させること
により製造する方法において、触媒として一般式III、
IVまたはＶ： Ｒ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３Ｒ＾４ＰＸ （III） Ｒ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３Ｐ （IV） Ｒ＾１Ｒ＾２Ｒ＾３ＰＯ （Ｖ） 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３は１〜８個のＣ原
子を有する同じかまたは異なるアルキル基またはアリー
ル基を表わし、Ｘは塩素または臭素を表わし、Ｒ＾４は
Ｒ＾１〜Ｒ＾３と同じものであるかまたは塩素または臭
素である〕で示される化合物を使用することを特徴とす
るホスホン酸ジクロリドの製造法。 ２、一般式IIIの化合物としてテトラブチルホスホニウ
ムクロリドまたはテトラブチルホスホニウムブロミドを
触媒として使用する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、一般式IVの化合物としてのトリフエニルホスフイン
を触媒として使用する特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ４、一般式Ｖの化合物としてトリオクチルホスフアンオ
キシドを触媒として使用する特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ５、ホスホン酸ジアルキルエステル、塩化チオニルおよ
び触媒を、物質量化１：２〜３： ０．００１〜０．１で使用する特許請求の範囲第１項か
ら第４項までのいずれか１項記載の方法。 ６、ホスホン酸ジアルキルエステル、塩化チオニルおよ
び触媒を、物質量化１：２．５：０．０１で使用する特
許請求の範囲第５項記載の方法。 ７、反応を、温度７０〜１５０℃および常圧で実施する
特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3541627.0 | 1985-11-26 | ||
| DE19853541627 DE3541627A1 (de) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | Verfahren zur herstellung von phosphonsaeuredichloriden |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62135483A true JPS62135483A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=6286769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278937A Pending JPS62135483A (ja) | 1985-11-26 | 1986-11-25 | ホスホン酸ジクロリドの製造法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4735748A (ja) |
| EP (1) | EP0227918B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62135483A (ja) |
| CA (1) | CA1277334C (ja) |
| DE (2) | DE3541627A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143600A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 塩素原子を含むホスファゼン誘導体の製造方法 |
| JP2011529025A (ja) * | 2008-07-25 | 2011-12-01 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビス（フルオロアルキル）ホスフィニルクロリドまたはフルオロアルキルホスホニルジクロリドの製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3629579A1 (de) * | 1986-08-30 | 1988-03-03 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von 2-chlorethanphosphonsaeuredichlorid |
| DE3641100A1 (de) * | 1986-12-02 | 1988-06-09 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von 2-chlorethanphosphonsaeuredichlorid |
| JP3478574B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2003-12-15 | 日本化学工業株式会社 | ジアリールクロロホスフェートの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2847469A (en) * | 1955-04-26 | 1958-08-12 | Thomas P Dawson | Method of manufacture of rp(o) cl2 from rp(o)(or)2 and socl2 |
| CS166044B2 (ja) * | 1971-06-15 | 1976-01-29 | ||
| DE2636270C2 (de) * | 1976-08-12 | 1983-06-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung von Phosphorigsäureesterchloriden und Phosphonigsäureesterchloriden |
| US4155932A (en) * | 1977-03-18 | 1979-05-22 | Ube Industries, Inc. | Method for non-catalytically producing tertiary phosphine dichlorides |
| US4213922A (en) * | 1978-09-20 | 1980-07-22 | Ciba-Geigy Corporation | Process for producing phosphonic acid halides |
-
1985
- 1985-11-26 DE DE19853541627 patent/DE3541627A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-11-05 EP EP86115298A patent/EP0227918B1/de not_active Expired
- 1986-11-05 DE DE8686115298T patent/DE3661418D1/de not_active Expired
- 1986-11-13 US US06/930,661 patent/US4735748A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-14 CA CA000522975A patent/CA1277334C/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-25 JP JP61278937A patent/JPS62135483A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143600A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 塩素原子を含むホスファゼン誘導体の製造方法 |
| JP4494940B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2010-06-30 | 日本化学工業株式会社 | 塩素原子を含むホスファゼン誘導体の製造方法 |
| JP2011529025A (ja) * | 2008-07-25 | 2011-12-01 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビス（フルオロアルキル）ホスフィニルクロリドまたはフルオロアルキルホスホニルジクロリドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1277334C (en) | 1990-12-04 |
| EP0227918B1 (de) | 1988-12-14 |
| DE3661418D1 (en) | 1989-01-19 |
| US4735748A (en) | 1988-04-05 |
| DE3541627A1 (de) | 1987-05-27 |
| EP0227918A1 (de) | 1987-07-08 |
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